DEG0012444MA - - Google Patents
Info
- Publication number
- DEG0012444MA DEG0012444MA DEG0012444MA DE G0012444M A DEG0012444M A DE G0012444MA DE G0012444M A DEG0012444M A DE G0012444MA
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- antimony
- crystal
- germanium
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 94
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 73
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 72
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 42
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 40
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 18
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 1
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1739210B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen, und III-V-Halbleiter-Einkristall | |
DE2639707C2 (de) | Verfahren zur Steuerung der Sauerstoffkonzentration beim Ziehen von Siliciumkristallen | |
DE1217348B (de) | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium | |
DE1135671B (de) | Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall | |
DE69902911T2 (de) | Widerstandsheizung fur eine kristallzüchtungsvorrichtung und verfahren zu ihrer verwendung | |
DE1223951B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-bauelementen mit einem oder mehreren PN-UEbergaengen | |
DE2107149C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines hchtstrahlen abgebenden Mehrschicht Halbleiterbauelementes | |
DE1034772B (de) | Verfahren zum Ziehen von spannungsfreien Einkristallen fast konstanter Aktivatorkonzentration aus einer Halbleiterschmelze | |
DE60008880T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials | |
DE2005271C3 (de) | Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat | |
DE3123234A1 (de) | "verfahren zur herstellung eines pn-uebergangs in einem halbleitermaterial der gruppe ii-vi" | |
DE1113031B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Flaechentransistors | |
DE2953410T1 (de) | Semiconductor device production | |
DE1153540B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus Halbleitermaterial | |
DE3012119A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung | |
DE1298085B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen hoher Kristallguete durch Zonenschmelzen | |
DE2346399A1 (de) | Verfahren zum zuechten von epitaxialschichten | |
DE967930C (de) | Halbleiter mit P-N-Schicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1019013B (de) | Verfahren zur Bildung einer Inversionsschicht in Flaechenhalbleitern nach dem Rueckschmelz-Verfahren | |
DE1195420B (de) | Verfahren zur Schwemmzonenbehandlung eines Stabes aus kristallischem Halbleitermaterial | |
DEG0012444MA (enrdf_load_stackoverflow) | ||
DE1564170C3 (de) | Halbleiterbauelement hoher Schaltgeschwindigkeit und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2728771C2 (de) | Verfahren zur epitaktischen Ablagerung einer Schicht aus Verbindungshalbleitermaterial | |
EP0196474B1 (de) | Halbleiteranordnung aus Verbindungshalbleitermaterial | |
DE102021206550A1 (de) | Wafer mit niedrigem spezifischen widerstand und verfahren zu dessen herstellung |