DE725129C - Verfahren zur Steuerung von Kerrzellen bei der Aufnahme von Halbwellenintensitaetsschrift - Google Patents

Verfahren zur Steuerung von Kerrzellen bei der Aufnahme von Halbwellenintensitaetsschrift

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DE725129C
DE725129C DEU15182D DEU0015182D DE725129C DE 725129 C DE725129 C DE 725129C DE U15182 D DEU15182 D DE U15182D DE U0015182 D DEU0015182 D DE U0015182D DE 725129 C DE725129 C DE 725129C
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DE
Germany
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electron
electrodes
controlling
controllable resistors
kerr
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Expired
Application number
DEU15182D
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English (en)
Inventor
Dr-Ing Carlheinz Becker
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Universum Film AG
Original Assignee
Universum Film AG
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor

Landscapes

  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

  • Verfahren zur Steuerung von Kerrzellen bei der Aufnahme von Halbwellenintensitätsschrift In .dem Patent 715 573 wird ein Verfahren zur Steuerung von Kerrzellen für die Aufnahme von Halbwellenintensitätsschrift beschrieben, bei dem .die Elektroden der Kernzelle ständig in bezug auf die an dieser liegenden Spannungen umgepolt werden. Dieses Verfahren bestand darin, daß die für ein Elektrodenpaar bestimmten Spannungen ;an zwei parallele, aus je zwei hintereinanderge-. schalteten, in ihrer Größe steuerbaren Widerständen ,gebildeten Spannungsteiler gelegt wurden, während je eine Elektrode des Elektro@denpaares der Kernzelle mit dem Mittelpunkt je eines Spannungsteilers verbunden war. Die Widerstände wurden dann derart gesteuert, daß während einer Hälfte der Steuerperiode gleichzeitig der dem einen Spannungspol zunächst liegende Widerstand des ersten Spannungsteilers und der dem anderen Spannungspol zunächst liegende Widerstand des zweiten Spannungsteilers ihren geringsten und die beiden anderen Widerstände ihren höchsten Wert haben, während sich in der zweiten Hälfte der Steuerperiode die Verhältnisse umkehren.
  • In einem Ausführungsbeispiel des Patents werden als steuerbare Widerstände gittergesteuerte Elektronenröhren verwendet, :deren Gittern entsprechende rechteckige Steuerspannungen zugeführt werden.
  • Es hat sich nun gezeigt, daß bei der Verwendung normaler Elektronenröhren starke Verzerrungen der auf die Kernzelle wirkendan Halbwellenspannun,gen eintreten. Der außerordentlich große Kerrzellenwiderstand verhindert, daß die Halbwellenpotentiale schnell genug abfließen können. Auch über die Elektronenröhren ist ei Abfließen nicht möglich, da .diese nur in einer Richtung stromdurchlässig sind.
  • Zur Vermeidung dieser Verzerrungen wird nun erfindungsgemäß so vorgegangen, daß als steuerbare Widerstände gittergesteuerte Elektronenröhren verwendet werden, deren Anoden elektronenemittierende Elektroden sind, also Entladungsstrecken, die in beiden Richtungen Elektronen emittieren. So kann man z. B. als Anode ähnlich der Kathode eine direkt oder indirekt geheizte elektronenemittierende Elektrode versehen.
  • Stehen derartige Spezialröhren nicht zur Verfügung, so kann man gemäß einem weiteren Kennzeichen der Erfindung so verfahren. daß man je zwei genau gleiche Elektronenröhren entgegengesetzt parallel schaltet, derart, daß Kathode an Anode, 'Anode an Kathode und Gitter an Gitter liegen.
  • Die Erfindung ist in der Abbildung schematisch dargestellt. i i ist die Kerrzelle mit den beiden Elektrodenpaaren a, b und e, d. Die Schaltung ist nur für das Plattenpaar e, rl dargestellt, da sie für das Plattenpaar a, b ganz entsprechend ist. An den Punkten A und B wird die zur Steuerung der Platten c, d dienende Spannung angelegt. Zwischen der Spannung an den Punkten A. und B liegen zwei parallele Spannungsteiler, die aus den Elektronenröhren i 5, 1 4. bzw. 12 , 13 bestehen. Mit dem Verbindungspunkt der Elektronenröhren 14 und 15 ist die Platte c der Kerrzelle i i, mit Verbindungspunkt der Elektronenröhren 12 und 13 die Platte,d verbunden. Die Elektronenröhren 12, 13, 1.1 und 15 besitzen nun sowohl als Kathode als auch als Anode vorzugsweise gleichartige, direkt oder indirekt geheizte elektronenemittierende Elektroden, so daß sie in beiden Richtungen stromdurchlässig sind und die Halbwellenpotentiale abfließen können.

Claims (3)

1'ATGNTANSPRÜCHR: i. Verfahren zur Steuerung von Kerrzellen für die Aufnahme von Halbwellenintensitätsschrift, bei dem die Elektroden der Kerrzelle ständig in bezug auf die an dieser liegenden Spannungen umgepolt werden und die für je ein Elektrode.npaar bestimmte Spannung an zwei parallelen. aus je zwei in ihrer Größe steuerbaren Widerständen gebildeten Spannungsteilern liegt, wobei je eine Elektrode des Elektrodenpaares der Kerrzell:e mit dem Mittelpunkt je eines Spannungsteilers verbunden ist, nach Patent 715 573, dadurch gekennzeichnet, daß als steuerbare Widerstände gittergesteuerte Entladungsstrecken verwendet werden, die in beiden Richtungen Elektronen emittieren können.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als steuerbare Widerstände gittergesteuerte Elektronenröhren verwendet werden, deren Kathode und Anode vorzugsweise gleichartige, direkt oder indirekt geheizte -elektronenemittiierende Elektroden sind.
3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als steuerbare Widerstände je zwei gleiche, entgegengesetzt parallel geschaltete normale Elektronenröhren verwendet werden. q.. Elektronenröhre zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch i und z, dadurch gekennzeichnet, daß Anode und Kathode vorzugsweise gleichartige, direkt oder indirekt geheizte elektronenemittierende Elektroden sind.
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