DE69937910T2 - Gerät und Verfahren zur Probenuntersuchung mittels Ladungsträgerstrahlen - Google Patents

Gerät und Verfahren zur Probenuntersuchung mittels Ladungsträgerstrahlen Download PDF

Info

Publication number
DE69937910T2
DE69937910T2 DE69937910T DE69937910T DE69937910T2 DE 69937910 T2 DE69937910 T2 DE 69937910T2 DE 69937910 T DE69937910 T DE 69937910T DE 69937910 T DE69937910 T DE 69937910T DE 69937910 T2 DE69937910 T2 DE 69937910T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gas
specimen
charged particle
particle beam
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69937910T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69937910D1 (de
Inventor
Hans-Peter Feuerbaum
Dieter Winkler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH
Original Assignee
ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH filed Critical ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH
Publication of DE69937910D1 publication Critical patent/DE69937910D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69937910T2 publication Critical patent/DE69937910T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/026Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0041Neutralising arrangements
    • H01J2237/0044Neutralising arrangements of objects being observed or treated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/006Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2002Controlling environment of sample
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/2602Details
    • H01J2237/2605Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere
    • H01J2237/2608Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere with environmental specimen chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

  • ERFINDUNGSGEBIET
  • Diese Erfindung betrifft eine Vorrichtung mit einem Strahl geladener Teilchen für die Untersuchung von Spezimen. Insbesondere betrifft diese Erfindung die Untersuchung von Spezimen, welche die Tendenz zur Aufladung aufweisen, wenn sie mit dem Strahl geladener Teilchen bestrahlt werden.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Negativ oder positiv geladene Teilchen, die aus einer Teilchenquelle austreten, können durch ein Potenzial von U Volt beschleunigt werden. Die Bewegungsrichtung eines solchen sich bewegenden Teilchens wird entweder durch Anlegen eines magnetischen oder eines elektrischen Feldes verändert, wobei z. B. ein geladenes Teilchen, das sich in einem Magnetfeld bewegt, eine Kraft erfährt, die bestrebt ist, seine Bewegungsrichtung zu verändern, ausgenommen den Fall, in dem es sich parallel zu den magnetischen Feldlinien bewegt. Geeignet ausgeformte elektrische und magnetische Felder können verwendet werden, um ein Zusammenführen der geladenen Teilchen, die von einer Quelle auseinander laufen, in einen Strahl zu bewirken, den Strahl entlang eines vorgegebenen Weges zu führen und es ihm zu ermöglichen, auf der Oberfläche eines Substrats oder eines Spezimen aufzutreffen.
  • Die geladenen Teilchen Wechselwirken mit den Atomen des Spezimen und verursachen eine Anzahl von unterschiedlichen Effekten im Spezimen oder auf seiner Oberfläche. Ohne den Gültigkeitsbereich der vorliegenden Erfindung einzuschränken, konzentrieren sich die nachfolgenden Erläuterungen in erster Linie auf die Verwendung von Elektronen als geladenen Teilchen. Die auftreffenden Elektronen, die im Weiteren als Primärelektronen (PE) bezeichnet werden, werden durch Stöße mit den Spezimenatomen abgelenkt. Diese Stöße können elastisch sein, wenn das Elektron abgelenkt wird (sogar bis zu 180 Grad), aber keine Energieübertragung stattfindet. Sie können auch inelastisch sein, wenn das Primärelektron mit dem Atom wechselwirkt und Energie für den Ablauf eines weiteren Prozesses überbeträgt. Ein derartiger Prozess könnte die Emission eines Elektrons, das als Sekundärelektron (SE) bezeichnet wird, und/oder elektromagnetischer Strahlung zur Folge haben. Dabei erfährt das Primärelektron im Allgemeinen nur eine kleine Bahnablenkung. Nach dem Stoß oder den Stößen kann das Primärelektron als rückgestreutes Elektron (BSE – backscattered electron) oder als durchgelassenes Elektron wieder auftauchen, oder es kann seine gesamte Energie verlieren und im Spezimen zur Ruhe kommen. Dort trägt das Primärelektron zur Aufheizung des Spezimen oder zur absorbierten Ladung des Spezimen bei.
  • Die oben angeführten physikalischen Effekte können viele analytischen Informationen über das Spezimen bereitstellen. Nachfolgend wird die Erzeugung von Sekundärelektronen und ihr Informationsgehalt über das Spezimen ausführlicher betrachtet. Ein unelastischer Stoß eines auftreffenden Primärelektrons, das eine kinetische Energie von z. B. 1 keV aufweist, kann dazu führen, dass Elektronen von den Spezimenatomen abgetrennt werden. Das hinterlässt ein ionisiertes Atom mit einer positiven Ladung. Die abgelösten Elektronen haben eine geringe kinetische Energie, gewöhnlich weniger als 50 eV, und werden leicht durch benachbarte Atome eingefangen. Einige Elektronen, die näher an der Oberfläche erzeugt werden, können aus dem Spezimen emittiert und mit speziellen Detektoren erfasst werden. Folglich ist nur ein kleiner Anteil der ausgebildeten Sekundärelektronen für die Erfassung verfügbar. Da die emittierten SE aus einem kleinen Bereich sehr nahe an der Oberfläche des Spezimen stammen, übertragen sie die entsprechenden Oberflächeninformationen.
  • Insbesondere reagiert eine Oberfläche des Spezimen, die bezüglich des auftreffenden Strahls schräg gestellt ist, anders als eine Oberfläche, die auf dem auftreffenden Strahl senkrecht steht. Verglichen mit einer ebenen Oberfläche durchlaufen die Elektronen, die in eine schräg stehende Oberfläche des Spezimen eingedrungen sind, eine längere Strecke in der Nähe der Oberfläche des Spezimen. Das führt zu einem größeren Anteil an Sekundärelektronen, die austreten können, und die Elektronenemission von der Oberfläche nimmt zu. Die Intensität der Sekundärelektronenemission ist somit ein Kennzeichen der Oberflächenneigung und der Topografie. Deshalb kann die Intensität der Signale, die durch Sekundärelektronendetektoren erfasst werden, für die hochauflösende Oberflächenabbildung verwendet werden. Instrumente, welche diese Oberflächeneffekte visualisieren, haben für die Entwicklung von z. B. Mikroelektronikkomponenten zunehmend an Bedeutung gewonnen. Sie werden verwendet, um Abweichungen von vorgegebenen Mustern aufzuzeigen oder um topografische Parameter, wie z. B. Höhe, Breite oder Neigungswinkel der untersuchten Struktur, zu bewerten.
  • Die durch das Spezimen absorbierten Primärelektronen tragen zu deren Ladung bei. Das gilt insbesondere für Isolatoren und Halbleiter, wo sie sich leicht ansammelt. Die Ladung kann zu einem starken elektrischen Feld führen, welches an der Oberfläche des Spezimen überwiegt und welches das Bild von seiner Oberfläche wesentlich verändert, indem es zum Beispiel den Weg der PE und der SE verändert. In einem Halbleiterbauelement werden zum Beispiel oft elektrische Isolatoren, wie z. B. SiO2, auf Leitern, wie z. B. Al, oder Halbleitern, wie z. B. Silizium, abgeschieden. Wenn ein PE-Strahl auf das Bauelement gerichtet wird, dann wird die Oberfläche des Isolators aufgeladen. Das resultierende elektrische Feld kann verhindern, dass die SE, die am Boden eines Kontaktlochs erzeugt werden, den Detektor erreichen. Ebenso wird eine einzelne Leitung auf einem integrierten Schaltkreis ein anderes Bild verglichen mit der gleichen Leitung in unmittelbarer Nachbarschaft anderer Leitungen erzeugen. Die scheinbaren Größenveränderungen, welche durch das Aufladen erzeugt werden, liegen in der Größenordnung von einigen zehn nm, was für Messungen kritischer Dimensionen signifikant ist.
  • In der Vergangenheit wurde ein Anzahl von Verfahren zur Lösung dieser Probleme erprobt. Diese Ansätze schlossen die Anpassung der Beschleunigungsspannung und des Stromes des Elektronenstrahls ein. In anderen wurde die Abtastgeschwindigkeit des Primärelektronenstrahls verändert oder der Primärelektronenstrahl vor dem Auftreffen auf das Spezimen moduliert. Diese Verfahren waren jedoch nicht zufriedenstellend. In einigen Fällen ist die Intensität der emittierten Sekundärelektronen zu gering, in anderen Fällen sind die durch Vergleichsmessungen erhaltenen Ergebnisse unzuverlässig.
  • In dem Schriftstück DE 33 32 248 wird zum Beispiel ein System beschrieben, das an ein Rasterelektronenmikroskop (SEM) angepasst werden kann und das eine Abbildung von sowohl elektrisch leitfähigen als auch vakuumempfindlichen Test-Proben mittels Rückstreuelektronen ohne irgendeine Form der Präparation erlaubt und das mit einer bislang nicht erreichten Qualität frei von Artefakten ist. Das wird mittels eines abmessbaren und vorionisierten, durch eine Düse bereitgestellten Gasflusses erreicht, der in einer zielgenauen Weise um die Oberfläche des Testspezimen in der Testprobenkammer herum fließt, in der er die Ladungen auf der Oberfläche des Testspezimen entlädt, welche die Bildstörung verursachen, und wird schließlich noch einmal extrahiert.
  • Bei einem alternativen Ansatz wurden Environmental-Rasterelektronenmikroskope (ESEM) verwendet. Ursprünglich wurden diese für die Untersuchung von Spezimen entwickelt, welche empfindlich gegenüber der Dehydrierung sind, die durch das Vakuum in der Probenkammer verursacht wird. Die Verwendung einer Niederdruckumgebung in der Kammer verhindert die Dehydrierung. Als ein Nebeneffekt verhinderte das Vorliegen von Ionen in dem bestrahlten Gas das Aufladen des Spezimen. Diese ESEM-Systeme verursachen jedoch ein Aufweiten des Strahls geladener Teilchen infolge der Streuung der Primärelektronen. Auch kann die hohe Gaskonzentration in den elektrischen Feldern zwischen den Detektoren und dem Spezimen einen Funkendurchschlag ergeben. Deshalb führten die ESEM-Systeme weder zu zufriedenstellenden Ergebnissen noch können sie für Halbleiteranwendungen eingesetzt werden, da solche Anwendungen eine Hochvakuumumgebung erfordern.
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezweckt die Bereitstellung einer verbesserten Vorrichtung und eines Verfahrens für die Untersuchung eines Spezimen mit einem Strahl geladener Teichen. Gemäß einer Ausbildung der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung bereitgestellt, wie sie in Anspruch 1 festgelegt ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausbildung der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt, wie es in Anspruch 7 festgelegt ist.
  • Weitere Vorzüge, Merkmale, Ausbildungen und Einzelheiten der Erfindung werden aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen ersichtlich. Die Ansprüche sind als ein erster, nicht einschränkender Ansatz zur Festlegung der Erfindung in einer allgemeinen Fassung zu verstehen.
  • Gemäß einer Ausbildung der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung für einen Strahl geladener Teilchen bereitgestellt, die eine Teilchenquelle und ein optisches Gerät umfasst, um einen Strahl geladener Teilchen auf das zu untersuchende Spezimen zu lenken. Die Vorrichtung umfasst ferner eine Gaszufuhr für das Bereitstellen eines Gases am Auftreffbereich des Strahls geladener Teilchen und ein 2-Wege-Ventil, das in der Gaszufuhr angeordnet ist, wobei ein erster Anschluss des 2-Wege-Ventils mit einem Gasreservoir und ein zweiter Anschluss der Gaszufuhr mit einem Vakuumreservoir verbunden ist. Eine Steuereinheit schaltet das 2-Wege-Ventil.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausbildung der vorliegenden Erfindung wird das Inertgas in der Form einer Schicht bereitgestellt. Diese Schicht bedeckt vorzugsweise den Bereich des Spezimen, wo der Strahl geladener Teilchen auftrifft. Im Zusammenhang mit dieser Anwendung wird "Schicht" nicht als geometrisches Objekt mit klar definierten Grenzen verstanden. Eher weisen die Inertgasmoleküle, welche die Schicht ausbilden, vorzugsweise eine höhere Konzentration in dem Bereich des Spezimen auf, wo der Strahl auftrifft. Die Konzentration nimmt längs des Strahls mit zunehmendem Abstand vom Spezimen ab.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausbildung der vorliegenden Erfindung lenkt eine Düse den Inertgasstrom zum Auftreffbereich hin. Das könnte vorzugsweise ausgeführt werden, indem entweder der Gasstrom oder der Druck verändert wird oder indem beides verändert wird. Anstelle einer einzigen Düse können zwei oder mehr Düsen zum Bereitstellen des Inertgases verwendet werden. In einem solchen Falle sind die Düsen vorzugsweise in einem symmetrischen Muster angeordnet.
  • Gemäß noch einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in der Nähe des Auftreffbereichs des Strahls geladener Teilchen eine Elektrode vorgesehen. Die Elektrode ermöglicht ein gesteuertes Aufladen des Spezimen. Das Inertgas wird einen Ladungsaustausch zwischen dem Spezimen und der Elektrode verursachen. Vorteilhafterweise stellt die Elektrode einen gewünschten Spannungspegel in einem begrenzten Bereich des Spezimen her. Darüber hinaus ist es bevorzugt, Mittel für das Positionieren der Elektrode, z. B. mit einem x-y-z-Manipulator, bereitzustellen. In Abhängigkeit vom Material oder der Oberflächenstruktur des Spezimen kann die Elektrode an einem spezifischen Ort über dem Spezimen mit einem spezifischen Abstand von ihm platziert werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform gemäß der Erfindung sind die Düse und die Elektrode als ein fest verbundenes Bauteil vorgesehen. Das kann entweder durch einen gemeinsamen Träger oder durch Anbringen der Elektrode an der Düse erreicht werden. Vorzugsweise ist die Elektrode vor der Düse angeordnet. Beide Bauteile, die Düse und die Elektrode, weisen vorteilhafterweise eine Ankopplungsvorrichtung auf. Das ermöglicht ihren Austausch mit anderen Düsen oder Elektroden, die unterschiedliche geometrische Abmessungen und somit unterschiedliche physikalische Eigenschaften haben.
  • Es ist bevorzugt, eine Elektrode zu verwenden, die ein elektrostatisches Feld mit einer Rotationssymmetrie erzeugt. Diese Symmetrie begrenzt den Einfluss auf die Trajektorie des auftreffenden Strahls geladener Teilchen und die Sekundärelektronen. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Elektrode eine kreisförmige Ringelektrode, wobei der Strahl geladener Teilchen durch deren Mitte geführt wird.
  • Vorteilhafterweise weist die Elektrode ein leitfähiges Netz auf. Mindestens eine der Netzmaschen wird genutzt, um den Teilchenstrahl hindurchzulassen. Obwohl eine derartige Anordnung die Rotationssymmetrie des entstehenden elektrostatischen Feldes geringfügig verzerrt, verbessert sie die Wirksamkeit der Elektrode beim Steuern der Aufladung.
  • Gemäß einer weiteren Ausbildung sind Vakuummittel vorgesehen, die zum Bereitstellen eines Druckgradienten in der Probenkammer in der Lage sind. Vorzugsweise wird der Druckgradient längs des auftreffenden Teilchenstrahls eingestellt mit einem höheren Druck am Auftreffpunkt und einem niedrigeren Druck an der Apertur, die das Einführen des Teilchenstrahls in die Probenkammer erlaubt. Der Druckgradient verringert die Anzahl der Stöße zwischen dem Teilchenstrahl und irgendwelchen anderen Atomen oder Molekülen als denen im Spezimen. Vorzugsweise wird der Druckgradient derart eingestellt, dass die Teilchen des einfallenden Strahls im Mittel weniger als einmal mit einem Atom oder Molekül in der Kammer zusammenstoßen, bevor sie auf das Spezimen aufschlagen.
  • Gemäß noch einer weiteren Ausbildung der vorliegenden Erfindung ist ein Gastank vorgesehen, der mit der Gaszufuhr verbunden ist. Der Gastank kann abgenommen und durch einen anderen Gastank ersetzt werden, der unterschiedliche Gase enthält. In einer bevorzugten Ausführungsform weist der Gastank verschiedene Kammern und ein Schaltmodul auf, um der Probenkammer unterschiedliche Gase zuzuführen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausbildung der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung für die Untersuchung eines Spezimen mit einem Strahl geladener Teilchen bereitgestellt, welche eine Teilchenquelle für das Bereitstellen eines Strahls geladener Teilchen und ein optisches Gerät umfasst, um den Strahl geladener Teilchen auf das zu untersuchende Spezimen zu lenken. Außerdem umfasst die Vorrichtung eine Düse, um einen Inertgasstrom auf einen Bereich des Spezimen zu lenken, welcher durch den auftreffenden Teilchenstrahl untersucht wird. Vorzugsweise umfasst die Vorrichtung auch eine Vakuumkammer, die in Verbindung steht mit Vakuummitteln, die in der Lage sind, in der Vakuumkammer einen Druckgradienten längs des Strahls geladener Teilchen zu schaffen.
  • Bevorzugte Inertgase, die im Rahmen dieser Anwendung verwendet werden, sind N2, CO2 oder SF6 oder Edelgase, wie z. B. Ar. Die verwendeten Gase sind jedoch nicht auf die oben erwähnten beschränkt. Ein beliebiges anderes Gas, das für eine Reaktion mit der Oberfläche des Spezimen inert ist, kann verwendet werden.
  • Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Ausbildung der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung bereitgestellt, um eine nicht ideal leitfähige Probe untersuchen. Die Vorrichtung umfasst eine Teilchenquelle für das Bereitstellen eines Strahls geladener Teilchen und ein optisches Gerät, um den Strahl geladener Teilchen auf die nicht ideal leitfähige Probe zu lenken. Die Vorrichtung umfasst ferner Mittel, um auf der zu untersuchenden Probe eine Inertgasschicht über dem Auftreffbereich des Strahls geladener Teilchen bereitzustellen, wobei die Mittel zum Bereitstellen einer Inertgasschicht mindestens eine Düse umfassen, die vorzugsweise mit einem Inertgastank verbunden ist. Eine Referenz-Elektrode steuert die Spannung des Bereichs der Probe auf eine vorgewählte Spannung. Die Referenz-Elektrode weist vorzugsweise eine kreisförmige Apertur auf.
  • Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung wird das Inertgas dem Auftreffbereich in einer diskontinuierlichen oder pulsierenden Weise bereitgestellt. Das ermöglicht eine Verringerung der Inertgasmenge in der Probenkammer. Hauptsächlich wird das Inertgas dem Einfallsbereich zugeleitet, wenn es für das Entladen benötigt wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung ist die Gasleitung in die Objektivlinse oder in beliebige andere mechanische Bauteile in der Nähe des Spezimen integriert. Eine solche Anordnung erlaubt die Verwendung des vorhandenen Aufbaus einer Mikroskopsäule und bewahrt die Rotationssymmetrie um die optische Achse.
  • Die Erfindung betrifft auch Verfahren, durch welche die beschriebene Vorrichtung betrieben wird. Sie schließt Verfahrensschritte zum Ausführen einer jeden Funktion der Vorrichtung ein. Außerdem betrifft die Erfindung auch eine Vorrichtung zum Ausführen der offenbarten Verfahren und zum Einbeziehen der Vorrichtungsteile für das Ausführen eines jeden beschriebenen Verfahrensschritts. Diese Verfahrensschritte können durch Hardware-Komponenten, durch einen Computer, der durch eine geeignete Software programmiert wurde, durch eine beliebige Kombination der beiden oder auf eine beliebige andere Weise ausgeführt werden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Einige der oben angeführten und andere genauere Ausbildungen der Erfindung werden in der nachfolgenden Beschreibung beschrieben und teilweise mit Bezugnahme auf die Figuren veranschaulicht:
  • 1 ist ein schematischer Vertikalschnitt einer Objektivlinse für ein Gerät für einen Strahl geladener Teilchen, die eine Gasleitung mit einer symmetrischen Elektrode aufweist.
  • 2 ist ein schematischer Vertikalschnitt einer zweiten Objektivlinse für einen Strahl geladener Teilchen, die eine röhrenförmige Gasleitung aufweist.
  • 3 zeigt einen vereinfachten Querschnitt der optischen Säule eines Rasterelektronenmikroskops mit einer Gaszufuhr, die an die Probenkammer angeschlossen ist.
  • 4a zeigt eine Draufsicht von zwei Gasdüsen, die symmetrisch um den Auftreffbereich des Primärelektronenstrahls herum angeordnet sind.
  • 4b zeigt eine Draufsicht von vier Gasdüsen, die symmetrisch um den Auftreffbereich des Primärelektronenstrahls herum angeordnet sind.
  • 4c zeigt eine Draufsicht von drei Gasdüsen, die symmetrisch um den Auftreffbereich des Primärelektronenstrahls herum angeordnet sind.
  • 5a zeigt eine Draufsicht einer Gasdüse mit einer Referenz-Elektrode an der Düsenspitze.
  • 5b zeigt eine Draufsicht einer Gasdüse mit einer Referenz-Elektrode, die unmittelbar hinter der Düsenspitze angeordnet ist.
  • 5c zeigt eine Draufsicht von zwei Gasdüsen mit einer Referenz-Elektrode an deren Düsenspitzen.
  • 5d zeigt eine Draufsicht einer Gasdüse mit einer Referenz-Elektrode an der Düsenspitze, wobei die Referenz-Elektrode ein leitfähiges Netz aufweist.
  • 6 zeigt eine mögliche Zeitkorrelation zwischen der Abtastbewegung des Strahls geladener Teilchen und dem Gasfluss.
  • 7 zeigt eine mögliche Zeitkorrelation zwischen einem gepulsten Strahl geladener Teilchen und dem Gasfluss.
  • 8 zeigt eine Objektivlinse mit einer integrierten Gasleitung, wobei die Gasleitung in einen Polschuh der Magnetlinse integriert ist.
  • 9 zeigt eine Objektivlinse mit einer integrierten Gasleitung, wobei die Gasleitung in eine Elektrode der elektrostatischen Linse integriert ist.
  • 9a zeigt eine Objektivlinse mit einer integrierten Gasleitung, wobei die Gasleitung in die Referenz-Elektrode integriert ist, die unter der Objektivlinse angeordnet ist.
  • 10 zeigt eine auf das Spezimen ausgerichtete Gasleitung mit einem Ventil, das zwischen dem Gasreservoir und der Probenkammer angeordnet ist.
  • 11 zeigt eine auf das Spezimen ausgerichtete Gasleitung mit einem Mikroventil, das am Ende der Gasleitung angeordnet ist.
  • 12 zeigt eine auf das Spezimen ausgerichtete Gasleitung mit einem 2-Wege-Ventil, das in der Gasleitung gemäß den Ausführungsformen der Erfindung angeordnet ist.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Einzelheiten der Ausführungsformen gemäß der Erfindung beschrieben.
  • In 1 ist ein Ausführungsbeispiel einer Objektivlinseneinheit 1 dargestellt, die in einer Vorrichtung zur Untersuchung eines Spezimen verwendet wird. Diese Linse wird vorzugsweise als eine Komponente in der optischen Säule eines Rasterelektronenmikroskops verwendet. Ein Primärelektronenstrahl 2, der durch eine (in 3 dargestellte) Elektronenquelle erzeugt wird, breitet sich längs einer optischen Achse OA aus und wird auf ein Spezimen 3 fokussiert. Es ist nicht erforderlich, dass sich der Primärelektronenstrahl immer längs der optischen Achse ausbreitet. Auf seinem Wege von der Quelle zum Spezimen kann der Elektronenstrahl aus der optischen Achse OA oder ihrer Umgebung abgelenkt und in einem späteren Abschnitt zur optischen Achse zurück reflektiert werden. In der dargestellten Ausführungsform ist das Spezimen 3 eine Mikroelektronikkomponente mit einer Isolatorschicht 4 auf einer Substratschicht 5. Zur Untersuchung des Spezimen wird ein bestimmter Bereich des Spezimen mit dem Primärelektronenstrahl abgetastet. Das Abtasten oder das Ablenken des Strahls wird durch ein Abtastspulensystem ausgeführt, welches durch einen Abtastgenerator angesteuert wird (beide in 1 nicht dargestellt). Die Wechselwirkungen des Strahls mit dem Spezimen erzeugen z. B. Sekundärelektronen. Wegen der isolierenden Oberfläche 4 des Spezimen wird der Primärelektronenstrahl im Auftreffbereich eine lokalisierte Aufladung erzeugen. Die Sekundärelektronen können mit einem geeigneten Detektor 7 gemessen werden. In dem veranschaulichten Beispiel ist der Detektor unmittelbar über dem Linsenkörper symmetrisch bezüglich der optischen Achse OA angeordnet. Der Detektor 7 ist vorzugsweise ein ringförmiges elektronenempfindliches Bauteil, das einen Hohlzylinder 16 einschließt, der darin in einem zentralen Bohrloch eingepasst ist. Der Hohlzylinder 16, der auf ein etwas niedrigeres positives Potenzial gegenüber der oberen Elektrode 12 der elektrostatischen Linse aufgeladen sein kann, erstreckt sich in den oberen Körper des Linsenkörpers hinein.
  • Die dargestellte konische Linse, die einen oberen Polschuh 8 und einen unteren Polschuh 9 aufweist, wird durch eine Erregerspule 11 gespeist. Der magnetische Fluss der magnetischen Linse ist in dem Bereich des Polschuhzwischenraumes 10 zwischen dem oberen und dem unteren Polschuh 8, 9 konzentriert. Hier erreicht das magnetische Feld seine maximale Stärke und ist nahezu rotationssymmetrisch um die optische Achse OA herum.
  • Die Abbildungseigenschaften der Objektivlinseneinheit 1 werden auch durch die elektrostatische Linse festgelegt. In der dargestellten Ausführungsform bilden eine obere Elektrode 12 und eine untere Elektrode 13 ein nahezu rotationssymmetrisches elektrisches Linsenfeld aus, dessen Hauptebene zwischen der Hauptebene der konischen magnetischen Linse und dem Spezimen 3 liegt. In dem veranschaulichten Ausführungsbeispiel hat die obere Elektrode 12 vorzugsweise die Form eines Kegelstumpfes, der sich in der Richtung zum Spezimen verjüngt; sein Endteil ist ein zylindrisches Rohr, das in den Bereich des Polschuhzwischenraumes 10 hineinragt. Das positive Potenzial dieser Elektrode ist zum Beispiel 5 bis 10 kV. Die untere Elektrode 13, die eine konische Form aufweist, ist zum Beispiel geerdet. Das resultierende elektrische Feld ist ein Bremsfeld, das die Elektronen hoher Geschwindigkeit, welche durch die obere Elektrode 12 kommen, abbremst.
  • Zwischen dem Spezimen 3 und der unteren Elektrode 13 ist eine Referenz-Elektrode 15 angeordnet. In der dargestellten Ausführungsform weist die Elektrode eine rotationssymmetrische Gestalt auf. Die Referenz-Elektrode ist an dem Ende der Gasleitung 14 angeordnet, welche das Inertgas einer Düse zuführt, die in die Referenz-Elektrode integriert ist. Einerseits kann die Referenz-Elektrode 15 verwendet werden, um eine vorgegebene Spannung in dem Teil der Spezimenoberfläche einzustellen, welche in unmittelbarer Nachbarschaft der Referenz-Elektrode liegt. Andererseits unterstützt die Referenz-Elektrode in Abhängigkeit von der an ihr anliegenden Spannung auch das Absaugen von Sekundärelektronen von der Oberfläche des Wafers. Abweichungen des elektrostatischen Feldes, welche durch das Vorhandensein der Düse erzeugt werden, werden zum Beispiel durch Anordnen einer symmetrischen Elektrode an den Düsenspitzenabschnitten minimiert. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Düsenapertur als eine ringförmige Öffnung entlang des Umfanges der Referenz-Elektrode ausgebildet. Alternativ kann eine derartige ringförmige Öffnung der Düsenapertur auch verwendet werden, ohne sie mit einer Referenz-Elektrode zu kombinieren. In diesem Falle wirkt der kreisförmige Düsenaufsatz 15 lediglich als ein kreisförmiger Gasauslass.
  • 2 zeigt eine weitere Objektivlinse 1 zum Fokussieren eines Primärelektronenstrahls 2 auf das Spezimen. Die Linse besteht im Wesentlichen aus einer magnetischen Linse und einer elektrostatischen Linse, die Felder erzeugen, die weitgehend rotationssymmetrisch um die optische Achse OA der Objektivlinse herum sind. Der Detektor 7 ist unmittelbar über dem Linsenkörper angeordnet und weist Sekundärelektronen 6 nach, die durch den Primärelektronenstrahl am Spezimen ausgelöst werden. Der magnetische Fluss, der durch eine Erregerspule 11 erzeugt wird, ist – unterstützt durch einen oberen und einen unteren Polschuh 8, 9 – in einen kleinen Raumbereich um die optische Achse OA herum konzentriert. Die maximale Feldstärke der magnetischen Linse wird in dem Polschuhzwischenraum 10 erreicht. Die obere Elektrode 12 der elektrostatischen Linse enthält einen zylindrischen Abschnitt, der auf eine isolierende Weise in einem Bohrloch im oberen Polschuh 8 der magnetischen Linse angeordnet ist.
  • Der untere Polschuh 9 der magnetischen Linse liegt vorzugsweise auf Erdpotenzial und kann zum Schutz gegen Kontaminieren mit einem (in 2 nicht dargestellten) Strahlführungsrohr aus magnetischem oder nichtmagnetischem Material ausgekleidet sein. Der untere Polschuh bildet somit die untere Elektrode 13 der elektrostatischen Linse, die das Bremsfeld erzeugt.
  • Genau unter der Objektivlinse ist eine Gasleitung 14 angeordnet. Die Gasleitung ist Teil einer Gaszufuhr, die ferner ein (in dieser Figur nicht dargestelltes) Gasreservoir umfasst. In dem dargestellten Beispiel ist die Gasleitung in der Form eines Rohrs vorgesehen, dessen Öffnung für den Gasausstoß direkt auf den Auftreffbereich des Primärelektronenstrahls hin ausgerichtet ist. Ein bevorzugter Abstand zwischen der Unterkante der Austrittsöffnung und der Oberfläche des Spezimen beträgt bis zu 1 mm. In bestimmten Anwendungen beträgt der Abstand ungefähr 100 Mikrometer. Wegen des Neigungswinkels, welchen die Röhrenöffnung mit der Oberfläche des Spezimen einschließt, ist in diesem Falle der Arbeitsabstand der Röhrenöffnung von dem Bereich des Spezimen, wo der Strahl auftrifft, ungefähr 0,5 mm. Vorzugsweise ist der Durchmesser der Austrittsöffnung ungefähr 100 Mikrometer. Die Gasleitung weist einen Knieabschnitt 17 auf, und der Teil der Gasleitung, der den Knieabschnitt 17 mit dem Gas-Reservoir verbindet, ist von der Objektivlinse weg gerichtet. Es ist jedoch möglich, diesen Teil der Gasleitung parallel zum unteren Polschuh der magnetischen Linse laufen zu lassen. Entsprechend einigen Ausführungsformen kann auch eine Gasleitung ohne Knieteil verwendet werden. Dabei ist es noch erwünscht, die Gasleitung bezüglich der Oberfläche des Spezimen etwas schräg zu stellen, sodass der Inertgasstrom auf die Oberfläche des Spezimen ausgerichtet ist.
  • In 3 ist ein Beispiel für einen Querschnitt eines für das Verständnis der Erfindung nützlichen Ausführungsbeispiels eines Rasterelektronenmikroskops schematisch dargestellt. Als Elektronenkanone 18 kann eine Triodenkanone mit einem thermoionischen Wolframfaden oder alternativ ein hellerer Strahler, wie z. B. Lanthan- oder Cerhexaborid, verwendet werden. Eine weitere Alternative ist z. B. eine Schottky-Feldemissionskanone. Ein Doppelkondensor-Linsensystem 19, 20 erzeugt ein verkleinertes Bild der 'Strahldurchkreuzung' der Elektronenquelle dicht hinter der zweiten Kondensorlinse 20. Die Objektivlinse 21 projiziert das verkleinerte Bild der Elektronenstrahldurchkreuzung als einen Fleck, der auf die Oberfläche des Spezimen fokussiert ist. Der Raumwinkel des fokussierten Strahls ist durch eine Apertur 23 festgelegt, die unmittelbar auf die Objektivlinse folgt. Das Bohrloch der Objektivlinse 21 enthält auch das Ablenkungssystem 22, das für das Abtasten der Elektronensonde verantwortlich ist.
  • Der fokussierte Primärelektronenstrahl trifft auf das Spezimen 3 auf, das auf dem Probenhalter 27 positioniert ist. Beide befinden sich in einer Vakuumkammer 26, die mit Vakuumpumpen 28 verbunden ist, um das gewünschte Vakuumniveau bereitzustellen, sodass die Primärelektronen nicht durch Stöße mit irgendwelchen anderen Atomen oder Molekülen als denen im Spezimen aus ihrer vorgesehenen Bahn abgelenkt werden. Außerdem ist eine Vakuumpumpe 29 zum Evakuieren der optischen Säule vorgesehen. Die Apertur 23 trennt die optische Säule von der Probenkammer 26 ab, um das differenzielle Auspumpen zu ermöglichen. Ein Inertgas in einem Gasreservoir 25 wird durch ein Ventil 24 zur Gasleitung 14 geleitet, welche den Inertgasstrom auf das Spezimen 3 richtet. In bevorzugten Ausführungsformen ist am Ende der Gasleitung 14 eine Düse vorgesehen. Das Ventil 24 kann zum Anpassen des Drucks verwendet werden, der für das Bereitstellen des Inertgases verwendet wird.
  • In der Vakuumkammer 26, in welche das zu untersuchende Spezimen eingeführt wird, herrscht ein beispielhafter mittlerer Basisdruck von ungefähr 5·10–4 Pa vor. Dieser mittlere Basisdruck in der Kammer nimmt auf ungefähr 5·10–3 Pa zu, wenn das Inertgas auf das Spezimen gerichtet wird. Der Druck am Ausgang der Gasleitung ist ungefähr 10 Pa. Der Inertgasstrom erzeugt eine Miniumgebung am Auftreffpunkt des Primärelektronenstrahls. Während diese Miniumgebung die negativen Auswirkungen der Aufladung nahe der Oberfläche des Spezimen verringert, wirkt sie sich nicht wesentlich auf das mittlere Vakuumniveau in der Kammer bis zu einem Grade aus, wo sie die Übertragung des Strahls durch die optische Säule behindert. Die Streuung der Primärelektronen an den Gasmolekülen in der Kammer wird dadurch auf einer akzeptablen Stufe gehalten. Der Vakuumgradient wird durch Abgleich des Gasflusses in die Probenkammer hinein mit der Gasmenge aufrechterhalten, die aus dieser Kammer abgesaugt wird. Der Pumpanschluss der Vakuumpumpe ist vorzugsweise in einer Linie mit dem Inertgasstrom angeordnet.
  • Die 4a4c zeigen verschiedene symmetrische Anordnungen der Gasleitungen 14. Der Ort des auftreffenden Primärelektronenstrahls ist das Symmetriezentrum. Die 5a5d zeigen verschiedene beispielhafte Kombinationen von Elektroden 15 und Gasleitungen 14. In 5a ist die Elektrode an der Spitze des Gasauslasses oder der Düse angeordnet ist. In 5b ragt der Gasauslass oder die Düse in die Elektrode hinein. In 5c sind zwei Gasauslässe oder Düsen an der Referenz-Elektrode angeschlossen, und in 5d wird ein leitfähiges Netz verwendet, um die rotationssymmetrische Elektrode zu überspannen. Die Kernmasche dieses Netzes liegt in der Mitte der Elektrode. Alternativ kann anstelle des in 5d dargestellten Netzes ein rotationssymmetrisches leitfähiges Netz verwendet werden.
  • Der auf das Spezimen zum Auftreffbereich des Strahls geladener Teilchen hin ausgerichtete Inertgasstrom verringert beträchtlich die nachteiligen Auswirkungen der Aufladung, ohne das mittlere Vakuumniveau in der Kammer wesentlich zu beeinträchtigen. In Abhängigkeit von der Gasmenge, die in der Probenkammer vorliegt, kann er jedoch die Übertragung des Strahls behindern, bevor er auf das Spezimen auftrifft. In einer bevorzugten Ausführungsform wird diese negative Auswirkung durch Bereitstellen eines gepulsten Gasstromes verringert, der Inertgas nur in der Menge zuführt, die für das Reduzieren der Aufladung nötig ist, und der überschüssiges Inertgas ausspart.
  • Ein Beispiel für eine derartige Pulsbetriebsart ist in 6 dargestellt. Das obere Diagramm zeigt die Abtastbewegung des Strahls geladener Teilchen. Ähnlich zu dem Abtasten eines Elektronenstrahls auf einem Fernsehschirm wird der Strahl geladener Teilchen in einer ersten Bewegung über eine erste Zeile in dem zu untersuchenden Bereich des Spezimen hinweg geführt. Die Abtastbewegung findet in dem Zeitintervall 0 bis t1 statt. Durch den Nachweis von Sekundärteilchen, die durch das Aufschlagen der Primärteilchen erzeugt werden, wird ein Bild dieser Zeile erzeugt. Am Ende dieser Zeile wird der Strahl geladener Teilchen genau unter den Zeilenanfang zurückgesetzt. Die Rücksetzbewegung findet im Zeitintervall t1 bis t2 statt, und während dieses Zeitintervalls wird kein Bild des Spezimen erzeugt. Anschließend wird der Strahl geladener Teilchen im Zeitintervall t2 bis t3 in einer zweiten Abtastbewegung über eine zweite Zeile in dem zu untersuchenden Bereich des Spezimen hinweg geführt, wobei eine zweite Zeile des entsprechenden Bildes erzeugt wird. Das untere Diagramm zeigt die Zeitkorrelation zwischen dem Fluss des Inertgases und der Abtastbewegung des Strahls geladener Teilchen. In diesem speziellen Beispiel ist der Inertgasstrom während der Rücksetzbewegung des Strahls geladener Teilchen, d. h. im Zeitintervall t1 bis t2, auf den Auftreffbereich gerichtet. Während der Abtastbewegung ist kein Inertgas auf das Spezimen gerichtet. Damit werden Stöße zwischen den Primärteilchen und den Gasteilchen vermieden. Die Inertgasteilchen, die während der Rücksetzbewegung auf das Spezimen gerichtet sind, bleiben für einige Zeit in der Nähe der Oberfläche des Spezimen, wodurch die nachteiligen Auswirkungen des Aufladens verringert werden. In bestimmten Anwendungen wird es nicht nötig sein, das Inertgas während der gesamten Rücksetzbewegung zuzuführen. Es kann von Vorteil sein, den Gasstrom vor t2 zu unterbrechen, wenn das Inertgas in einer ausreichenden Menge zugeführt worden ist, sodass es noch imstande ist, die Aufladung für die nächste Abtastbewegung zu reduzieren. Alternativ kann es von Vorteil sein, Inertgas noch während des ersten Teils der Abtastbewegung zuzuführen, sodass noch genug Gasteilchen vorliegen und in der Nähe des Auftreffbereichs sind, um das Aufladen am Ende des Abtastintervalls zu verhindern.
  • In Abhängigkeit von der Länge der Gasleitung, den zur Bereitstellung des Inertgases verwendeten Drücken und den Abständen zwischen der Endöffnung der Gasleitung und dem Auftreffbereich benötigen die Inertgasteilchen einige Zeit, bevor sie den Auftreffbereich erreichen. Diese Zeitverzögerung wird in einer alternativen Ausführungsform betrachtet, in welcher die Einschaltphase des gepulsten Gasstroms vor t1 eingeleitet und der Gasstrom vor t2 abgeschaltet wird. Die zwei Zeitverschiebungen vor t1 und t2 weisen nicht notwendigerweise dieselbe Zeitlänge auf.
  • In 7 ist eine andersartige Korrelation zwischen der Steuerung des Strahls geladener Teilchen und dem gepulsten Gasstrom dargestellt. Der obere Teil des Diagramms zeigt einen gepulsten Strahl geladener Teilchen während der Abtastbewegung. Bei t1 wird der Strahl geladener Teilchen abgeschaltet und bei t2 wird er wieder eingeschaltet. Bei t2 wird die Abtastbewegung des Strahls geladener Teilchen an der gleichen Stelle des Spezimen fortgesetzt, wo die Abtastbewegung bei t1 unterbrochen wurde. Der untere Teil des Diagramms zeigt, dass die Abtastpause verwendet wird, um einen Inertgasstrom auf den Auftreffbereich zu richten. Da es während des Zeitintervalls t1 bis t2 keine geladenen Teilchen gibt, die auf dem Spezimen auftreffen, wird die Anzahl der Stöße zwischen Primär- und Sekundärteilchen einerseits und Gasteilchen andererseits beträchtlich herabgesetzt. Wie mit Bezugnahme auf 6 erläutert wird, kann das Zeitintervall, während dessen Inertgas für den Auftreffbereich bereitgestellt wird, bezüglich der Pulspausen des Strahls geladener Teilchen zeitverschoben sein. Auch die Zeitintervalle, während derer Inertgas bereitgestellt wird, können länger oder kürzer sein als die Pulspausen des Strahls geladener Teilchen.
  • Es ist wichtig anzumerken, dass alle oben beschriebenen Pulsmoden nur Beispiele für eine sehr große Vielfalt von Pulsmoden sind, die durch Bereitstellen von Inertgas für den Auftreffbereich zum Verringern der Aufladung in der Lage sind und gleichzeitig versuchen, die Störeffekte der Gasteilchen, die mit Primär- und Sekundärteilchen zusammenstoßen, minimal zu halten. Alle diese Pulsvariationen liegen innerhalb des Gültigkeitsbereichs der vorliegenden Erfindung.
  • Aus leitfähigem oder magnetischem Material hergestellte Bauteile, die in der Umgebung von elektrischen und magnetischen Feldern angeordnet sind, beeinflussen diese Felder. Um Störeffekte zu vermeiden, wurde eine Elektrode verwendet, die ein elektrostatisches Feld mit einer Rotationssymmetrie erzeugt, um den Einfluss auf die Trajektorie des einfallenden Strahls geladener Teilchen und der Sekundärteilchen zu begrenzen. Eine das Inertgas auf das Spezimen richtende Düse oder Gasleitung, welche aus einem leitfähigen oder magnetischen Material hergestellt ist, könnte die Felder z. B. der Objektivlinse beeinflussen. In einer bevorzugten Ausführungsform, die in 8 dargestellt ist, ist die Gasleitung 32 in die Objektivlinse integriert. Eine Bohrung 31 im Polschuh 30 der magnetischen Linse kann entweder unmittelbar als eine Gasleitung dienen, oder sie kann als eine Fassung für eine Düse oder ein Rohr dienen, das in die Bohrung 31 eingefügt ist. Wie in 8 gezeigt ist, endet die Öffnung der Bohrung am inneren Zylinder des Polschuhs 30. Alternativ kann das offene Ende der Bohrung im unteren Ende des Polschuhs angeordnet sein, welches dem Spezimen zugewandt ist.
  • 9 zeigt die Elektrode einer elektrostatischen Linse 34, die zwischen dem Polschuh 30 einer magnetischen Linse und dem Spezimen 3 angeordnet ist. Hier ist die Gasleitung 31 in die Elektrode integriert. Eine Bohrung 31 dient unmittelbar als Gasleitung oder fungiert als eine Fassung für eine Düse oder ein Rohr. 9a zeigt die gleiche Anordnung wie 9, wobei zwischen der Elektrode der elektrostatischen Linse 34 und dem Spezimen 3 eine zusätzliche Referenz-Elektrode 15 angeordnet ist. Diese Referenz-Elektrode könnte auch zwischen dem Spezimen und dem Polschuh der in 8 dargestellten Ausführungsform platziert werden. Durch Integrieren der Gasleitung in die mechanischen Bauteile, die in unmittelbarer Nachbarschaft des Spezimen oder am nächsten zu ihm angeordnet sind, muss der Aufbau der Mikroskopsäule nicht abgeändert werden, und die elektrischen sowie magnetischen Felder zum Führen der Primär- und Sekundärteilchen sind kaum verändert. Die Integration einer Gasleitung in die mechanischen Bauteile in der Nachbarschaft des Spezimen oder am nächsten zum Auftreffbereich des Strahls geladener Teilchen wird vorzugsweise im Zusammenhang mit dem oben beschriebenen Aufladungsphänomen angewendet, sie kann jedoch in allen Arten von Vorrichtungen mit einem Strahl geladener Teilchen angewendet werden, wo ein Gas mit einem Strahl geladener Teilchen wechselwirkt.
  • Der Gasfluss, der auf das Spezimen ausgerichtet ist, kann mit einem stufenlos anpassbaren Ventil für die Flusssteuerung gesteuert werden. Alternativ ist es möglich, einen gepulsten Gasstrom mit einer Pulsfrequenz zu verwenden, die ausreichend hoch ist, sodass der pulsierende Gasfluss eine konsistente Gasschicht oder Umgebung in der Nähe des Auftreffbereichs bereitstellt. Durch Wählen eines geeigneten Ein-Aus-Verhältnisses für die Pulsmode kann eine Feinabstimmung der Gasumgebung erreicht werden.
  • 10 zeigt ein für das Verständnis der Erfindung nützliches Ausführungsbeispiel, in dem das Ventil 24 für das Regeln des Gasstroms zwischen der Probenkammer 26 und dem Gasreservoir 25 angeordnet ist. Durch Öffnen und Schließen des Ventils wird ein gepulster Gasstrom erzeugt und durch die Gasleitung 32 auf das Spezimen 3 gerichtet. 11 zeigt ein alternatives, für das Verständnis der Erfindung nützliches Ausführungsbeispiel, in dem ein Mikroventil 35 in der Nähe des Endes der Gasleitung integriert ist. Das hat den Vorteil, dass nach dem Schließen des Mikroventils 35 die zum Abpumpen des verbleibenden Gases in der Gasleitung benötigte Zeit beträchtlich verringert wird.
  • Wie in 12 gezeigt ist, wird gemäß den Ausführungsformen der Erfindung ein 2-Wege-Ventil 36 verwendet. Ein Anschluss des 2-Wege-Ventils 36 ist mit dem Gasreservoir 25 verbunden, und der andere Anschluss des 2-Wege-Ventils ist mit einem Vakuumreservoir 37 verbunden. Vorzugsweise ist das Volumen des Vakuum- oder evakuierten Reservoirs viel größer als das Volumen der Gasleitung 32. Um den Gasfluss abzuschalten, wird die Verbindung zwischen der Gasleitung 32 und dem Gasreservoir 25 unterbrochen und die Verbindung zwischen der Gasleitung 32 und dem evakuierten Reservoir 37 geöffnet. Das führt zu einem sofortigen Druckabfall in der Gasleitung. Diese Anordnung kann vorteilhafter sein als die Verwendung eines Mikroventils. Das 2-Wege-Ventil kann nicht nur dazu verwendet werden, um die Aufladung durch Bereitstellen von Inertgas zu reduzieren, sondern es kann auch in allen Vorrichtungen mit geladenen Teilchen eingesetzt werden, in denen ein Gasfluss beliebiger Art auf den Auftreffbereich eines Strahls geladener Teichen gerichtet ist. Das ermöglicht es, dass das Gas oder die Gase mit dem Korpuskularstrahl in definierten Zeitintervallen Wechselwirken. Anstelle eines 2-Wege-Ventils könnte ein Mehrwege-Ventil verwendet werden, und mehr als ein Anschluss könnte mit unterschiedlichen Gasreservoiren und/oder mehr als ein Anschluss könnte mit unterschiedlichen Vakuum-Reservoiren verbunden werden. Wie z. B. in den 8, 9 und 9a dargestellt ist, wird vorteilhafterweise eine Gasleitung verwendet, die in die mechanischen Bauteile der Vorrichtungen für einen Strahl geladener Teilchen integriert ist.

Claims (26)

  1. Vorrichtung für einen Strahl geladener Teilchen, umfassend: eine Teilchenquelle (18), um einen Strahl (2) geladene Teilchen zur Verfügung zu stellen; ein optisches Gerät (1923) zum Lenken des Strahls geladener Teilchen auf ein zu untersuchendes Spezimen (3); eine Gaszufuhr (25, 32), um ein Gas zu dem Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen zur Verfügung zu stellen; ein 2-Wegeventil (36), das in der Gaszufuhr angeordnet ist, wobei ein erster Anschluss des 2-Wegeventils mit einem Gasreservoir (25) verbunden ist und ein zweiter Anschluss des 2-Wegeventils mit einem Vakuumreservoir (37) verbunden ist; und eine Steuereinheit zum Schalten des 2-Wegeventils.
  2. Vorrichtung für einen Strahl geladener Teilchen gemäß Anspruch 1, wobei die Gaszufuhr weiterhin eine Gasleitung (32) beinhaltet, um das Gas zu dem Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen zur Verfügung zu stellen.
  3. Vorrichtung für einen Strahl geladener Teilchen gemäß Anspruch 2, wobei die Gasleitung in mechanische Teile integriert ist, die in der Nähe und/oder am nächsten zu dem Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen sind.
  4. Verfahren zum Untersuchen eines Spezimen, das einen geladenen Teilchenstrahl verwendet, welches die folgenden Schritte beinhaltet: a. zuführen des Spezimen (3) in eine Vakuumkammer (26); b. lenken des geladenen Teilchenstrahls (2) zu einer erwünschten Positionen des zu untersuchenden Spezimen (3); und c. zur Verfügung stellen eine Strahls von Inertgas zu der erwünschten Position durch Kontrollieren eines 2-Wegeventil (36), das in einer Gaszufuhr (25, 32) angeordnet ist, wobei ein erster Anschluss des 2-Wegeventils mit einem Gasreservoir (25) verbunden ist und ein zweiter Anschluss des 2-Wegeventils mit einem Vakuumreservoir (37) verbunden ist.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei Schritt c durchgeführt wird um eine Schicht eines Inertgases über der erwünschten Position zur Verfügung zu stellen.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 5, weiterhin beinhaltend den Schritt: d. zur Verfügung stellen einer Referenz-Elektrode in der Nähe der erwünschten Position.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei Schritt d durch eine kreisförmige Elektrode durchgeführt wird.
  8. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei Schritt c. in einer pulsierenden Weise durchgeführt wird.
  9. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, weiterhin beinhaltend: eine Vakuumkammer (26) zum Zuführen des Spezimen; und wobei das Gas ein Inertgas ist.
  10. Vorrichtung gemäß Anspruch 9, die konfiguriert ist um eine Schicht von Inertgas auszubilden, die den Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen bedeckt.
  11. Vorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei die Schicht von Inertgas in dem Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen eine Dicke hat, die weniger als ungefähr die Dicke der mittleren freien Weglänge der geladenen Teilchen ist.
  12. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei die Gaszufuhr (14) weiterhin eine Düse zum Richten eines Strahls von Inertgas auf den Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen zum zur Verfügung stellen des Inertgases beinhaltet.
  13. Vorrichtung gemäß Anspruch 12, weiterhin beinhalten Mittel zum Einstellen der Position der Düse oder der Düsen.
  14. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 13, wobei zumindest zwei Düsen zum Richten des Strahls von Inertgas in einem symmetrischen Muster um den Bereich des dem Spezimen angeordnet sind, auf dem der Strahl geladener Teilchen auf dem Spezimen auftrifft.
  15. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 14, weiterhin beinhaltend Mittel zum Einstellen des Drucks in der Gaszufuhr, der zum zur Verfügung stellen des Inertgases verwendet wird.
  16. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 15, weiterhin beinhaltend eine Elektrode (15; 34), die in der Nähe des Bereichs des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen angeordnet ist, um ein Aufladen des Spezimen auf eine erwünschte Spannung zu kontrollieren.
  17. Vorrichtung gemäß Anspruch 16, weiterhin beinhaltend Mittel zum Positionieren der Elektrode.
  18. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 16 bis 17, wobei die Elektrode und die Düse miteinander verbunden sind.
  19. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei die Elektrode eine kreisförmige Ring-Elektrode beinhaltet.
  20. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei die Elektrode weiterhin ein leitendes Netz mit zumindest einer Öffnung für den Strahl geladener Teilchen beinhaltet.
  21. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 20, weiterhin beinhaltend Vakuum-Mittel, die geeignet sind in der Vakuumkammer einen Druckgradienten zwischen dem Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen und einer Apertur für den Strahl geladener Teilchen in der Vakuumkammer zur Verfügung zu stellen.
  22. Vorrichtung gemäß Anspruch 21, wobei der Druckgradient bei einem Druck von ungefähr 1–100 Pa in dem Bereich des Auftreffens des Strahls geladener Teilchen und einem Druck von weniger als ungefähr 10P(-2) Pa an der Apertur (23) in der Vakuumkammer für den Strahl geladener Teilchen gehalten werden kann.
  23. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 22, wobei die Gaszufuhr weiterhin zumindest einen Gastank (25) beinhaltet.
  24. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 23, wobei die Gaszufuhr (14) Mittel zum zur Verfügung stellen des Gases in einer pulsierenden Weise zur Verfügung stellt.
  25. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 9 bis 24, wobei die Gaszufuhr eine Gasleitung zum Richten eines Strahls von Inertgas auf den Bereich des zu untersuchenden Spezimen beinhaltet.
  26. Vorrichtung gemäß Anspruch 25, wobei die Gasleitung in mechanische Teile in der Nähe von und/oder am nächsten zu dem zu untersuchenden Spezimen integriert ist.
DE69937910T 1998-07-03 1999-07-02 Gerät und Verfahren zur Probenuntersuchung mittels Ladungsträgerstrahlen Expired - Lifetime DE69937910T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP98112389A EP0969493A1 (de) 1998-07-03 1998-07-03 Gerät und Verfahren zur Probenuntersuchung mittels Ladungsträgerstrahlen
EP98112389 1998-07-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69937910D1 DE69937910D1 (de) 2008-02-14
DE69937910T2 true DE69937910T2 (de) 2009-01-02

Family

ID=8232217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69937910T Expired - Lifetime DE69937910T2 (de) 1998-07-03 1999-07-02 Gerät und Verfahren zur Probenuntersuchung mittels Ladungsträgerstrahlen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6555815B2 (de)
EP (2) EP0969493A1 (de)
DE (1) DE69937910T2 (de)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1120809B1 (de) 2000-01-27 2012-02-22 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Objektivlinse für eine Ladungsträgerstrahl-Vorrichtung
US6992290B2 (en) * 2001-01-10 2006-01-31 Ebara Corporation Electron beam inspection system and inspection method and method of manufacturing devices using the system
GB2374723B (en) * 2001-04-20 2005-04-20 Leo Electron Microscopy Ltd Scanning electron microscope
US20050103272A1 (en) * 2002-02-25 2005-05-19 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Material processing system and method
US7161149B2 (en) * 2002-06-28 2007-01-09 Jeol Ltd. Scanning electron microscope and method of controlling same
DE10233002B4 (de) * 2002-07-19 2006-05-04 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Objektivlinse für ein Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopiesystem
DE10260601A1 (de) * 2002-12-23 2004-06-24 Infineon Technologies Ag Elektronenstrahlvorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Oberflächenladung auf einer Oberfläche in einer Elektronenstrahleinrichtung
JP4828834B2 (ja) * 2004-02-04 2011-11-30 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置のガス吹き付けノズル及び荷電粒子ビーム装置
US6992288B2 (en) * 2004-03-12 2006-01-31 Applied Materials, Israel, Ltd. Apparatus and method for directing gas towards a specimen
US7112803B2 (en) * 2004-07-23 2006-09-26 Applied Materials, Israel, Ltd. Beam directing system and method for use in a charged particle beam column
JP4519567B2 (ja) 2004-08-11 2010-08-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法
US7626179B2 (en) 2005-09-30 2009-12-01 Virgin Island Microsystems, Inc. Electron beam induced resonance
US7791290B2 (en) 2005-09-30 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Ultra-small resonating charged particle beam modulator
US20070034518A1 (en) * 2005-08-15 2007-02-15 Virgin Islands Microsystems, Inc. Method of patterning ultra-small structures
US7586097B2 (en) 2006-01-05 2009-09-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Switching micro-resonant structures using at least one director
TW200639901A (en) * 2005-05-09 2006-11-16 Li Bing Huan Device for operating gas in vacuum or low-pressure environment and for observation of the operation
US7170068B2 (en) * 2005-05-12 2007-01-30 Applied Materials, Israel, Ltd. Method and system for discharging a sample
US7276708B2 (en) * 2005-11-23 2007-10-02 Far-Tech, Inc. Diagnostic resonant cavity for a charged particle accelerator
US7372559B2 (en) * 2005-12-14 2008-05-13 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for inspecting a wafer with increased sensitivity
US20070152781A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Virgin Islands Microsystems, Inc. Switching micro-resonant structures by modulating a beam of charged particles
US7619373B2 (en) * 2006-01-05 2009-11-17 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US7470920B2 (en) * 2006-01-05 2008-12-30 Virgin Islands Microsystems, Inc. Resonant structure-based display
JP4930754B2 (ja) * 2006-01-25 2012-05-16 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置
EP1816668A2 (de) * 2006-02-01 2007-08-08 FEI Company Teilchenstrahlgerät mit vrobestimmtem Arbeitsdruck
DE602006015768D1 (de) 2006-02-23 2010-09-09 Integrated Circuit Testing Teilchenstrahlgerät mit Ozon-Quelle
US7443358B2 (en) * 2006-02-28 2008-10-28 Virgin Island Microsystems, Inc. Integrated filter in antenna-based detector
US20070200646A1 (en) * 2006-02-28 2007-08-30 Virgin Island Microsystems, Inc. Method for coupling out of a magnetic device
US20070200071A1 (en) * 2006-02-28 2007-08-30 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling output from a micro resonator to a plasmon transmission line
US7492868B2 (en) * 2006-04-26 2009-02-17 Virgin Islands Microsystems, Inc. Source of x-rays
US7646991B2 (en) 2006-04-26 2010-01-12 Virgin Island Microsystems, Inc. Selectable frequency EMR emitter
US20070252089A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Charged particle acceleration apparatus and method
US7876793B2 (en) 2006-04-26 2011-01-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Micro free electron laser (FEL)
US7436177B2 (en) 2006-05-05 2008-10-14 Virgin Islands Microsystems, Inc. SEM test apparatus
US7732786B2 (en) 2006-05-05 2010-06-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam
US7741934B2 (en) * 2006-05-05 2010-06-22 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling a signal through a window
US7728397B2 (en) * 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupled nano-resonating energy emitting structures
US20070258492A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Light-emitting resonant structure driving raman laser
US7443577B2 (en) * 2006-05-05 2008-10-28 Virgin Islands Microsystems, Inc. Reflecting filtering cover
US7359589B2 (en) * 2006-05-05 2008-04-15 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling electromagnetic wave through microcircuit
US7728702B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material
US7746532B2 (en) 2006-05-05 2010-06-29 Virgin Island Microsystems, Inc. Electro-optical switching system and method
US7554083B2 (en) * 2006-05-05 2009-06-30 Virgin Islands Microsystems, Inc. Integration of electromagnetic detector on integrated chip
US7710040B2 (en) 2006-05-05 2010-05-04 Virgin Islands Microsystems, Inc. Single layer construction for ultra small devices
US7718977B2 (en) * 2006-05-05 2010-05-18 Virgin Island Microsystems, Inc. Stray charged particle removal device
US20070258675A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Multiplexed optical communication between chips on a multi-chip module
US7723698B2 (en) * 2006-05-05 2010-05-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Top metal layer shield for ultra-small resonant structures
US8188431B2 (en) 2006-05-05 2012-05-29 Jonathan Gorrell Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit
US7476907B2 (en) * 2006-05-05 2009-01-13 Virgin Island Microsystems, Inc. Plated multi-faceted reflector
US7342441B2 (en) 2006-05-05 2008-03-11 Virgin Islands Microsystems, Inc. Heterodyne receiver array using resonant structures
US7557647B2 (en) * 2006-05-05 2009-07-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Heterodyne receiver using resonant structures
US7656094B2 (en) * 2006-05-05 2010-02-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Electron accelerator for ultra-small resonant structures
US7986113B2 (en) 2006-05-05 2011-07-26 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US7679067B2 (en) 2006-05-26 2010-03-16 Virgin Island Microsystems, Inc. Receiver array using shared electron beam
US20070274365A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-29 Virgin Islands Microsystems, Inc. Periodically complex resonant structures
US7655934B2 (en) * 2006-06-28 2010-02-02 Virgin Island Microsystems, Inc. Data on light bulb
US7450794B2 (en) * 2006-09-19 2008-11-11 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microcircuit using electromagnetic wave routing
US7560716B2 (en) * 2006-09-22 2009-07-14 Virgin Islands Microsystems, Inc. Free electron oscillator
JP4850654B2 (ja) * 2006-10-23 2012-01-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置用試料保持装置
US7659513B2 (en) 2006-12-20 2010-02-09 Virgin Islands Microsystems, Inc. Low terahertz source and detector
US7990336B2 (en) 2007-06-19 2011-08-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays
DE602007007468D1 (de) * 2007-07-27 2010-08-12 Integrated Circuit Testing Magnetische Linsenanordnung
US7791053B2 (en) 2007-10-10 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures
US8642959B2 (en) * 2007-10-29 2014-02-04 Micron Technology, Inc. Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope
JP5179253B2 (ja) * 2008-05-16 2013-04-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電極ユニット、及び荷電粒子線装置
DE102008040426B4 (de) * 2008-07-15 2015-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts
DE102008064856B3 (de) * 2008-07-15 2017-07-13 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vorrichtung zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts
GB2484517B (en) * 2010-10-14 2016-03-30 Carl Zeiss Nts Ltd Improvements in and relating to charged particle beam devices
JP5320418B2 (ja) * 2011-01-31 2013-10-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
DE102011077635A1 (de) * 2011-06-16 2012-12-20 Carl Zeiss Nts Gmbh Hochspannungsversorgungseinheit für ein Teilchenstrahlgerät
EP2880675A4 (de) * 2012-07-30 2016-03-30 Fei Co Ökologisches sem-gasinjektionssystem
US8872105B2 (en) * 2013-02-19 2014-10-28 Fei Company In situ reactivation of fluorescence marker
DE102015204091B4 (de) 2015-03-06 2023-06-07 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zur Ladungskompensation
IT201800007349A1 (it) * 2018-07-19 2020-01-19 Apparecchio multistadio per vuoto con separazione degli stadi controllata da un attuatore in lega a memoria di forma
US20240096592A1 (en) * 2022-09-15 2024-03-21 Applied Materials Israel Ltd. Optimized saddle nozzle design for gas injection system

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3332248A1 (de) * 1983-09-07 1985-03-21 Lutz-Achim Dipl.-Ing. 7000 Stuttgart Gäng System zum ableiten von probenaufladungen bei rasterelektronenmikroskopischen untersuchungen
JPH03194838A (ja) * 1989-12-22 1991-08-26 Sumitomo Metal Ind Ltd 帯電防止方法及び該方法に使用する帯電防止装置
JPH04363849A (ja) * 1991-06-10 1992-12-16 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム装置
JP3253675B2 (ja) 1991-07-04 2002-02-04 株式会社東芝 荷電ビーム照射装置及び方法
US5338939A (en) 1992-01-13 1994-08-16 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure including a heat blocking partition positioned near deflecting coils
US5396067A (en) * 1992-06-11 1995-03-07 Nikon Corporation Scan type electron microscope
DE4340956C2 (de) 1993-12-01 2002-08-22 Advantest Corp Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe
JP3310136B2 (ja) * 1994-09-17 2002-07-29 株式会社東芝 荷電ビーム装置
US6093246A (en) 1995-09-08 2000-07-25 Sandia Corporation Photonic crystal devices formed by a charged-particle beam
JP3523405B2 (ja) * 1996-01-26 2004-04-26 株式会社日立製作所 荷電ビーム処理によるパターン形成方法及び荷電ビーム処理装置
DE19626184C2 (de) 1996-06-29 1998-07-30 Alexander Ernst Erdwin Lahmann Vorrichtung zum Betreiben eines Systems mit zwei funktionsmäßig in einem Rechner parallel geschalteten Prozessoren
US5869833A (en) * 1997-01-16 1999-02-09 Kla-Tencor Corporation Electron beam dose control for scanning electron microscopy and critical dimension measurement instruments
JPH10335399A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Advantest Corp 試料処理装置および方法
US6105589A (en) 1999-01-11 2000-08-22 Vane; Ronald A. Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using an air plasma as an oxygen radical source

Also Published As

Publication number Publication date
US6555815B2 (en) 2003-04-29
EP0969493A1 (de) 2000-01-05
DE69937910D1 (de) 2008-02-14
EP1455379A2 (de) 2004-09-08
US20020053638A1 (en) 2002-05-09
EP1455379B1 (de) 2008-01-02
EP1455379A3 (de) 2004-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69937910T2 (de) Gerät und Verfahren zur Probenuntersuchung mittels Ladungsträgerstrahlen
EP1068630B1 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE69332995T2 (de) Raster-Elektronenmikroskop
DE60011031T2 (de) Optische Säule für Teilchenstrahlvorrichtung
DE10233002B4 (de) Objektivlinse für ein Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopiesystem
DE102007010463B4 (de) Vorrichtung zur Feldemission von Teilchen
DE19732093B4 (de) Korpuskularstrahlgerät
DE112014002951B4 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE112012003887T5 (de) lonenquelle und lonenstrahlvorrichtung, bei der diese verwendet wird
WO2008071303A2 (de) Teilchenoptische anordnung
DE69920182T2 (de) Korpuskularstrahloptisches gerät mit auger-elektronendetektion
EP0461442A2 (de) Teilchenstrahlgerät
DE112016000644B4 (de) Verbundvorrichtung für geladene Partikelstrahlen
DE19549022C2 (de) Rasterelektronenmikroskop und Probenbetrachtungsverfahren mittels eines solchen
DE69634328T2 (de) Hochtemperatur-probentisch und detektor für rasterelektronenmikroskop unter kontrollierter umgebung
DE60105199T2 (de) Sem mit einem sekundärelektronendetektor mit einer zentralelektrode
DE2151167B2 (de) Elektronenstrahl Mikroanalysator mit Auger Elektronen Nachweis
DE69133256T2 (de) Rasterelekronenmikroskop und Bilderzeugungsverfahren
DE102007010873B4 (de) Objektivlinse
EP0348785A2 (de) Elektronenstrahlmessgerät
DE112017007822B4 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE10237141A1 (de) Strahlführungssystem, Abbildungsverfahren und Elektronenmikroskopiesystem
EP1347490A2 (de) Blenden-Zusatzvorrichtung für ein Rasterelektronenmikroskop
DE2608958A1 (de) Vorrichtung zum erzeugen von strahlen aus geladenen teilchen
EP1774560A1 (de) Elektronenstrahlger[t

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition