DE713895C - Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Elektrode in einer Entladungsroehre - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Elektrode in einer Entladungsroehre

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DE713895C
DE713895C DEN38483D DEN0038483D DE713895C DE 713895 C DE713895 C DE 713895C DE N38483 D DEN38483 D DE N38483D DE N0038483 D DEN0038483 D DE N0038483D DE 713895 C DE713895 C DE 713895C
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DE
Germany
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silver
layer
photoelectric
cell
discharge tube
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Expired
Application number
DEN38483D
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English (en)
Inventor
Dr Marten Cornelis Teves
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Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/02Details
    • H01J40/04Electrodes
    • H01J40/06Photo-emissive cathodes

Landscapes

  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Elektrode in einer Entladungsröhre Es ist bekannt, bei der Herstellung einer photoelektrischen Elektrode in einer Entladungsröhre von einer Silberschicht auszugehen, diese ganz oder teilweise zu oxydieren und dann der Einwirkung eines photoelektrischen Metalles, insbesondere eines. Alkali-oder Erdalkalimetalles, derart zu unterwerfen, daß das durch die Oxydation gebildete Silberoxyd von dem photoelektrischen Metall reduziert und ein Gemisch des Oxyds des photoelektrischen Metalles und des reduzierten Silbers erhalten wird. Die Entladungsröhre, in der die photoelektrische Elektrode hergestellt wird, wird zweckmäßig einer derartigen Behandlung unterworfen, daß in dieses Gemisch auch noch Teilchen des photoelektrischen Metalles selbst eindringen, daß sich auch als eine dünne absorbierte Schicht auf der gebildeten gemischten Schicht absetzt. Der Überschuß an photoelektrischem Metall wird darauf in der Regel, z. B. mittels einer Pumpe, aus der Entladungsröhre entfernt oder innerhalb der letzteren gebunden, z. B. mit Hilfe eines Stoffes, wie Bleioxyd, der mit dem L?berschuß an photoelektrischetn Metall eine chemische Verbindung -eingeht, oder eines Stoffes, wie Blei und Zinn, der mit diesem Metall eine Legierung bildet.
  • Die Silberschicht, von der bei der Herstellung der photoelektrischen Elektrode ausgegangen wird, kann :auf verschiedene Weise erhalten werden. Wird diese Elektrode nicht auf der Wand der Entladungsröhre angebracht, sondern frei von dieser Wand angeordnet, so kann von einer Silberplatte ausgegangen werden, die in vielen Fällen z. B. halbzylinderförmig ausgebildet sein kann. Diese Platte kann jedoch auch aus einem anderen Metall, z. B. Kupfer, hergestellt sein, das in diesem Fall mit einer Silberschicht überzogen wird. Dieser Überzug kann vor der Anordnung der Platte in der Entladungsröhre aufgebracht werden, wozu dem Fachmann verschiedene Verfahren zur Verfügung stehen.
  • In sehr vielen Fällen wird die Silberschicht auf die Innenseite der Wand der Entladungsröhre aufgebracht, was . dadurch erfolgen kann, daß das Silber aus einer geeigneten, in die Entladungsröhre eingebrachten Lösung niedergeschlagen wird. Diese Metallschicht wird jedoch häufig dadurch erhalten, daß Silber iin Vakuum verdampft und dieser Dampf kondensiert wird. Bei der Herstellung von photoelektrischen Zellen ist es z. B. üblich, in der Zelle einen vorher mit Silber. überzogenen Glühdraht anzuordnen. Es wird dann nach Entlüftung der Zelle ein elektrischer Strom durch diesen Draht geschickt,' wodurch das Silber derart erhitzt wird, daß es verdampft. Der Glühkörper ist dabei derart angeordnet, daß sich das verdampfte Metall auf demjenigen Teil der Wand niederschlägt, wo die photoelektrische Elektrode zu bilden ist.
  • Diese Methode der Verdampfung und Kondensation läßt sich selbstverständlich auch anwenden, wenn die photoelektrische Elektrode nicht auf einem Teil der Wand anzubringen ist, sondern auf einem in der Entladungsröhre angeordneten Körper, der aus Glas oder Metall bestehen kann.
  • Die Erfindung bezweckt ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Elektrode.
  • Die ganz oder teilweise zu oxydierende und dann der Einwirkung eines photoelektrischen Metalles auszusetzende Silberschicht wird erfindungsgemäß dadurch hergestellt, daß Silberteilchen mit einer derartigen Konzentration in eine indifferente Gasatmosphäre eines solchen Druckes eingeführt und in dieser Atmosphäre niedergeschlagen werden, daß die niedergeschlagenen Silberteilchen eine undurchsichtige, dunkelgefärbte, eine matte Oberfläche zeigende Schicht bilden und kleiner als o,5 Mikron im Durchmesser, zweckmäßig von der Größenordnung von o,oi Mikron sind. Die Silberteilchen können z. B. durch thermische Verdampfung oder durch Zerstäubung mit Hilfe einer elektrischen Entladung, bei der das Silber die Kathode darstellen kann, in die Gasatmosphäre eingebracht werden.
  • Es wurde gefunden, daß, wenn diese Silberschicht auf die bekannte Weise behandelt, d. h. oxydiert und der Einwirkung des photoelektrischen Metalles unterworfen wird, eine photoelektrische Elektrode erhalten wird, die eine sehr große Empfindlichkeit besitzt. Die Silberschicht hat eine matte Oberfläche und eine dunkle Farbe. Die Farbe ist von der t *röße der Silberteilchen abhängig, aus denn die Schicht aufgebaut ist. Eine Schicht aus "l.'eilchen von etwa o,oi Mikron hat eine mattschwarze Farbe, während bei einer Teilchengröfie von oj Mikron die Farbe dunkelgrau ist.
  • Die Größe der Teilchen ist von der Konzentration abhängig, die beim Niederschlagen aus der indifferenten Gasatmosphäre ange-«-endet wird. Je größer die Konzentration, desto größer auch die Abmessungen der niedergeschlagenen Silberteilchen. Bei thur mischen Verdampfung des Silbers kann dig <<'erdampfungsgescliwindigkeit durch Anwen ;ding höherer Temperaturen erhöht «-erden reden die Silberteilchen durch Zerstäubunr ?i:)@;die Gasatmosphäre eingeführt, so kann dic 'Silbermenge, die je Zeiteinheit in die Gasatmosphäre eingebracht wird, durch Erliöliu:iz der Stromstärke und durch Verstärkung des elektrischen Feldes vergrößert werden.
  • Auch der Druck der Gasatmosphäre beeinflußt die Gröle der niedergeschlagenen Silberteilchen. Da sich das Silber bei sehr niedrigen Gasdrücken atomar niederschlägt, wodurch wie bei Verdampfung im Hochvakumr eine vollkommen zusammenhängende Silberschicht mit spiegelnder Oberfläche erhalten wird, muß der Druck des Gases genügend hoch gewählt «-erden. um das Entstehen einer solchen spiegelnden Schicht zu vermeiden. Andererseits ist der Gasdruck nicht zu hoch zu wählen, da ein zu hoher Druck die Geschwindigkeit sehr verringert, mit der die Silberteilchen in die Gasatmosphäre eingebracht werden können. Es kommen im allgemeinen Gasdrücke von 0,05 bis 5 mm Quecksilbersäule in Frage.
  • Die Konzentration der Silberteilchen in der Gasatmosphäre sowie der Druck der letzteren werden derart gewählt, daß sich die Silberatome vor dem Niederschlagen zwar kombinieren (also kein Niederschlag von atomarem Silber), aber doch nur Teilchen von sehr kleinen Ausmaßen (kleiner als o,5 Mikron im Durchmesser) bilden. Je kleiner die Teilchen sind, welche die Silberschicht aufbauen, desto dunkler ist die Schicht. Weisen die Teilchen einen Durchmesser von etwa o,oi Mikron auf. so hat die erhaltene Schicht eine tiefschwarze Farbe. `'erden die Teilchen noch kleiner, so kann das Spiegelvermögen zurückkehren. Da inan gefunden hat, daß eine Verringerung der Ausmaße der aufbauenden Teilchen eine gr,@-ßere Empfindlichkeit der photoelektrischen Elektrode zur Folge hat, werden diese Teilchen zweckmäßig wesentlich kleiner als 0,5 Mikron, z. B. o,i bis o.oi Mikron, im Durchmesser gemacht.
  • Der meist erwünschte Gasdruck und die vorteilhafteste Konzentration der Silberteilchen in der Gasatmosphäre lassen sich für jeden besonderen Fall durch einige Versuche bestimmen. Der zu wählende Gasdruck und die Konzentration hängen auch einigermaßen ab von dein Abstand des Entstehungsortes der in die Gasatmosphäre eingebrachten Silberteilchen von der Stelle, wo die Silberschicht zu bilden ist. Bei grölerein Abstand haben die Silberatome mehr Gelegenheit zum Kombinieren, so daß bei gleichem Gasdruck und gleicher Verdampftingsgechwindigk;=it Teilchen von größeren Abmessungen niedergeschlagen werden als bei geringerem Abstand. Bei einem zu geringen Abstand jedoch würden die Atome gar keine Gelegenheit zum Kombinieren haben, und es würde sich" das . Silber atomar niederschlagen und eine spiegelnde Oberfläche bilden.
  • Als Glasfüllung, in welche die Silberteilchen eingebracht werden, werden Gase verwendet, die in bezug auf die Silberteilchen indifferent sind, d. h. keine Verbindung mit diesen Teilchen eingehen, z. B. Stickstoff, Argon oder ein anderes Edelgäs.
  • Die Erfindung wird an Hand der Abbildung näher erläutert, in der eine photoelektrische Zelle mit einer erfindungsgemäß hergestellten Elektrode beispielsweise schematisch dargestellt ist. ` Die dargestellte Zelle weist eine Glaswand i auf, durch die der Stromzuführungsdraht 2 hindurchgeführt ist. Die Zelle ist mit einen Fuß 3 versehen, auf dem der Glühdraht ¢ angeordnet ist, der bei dem normalen Betrieb !, der Zelle als Anode dient. Die Zelle ist im wesentlichen kugelförmig ausgebildet und hat beispielsweise einen Durchmesser von 4 cm.
  • Diese Zelle kann wie folgt hergestellt werden Der in der Nähe des Mittelpunktes der kugelförmigen Zelle angeordnete Glühdräht 4, der z..B. aus Wolfram oder Molybdän bestellt, wird, bevor er in der Zelle angeordnet wird, mit etwa 40 mg Silber überzogen. Nach vollkommener Entlüftung der Zelle wird etwa die Hälfte dieses Silbers verdampft; das verdampfte Silber schlägt sich auf der Innenseite der Zellenwand nieder und bildet dort die Silberschicht 5, die mit denn Stronizuführungsdralit 2 einen guten Kontakt herbeiführt. Es wird dann eine Argonmenge unter einem Druck von 1,7 mm Quecksilbersäule in- die Zelle eingeführt, und es wird durch den Glühdraht 4 ein Strom derartiger Intensität geschickt, daß das auf ihm noch vorhandene Silber innerhalb io Sekunden verdampft. Das verdampfte Silber schlägt sich auf der Silberschicht 5 als eine nichtspiegelnde Schicht 6 nieder. Der Schirm 7 verhindert, daß der Zellenfuß mit einem Silberniederschlag bedeckt wird. Auf ähnliche Weise wird mit Hilfe eines (in der Abbildung nicht dargestellten) Schirmes ,ein Fenster 8 frei gelassen.
  • Nach der Bildung der Silberschicht 6 wird das Argon, mittels einer Pumpe aus der Zelle entfernt und Sauerstoff in die Zelle eingelassen, zweckmäßig unter einem Druck von o,i5 mm Quecksilbersäule. Es wird in dieser Sauerstoffatmosphäre eine elektrische Entladung herbeigeführt, bei der die Silberschichten 5 und 6 als Kathode und der Draht 4 als Anode dienen. Die Silberschicht 6 sowie gegebenenfalls ein Teil der Schicht 5 werden infolge dieser Entladung oxydiert. Der Grad dieser Oxydation ist mit Hilfe der Entladungsstromstärke und der Entladungsdauer regelbar. Nachdem ein genügender Grad der Oxydation des Silbers erreicht worden ist, wird der L'berschuß an Sauerstoff aus der Zelle entfernt, in die dann eine Cäsiummenge eingeführt wird, was dadurch erfolgen kann, daß das Cäsium in die Zelle hinüberdestilliert oder in der Zelle durch Erhitzung einer aus einer Cäsiumverbindung mit einem Reduktitrnsinittel bestehenden Pastille frei gemacht wird. Die Zelle wird dann auf etwa i8o° C erhitzt, wobei sie nicht mit einer Vakuumpumpe in Verbindung steht. Das Cäsium. reduziert das Silberoxyd, wodurch eine Schicht aus einem Gemisch von Cäsiumoxyd und Silberteilchen erhalten wird. In diese Schicht dringt außerdem eine Menge freies Cäsium ein, während- auf dieser Schicht eine Menge Cäsium absorbiert wird. Nach der Bildung dieser Elektrode kann der Überschuß an Cäsium z. B. durch Erhitzung des aus Bleiglas bestehenden Füßchens entfernt werden.
  • Die auf diese Weise hergestellte photoelektrische Elektrode besitzt eine sehr große Empfindlichkeit. Es sei zur Illustration bemerkt, daß die mittlere Empfindlichkeit einer Anzahl auf die beschriebene Weise hergestellter Elektroden 8o Mikroampere/Lumen betrug, während die mittlere Empfindlichkeit einer Anzahl von Elektroden, die auf gleiche Weise hergestellt wurden, jedoch mit dem Unterschied, daß die oxydierte Silberschicht nicht durch Verdampfung in einer Gasatmosphäre, sondern ganz durch Verdampfung im Vakuum erhalten wurde, 40 Mikroampere/Lumen betrug.
  • Die beschriebene Photozelle kann gegebenenfalls auch mit einer Gasfüllung versehen werden. Zu diesem Zweck kann nach der Herstellung der photoelektrischen Elektrode z. B. eine Argonmenge unter einem Druck von o,i mm Quecksilbersäule in die Zelle eingeführt werden. Es ist auch möglich, die Gasfüllung einzubringen, nachdem die Silberschicht 6 oxydiert worden ist und bevor das Cäsium in der Zelle frei gemacht wird oder bevor die Zelle nach dem Einbringen des Cäsiums der Wärmebehandlung unterworfen wird.
  • Die auf die oben beschriebene Weise hergestellte photoelektrische Elektrode bietet besondere Vorteile, wenn sie in einer gasgefüllten photoelektrischen Zelle angewendet wird, denn es wurde gefunden, daß diese Elektrode nicht nur den Vorteil bietet, daß die Primärelektronenemission, d. h. die Anzahl der durch Bestrahlung mit einer bestimmten Lichtmenge emittierten Elektronen, groß ist, sondern auch den weiteren Vorteil, daß jedes positive Ion, das in der Gasfüllung gebildet wird und auf die photoelektrische Elektrode auftrifft, aus der letzteren verhältnismäßig wenig Elektronen frei macht, was zur Folge hat, daß die Zelle weniger rasch durchschlägt, d. h. daß die Gefahr für das Auftreten einer durch die Belichtung nicht mehr regelbaren Glimmentladung kleiner ist, während außerdem der photoelektrische Strom eine geringere Trägheit zeigt.
  • Es ist einleuchtend, daß die erfindungsgemäß hergestellte Silberschicht auch unmittelbar auf Glas oder eine andere isolierende Unterlage aufgebracht werden kann. Es ist selbstverständlich auch möglich, die Silberschicht auf eine gesondert in der Zelle angeordnete Metallplatte oder auf eine auf der Glaswand befindliche Metallschicht aufzubringen, die auf eine andere als die oben beschriebene Weise, z. B. durch Ausfällung aus ein,r Lösung, gebildet worden ist.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Elektrode in einer Entladungsröhre, bei dem eine Silberschicht ganz oder teilweise oxydiert und dann der Einwirkung eines photoelektrischen Metalles unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, daß diese Silberschicht dadurch hergestellt wird, daß Silberteilchen mit einer derartigen Konzentration in eine indifferente Gasatmosphäre eines solchen Druckes in das Entladungsrohr eingebracht und aus der letzteren auf dem Träger der photoelektrischen Elektrode niedergeschlagen werden, daß die niedergeschlagenen Silberteilchen eine undurchsichtige. dunkelgefärbte, eine matte Oberfläche zeigende Schicht bilden und kleiner ils o,5 Mikron im Durchmesser, zweckmäßig von der Größenordnung von o,o r '_Vlikron sind.
DEN38483D 1935-07-30 1935-07-30 Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Elektrode in einer Entladungsroehre Expired DE713895C (de)

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