DE897457C - Tief- oder Hochpass mit wenigstens zwei Schwingkristallen - Google Patents

Tief- oder Hochpass mit wenigstens zwei Schwingkristallen

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DE897457C
DE897457C DET2624D DET0002624D DE897457C DE 897457 C DE897457 C DE 897457C DE T2624 D DET2624 D DE T2624D DE T0002624 D DET0002624 D DE T0002624D DE 897457 C DE897457 C DE 897457C
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DE
Germany
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crystal
low
bridge
pass
oscillating
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Expired
Application number
DET2624D
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English (en)
Inventor
Werner Dr Herzog
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Telefunken AG
Original Assignee
Telefunken AG
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

  • Tief- oder Hochpaß mit wenigstens zwei Schwingkristallen Brauchbare Tiefpässe mit steiler Flanke für höhere Frequenzen als Tonfrequenzen lassen sich wegen der Spulenverluste nur mit Schwingkristallen, insbesondere Schwingquarzen herstellen. Die Eigenart der Schaltung ermöglichte es jedoch bisher nicht, in jeden Brückenzweig einer Brückenschaltung einen Kristall zu legen. Als Beispiel ist in Abb. r eine Tiefpaßschaltung in Form einer Differentialbrücke dargestellt. Mit den dargestellten zwei Kristallen ist die Schaltung bei Anwendung der bekannten Bemessungsregeln nicht realisierbar, denn das Verhältnis der Induktivitäten L3: L2 beider Kristalle Q3 und Q2 hat als geringsten Wert L,: L2 = 27 bei zusammenfallenden Stellen unendlich hoher Dämpfung in Abb. 2 (sogenannte Polstellen der Dämpfungskurve). Fallen diese drei Stellen nicht zusammen wie in Abb. 3, so ist das Verhältnis L3: L2 sogar noch größer. Andererseits läßt sich ein symmetrischer Tief- oder Hochpaß mit einem Kristall in nur einem Brückenzweig (bzw. in den identischen Brückenzweigen), bei dem im anderen Brückenzweig (bzw. im anderen Brückenzweigpaar) an Stelle des zweiten Kristalls (bzw. des zweiten Kristallpaares) Spulen und Kondensatoren in der Ersatzschaltung des Quarzes verwendet sind, in seinen Verlusten nicht kompensieren und ist wesentlich schlechter als der theoretische, verlustfreie Aufbau. Daher ist ein Tief- oder Hochpaß mit einem Kristall in jedem Brückenzweig erwünscht. Es würden sich dann eine steile Flanke und ein fast ebener Durchlaß ergeben.
  • Die Erfindung zeigt, daß sich bei Verwendung einer neuen Bemessung ein Tief- oder Hochpaß in Brückenschaltung oder einer äquivalenten Schaltung mit wenigstens je einem Schwingkristall in jedem Brückenzweig realisieren läßt. Es wird nämlich erfindungsgemäß ein realisierbares kleines Verhältnis der Induktivitäten der Schwingkristalle in den voneinander abweichenden Brückenzweigen erzielt, indem bei der Berechnung dieses Verhältnisses nur für den Abstand der die Flankensteilheit der Dämpfungskurve bestimmenden Stelle unendlich hoher Dämpfung von der Grenzfrequenz ein reeller Wert eingesetzt wird, während für die Abstände der noch möglichen beiden anderen Stellen unendlich hoher Dämpfung von der Grenzfrequenz konjugiert komplexe Werte angenommen werden.
  • Nachstehend wird die Erfindung an Hand der Abbildungen und an Hand von Formeln für den Fall eines Tiefpasses näher erklärt. Sie ist sinngemäß jedoch auch bei Hochpässen anwendbar. Die Formeln für Tiefpässe mit Schwingkristallen sind bekannt (USA.-Patent 1921 035 von Mason). Für das Induktivitätsverhältnis L.: L3 der beiden Schwingkristalle in Abb. = gilt Hierin. ist A=a,+a2+aa, B=a,'a,+al'a3+as'a3, C=a,'a2'a3, wobei für die a-Werte gilt Hierin bedeuten, wie Abb.3 zeigt, fo die Grenzfrequenz des Tiefpasses und di, d2, d3 die Abstände der Stellen unendlich hoher Dämpfung von der Grenzfrequenz f o.
  • Aus den obigen Formeln läßt sich ersehen, daß das Induktivitätsverhältnis L2: L3 von den Abständen dl, d2, d3 abhängig ist und, wie schon erwähnt, selbst im günstigsten Fall nach Abb. 2 einen Wert L3: L2 gleich 27 ergibt, der mit Schwingkristallen nicht herstellbar ist.
  • Die Erfindung zeigt jedoch, daß es außer den beiden in Abb. 2 und 3 dargestellten Fällen noch einen dritten Fall gibt, bei dem zwei der drei Stellen unendlich hoher Dämpfung nicht reell vorhanden sind und auch nicht etwa mit der einen Stelle in Äbb. 2 zusammenfallen. Trotzdem hat die Dämpfungskurve denselben Verlauf wie in Abb. 2, wie Versuche bestätigt haben. Bei Anwendung' der Erfindung werden für die erwähnten Abstände d2, A konjugiert komplexe Werte eingesetzt. Dann werden auch die Werte a2 und a3 konjugiert komplex. Die Werte für A, B, C werden trotzdem wieder reell und damit wird auch das Verhältnis L2 : L3 reell. An sich können diese konjugiert komplexen Werte beliebig gewählt werden. Man bemißt sie tatsächlich so, daß sich auch für die anderen Schaltelemente günstige Werte ergeben und der gewünschte Dämpfungsverlauf erzielt wird.
  • Die Durchführbarkeit der erfindungsgemäßen Bemessung läßt sich auch aus der Formel für die Dämpfung b ersehen: wobei ist hierin ist x = f - f o .
  • In diesen Gleichungen ist k eine Konstante, die von den oben angegebenen Werten für A, B, C abhängt, und f ist jeweils Frequenz. dl und d2 sind die Abstände der im Durchlaßbereich liegenden Serienresonanzfrequenzen der Schwingkristalle von der Grenzfrequenz fo. Die Lage dieser Serienresonanzfrequenzen hängt von der Lage der Grenzfrequenz f o und der Dämpfungsstellen ab.
  • Im Nenner der Gleichung für y steht eine kubische Gleichung. Solche Gleichungen haben bekanntlich nicht nur eine Lösung mit drei reellen Werten, sondern auch eine Lösung mit einem reellen und zwei konjugiert komplexen Werten. Dies ist die mathematische Ursache für die Durchführbarkeit' der Erfindung.
  • Die Berechnung geht folgendermaßen vor sich. Gegeben ist die Grenzfrequenz fo und die Dämpfungsstelle entsprechend dem Abstand dl, welche die Flankensteilheit bestimmt. Angenommen wird ein Schwingkristall mit einer bestimmten Induktivität. Hiermit ergibt die Berechnung bei Anwendung der oben angegebenen Formeln die Induktivität des anderen Schwingkristalls. Mit hier nicht angegebenen bekannten Formeln berechnen sich dann die Serienresonanzfrequenzen der Quarze und der anderen Schaltelemente (USA.-Patent 1921:035). In manchen Fällen ergibt die Berechnung eine so kleine Kapazität Co in Abb. z, daß sie die natürliche Kapazität des Kristalls Q2 unterschreitet. In diesem Fall wird auch dem unteren Kristall Q2 in Abb. i eine Spule,. parallel gelegt, so daß die Schaltung nach Abb. q. entsteht. Es ergibt sich dann allerdings eine geringe Dämpfungserhöhung bei tieferen Frequenzen, welche"jedoch in den meisten Fällen nicht stört oder weit weggelegt werden kann.
  • Die Schaltung nach Abb. q. stellt zugleich ein Schaltbeispiel für einen Hochpaß dar. In- diesem Fall ist die Spule L immer notwendig,:, weil parallel zum Kristall eine Induktivität liegen flüß.
  • Die Erfindung ist nicht nur bei Tief- und Hochpässen in Brückenschaltung, sondern auch bei Tief-und Hochpässen in äquivalenten Schaltungen (n- oder T-Glied) anwendbar.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: x. Tief- oder Hochpaß in Brückenschaltung oder in einer äquivalenten Schaltung mit wenigstens je einem Schwingkristall in jedem Brückenzweig, dadurch gekennzeichnet, daB ein realisierbares kleines Verhältnis der Induktivitäten der Schwingkristalle in den voneinander abweichenden Brückenzweigen erzielt .wird,. indem bei der Berechnung dieses Verhältnisses. nur für den Abstand der die Flankensteilheit der. Dämpfungskurve bestimmenden Stelle unendlich hoher Dämpfung von der Grenzfrequenz ein reeller Wert eingesetzt wird, während für= .die Abstände der noch möglichen beiden anderen -Stellen unendlich hoher Dämpfung von der Grenzfrequenz konjugiert komplexe Werte angenommen werden.
  2. 2. TiefpaB nach Anspruch z, dadurch gekennzeichnet, daB dann, wenn die nach der Rechnung sich ergebende Parallelkapazität desjenigen Kristalls, der ohne andere Schaltelemente in einem Brückenzweig liegt, einen Wert unterschreitet, der durch die natürliche Parallelkapazität des Kristalls gegeben ist, dem betreffenden Kristall eine Induktivität parallel gelegt wird (Abb. q.).
DET2624D 1943-05-13 1943-05-14 Tief- oder Hochpass mit wenigstens zwei Schwingkristallen Expired DE897457C (de)

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DET2624D DE897457C (de) 1943-05-13 1943-05-14 Tief- oder Hochpass mit wenigstens zwei Schwingkristallen

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DET2624D DE897457C (de) 1943-05-13 1943-05-14 Tief- oder Hochpass mit wenigstens zwei Schwingkristallen

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