DE868317C - Kupferoxydul-Trockengleichrichter - Google Patents

Kupferoxydul-Trockengleichrichter

Info

Publication number
DE868317C
DE868317C DES5534D DES0005534D DE868317C DE 868317 C DE868317 C DE 868317C DE S5534 D DES5534 D DE S5534D DE S0005534 D DES0005534 D DE S0005534D DE 868317 C DE868317 C DE 868317C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copper
layer
copper oxide
oxide dry
dry rectifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES5534D
Other languages
English (en)
Inventor
Max Dr Phil Steenbeck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES5534D priority Critical patent/DE868317C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE868317C publication Critical patent/DE868317C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Motor Or Generator Current Collectors (AREA)

Description

  • Kupferoxydul -Trockengleichrichter Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterelementen, deren gleichrichtende Schicht aus Kupferoxydul besteht, das durch Glühen einer Trägerelektrode aus Kupfer erzeugt wird. Das Verfahren nach der Erfindung unterscheidet sich von den bei der Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleiehrichterelementen bisher angewendeten Verfahren dadurch, daß als Trägerelektrode für die Kupferoxydulschicht eine dünne Kupferschicht dient, welche auf eine Grundmetallplatte aufgebracht wird. Dabei ist es wesentlich, daß diese Kupferträgerschicht keinerlei mechanischen Bearbeitungsvorgängen unterworfen wird, wie dies bei den bisher üblichen Herstellungsverfahren für 'Kupferoxydul-Trockengleichrichter stets der Fall ist. Die Kupferträgerschicht kann zu dem Zweck beispielsweise im Vakuum auf die Grundmetallplatte aufgeschmolzen werden. Eine dünne Kupferschicht kann auch dadurch erzielt werden, daß Kupfer durch Kathodenzerstäubung oder durch Aufdampfen auf eine Grundmetallplatte aufgebracht wird. Als Grundmetall kann entweder ebenfalls Kupfer oder auch ein anderes Metall verwendet werden.
  • Die Erfindung hat gegenüber bekannten Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern zunächst den Vorteil, daß man als Träger für die gleichrichtende Kupferoxydulschicht eine Kupferschicht gewinnt, bei der die Gefahr der Verunreinigung mit Fremdstoffen verhältnismäßig gering bzw:. gänzlich ausgeschlossen ist. Die durch Aufdampfen oder durch iKathodenzerstäubung erzeugte Trägerschicht aus Kupfer besteht praktisch aus chemisch völlig reinem .Kupfer, das in Verbindung mit der auf seiner Oberfläche erzeugten Kupferoxydulschicht besonders gute gleichrichtende Eigenschaften ergibt. Auch bei einer durch Aufschmelzen gewonnenen Kupferträgerschickt läßt sich ein hoher Reinheitsgrad erzielen.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt darin, daß die die Küpferoxydulschicht tragende Kupferschicht nicht wie bei den bekannten Kupferoxydul-Gleichrichterelementen einer mechanischen Bearbeitung, beispielsweise einem Walzprozeß, unterworfen wird. Die bei solcher mechanischen Bearbeitung notwendige Berührung der .Kupferschicht mit anderen Werkstoffen bringt die Gefahr mit sich, daß Spuren schädlicher Verunreinigungen in die ,Kupferschicht eindringen und die gleichrichtenden Eigenschaften der später durch Glühen erzeugten Kupferoxydulschicht ungünstig beeinflussen. Außerdem kann auch durch die mechanische Bearbeitung als solche das Gefüge der die 'Kupferoxy dulschicht tragenden Kupferschicht in einer der Gleichrichtung abträglichen ;Weise ungünstig beeinflußt werden. Auch das wird durch das Verfahren nach der Erfindung ausgeschlossen, weil jede mechanische Bearbeitung der die gleichrichtende Schicht tragenden Kupferschicht vermieden ist. Bei dem Verfahren nach der Erfindung läßt sich auch eine einkristalline Kupferschicht als Trägerschicht erzeugen, was ebenfalls für die gleichrichtenden Eigenschaften der auf der Träger -schickt zu erzeugenden Kupferoxydulschicht vorteilhaft ist.
  • Die Erfindung hat darüber hinaus noch den Vorteil, daß die bei den bisherigen Herstellungsverfahren notwendigen, zum Teil sehr umfangreichen Voruntersuchungen zur Auffindung von geeigneten Kupfersorten wegfallen. Wenn als Trägerelektrode für die Aufnahme der dünnen Kupferschicht eine Kupferscheibe verwendet wird, so kann man dazu praktisch jede handelsübliche Kupfersorte verwenden; ohne daß die Gefahr besteht, daß etwa in dem Kupfergrundmetall vorhandene Verunreinigungen sich ungünstig auf die gleichrichtenden Eigenschaften des fertigen Trockengleichrichters auswirken.

Claims (1)

  1. PATENTANSPROCHE: .i. Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichterelementen, dadurch gekennzeichnet, daß eine die Kupferoxydulschicht tragende dünne Kupferschicht unter Ausschluß mechanischer Bearbeitungsvorgänge aufgebracht wird. a. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschicht im Vakuurrr aufgeschmolzen wird. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferschicht durch Kathodenzerstäubung öder durch Aufdampfen aufgebracht wird.
DES5534D 1944-12-07 1944-12-08 Kupferoxydul-Trockengleichrichter Expired DE868317C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES5534D DE868317C (de) 1944-12-07 1944-12-08 Kupferoxydul-Trockengleichrichter

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0005534 1944-12-07
DES5534D DE868317C (de) 1944-12-07 1944-12-08 Kupferoxydul-Trockengleichrichter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE868317C true DE868317C (de) 1953-02-23

Family

ID=25994749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES5534D Expired DE868317C (de) 1944-12-07 1944-12-08 Kupferoxydul-Trockengleichrichter

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE868317C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3019639B1 (de) Verfahren zur verbesserung der haftfähigkeit
DE973445C (de) Verfahren zur Herstellung von mit Selen bedeckten Platten aus Metall fuer Gleichrichter, Fotoelemente u. dgl.
DE1279848B (de) Verfahren zum grossflaechigen Kontaktieren eines einkristallinen Siliziumkoerpers
DE1216499B (de) Auf Eisen oder Eisenlegierungen aufgebrachtes Email mit hoher Dielektrizitaetskonstante
DE868317C (de) Kupferoxydul-Trockengleichrichter
DE3029792A1 (de) Verfahren zum zerteilen eines halbleiterkristalls in scheiben
DE1213921B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE1044287B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit p-n-UEbergaengen
DE2500914B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Vormaterials für die Herstellung von zur Fertigung von Schmuckstücken dienenden hohlen Drähten aus Edelmetall
DE1040135B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen aus Silicium od. dgl. durch Anwendung eines chemischen AEtzvorganges an der Stelle des p-n-UEberganges
DE2031884A1 (de) Verfahren zum Ausbilden einer SilikatgJasschicht auf der Oberfläche eines Sihciumplattchens eines Halb leiterbauelementes
DE2730625C3 (de) Verfahren zur Herstellung von stark verzinnten Kupferdrähten
DE1564373A1 (de) Vorrichtung mit Silicium p - n Vereinigungszone und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
DE1033478B (de) Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Platin auf einen Metallgegenstand
DE966905C (de) Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
DE725286C (de) Verfahren zur Herstellung der Halbleiterschicht von Selentrockengleichrichtern oder -photozellen
DE1143374B (de) Verfahren zur Abtragung der Oberflaeche eines Halbleiterkristalls und anschliessenden Kontaktierung
DE736713C (de) Verfahren zur Herstellung von Kobaltroehren auf elektrolytischem Wege
DE1234397B (de) Verwendung von Gold- und/oder Silber-Legierungen als Werkstoff fuer elektrische Kontakte und Verfahren zur Herstellung von Kontakten
DE512818C (de) Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterelementes
DE1033479B (de) Verfahren zur Herstellung von Verbundmetall aus Eisen und Aluminium
DE2540999A1 (de) Elektrischer steckkontakt
DE822746C (de) Verfahren zum Herstellen von metallischen Gleitlagern
AT218570B (de) Verfahren zur großflächigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkörpers
DE2117179C3 (de) Glasbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels Diffusion