DE69937431T2 - Breitbandoberflächenwellenfilter - Google Patents

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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6436Coupled resonator filters having one acoustic track only

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die Erfindung betrifft ein Breitband-Oberflächenwellenfilter, und insbesondere ein Breitband-Oberflächenwellenfilter, das eine Durchlassbandbreite eines longitudinal gekoppelten Oberflächenwellenfilters, im Vergleich zu derjenigen eines herkömmlichen Oberflächenwellenfilters erweitert, und zwar zur Anpassung an ein neuartiges Mobilkommunikationssystem.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • In den letzten Jahren wurde ein Oberflächenwellenfilter (nachfolgend als SAW-Filter bezeichnet) auf vielen Gebieten der Kommunikation verwendet und spielte eine Rolle bei einer Verringerung der Größe tragbarer Telefone, und dergleichen, und zwar aufgrund seiner hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften, Kompaktheit, einfachen Herstellbarkeit in Massenproduktion, und dergleichen.
  • 4 ist ein illustrierende Draufsicht, die eine Struktur eines Elektrodenmusters eines herkömmlichen longitudinal gekoppelten Doppelmoden-SAW-Filters erster-dritter Ordnung (1-3 Ordnung) darstellt (nachfolgend als Doppelmoden-SAW-Filter bezeichnet). Auf einer Hauptfläche eines piezoelektrischen Substrates 11 sind drei IDT-Elektroden 12, 13 und 14 nahe beieinander entlang einer Ausbreitungsrichtung einer akustischen Oberflächenwelle angeordnet, wobei Reflektoren 15a und 15b auf jeder Seite der IDT-Elektroden 13 und 14 angeordnet sind.
  • Jede der IDT-Elektroden 12, 13 und 14 ist aus einem Paar kammförmiger Elektroden aufgebaut, die eine Mehrzahl von Elektrodenfingern aufweisen, wobei jeder Elektrodenfinger der einen kammförmigen Elektrode in einen Raum zwischen benachbarten Fingern der anderen kammförmigen Elektrode eingefügt ist. Die eine der kammförmigen Elektroden der IDT-Elektrode 12 ist mit einem Eingangsanschluss verbunden, hingegen ist die andere kammförmige Elektrode geerdet. Die einen der kammförmigen Elektroden der IDT-Elektroden 13 und 14 sind miteinander verbunden und sind mit einem Ausgangsanschluss verbunden, und die anderen kammförmigen Elektroden von diesen sind jeweils geerdet.
  • Wie allgemein bekannt ist, arbeitet das in 4 dargestellte Doppelmoden-SAW-Filter wie folgt. Eine Mehrzahl von Oberflächenwellen, die durch die IDT-Elektroden 12, 13 und 14 erregt werden, werden zwischen den Reflektoren 15a und 15b "gefangen", und eine akustische Kopplung wird zwischen den IDT-Elektroden 12, 13 und 14 erzeugt. Als Ergebnis werden zwei longitudinal gekoppelte Resonanzmoden erster und dritter Ordnung stark erregt, und das Filter arbeitet als Doppelmoden-SAW-Filter unter Verwendung dieser zwei Moden mittels eines geeigneten Abschlusses. Es ist allgemein bekannt, dass die Durchlassbandbreite des Doppelmoden-SAW-Filters in Abhängigkeit von einer Frequenzdifferenz zwischen der Resonanzmode erster Ordnung und der Resonanzmode dritter Ordnung bestimmt ist.
  • Ebenfalls ist allgemein bekannt, dass eine Mehrzahl der Doppelmoden-SAW-Filter auf einem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind und sie in Kaskade verbunden sind, wodurch ein Formfaktor und ein garantiertes Dämpfungsausmaß eines Filters verbessert wird.
  • Jedoch besteht das Problem, dass, wenn ein longitudinal gekoppelter Breitband-Doppelmoden-SAW-Filter erster-dritter Ordnung (1-3 Ordnung), der eine Mittenfrequenz eines 900-MHz-Bandes aufweist, beispielsweise unter Verwendung von LiTaO3 vom Typ 36°-Y-Schnitt und X-Ausbreitung (LiTaO3) als piezoelektrisches Substrat auf Basis der herkömmlichen Auslegung gefertigt wird, die Grenze einer Durchlassbandbreite von 1,0 dB höchstens 30 MHz beträgt. Daher ist es schwierig, ein Filter zu realisieren, das eine weite Bandbreite von 40 MHz oder mehr und eine flache Durchlassbandkennlinie aufweist, die für ein neuartiges tragbares Telefon benötigt wird.
  • Man nimmt als Mittel zum Lösen des zuvor beschriebenen Problems an, dass, wenn eine Differenz zwischen einer Resonanzfrequenz einer Mode erster Ordnung und einer Resonanzfrequenz einer Mode dritter Ordnung vergrößert wird, es möglich ist, die Durchlassbandbreite des Doppelmoden-SAW-Filters zu verbreitern.
  • Daher wurde, wie bekannt ist, ein Doppelmoden-SAW-Filter versuchsweise so gefertigt, dass die Anzahl der IDT-Elektrodenpaare verringert wird und ein Zwischenraum zwischen Eingangs- und Ausgangs-IDT-Elektroden geeignet gewählt wird, wodurch das Resonanzintervall zwischen der primären Mode und der Mode dritter Ordnung verbreitert wird. Bei der versuchsweisen Fertigung werden, wenn LiTaO3 vom 36° Y-X-Typ als piezoelektrisches Substrat verwendet wird, die Anzahlen der IDT-Elektrodenpaare 12 auf 22,5 festgelegt, die Anzahlen der IDT-Elektrodenpaare 13 und 14 werden jeweils auf 15,5 festgelegt, die Anzahlen der Reflektoren 15a und 15b werden jeweils auf 100 festgelegt, die Filmdicke H/λ (λ ist eine Wellenlänge einer akustischen Oberflächenwelle) einer Aluminiumelektrode beträgt 6%, eine Aperturlänge beträgt 60 λ, Perioden der IDT-Elektroden 12, 13, 14 und der Reflektoren 15a, 15b betragen jeweils LT und LR, und die erzielte Filterkennlinie, wenn LT/LR auf 0,978 festgelegt ist, ist in 6 dargestellt.
  • Wie aus 6 klar hervorgeht, tritt das Problem auf, dass, obschon die Bandbreite erweitert wird, ein flacher Verlauf aufseiten des hohen Bandes des Durchlassbandes fehlt, so dass eine zufriedenstellende Durchlassbandkennlinie nicht erzielt werden kann.
  • Unterdessen trat, da die Anzahl von Elektrodenfingerpaaren im Vergleich zur herkömmlichen Technik verringert ist, das Problem auf, dass die Abschlussimpedanz des Filters gegenüber einer allgemeinen Abschlussimpedanz von 50 Ω vergrößert ist.
  • Es ist allgemein bekannt, wie in 5 dargestellt, dass die Abschlussimpedanz eines Doppelmoden-SAW-Filters stark von einem Verhältnis W/(W + S) einer Elektrodenfingerbreite W zur Summe (W + S) einer Elektrodenfingerbreite W und einer Abstandsbreite S abhängt, das bedeutet, einer sogenannten Leiterbelegungsrate. Demgemäß wird die Leiterbelegungsrate RT = WT/(WT + ST) der IDT-Elektroden 12, 13, 14 auf einen großen Wert von 0,5 bis 0,8 gesetzt, so dass die Abschlussimpedanz auf 50 Ω eingestellt werden kann. Jedoch wurde den Bedingungen, dass das Durchlassband, das für ein RF-Filter eines tragbaren Telefons eines neuartigen Systems benötigt wird, breit und flach ist, noch nicht genügt.
  • Die Erfindung erfolgte zum Lösen der zuvor beschriebenen Probleme, und ein Ziel von dieser besteht darin, ein Doppelmoden-SAW-Filter bereitzustellen, das breitbandig ist und bei dem eine Durchlassbandkennlinie flach ist.
  • EP-A-0 569 977 offenbart ein longitudinal gekoppeltes Doppelmoden-Filter erster Ordnung bis dritter Ordnung, bei dem ein Belegungsverhältnis von Elektrodenfingerbreite zur Summe aus Elektrodenfingerbreite und Elektrodenfinger-Zwischenraumbreiten einer Eingangs- und einer Ausgangselektrode in einem Abschnitteinheit auf einen Wert größer als 0,30 und kleiner als 0,45 gesetzt ist, wodurch feine Störsignale bei einer Hochfrequenz-seitigen Bandbreite außerhalb der Durchlassbandbreite beseitigt werden, was die Durchlassbandbreite erweitert.
  • JP 62-130010 A offenbart ein Resonanzfilter, das zwei Sätze von Gittertyp-Elektroden und außerhalb der Gittertyp-Elektroden ausgebildete Reflektoren aufweist, bei dem die Leiterbreitenverhältnisse der Gittertyp-Elektroden auf eine Konstante von jeweils 0,5 festgelegt sind, und die Leiterbreitenverhältnisse der Reflektoren auf geringere Werte von 0,3 bzw. 0,1 festgelegt sind, wodurch die Reflexionsverhältnisse der Reflektoren vergrößert werden, was einen Einfügeverlust des Filters verringert.
  • JP 4-40705 A offenbart ein Longitudinal-Doppelmoden-SAW-Filter, das zwei Sätze von Elektroden vom Kammtyp auf einer Oberfläche eines piezoelektrischen Substrates und Reflektoren aufweist, die zu beiden Seiten der Elektroden vom Kammtyp angeordnet sind, und offenbart weiter ein Longitudinal-Doppelmoden-SAW-Filter, das weiter eine Elektrode vom Kammtyp zusätzlich zu zwei Sätzen der Elektroden vom Kammtyp aufweist, um Resonanzmoden 0-ter Ordnung und longitudinale Resonanzmoden zweiter Ordnung verwendet.
  • US-A-5 631 515 offenbart ein Variieren der Leiterbelegungsrate der Reflektoren in einem gewöhnlichen SAW-Resonator (siehe 4 und Spalte 10, Zeile 54 bis Spalte 12, Zeile 14). Dies hat den Effekt einer Verringerung der Umwandlung der Rayleigh-Welle in eine "Surface Skimming Bulk Wave" in den Reflektoren, wodurch Störantworten verringert werden.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Um das zuvor beschriebene Ziel zu erreichen, ist gemäß der Erfindung bei einem longitudinal gekoppelten Multimoden-Oberflächenwellenfilter, das dadurch konfiguriert ist, dass eine Mehrzahl von IDT-Elektroden auf einem piezoelektrischen Substrat in Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle angeordnet sind und Reflektoren auf beiden Seiten der IDT-Elektroden angeordnet sind, ein Breitband-Oberflächenwellenfilter dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbelegungsrate der Reflektoren kleiner als die Leiterbelegungsrate der IDT-Elektroden ist.
  • Vorzugsweise ist eine Elektrodenfingerbreite der Reflektoren geringer als eine Lücke zwischen den Elektrodenfingern.
  • Weiter beträgt vorzugsweise eine Periode zwischen den Elektrodenfingern der IDT-Elektrode LT, und eine Periode des Reflektors beträgt LR, ein Verhältnis der Perioden LT und LR ist derart festgelegt, dass die Mittenfrequenz des Sperrbandes der Reflektoren und die Mittenfrequenz des longitudinal gekoppelten Multimoden-Oberflächenwellenfilters annähernd gleich groß sind.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine illustrierende Draufsicht, die eine Elektrodenkonfiguration eines longitudinal gekoppelten Doppelmoden-SAW-Filters erster-dritter Ordnung (1-3 Ordnung) gemäß der Erfindung zeigt;
  • 2 ist ein Graph, der eine Beziehung zwischen einer Leiterbelegungsrate (W/(W + S) und eine Sperrbrandbreite Δf/f0 zeigt;
  • 3 ist ein Graph, der ein Beispiel von Filterkennlinien des longitudinal gekoppelten Doppelmoden-SAW-Filters erster-dritter Ordnung (1-3 Ordnung) zeigt, wobei die Elektrodenkonfiguration der Erfindung verwendet wird.
  • 4 eine illustrierende Draufsicht, die eine Elektrodenkonfiguration eines herkömmlichen longitudinal gekoppelten Doppelmoden-SAW-Filters erster-dritter Ordnung (1-3 Ordnung) zeigt;
  • 5 ist eine Ansicht, die eine Elektrodenfilmdicke H/λ und eine Leiterbelegungsrate W/(W + S) erläutert;
  • 6 ist ein Graph, der eine Filterkennlinie eines longitudinal gekoppelten Doppelmoden-SAW-Filters erster-dritter Ordnung (1-3 Ordnung) zeigt, die erhalten wird, wenn lediglich ein Frequenzintervall zwischen der primären Resonanzmode und einer Resonanzmode dritter Ordnung erweitert wird, und eine Sperrbandbreite eines Reflektors in einem ursprünglichen Zustand beibehalten wird.
  • BESTER MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Die Erfindung wird nachfolgend detailliert mit Bezug auf eine in den Zeichnungen dargestellte Ausführungsform erläutert.
  • Dabei wird, um das Verständnis der Erfindung vor der Erläuterung der Ausführungsform zu erleichtern, der Vorgang erläutert, mittels dem die Erfindung erzielt wurde.
  • Verschiedene Versuche wurden durchgeführt, um einen Problempunkt zu lösen, bei dem eine genügende Durchlassbandkennlinie nicht auf einer hohen Bandseite des Durchlassbandes erzielt werden kann, sogar wenn man ein Resonanzintervall zwischen den Moden erster und dritter Ordnung eines Doppelmoden-SAW-Filters durch Verringern der Anzahl der Elektrodenfingerpaare einer IDT-Elektrode erweitert hat.
  • Als Ergebnis wurde in Betracht gezogen, dass, sogar wenn die Anzahlen der Elektrodenpaare der IDT-Elektroden 2, 3 und 4 verringert werden und ein Resonanzintervall zwischen den Moden erster und dritter Ordnung erweitert wird, da die Sperrbandbreite der Reflektoren 5a, 5b so schmal wie im ursprünglichen Zustand bleibt, eine Resonanzfrequenz entweder der primären Mode oder der Mode dritter Ordnung außerhalb des Sperrbandes vorhanden ist, wodurch die Ebenheit auf der hohen Bandseite des Durchlassbandes beeinträchtigt wird.
  • Auf Basis des zuvor beschriebenen Wissens wurden, wie dargestellt in 1, verschiedene Doppelmoden-SAW-Filter versuchsweise gefertigt, und zwar unter Verändern einer Periode LT der IDT-Elektroden 2, 3, 4, deren Belegungsrate RT, einer Periode LR der Reflektoren 5a, 5b, deren Belegungsrate RR, einer Elektrodenfilmdicke H/λ und dergleichen. Die Verhältnisse LT/LR der Periode LT der IDT-Elektroden 2, 3, 4 zur Periode LR der Reflektoren 5a, 5b wurden zu 0,994 und 0,986 gewählt, und die Leiterbelegungsrate RT der IDT-Elektroden 2, 3, 4 und die Belegungsrate RR der Reflektoren 5a, 5b wurden jeweils von 0,35 auf 0,6 matrixartig verändert, so dass Eigenschaften eines Doppelmoden-SAW-Filters, wie beispielsweise Bandbreite, Ebenheit eines Durchlassbandes, Abschneidcharakteristik des Durchlassbandes, Einfügeverlust und dergleichen gemessen wurden.
  • Als Ergebnis wurde gefunden, dass im Gegensatz zur herkömmlichen Technik, bei der die Belegungsrate der IDT-Elektroden 2, 3, 4 und die Leiterbelegungsrate der Reflektoren 5a, 5b ungefähr gleich groß festgelegt sind, die Belegungsrate RR der Reflektoren 5a, 5b auf einen kleineren Wert als die Leiterbelegungsrate RT der IDT-Elektroden 2, 3, 4 gesetzt wird, so dass die Sperrbandbreite des Reflektors verbreitert wird und das Durchlassband des Filters verbreitert wird.
  • Auf Basis der zuvor beschriebenen Tatsache wurde ein weiterer Versuch durchgeführt, bei dem eine Beziehung zwischen der Sperrbandbreite Δf/f0 der Reflektoren 5a, 5b und die Leiterbelegungsrate RR experimentell bei einem Zustand untersucht wurden, bei dem die Elektrodenfilmdicke H/λ auf einen konstanten Wert festgelegt wurde.
  • LiTaO3 vom 39° Y-X-Typ wurde als piezoelektrisches Substrat verwendet, und bei Bedingungen, bei denen die Anzahl der IDT-Elektrodenpaare 2 den Wert 15,5 beträgt, betragen die Anzahlen der IDT-Elektrodenpaare 3, 4, jeweils 9,5, die Anzahlen der Reflektoren 5a, 5b betragen jeweils 150, die Aperturlänge beträgt 60 λ, die Elektrodenfilmdicke H/λ liegt zwischen 6 bis 9%, und die Leiterbelegungsrate RT der IDT-Elektroden 2, 3, 4 beträgt 70%, die Leiterbelegungsrate RR der Reflektoren 5a, 5b wurde von 30% auf 50% verändert. 2 zeigt einen Teil des Ergebnisses des Versuchs. Man kann entnehmen, dass dieses Beispiel eine gekrümmte Kennlinie zeigt, deren Spitzenwert bei einer Leiterbelegungsrate RR von 30% auftritt, falls die Elektrodenfilmdicke H/λ einen Wert von 6% λ hat. Es wurde, sogar unter anderen Bedingungen, bestätigt, dass ein Spitzenwert (Scheitel) bei einer Position erzielt wird, bei der die Leiterbelegungsrate weniger als 50% beträgt.
  • Eine Filterkennlinie eines Doppelmoden-SAW-Filters, falls die Leiterbelegungsrate RR 35% beträgt, ist in 3 dargestellt. 'A' ist ein Durchlassband und 'B' ist eine Dämpfungskennlinie. Eine Durchlassbandbreite von 1 dB beträgt 40,7 MHz und ein Einfügeverlust beträgt 1 dB oder weniger, was bedeutet, dass die Durchlassbandbreite um ca. 30% oder mehr erweitert wird, und zwar im Vergleich zu derjenigen des herkömmlichen Doppelmoden-SAW-Filters.
  • Dabei wurde bestätigt, dass, wenn die Leiterbelegungsrate RT der IDT-Elektroden 2, 3, 4 auf 70% festgelegt ist und die Leiterbelegungsrate RR der Reflektoren 5a, 5b auf 30% bis 50% festgelegt ist, es erforderlich ist, dass das Verhältnis LT/LR der Periode LT der IDT-Elektroden zur Periode LR des Reflektors auf einen kleinen Wert von 0,960 bis 0,981 festgelegt ist.
  • Dies liegt daran, dass es erforderlich war, dass das Verhältnis LT/LR der Periode LT der IDT-Elektrode zur Periode LR des Reflektors auf einen kleineren Wert als im herkömmlichen Fall gesetzt wird, um zu bewirken, dass die Mittenfrequenz fc = (f1 + f3)/2 (wobei f1 eine Frequenz der Mode erster Ordnung, und f3 eine Frequenz der Mode dritte Ordnung ist) und die Mittenfrequenz von dessen Sperrbändern miteinander übereinstimmt, damit die Resonanzfrequenzen der Moden erster Ordnung und dritter Ordnung innerhalb der Sperrbänder zu liegen kommen, und bedingt dadurch wurden die durch die Elektrode erregten Resonanzfrequenzen der Moden erster und dritter Ordnung abgesenkt, da die Leiterbelegungsrate RT der IDT-Elektroden 2, 3, 4 auf einen großen Wert gesetzt wurde und die Mittenfrequenz des Sperrbandes, das durch die Reflektoren 5a, 5b gebildet wird, angehoben wurde, da die Leiterbelegungsrate RR der Reflektoren 5a, 5b auf einen geringen Wert gesetzt wurde.
  • In einem Fall, bei dem die Ebenheit des Durchlassbandes eines Doppelmoden-SAW-Filters von Bedeutung ist, wird die Sperrbandbreite der Reflektoren 5a, 5b beträchtlich breiter als das Resonanzintervall zwischen der primären Mode und der Mode dritter Ordnung festgelegt. Als Mittel zur Verbreiterung der Sperrbandbreite Δf/f0 kann die Sperrbandbreite Δf/f0 so festgelegt sein, dass sie maximal wird, und zwar aus der Beziehung zwischen der Leiterbelegungsrate RR (wobei RR = /WR/(WR + SR)) des Reflektors 5a, 5b und der Sperrbandbreite Δf/f0.
  • Auch in einem Fall, bei dem eine derartige Gestaltung vorgenommen wird, dass die Dämpfungscharakteristik eines Doppelmoden-SAW-Filters von Bedeutung ist, kann die Sperrbandbreite der Reflektor 5a, 5b auf eine geringfügig größere Breite als die Resonanzfrequenzen der primären Mode und der Mode dritter Ordnung festgelegt werden, wodurch eine gewünschte Bandbreite bestimmt wird. Sogar in diesem Fall kann eine gewünschte Sperrbandbreite Δf/f0 aus der Beziehung zwischen der Leiterbelegungsrate RR der Reflektoren 5a, 5b und der Sperrbandbreite Δf/f0 festgelegt werden.
  • In dieser Weise besteht das Merkmal der Erfindung darin, dass im Gegensatz zur herkömmlichen Auslegung, bei dem die Leiterbelegungsrate der IDT und die Belegungsrate des Reflektors annähernd gleich groß sind, die zuvor beschriebenen Leiterbelegungsraten gemäß den gewünschten Eigenschaften eines Doppelmoden-SAW-Filters festgelegt werden.
  • Demgemäß ist die Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass zum Zweck eines Realisierens eines Breitbandfilters die Belegungsrate des Reflektors auf einen geringeren Wert als die Leiterbelegungsrate der IDT festgelegt wird, die Sperrbandbreite des Reflektors gemäß den benötigten Inhalten für das Filter geeignet gewählt wird, und die Leiterbelegungsrate des Reflektors zu einem Wert unterhalb 50% festgelegt wird, das bedeutet, dass die Elektrodenfingerbreite auf einen geringeren Wert als ein Zwischenraum zwischen den Elektrodenfingern festgelegt wird.
  • Auch besteht ein wichtiges Merkmal der Erfindung darin, dass der Wert des Verhältnisses LT/LR der Periode LT der IDT-Elektroden 2, 3, 4 zur Periode LT der Reflektoren 5a, 5b auf einen geringeren Wert als bei einem herkömmlichen Beispiel festgelegt wird, beispielsweise 0,98 oder weniger, derart, dass die durch die IDT-Elektroden 2, 3, 4 erregten Resonanzfrequenzen erster und dritter Ordnung geeignet festgelegt sind, so dass sie mit den durch die Reflektoren 5a, 5b gebildeten Sperrbandbreiten korrespondieren.
  • Im zuvor Beschrieben ist, obschon das longitudinal gekoppelte Doppelmoden-SAW-Filter erster-dritter Ordnung (1-3 Ordnung) als Beispiel erläutert wurde, die Erfindung selbstverständlich auf ein beliebiges Multimodenfilter anwendbar, beispielsweise ein longitudinal gekoppeltes Doppelmoden-SAW-Filter erster-zweiter Ordnung (1-2 Ordnung), ein longitudinal gekoppeltes Dreifachmoden-SAW-Filter erster-zweiter-dritter Ordnung (1-2-3 Ordnung), ein longitudinal gekoppeltes Dreifachmoden-SAW-Filter erster-dritter-fünfter Ordnung (1-3-5 Ordnung), und dergleichen.
  • Außerdem wurde die Erfindung unter Verwendung von LiTaO3 erläutert, jedoch ist die Erfindung auch auf andere piezoelektrische Materialien anwendbar, wie beispielsweise LiNbO3, LBO, La3Ga5SiO14, und dergleichen.
  • Wie zuvor erläutert, ist bei der Erfindung, da die Anzahl von IDT-Elektrodenpaaren und deren Leiterbelegungsrate, und die durch die Reflektoren gebildete Sperrbandbreite gemäß gewünschten Filterkennlinien festgelegt sind, ein longitudinal gekoppeltes Multimoden-SAW-Filter mit einer breiten und einen flachen Verlauf aufweisenden Durchlassbandbreite konfiguriert, wenn die Erfindung auf ein neuartiges breitbandiges Kommunikationssystem angewendet wird. Wenn das Filter der Erfindung für ein tragbares Telefon des neuartigen Kommunikationssystem verwendet wird, ist es möglich, die Kommunikationsqualität des tragbaren Telefons beträchtlich zu verbessern.

Claims (3)

  1. Breitband-Oberflächenwellenfilter, das ein longitudinal gekoppeltes Multimoden-Oberflächenwellenfilter beinhaltet, das dadurch konfiguriert ist, dass eine Mehrzahl von IDT-Elektroden (2, 3, 4) auf einem piezoelektrischen Substrat (1) in Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle angeordnet sind und Reflektoren (5a, 5b) auf beiden Seiten der IDT-Elektroden (2, 3, 4) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterbelegungsrate der Reflektoren (5a, 5b) kleiner als die Leiterbelegungsrate der IDT-Elektroden (2, 3, 4) ist, wobei die Leiterbelegungsrate der Reflektoren (5a, 5b) und der IDT-Elektroden (2, 3, 4) als W/(W + S) definiert ist, W die jeweilige Elektrodenfingerbreite ist und S die jeweilige Lücke zwischen Elektrodenfingern ist.
  2. Breitband-Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Elektrodenfingerbreite (WR) der Reflektoren (5a, 5b) geringer als eine Lücke (SR) zwischen den Elektrodenfingern ist.
  3. Breitband-Oberflächenwellenfilter nach Anspruch 1 oder 2, bei dem, wenn eine Periode zwischen den Elektrodenfingern der IDT-Elektrode (2, 3, 4) LT beträgt und eine Periode des Reflektors (5a, 5b) LR ist, ein Verhältnis der Perioden LT und LR derart festgelegt ist, dass die Mittenfrequenz des Sperrbandes der Reflektoren (5a, 5b) und die Mittenfrequenz des longitudinal gekoppelten Multimoden-Oberflächenwellenfilters annähernd gleich groß sind.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002152001A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Nec Corp 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタ装置
JP2002176333A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波フィルタ
JP3928534B2 (ja) * 2002-02-28 2007-06-13 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
DE102004037819B4 (de) * 2004-08-04 2021-12-16 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten
JP5039290B2 (ja) * 2005-08-25 2012-10-03 太陽誘電株式会社 フィルタおよびアンテナ分波器
JP2012060422A (ja) * 2010-09-09 2012-03-22 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置
JP2012065272A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性波デバイス
JP6441590B2 (ja) * 2014-05-23 2018-12-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5885617A (ja) 1981-11-18 1983-05-23 Hitachi Ltd 弾性表面波装置
JPS62130010A (ja) 1985-12-02 1987-06-12 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
JPH02250412A (ja) 1989-03-23 1990-10-08 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
JPH03182111A (ja) * 1989-12-11 1991-08-08 Seiko Epson Corp 弾性表面波装置
JPH0440705A (ja) 1990-06-06 1992-02-12 Murata Mfg Co Ltd 縦型2重モード弾性表面波フィルタ
JP3107392B2 (ja) * 1990-11-30 2000-11-06 東洋通信機株式会社 縦結合二重モードリーキーsawフィルタ
JP3181090B2 (ja) * 1992-03-04 2001-07-03 東洋通信機株式会社 縦結合二重モードリーキーsawフィルタ
JPH05315886A (ja) * 1992-05-14 1993-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3298251B2 (ja) 1993-08-24 2002-07-02 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JPH07307640A (ja) * 1994-03-17 1995-11-21 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JPH08321743A (ja) 1995-05-25 1996-12-03 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3514015B2 (ja) * 1995-12-28 2004-03-31 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH10270983A (ja) * 1997-03-27 1998-10-09 Hitachi Media Electron:Kk 弾性表面波バンドパスフィルタ
JPH10276062A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波デバイス
JP3182111B2 (ja) 1997-03-31 2001-07-03 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 プログラムテスト支援装置

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