DE873383C

DE873383C - Verfahren zur Herstellung einer Umhuellung um einen Diamant-ziehstein und nach diesem Verfahren hergestellter Diamantziehstein mit Umhuellung

Info

Publication number: DE873383C
Application number: DEN3501A
Authority: DE
Inventors: Antonie Wobbe Ploegsma
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1950-02-16
Filing date: 1951-02-14
Publication date: 1953-04-13

Description

Verfahren zur Herstellung einer Umhüllung um einen Diamantziehstein und nach diesem Verfahren hergestellter Diamantziehstein mit Umhüllung Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Herstellung einer Umhüllung um einen Diamantziehstein und auf einen nach diesem Verfahren hergestellten Diamantziehstein mit Umhüllung.
Es ist bekannt, einen solchen Diamanten in Stahl zu fassen und das Ganze durch einen Ziehstein hindurchzuziehen. Bei diesem Verfahren tritt jedoch der Nachteil auf, daß die Umhüllung und somit auch der Diamant größeren Kräften unterworfen werden, wobei keine Gew ißheit vorliegt, ob die Umhüllung den Diamanten allseitig umfaßt. Letzteres ist mit Rücksicht auf,die großen, beim Ziehvorgang im Diamanten ,auftretenden Kräfte erforderlich, damit ein Spalten des Diamanten verhütet wird. Es wurde auch bereits vorgeschlagen, als Umhüllung für den Diamanten ein gesintertes Material metallischer Natur zu verwenden. Diese Masse wird in ungesintertem Zustande in eine Form gebracht, und darauf wird das Material unter Druck und bei Anwendung einer hohen Temperatur von etwa r4oo° C zusammengesintert. Damit der Diamant nicht angegriffen wird, müssen dabei die Temperaturgrenzen und die Sinterz.eit genau festgelegt und berücksichtigt werden, was nur von erfahrenen Arbeitskräften durchgeführt . werden kann. Es ist auch bekannt, einen Diamanten mit einem Gemisch aus gebackenem Natriumsilicat, Kupfer- oder Messingpulver und. einer kleinen Zinkmenge zu umhüllen. Es ergibt sich jedoch, daß -diese Umhüllung keine hinreidherlde Festigkeit hat. Gemäß der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Umhüllung um einen Diamantziehstein dadurch gekennzeichnet, daß der Diamant mit einem flachen Teil auf eine-angemessene Oberfläche einer Platte gelegt wird, daß (darauf die Platte und der Diamant in einer Gußform untergebracht werden und dann ein Material in die Form gegossen wird, das praktisch die gleiche Schmelztemperatur und den gleichen Ausdehnungskoeffizienten wie die Iden Diamanten unterstützende Platte hat. Es hat sich ergeben, daß ein gemäß diesem Verfahren hergestellter Diamantenziehstein feist in seiner Umhüllung sitzt und auch bei den Temperaturen, denen der Diamant beim Ziehen ausgesetzt ist, und, bei der darauffolgenden Abkühlung- sich nicht löst. Es soll hier bemerkt werden, daß es bekannt ist, einen Diamantziehstein auf einer Platte anzuordnen und .den Diamanten sannt der Platte mit einer gesinterten Masse zu umgeben, wobei die Platte aus :dem gleichen Material wie die Massee hergestellt ist.
Vorzugsweise sind sowohl der Diamant als auch die Platte voir der Anbringung in der Gußform mit einer Durchbohrung versehen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die untere Seite der Gußform mit einer Öffnung versehen, und die Unterstützungsplatte mit .dem Diamanten wird derart in der Gußform angeordnet, da,ß die Mittellinien. der Öffnungen im Diamanten, in der Unterstützungsplatte und in der Gußform sich decken, worauf xlie Öffnung in der GuBfoirm an eine Leitung angeschlossen wird, in der ein Unterdruck vorherrscht. Dieser Ansehluß wird so lange aufrechterhalten, bis das in die Gußform gegossene Material erstarrt ist. Es ergibt sich, daß bei der Durchführung dieser Maßnahme der Diamant und die Platte während des Gußvorgangs an ihrer richtigen Stelle liegenbleiben. und daß einhomogenes Grußstück ohne Gußblas,en entsteht und -sämtliche Öffnungen vollkommen aufgefüllt werden.
Ein Diamantziehstein mit einer Umhüllung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Diamant nach einem oder .mehreren der vorerwähnten Verfahren befestigt ist. Es ist (dabei vorteilhaft, wenn nach einer Ausführungsform der Erfindung die Oberfläche ,der den Diamanten tragenden Platte: größer ist als die gegenüberliegende Oberfläche dieser Platte. Es ist ens:ichtlich"daß infalgie dieser Mraßnahme die Plattre und somit der Diamami nicht aus des Umhüllung entfernt wenden können, ohne die Umhüllung zu vernichten. Bei Schwund dies gegossenen Materials wird die Platte auch um sb stärker gehalten werden.
Nach einer Ausführungsform der Erfindung ist die Platte vorzugsweise aus demselben Material wie das in die Gußiform gegossene Material hergestellt.-Dies ergibt eine gute Haftung des Materials an-der Platte.
Nach einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist es schließlich vorteilhaft, daß sowohl das gegossene Material als auch die Platte aus Gußeisen mit einem Siliciumgehalt von .etwa 3% bestehen. Die Schmelztemperatur dieses Materials ist -hinreichend niedrig, um bei Berücksichtligung der kurzen Erstarrungszeit Beschädigungen des Diamanten zu verhüten, und die Dünnflüssigkeit im warmen Zustande ist derart, daß das Material an allen Stellen durchdringen kann.
Ein wesentlicher Vorteil dieser Ausführungsform der Erfindung ist weiter noch,der"daß infolge der Ausdehnung beim Erstarren von Gußeisen der Diamant fest verschlossen wird und beim darauffolgenden Schwund dieser Versc'hluß aufrechterhalten wird.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert, in oder ein Ausführungslbeispiel der Erfindung dargestellt ist.
In der Zeichnung bezeichnet z eine Gußform mit einem flachen Boden 2. Auf diesem Boden ruht eine Platte 3 auf, die mit einer Öffnung q. versehen ist. Der Gußformboden 2 ist gleichfalls mit einer Öffnung 5 versehen. Auf :.der Platte 3 ruht ein Diamant 6 auf, .der - bereits eine Durchbohrung hat. Die Platte 3 ist kreisförmig, aber der Durchmesser der den Diamanten 6 tragenden Fläche übersteigt denjenigen ider auf dem Boden 2 .der Gußform aufruhenden Fläche. In die Gußform -ist eine Masse 7 gegossen. Vor und während des Gußvorgangs ist eine Vakuumleitung durch einen Schlauch mit einer Anschlußtülle 8 verbunden, die ihrerseits mit dem Boden .2 der Gußform verbunden ist. Die Platte 3 und das Material 7 bestehen vorzugsnveise aus Gußeisen. mit einem Siliciumgehalt von etwa 30/0. Es ist nicht erforderlich, daß der Diamant vor dem Eingießen durchbohrt ist, aber rrtit Rücksicht auf eine einfache Herstellung ist dies empfehlenswert.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: z. Verfahren zur Herstellung einer Umhüllung um einen Diamantziehstein, .dadurch gekennzeichnet, daß der Diamant mit einem flachen Teil auf eine angemessene Oberfläche einer Platte gelegt wird, worauf die Platte und Bier Diamant ein einer Gußform untergebracht werden und dann ein Material in die Form gegossen ,vnrd, das praktisch die gleiche Schmelztemperatur und den gleichenAusdehnungskoeffizienten wie die den Diamanten abstützende Platte hat.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Diamant als auch die Platte vor der Anbringung in der Gußform mit einer Durchbohrung versehen werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Seite der Gußform mit einer Öffnung versehen ist und daß, die Unterstützungsplatte mit dem Diamanten .derart in der Gußiform angebracht wird, daß' die Mittellinien der Öffnungen im Diamanten, in der Unterstützungsplatte und in der Gußform sich decken, worauf die Öffnung der Gußform an eine Leitung angeschlossen wird, in der ein Unterdruck vorherrscht, wobei dieser Anschluß so lange aufrechterhalten wird, bis .das in die Gußform gegossene Material erstarrt ist. d..
Diamantziehstein mit einer Umhüllung, dadurch gekennzeichnet, daß der Diamant nach einem oder mehreren der Verfahren nach Anspruch r, 2 oder 3 befestigt ist.
5. Diamantziehstain nach Anspruch d., dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der den Diamanten unterstützenden Platte größer als die ;gegenüberliegende Oberfläche (der Platte ist.
6. Diamantziehstein nach Anspruch q. oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß, die Platte aus demselben Material wie das in die Gußform gegossene Material hergestellt ist.
7. Diiamantzieh.stein nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material aus Gußeisen mit einem Siliciumgehalt von etwa 3 % besteht.