DE826775C - Verfahren zur Herstellung von Germaniumspitzen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Germaniumspitzen

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DE826775C
DE826775C DES5890A DES0005890A DE826775C DE 826775 C DE826775 C DE 826775C DE S5890 A DES5890 A DE S5890A DE S0005890 A DES0005890 A DE S0005890A DE 826775 C DE826775 C DE 826775C
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DE
Germany
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germanium
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melt
metal
molten
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Expired
Application number
DES5890A
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English (en)
Inventor
Dipl-Chem Georg Rosenberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens and Halske AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens and Halske AG
Siemens AG
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/04Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Germaniumspitzen Es sind bereits Germaniumrichtleiter bekannt, bei denen statt einer Metallspitze eine Germaniumspitze oder Germaniumkante auf die Gegenelektrode aufgesetzt ist, die selbst wieder eine Halbleiterfläche, z. B. eine Germaniumfläche oder eine Germaniumkante ist. Die Erfindung befaßt sich mit einem Verfahren zur Herstellung solcher Spitzen oder Kanten, durch die z. B. beim Aufsetzen auf eine Germaniumfläche das störende, stark temperaturabhängige Kontaktpotential vermieden wird, (las sonst bei Aufsetzen einer Metallspitze auf die Germaniumoberfläche entsteht. Es wird vorgeschlagen, derartige Spitzen oder Kanten für Richtleiter oder Transistoren durch Eintauchen von Metalldrähten öder entsprechend ,dier gewünschten Kante geformter Metallstücke in geschmolzenes Germanium und nachfolgendes Herausziehen des Drahtes bzw. des Metallstückes aus der Schmelze herzustellen. Wie Versuche mit Drähten aus verschiedenen Metallen oder Metallegierungen ergeben haben, überziehen sich die Drähte bzw. Metallstücke bei diesem Verfahren mit einer durch Legierungsbildung festhaftenden Germaniumschicht, die zum Ende hin in eine feine Germaniumspitze oder -kante verläuft. Dabei bedarf der einzutauchende feine Metalldraht bzw. das Metallstück keiner besonderen schwierigen Formgebung. Das Material für den Metalldraht bzw. das Metallstück steht weitgehend im Belieben des Fachmannes, da nach den durchgeführten Versuchen Drähte aus Kupfer, Silber, Platin, Platin-Rhodium, Bronze, Messing, Molybdän usw. sich als geeignet erwiesen haben. Derartig hergestellte Spitzen oder Kanten können überall da in Richtleitern verwendet werden, wo Spitzenkontakte auf die Gegenelektroden aufgesetzt oder Kantenelektroden verwendet werden; sie sind aber besonders dort von Bedeutung, wo auch die Gegenelektrode, wie bei Germaniumrichtleitern oder -transistoren, aus Germanium besteht, weil bei diesen durch die erfindungsgemäß hergestellten Elektroden Kontaktpotentiale vermieden werden.
  • Da die Germaniumschmelze an Luft leicht oxydiert, muß sie und mit ihr die aus ihr herausgezogene germanisierte Metallspitze bzw. -kante gemäß der weiteren Erfindung gegen Oxydation geschützt sein. Dies kann dadurch geschehen, daß die Germaniumschmelze sich im Vakuum, in einer inerten oder reduzierenden Gasatmosphäre, z. B. Wasserstoff- oder Stickstoffatmosphäre, befindet und das Tauchen der Drähte bzw. Kanten in dieser durchgeführt wird. Eine besonders zweckmäßige Ausführungsform besteht jedoch in der Verwendung einer die Germaniumschmelze abdeckenden und von ihr getragenen inerten oder reduzierenden Salzschmelze, durch die hindurch der Draht bzw. die Kante in das geschmolzene Germanium getaucht und zurückgezogen wird. Diese Salzschicht, die z. B. aus Borax, Zyankali, Phosphorsalz o. dgl. bestehen kann, und die nicht nur die Aufgabe hat, die Oxydation der Germaniumschmelze zu verhindern, sondern darüber hinaus zweckmäßig auch evtl. gebildetes Germaniumoxyd der Schmelze bzw. Oxydschichten des Spitzen- oder Kantenmetalls zu reduzieren, schwimmt also auf der Germaniumschmelze und gestattet die Durchführung des Verfahrens in einfachster Weise an Luft.

Claims (3)

  1. PATEN TANSPRCGHE: i. Verfahren zur Herstellung von Germaniumspitzen bzw. Germaniutnkanten für Richtleiter, bei denen die Spitze bzw. Kante auf eine insbesondere ausGermaniurn bestehendeGegenelektrode aufgesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Metalldraht bzw. die Kante eines Metallstückes in geschmolzenes Germanium eingetaucht und aus der Schmelze herausgezogen wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Germaniumschmelze sich im Vakuum, in einer inerten oder reduzierenden Gasatmosphäre befindet und das Tauchen der Drähte bzw. Kanten in dieser durchgeführt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i oder 2, gekennzeichnet durch die Verwendung einer mit einer inerten oder reduzierenden Salzschmelze (z. B. Borax, Zyankali, Phosphorsalz u. dgl.) überschichteten dermaniumschmelze, durch die hindurch der Draht bzw. die Kante in das geschmolzene Germanium getaucht und zurückgezogen wird.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1044287B (de) * 1954-03-10 1958-11-20 Sylvania Electric Prod Legierungsverfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit p-n-UEbergaengen
DE1126518B (de) * 1953-03-24 1962-03-29 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit flaechenhaften UEbergaengen zwischen Zonen unterschiedlichen Leitungstyps
DE1157708B (de) * 1953-03-24 1963-11-21 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Diode mit flaechenhaftem pn-UEbergang

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DE1126518B (de) * 1953-03-24 1962-03-29 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen mit flaechenhaften UEbergaengen zwischen Zonen unterschiedlichen Leitungstyps
DE1157708B (de) * 1953-03-24 1963-11-21 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Diode mit flaechenhaftem pn-UEbergang
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