DEP0050558DA - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelengleichrichternInfo
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Description
Bei den bekannten Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern wird die Halbleiterschicht, d.h. die Selenschicht, auf die Grundelektrode aufgebracht und im weiteren Verlauf mit der sog. Deckelektrode versehen. Die Selenschicht ist nach dem Aufbringen auf die Grundelektrode weitgehend homogen, d.h. die in der Regel beigemengten Zusatzstoffe, die die Leitfähigkeit des Selens heraufsetzen, sind im wesentlichen gleichmäßig im Selen verteilt. Solche Zusatzstoffe bestehen bei Selengleichrichtern vor allem aus Halogen oder Halogenverbindungen. Der Halogenzusatz im Selen vergrößert zwar, wie schon gesagt, die Leitfähigkeit der Selenschicht, er setzt aber zugleich die Sperrfähigkeit, d.h. den Sperrwiderstand des Gleichrichters herab. Das bedeutet in der Umkehrung, daß die Verwendung von Selen mit geringem Gehalt an Halogen o.dgl. zu guten Sperreigenschaften, aber zugleich, was sehr unerwünscht ist, zu einem hohen Flußwiderstand führt.
Ausgehend von der Erkenntnis, daß an der Bildung der Sperreigen-
schaften nur eine sehr dünne Oberflächenschicht der gesamten Selenschicht im Zusammenwirken mit der Deckelektrode beteiligt ist, wird mit der Erfindung bezweckt, die Vorteile einer gut leitenden Selenschicht mit den Vorteilen einer guten Sperrschicht zu verbinden. Die erfinderische Lösung besteht darin, daß das Selen nicht, wie bisher üblich, in homogener Zusammensetzung, sondern in zwei oder mehreren Schichten mit unterschiedlichem Gehalt an Halogen o.dgl. aufgebracht wird. Besonders einfach wird das Verfahren, wenn man das Selen auf die Grundelektrode in zwei Schichten, einer stärkeren Schicht mit hohem Gehalt an Halogen o.dgl. und einer darauf folgenden dünneren Schicht mit keinem oder nur geringem Gehalt an Halogen o.dgl., aufbringt. Für den späteren Flußwiderstand des Gleichrichters ist alsdann die stärkere Schicht mit großem Gehalt an Halogen o.dgl. maßgebend, während die dünnere Schicht, die keinen oder nur einen geringen Gehalt an Halogen o.dgl. besitzt, an dem Aufbau der Sperrschicht beteiligt ist und wegen ihres geringen Halogengehaltes zu guten Sperreigenschaften, d.h. zu einem großen Sperrwiderstand des Gleichrichters führt.
Das Aufbringen der Selenschicht kann nach einem der bekannten Verfahren durchgeführt werden. Besonders einfach wird es, wenn die Selenschicht aufgedampft wird. Es wird hierbei auf die Grundelektrode - bei Verwendung von zwei Selenschichten - zunächst eine Selenschicht mit starken Gehalt an Halogen o.dgl. aufgedampft. Anschließend erfolgt, ebenfalls wieder durch Aufdampfen, das Aufbringen der zweiten Selenschicht, die nur einen geringen Gehalt an Halogen o.dgl. enthält und für die eine entsprechend anders zusammengesetzte Selenmasse eingesetzt wird. Es ist auch möglich, den Übergang von der Schicht mit hohem Gehalt an Halogen o.dgl. zu der Schicht mit keinem oder nur geringen Gehalt an Halogen o.dgl. in mehreren Aufdampfstufen mehr oder weniger kontinuierlich zu gestalten. Das neue Verfahren läßt manche Abwandlungen zu. Man kann beispielsweise die Schichten des Selens teils nach dem einen Verfahren, z.B. durch Aufdampfen, und teils
nach anderen Verfahren, z.B. durch Aufstreichen oder durch Aufpressen, aufbringen. An die Stellen von Halogenen oder Halogenverbindungen können naturgemäß auch andere Beimengungen treten, die die Eigenschaft haben, die Leitfähigkeit des Selens zu erhöhen.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen auf die Grundelektrode in zwei oder mehreren Schichten mit unterschiedlichem Gehalt an Halogen o.dgl. aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die der Grundelektrode benachbarte und vorzugsweise stärker ausgebildete Schicht oder Schichtengruppe des Selens mit stärkerem Gehalt an Halogen o.dgl. und die der Deckelektrode benachbarte Selenschicht oder Schichtengruppe des Selens mit keinem oder nur geringem Gehalt an Halogen o.dgl. aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten des Selens oder ein Teil derselben in an sich bekannter Weise aufgedampft werden.
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