DE10113607B4

DE10113607B4 - Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter mit Akustikoberflächenwellenresonatoren

Info

Publication number: DE10113607B4
Application number: DE10113607A
Authority: DE
Inventors: Takashi Matsuda; Jun Tsutsumi; Shogo Inoue; Osamu Ikata
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2000-09-28
Filing date: 2001-03-20
Publication date: 2013-01-03
Anticipated expiration: 2021-03-21
Also published as: KR20020025633A; US6466108B2; JP2002111442A; US20020036549A1; DE10113607A1; KR100735068B1; JP3432492B2

Abstract

Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, die in Reihe geschaltet und/oder parallel geschaltet sind, wobei zumindest einer der Akustikoberflächenwellenresonatoren einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator aufweist, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich drei Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gitterelektroden zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, wobei ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode des Reflektors, die dem Interdigitalwandlerbereich am nächsten ist, und...

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Akustikoberflächenwellenresonator und ein Akustikoberflächenwellenfilter, das denselben verwendet, insbesondere ein Abzweigtypfilter.
Ein Akustikoberflächenwellenfilter und eine Resonanzschaltung, die einen Akustikoberflächenwellenresonator verwendet, können mit einer kompakten Größe und mit niedrigen Kosten hergestellt werden. Daher ist ein Akustikoberflächenwellenresonator eines der erforderlichen Bestandteilelemente zur Verringerung der Größe von herkömmlichem Kommunikationsequipment beispielsweise einem tragbaren Telefon.
17 ist ein Strukturschaubild, das einen herkömmlichen normalen Akustikoberflächenwellenresonator zeigt.
Der Akustikoberflächenwellenresonator weist ein piezoelektrisches Substrat 1 auf, auf dem ein Interdigitalwandler (interdigital transducer = IDT) 2 mit einer Aluminiumlegierung mit einer Periode gebildet ist, die einer gewünschten Frequenz entspricht, und Reflektoren 3-1 und 3-2 reflektieren eine Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandler 2 erregt wurde. Die Elektrodenperiode pi des Interdigitalwandlers 2 kann über die Geschwindigkeit vi der Akustikoberflächenwelle auf dem Substrat an dem Interdigitalwandler erhalten werden, und die gewünschte Frequenz fi durch die folgende Gleichung: pi = vi/fi
Der in 17 gezeigte Akustikoberflächenwellenresonator ist ein Einzelanschlusspaarresonator, bei dem einer der Endabschnitte des Interdigitalwandlers 2 eine Eingangselektrode 2-1, der ein Eingangssignal zugeführt wird, und der andere eine Ausgangselektrode 2-2 ist, von der ein Ausgangssignal abgenommen wird. Die Reflektoren 3-1 und 3-2 sind im Allgemeinen mit einem Gitter gebildet, das eine Periodizität aufweist.
Obwohl das Gitter durch ein Ausbilden von Nuten beziehungsweise Rillen in dem piezoelektrischen Substrat hergestellt werden kann, wird allgemein eine Aluminiumlegierung verwendet, die gleichzeitig mit dem Interdigitalwandler gebildet werden kann.
Die Gitterperiode pr kann, ähnlich wie im Fall des Interdigitalwandlers, über die Geschwindigkeit vr der Akustikoberflächenwelle an dem Reflektor erhalten werden, und die gewünschte Frequenz fr durch die folgende Gleichung: 2 × pr = vr/fr
Allgemein, mit fi = fr, unter der Annahme, dass vi und vr im Wesentlichen gleich sind, wird das Design häufig mit pi = 2 × pr ausgeführt.
Hier wird das doppelte der Gitterperiode pr manchmal als die Periode des Reflektors bezeichnet. In diesem Fall wird der Reflektor manchmal als ”ein Halb-Periodenreflektor” bezeichnet.
Im Allgemeinen wurde der Interdigitalwandler 2 mit einer Einzelelektrode gebildet, die zwei Elektrodenfinger innerhalb der Elektrodenperiode pi aufweist. Der Reflektor wurde im Allgemeinen ebenfalls mit einer Einzelelektrode gebildet, ähnlich wie bei dem Interdigitalwandler 2, weil zwei Gitterelektrodenfinger 3-3 innerhalb des doppelten der Gitterperiode pr vorliegen, die die gleiche ist, wie die Elektrodenperiode pi.
Die Einzelelektrode weist hier eine derartige Beschaffenheit auf, dass die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers dort angeordnet sind, wo ein sich von dem Endabschnitt der Eingangselektrode 2-1 aus erstreckender Elektrodenfinger und ein sich von dem Endabschnitt der Ausgangselektrode 2-2 aus erstreckender Elektrodenfinger abwechselnd angeordnet sind. Das heißt, ein sich von dem Endabschnitt der Ausgangselektrode 2-2 aus erstreckender Elektrodenfinger ist notwendigerweise zwischen zwei benachbarten Elektrodenfingern angeordnet, die sich von dem Endabschnitt der Eingangselektrode 2-1 aus erstrecken.
Die somit abwechselnd angeordneten Elektrodenfinger werden jeweils als ein Einzelelektrodenfinger bezeichnet.
18 ist ein Strukturschaubild, das einen herkömmlichen Doppelanschlusspaarresonator zeigt, der mehrere Interdigitalwandler aufweist, wobei die Bezugszeichen 2-3 und 2-4 Massenanschlüsse bezeichnen.
19 ist eine Darstellung, die das einfachste elektrische Ersatzschaltbild eines Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators zeigt, der auf einem piezoelektrischen Substrat 1 gebildet ist, wie beispielsweise Quarz und LiTaO₃. Ein Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator wird in Reihe geschaltet oder parallel geschaltet verwendet, wie dies in den 20(a) und 20(b) oder den 21(a) und 21(b) gezeigt ist.
In 19 bezeichnet R1 einen Widerstand, C0 und C1 bezeichnen Kapazitäten, Li bezeichnet eine Induktivität, Ti bezeichnet einen Anschluss der Eingangselektrode 2-1 und To bezeichnet einen Anschluss der Ausgangselektrode 2-2.
Hier haben R1, C1 und L1 Werte, die durch das Material des piezoelektrischen Substrats bestimmt werden, und CO ist ein Wert, der sich in Abhängigkeit von der Anzahl von Paaren von Interdigitalwandlern ändert.
Im Falle der in 20(a) gezeigten Reihenschaltung ist ein Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator R zwischen dem Eingang Ti und dem Ausgang To in Reihe geschaltet, wie dies in 20(b) dargestellt ist. Im Falle der in 21(a) gezeigten Parallelschaltung ist ein Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator R parallel zwischen dem aus dem Eingang Ti und dem Ausgang To gebildeten Paar und der Masse G geschaltet, wie dies in 21(b) gezeigt ist.
22 ist eine Darstellung, die die allgemeinen Frequenzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem der Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator in Reihe geschaltet ist. Hier bezeichnet die Abszisse die Frequenz (Hz) und die Ordinate bezeichnet den Dämpfungsbetrag (dB). Gemäß der Darstellung zeigt der Dämpfungsbetrag den Maximalwert bei einer bestimmten Frequenz, die als eine Antiresonanzfrequenz fas bezeichnet wird.
23 ist eine Darstellung, die Impedanzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem der Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator in Reihe geschaltet ist. Hier bezeichnet die Abszisse die Frequenz und die Ordinate bezeichnet den Absolutwert der Impedanz (logarithmischer Wert). Gemäß der Darstellung werden Doppelresonanzcharakteristiken beobachtet, bei denen eine Resonanzfrequenz frs, bei der die Impedanz ein Minimum zeigt, auf der niederfrequenten Seite auftritt, und bei der eine Antiresonanzfrequenz fas, bei der die Impedanz ein Maximum zeigt, auf der hochfrequenten Seite auftritt.
24 ist eine Darstellung, die durch eine Überlappung der 22 und der 23 erhalten wird. In dieser Figur ist ein Bereich für ein Durchlassband des Abzweigtypfilters und ein Bereich für ein Dämpfungsband des Abzweigtypfilters gezeigt.
25 ist eine Darstellung, die die allgemeinen Frequenzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem der Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator parallel geschaltet ist, und 26 ist eine Darstellung, die Impedanzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem der Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator parallel geschaltet ist. Hier bezeichnet die Ordinate von 25 den Absolutwert der Admittanz (logarithmischer Wert).
In diesen Figuren ist die Frequenz, bei der der Dämpfungsbetrag minimal wird, die Resonanzfrequenz frp, die Frequenz, bei der die Admittanz maximal wird, ist die Resonanzfrequenz frp und die Frequenz, bei der die Admittanz minimal wird, ist die Antiresonanzfrequenz fap. Im Fall der Parallelschaltung zeigen sich die Doppelresonanzcharakteristiken, die zwei Resonanzfrequenzen frp und fap aufweisen.
Der Akustikoberflächenwellenresonator von diesem Typ wird einzeln oder als eine Kombination aus einer Mehrzahl davon als ein Abzweigtypfilter verwendet. 27 ist ein Strukturschaubild, das ein Beispiel für das Abzweigtypfilter zeigt. In dem in 27 gezeigten Abzweigtypfilter sind mehrere Akustikoberflächenwellenresonatoren (S₁, S₂, R₁ und R₂) parallel und in Reihe geschaltet. Derzeit sind die Interdigitalwandler der jeweiligen Resonatoren derart designed beziehungsweise ausgestaltet, dass die Antiresonanzfrequenz fap der Parallelresonatoren R₁ und R₂ im Wesentlichen mit der Resonanzfrequenz frs der Reihenresonatoren S₁ und S₂ übereinstimmt.
28 ist eine Darstellung, die die allgemeinen Frequenzcharakteristiken eines Abzweigtypfilters zeigt. Das Abzweigtypfilter ist ein Bandpassfilter, das ein bestimmtes Frequenzband durchlässt.
Charakteristische Werte, die für ein Bandpassfilter gefordert werden, umfassen die Durchlassbandbreite BW1, die in 28 gezeigt ist, die Dämpfungsbandbreiten BWatt1 und BWatt2 und die Dämpfungsmaße der Dämpfungsbänder ATT1 und ATT2.
Das Verhältnis (BW1/BW2) der Bandbreiten BW1 und BW2 bei einem bestimmten Dämpfungsbetrag wird als der Formfaktor bezeichnet, der als ein charakteristischer Wert in dem Fall verwendet wird, in dem steile Charakteristiken des Bandes erforderlich sind. Allgemein ist es umso besser, je naher der Formfaktor 1 ist, was ein Filter mit hoher Rechteckigkeit ergibt.
Wenn die Mittenfrequenz des Durchlassbandes des Filters durch f0 dargestellt wird, werden die durch die Normalisierung von BW1 und BW2 mit der Mittenfrequenz f0 (BW1/f0 und BW2/f0) erhaltenen Werte als normierte Bandbreiten bezeichnet.
Wie dies in dem Kennlinienfeld des Reihenresonators in 24 gezeigt ist, ist der rechte Bereich der Antiresonanzfrequenz fas ein Bereich für ein Dämpfungsband des Abzweigtypfilters, das dem Bereich von BWatt2 in 28 entspricht.
Der Bereich der flachen Durchlasscharakteristiken auf der linken Seite der Antiresonanzfrequenz frs in der Nachbarschaft der Antiresonanzfrequenz frs in 24 ist ein Bereich für ein Durchlassband des Abzweigtypfilters, das dem Bereich BW1 in 28 entspricht.
Bei dem Abzweigtypfilter, wie dies anhand der 24 und der 22 und 25 zu verstehen ist, sind die Durchlassbandbreiten BW1 und BW2 im Wesentlichen durch den Abstand zwischen der Antiresonanzfrequenz fas des Reihenresonators und der Resonanzfrequenz frp des Parallelresonators bestimmt.
Die Resonanzfrequenz frs und die Antiresonanzfrequenz fas des Akustikoberflächenwellenresonators werden im Wesentlichen durch das Material des piezoelektrischen Substrats 1 bestimmt. Insbesondere wird die Bandbreite des Abzweigtypfilters im Wesentlichen durch den elektromechanischen Kopplungskoeffizienten unter den Charakteristiken des piezoelektrischen Substratmaterials bestimmt.
Wenn beispielsweise eine Frequenz mit f0 = 836,5 MHz verwendet wird, erfordern die charakteristischen werte von dessen Spezifikation ein Durchlassband mit 25 MHz und eine normierte Bandbreite von ungefähr 3%. Ein derartiges Bandpassfilter mit breitem Band wurde nur durch ein piezoelektrisches Substrat mit einem hohen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten realisiert, beispielsweise 36° Y-Schnitt X-Ausdehnung LiTaO₃.
Wenn ein piezoelektrisches Substrat verwendet wird, das einen großen elektromechanischen Kopplungskoeffizienten aufweist, kann ein Bandpassfilter mit breitem Band erhalten werden, weil die Resonanz- und die Antiresonanzfrequenzen des Akustikoberflächenwellenresonator auseinanderliegen. Gleichzeitig wird jedoch der Formfaktor verschlechtert. Das heißt, es besteht eine Tendenz, dass der Formfaktor klein wird, wenn die normierte Bandbreite zunimmt.
Die Resonanz- und die Antiresonanzfrequenzen werden im Wesentlichen durch das piezoelektrische Substrat bestimmt, weil der elektromechanische Kopplungskoeffizient ein Wert ist, der dem Substrat eigen ist, und diese können nicht willkürlich erhalten werden. Daher war es schwierig, die normierte Bandbreite und den Formfaktor auf die gewünschten Werte einzustellen.
Die US 5,818,146 A offenbart ein Akustikoberflächenwellenresonatorfilter mit Einzelelektrodenfinger und aufgeteilten Elektrodenfingern. Die aufgeteilten Elektrodenfinger sind so ausgestaltet, dass sie eine Breite von λ/8 und einen Abstand von λ/8 aufweisen.
Die Veröffentlichung D. P. Morgan, Surface-Wave Devices for Signal Processing, Elsevier 1991, S. 64-67, ISBN 9780444888457 beschreibt einen Akustikoberflächenwellenresonator bei dem mehr als zwei Elektroden pro Periode vorhanden sein können.
Die US 4,249,146 A beschreibt einen Akustikoberflächenwellenresonator bei dem drei bis fünf Elektrodenfinger pro Wellenlänge λ vorhanden sein können.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen verbesserten Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter zu schaffen.
Die Aufgabe der Erfindung wird durch die unabhängigen Ansprüche gelöst.
Gemäß der Erfindung, die die spezielle Struktur des Interdigitalwandlers des Akustikoberflächenwellenresonators aufweist, wird der Abstand zwischen der Resonanzfrequenz und der Antiresonanzfrequenz des Akustikoberflächenwellenresonators verringert, obwohl das gleiche piezoelektrische Substratmaterial wie beim Stand der Technik verwendet wird, und im Falle eines Abzweigtypfilters kann ein Filter mit höherer Rechteckigkeit mit der geforderten normierten Bandbreite realisiert werden.
1 ist ein Strukturschaubild, das ein Beispiel für einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator gemäß der Erfindung zeigt.
2 ist ein Strukturschaubild, das ein anderes Beispiel eines Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators gemäß der Erfindung zeigt.
3 ist ein Strukturschaubild, das ein weiteres Beispiel eines Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators zeigt.
4 ist eine vergleichende Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken eines in Reihe geschalteten Akustikoberflächenwellenresonators zeigt.
5 ist ein Teil-Strukturschaubild, um das positionsmäßige Verhältnis des Interdigitalwandlers und des Reflektors zu erläutern.
6 ist ein Teil-Strukturschaubild, um das positionsmäßige Verhältnis des Interdigitalwandlers und des Reflektors zu erläutern.
7 ist ein Teil-Strukturschaubild, um das positionsmäßige Verhältnis des Interdigitalwandlers und des Reflektors zu erläutern.
8 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des in Reihe geschalteten Akustikoberflächenwellenresonators gemäß der Erfindung zeigt.
9 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des in Reihe geschalteten Akustikoberflächenwellenresonators gemäß der Erfindung zeigt.
10 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des in Reihe geschalteten Akustikoberflächenwellenresonators gemäß der Erfindung zeigt.
11 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des parallel geschalteten Akustikoberflächenwellenresonators gemäß der Erfindung zeigt.
12 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des parallel geschalteten Akustikoberflächenwellenresonators gemäß der Erfindung zeigt.
13 ist ein Strukturschaubild, das ein Beispiel für ein Abzweigtypfilter zeigt, das den Akustikoberflächenwellenresonator gemäß der Erfindung verwendet.
14 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des Abzweigtypfilters zeigt, der den Akustikoberflächenwellenresonator gemäß der Erfindung verwendet.
15 ist ein Strukturschaubild, das ein Beispiel für ein Abzweigtypfilter zeigt, das den Akustikoberflächenwellenresonator gemäß der Erfindung als einen Reihenresonator verwendet.
16 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des Abzweigtypfilters zeigt, der den Akustikoberflächenwellenresonator gemäß der Erfindung als einen Reihenresonator zeigt.
17 ist ein Strukturschaubild, das einen herkömmlichen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator zeigt.
18 ist ein Strukturschaubild, das einen herkömmlichen Doppelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator zeigt.
19 ist eine Darstellung, die ein Ersatzschaltbild eines herkömmlichen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators zeigt.
20(a) und 20(b) sind ein Strukturschaubild und eine Darstellung, die ein Ersatzschaltbild eines herkömmlichen in Reihe geschalteten Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators zeigen.
21(a) und 21(b) sind ein Strukturschaubild und eine Darstellung, die ein Ersatzschaltbild eines herkömmlichen parallel geschalteten Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators zeigen.
22 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem ein herkömmlicher Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator in Reihe geschaltet ist.
23 ist eine Darstellung, die Impedanzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem ein herkömmlicher Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator in Reihe geschaltet ist.
24 ist eine Darstellung, die das Durchlassband und das Dämpfungsband eines herkömmlichen Abzweigtypfilters zeigt.
25 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem ein herkömmlicher Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator parallel geschaltet ist.
26 ist eine Darstellung, die Impedanzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem ein herkömmlicher Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator parallel geschaltet ist.
27 ist ein Strukturschaubild, das eine Reihenschaltung und eine Parallelschaltung eines herkömmlichen Abzweigtypfilters zeigt.
28 ist eine Darstellung, die Frequenzcharakteristiken eines gewöhnlichen Abzweigtypfilters zeigt.
Die Erfindung ergibt einen Akustikoberflächenwellenresonator, der ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor aufweist, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich drei oder vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gittern zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist.
Es ist möglich, dass die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlerbereichs und die Gitter des Reflektors Elektroden aufweisen, die das gleiche Material und die gleiche Dicke haben.
Es ist möglich, dass die Periode pr die Hälfte der Periode pi ist.
Es ist möglich, dass der Elektrodenfinger des Interdigitalwandlerbereichs und des Gitters des Reflektors ein Material aufweisen, das entweder Aluminium oder eine Aluminiumlegierung ist. Das piezoelektrische Substrat kann mit 42° Y-Schnitt X-Ausdehnung LiTaO₃ gebildet werden. Das Gitter des Reflektors kann mit einer Rille beziehungsweise Nut gebildet sein, die auf dem piezoelektrischen Substrat gebildet ist, anstelle der durch Elektroden gebildeten Gitterelektrode.
Bei der Erfindung wird bevorzugt, dass ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in einer Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle von einem Gitter beziehungsweise Gitterstab, der der nächstgelegene zu dem Interdigitalwandlerbereich unter den Gittern beziehungsweise den Gitterstäben eines Reflektors ist, und einer Mittelposition einer Breite in einer Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle eines Einzelelektrodenfingers, unter der Annahme, dass der Einzelelektrodenfinger der nächstgelegene Elektrodenfinger zu dem Reflektor unter den Elektrodenfingern des Interdigitalwandlerbereichs ist, vom (n/2 + 5/16)-fachen bis zum (n/2 + 6/16)-fachen (n = 0 und eine positive ganze Zahl) einer Wellenlänge λ der Akustikoberflächenwelle ist, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wird. Die Erfindung ergibt weiterhin ein Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das die in Reihe geschalteten und/oder parallel geschalteten Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, wobei zumindest einer der Akustikoberflächenwellenresonatoren den Akustikoberflächenwellenresonator aufweist, der den vorstehenden Aufbau hat.
Bei dem Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter ist es möglich, dass unter den Akustikoberflächenwellenresonatoren nur in Reihe geschaltete Akustikoberflächenwellenresonatoren den Akustikoberflächenwellenresonator aufweisen, der den vorstehenden Aufbau hat.
Die Erfindung wird nachfolgend ausführlicher erläutert, unter Bezugnahme auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsformen,
17 zeigt ein Strukturschaubild eines herkömmlichen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators, der verwendet wurde, bei dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers zwei beträgt. In dem Fall, in dem der Interdigitalwandler und der Reflektor mit der gleichen Struktur gebildet sind, beispielweise mit einer Al-Dünnschicht, waren die Periode pi des Interdigitalwandlers 2 und die Periode pr der Reflektoren 3-1 und 3-2 derart designed, dass sie das Verhältnis pi = 2 × pr aufweisen.
Der Abstand L zwischen der Mitte A in der Ausbreitungsrichtung der Gitterelektrode 3-4, die dem Interdigitalwandler 2 unter den Gitterelektroden am nächsten gelegen ist, die die Reflektoren 3-1 und 3-2 bilden, und dem Bereich B, der der Mitte in der Ausbreitungsrichtung des Elektrodenfingers 2-3 entspricht, der dem Reflektor am nächsten gelegen ist, beträgt λ/2, wobei λ die Wellenlänge der sich ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, und λ = pi. Die Breite der Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers und der Gitterelektroden des Reflektors beträgt pi/4, und die Abstände unter den Elektrodenfinger betragen λ/4.
BEISPIEL 1
1 ist ein Strukturschaubild von einem Beispiel eines Einzelanschlusspaarresonators) der drei Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers aufweist.
Bei der Erfindung wird die Periode pr der Gitterelektroden des Reflektors gleich einer Hälfte der Wellenlänge λr der Akustikoberflächenwelle gemacht, die sich zu dem Reflektor ausbreitet, nachdem sie durch die Interdigitalwandlerfinger erregt wurde (d. h. pr = λr/2).
Allgemein wird die Wellenlänge λi der Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandler erregt wird, derart ausgelegt, dass sie gleich der Periode pi der Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers ist (d. h. pi = λi). In dem Fall, in dem der Interdigitalwandler und der Reflektor mit dem gleichen Material und der gleichen Dicke gebildet sind, ist die Wellenlänge λi gleich der Wellenlänge λr der Akustikoberflächenwelle, die sich zu dem Reflektor ausbreitet (d. h. λi = λr). Daher, in dem Fall, in dem der Interdigitalwandler und der Reflektor mit der gleichen Struktur gebildet sind, beispielsweise einer Al-Dünnschicht, haben die Periode pi des Interdigitalwandlers und die Periode pr des Reflektors die Beziehung: pi = 2 × pr.
Weiterhin beträgt ein Abstand L zwischen der Mittelposition A in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode 3-4, die dem Interdigitalwandler unter den Gitterelektroden am nächsten liegt, die den Reflektor bilden, und dem Bereich B, der der Mittelposition der Breite in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle des Elektrodenfingers 2-4 entspricht, der den Reflektor unter den Elektrodenfingern am nächsten gelegen ist, die den Interdigitalwandler bilden, unter der Annahme, dass der Elektrodenfinger 2-4 ein Einzelelektrodenfinger ist, λi/2, wobei λi die Wellenlänge der somit erregten Akustikoberflächenwelle darstellt. Weil die Periode pi des Interdigitalwandlers derart ausgelegt ist, dass sie gleich der Wellenlänge λi der somit erregten Akustikoberflächenwelle ist, λ ist gleich pi, und daher L = pi/2.
In 1 beträgt die Breite der Gitterelektrode 3-4 der Reflektoren 3-1 und 3-2 pi/4, und die Breite der Elektrodenfinger 2-4, 2-5, 2-6 und 2-7 des Interdigitalwandlers 2 beträgt pi/6. In dem Interdigitalwandler 2 erstrecken sich Bereiche, die einer Hälfte von jedem der beiden Elektrodenfinger 2-5 und 2-6 entsprechen, von dem unteren Elektrodenanschlussbereich nach oben, und die beiden Elektrodenfinger 2-4 und 2-7, die sich von dem oberen Elektrodenanschlussbereich nach unten erstrecken, befinden sich innerhalb der Periode pi, und als eine Folge befinden sich Bereiche, die drei Elektrodenfingern entsprechen, innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers 2.
1 zeigt weiterhin, in ihrem unteren Abschnitt, einen herkömmlichen Interdigitalwandler 2, der zum Vergleich die in 17 gezeigten Einzelelektrodenfinger aufweist. Die in dem oberen Bereich von 1 mit gestrichelter Linie dargestellten Elektrodenfinger entsprechen den herkömmlichen Einzelelektrodenfingern 2-3 und 2-3', die in dem unteren Bereich der Figur dargestellt sind.
BEISPIEL 2
2 ist ein Strukturschaubild, das ein anderes Beispiel eines Einzelanschlusspaarresonators zeigt, der vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers aufweist. Bei diesem Beispiel ist die Periode pr der Gitterelektroden des Reflektors gleich einer Hälfte der Wellenlänge λr der Akustikoberflächenwelle gemacht, die sich zu dem Reflektor ausbreitet (d. h. pr = λr/2).
In dem Fall, in dem der Interdigitalwandler und der Reflektor mit der gleichen Struktur gebildet sind, zum Beispiel einer Al-Dünnschicht, haben die Periode pi des Interdigitalwandlers und die Periode pr des Reflektors die Beziehung pi = 2 × pr.
Weiterhin beträgt ein Abstand L zwischen der Mittelposition A in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode 3-4, die dem Interdigitalwandler unter den Gitterelektroden am nächsten gelegen ist, die den Reflektor 3-2 bilden, und dem Bereich B, der der Mittelposition in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle des Elektrodenfingers 2-8 entspricht, der dem Reflektor 3-2 unter den Elektrodenfingern am nächsten gelegen ist, die den Interdigitalwandler 2 bilden, unter der Annahme, dass der Elektrodenfinger 2-8 ein Einzelelektrodenfinger ist, für die Wellenlänge λ, in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle, λ/2 (wobei λ = pi).
In 2 beträgt die Breite der Gitterelektrode 3-4 der Reflektoren 3-1 und 3-2 pi/4 und die Breite der Elektrodenfinger 2-8, 2-9, 2-10, 2-11 und 2-12 des Interdigitalwandlers 2 beträgt pi/8. Bei dem Interdigitalwandler befinden sich vier Elektrodenfinger (2-9, 2-10, 2-11 und 2-12) innerhalb der Periode pi.
Bei diesem Beispiel stimmt die Mittelposition B unter der Annahme, dass der Elektrodenfinger ein Einzelelektrodenfinger ist, mit der Mittelposition in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle der beiden benachbarten Elektrodenfinger 2-8 und 2-9 überein. Das heißt, bei diesem Beispiel, unter der Annahme, dass die beiden benachbarten Elektrodenfinger 2-8 und 2-9, die dem Reflektor 3-2 am nächsten liegen, durch einen Einzelelektrodenfinger ersetzt werden, der die gleiche Breite wie die Breite eines derartigen Bereichs hat, der durch die beiden Elektrodenfinger belegt wird, stimmt die Mittelposition der Breite in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle des einen Elektrodenfingers mit der Mittelposition in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle der beiden benachbarten Elektrodenfinger 2-8 und 2-9 überein.
In 2 zeigen die über die Elektrodenfinger 2-8 und 2-9 gezeichneten gestrichelten Linien die Position, die dem Elektrodenfinger 2-3 des in 1 gezeigten herkömmlichen Beispiels entspricht, und die gestrichelten Linien, die über die Elektrodenfinger 2-10 und 2-11 gezeichnet sind, zeigen die Position, die dem Elektrodenfinger 2-3' des in 1 gezeigten herkömmlichen Beispiels entsprechen.
Die Abstände der Gitterelektroden der Reflektoren 3-1 und 3-2 betragen pi/4 und die Abstände der Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers 2 betragen pi/8.
In dem Fall, in dem die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers und die Gitterelektroden des Reflektors mit dünnen Schichten aus unterschiedlichen Materialien gebildet sind, oder mit dem gleichen Material, jedoch mit unterschiedlicher Dicke, unterscheidet sich die Geschwindigkeit vi der durch den Interdigitalwandler erregten Akustikoberflächenwelle leicht von der Geschwindigkeit vr der Akustikoberflächenwelle, die sich zu dem Reflektor ausbreitet (d. h. vi ≠ vr).
Das heißt, die Wellenlänge λi der durch den Interdigitalwandler erregten Akustikoberflächenwelle unterscheidet sich leicht von der Wellenlänge λr der Akustikoberflächenwelle, die sich zu dem Reflektor ausbreitet. Dies ist der Fall, weil allgemein gilt v = fλ und vi ≠ vr, λi ≠ λr, wenn f konstant ist. Daher, weil bei der Erfindung λr = 2 × pr ist, stimmt die Periode pi des Interdigitalwandlers, die gleich der Wellenlänge λi der durch den Interdigitalwandler erregten Akustikoberflächenwelle ist, nicht mit dem doppelten der Periode pr der Gitterelektroden in dem Fall überein, in dem die Materialien sich voneinander unterscheiden, oder in ähnlichen Fällen, und die Werte unterscheiden sich leicht voneinander (d. h. pi = λi ≠ λr = 2 × pr).
Beispielsweise in dem Fall, in dem ein Interdigitalwandler aus einer Al-Dünnschicht eine Periode pi von 4,6 μm und eine Dicke von 300 nm auf einem 42° Y-Schnitt X-Ausdehnung LT-Substrat gebildet ist, beträgt die Resonanzfrequenz f des Reihenresonators 819,5 MHz. Zu diesem Zeitpunkt, weil vi = f × pi, beträgt die Geschwindigkeit vi der durch die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers angeregten Akustikoberflächenwelle 3.769,7 m/s.
Andererseits, in dem Fall, in dem die Gitterelektroden des Reflektors mit einer Al-Dünnschicht gebildet sind, die das gleiche Material darstellt wie der Interdigitalwandler, jedoch eine Dicke von 230 nm aufweist, die sich von dem Interdigitalwandler unterscheidet, beträgt die Geschwindigkeit vr der Akustikoberflächenwelle, die sich zu dem Reflektor ausbreitet, innerhalb des Reflektors 3.808,8 m/s. Daher, vi ≠ vr.
Die Periode pi ist gleich der Wellenlänge λi der somit erregten Akustikoberflächenwelle. Das heißt, pi = λi = vr/f (= 4.6 µm). Andererseits, weil vr = f × λr, beträgt die Wellenlänge λr der Akustikoberflächenwelle innerhalb des Reflektors ungefähr 4,6477 μm, was sich von der Wellenlänge λi unterscheidet (λr ≠ λi).
Eines der kennzeichnenden Merkmale der Erfindung besteht darin, dass die Periode pr der Gitterelektroden des Reflektors die Hälfte der Wellenlänge λr der Akustikoberflächenwelle beträgt, die sich in dem Reflektor ausbreitet, und weil die Periode pr λ/2 beträgt, kann die Periode pr ungefähr 2,3239 μm betragen. Daher, in dem Fall, in dem die Dicke der Elektroden des Interdigitalwandlers und die Dicke der Elektroden des Reflektors sich voneinander unterscheiden, existieren Fälle, bei denen die Beziehung pi = 2 × pr nicht erzielt wird.
BEISPIEL 3
3 ist ein Strukturschaubild, das ein weiteres Beispiel eines Einzelanschlusspaarresonators zeigt, der sechs Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers aufweist. Dieses Beispiel ist nicht Gegenstand der Erfindung, dient aber zum Verständnis derselben.
Die Periode pi des Interdigitalwandlers und die Periode pr des Reflektors haben die Beziehung pi = 2 × pr, in dem Fall, in dem der Interdigitalwandler und der Reflektor mit der gleichen Struktur gebildet sind, beispielsweise einer Al-Dünnschicht. Der Abstand L zwischen dem Mittelbereich A in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode 3-4, die dem Interdigitalwandler unter den Gitterelektroden am nächsten gelegen ist, die den Reflektor 2-3 bilden, und dem Bereich B, der der Mittelposition in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle der Elektrodenfinger (2-13, 2-14 und 2-15) entspricht, die dem Reflektor 3-2 unter den Elektrodenfingern am nächsten liegen, die den Interdigitalwandler 2 bilden, unter der Annahme, dass die Elektrodenfinger (2-13, 2-14 und 2-15) Einzelelektrodenfinger sind, beträgt λ/2, wobei λ die Wellenlänge der sich ausbreitenden Akustikoberflächenwelle darstellt (hier λ = pi).
In 3 beträgt die Breite der Gitterelektrode 3-4 der Reflektoren 3-1 und 3-2 pi/4 und die Breite der Elektrodenfinger (von 2-13 bis 2-20) des Interdigitalwandlers 2 beträgt pi/12. Die Abstände der Gitterelektroden der Reflektoren 3-1 und 3-2 betragen pi/4 und die Abstände der Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers 2 betragen pi/12. Die Mittelposition B, unter der Annahme, dass die Elektrodenfinger Einzelelektrodenfinger sind, stimmt mit der Mittelposition in der Ausbreitungsrichtung der drei benachbarten Elektrodenfinger 2-13, 2-14 und 2-15 überein, und als eine Folge stimmt sie mit der Mittelposition des Elektrodenfingers 2-14 überein.
Unter der Annahme, dass die drei benachbarten Elektrodenfinger 2-13, 2-14 und 2-15, die dem Reflektor am nächsten liegen, durch einen Elektrodenfinger ersetzt werden, der die gleiche Breite wie die Breite eines Bereichs aufweist, der durch die drei Elektrodenfinger belegt wird, stimmt die Mittelposition B mit der Mittelposition der Breite in der Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle des einen Elektrodenfingers überein.
Bei dem Interdigitalwandler 2 befinden sich fünf Elektrodenfinger 2-15, 2-16, 2-17, 2-18 und 2-19 und eine Hälfte von jedem der Elektrodenfinger 2-14 und 2-20 in der Periode pi, und somit befinden sich insgesamt 6 Elektrodenfinger in ihr.
Wie dies in dem unteren Bereich von 3 dargestellt ist, stimmt die Mittelposition des Elektrodenfingers 2-3 des herkömmlichen Beispiels mit der Mittelposition des Elektrodenfingers 2-14 überein.
Die drei Beispiele wurden unter Bezugnahme auf die Strukturschaubilder gemäß den 1 bis 3 beschrieben, und durch die Verwendung von derartigen Strukturen kann ein derartiger Abzweigtypfilter erhalten werden, der die Charakteristiken eines höheren Formfaktors als die herkömmlichen aufweist, während es die gleiche Bandbreite wie das herkömmliche Abzweigtypfilter aufweist, in dem die Resonanzfrequenz und die Antiresonanzfrequenz des Akustikoberflächenwellenresonators approximiert werden.
SPEZIELLE DESIGNBEISPIELE DER ERFINDUNG
Spezielle Designbeispiele und deren Kennlinienfelder des Akustikoberflächenwellenresonators gemäß der Erfindung werden nachfolgend beschrieben, um zu verdeutlichen, dass die Wirkung der Erfindung sich zeigt.
4 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken in dem Fall zeigt, in dem die Akustikoberflächenwellenresonatoren in Reihe geschaltet sind (siehe 20).
In 4 ist die durchgezogene Linie eines Kennlinienfeld des Falles der Erfindung, in dem vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi vorgesehen sind, wie in 2, und die gestrichelte Linie ist ein Kennlinienfeld eines herkömmlichen Falles, in dem zwei Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi vorgesehen sind, wie in 17.
Hier wird ein LiTaO₃-Substrat, das einem Y-Schnitt unter 36° bei einer X-Ausbreitung entspricht, als das piezoelektrische Substrat verwendet. Die Elektrodenschicht des Interdigitalwandlers ist eine Al-Cu-Legierung, die eine Dicke von 340 nm aufweist, und die Periode pi des Interdigitalwandlers beträgt 4,6 μm, wobei die Anzahl von Elektrodenfingern innerhalb der Periode pi zwei beträgt, oder 4,656 μm, wobei die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi vier beträgt. Die Periode pr des Gitterreflektors beträgt 2,3 μm, wobei die Anzahl von Elektrodenfingern innerhalb der Periode pi zwei beträgt, oder 2,328 μm, wobei die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi vier beträgt, und der Gitterreflektor ist mit der Al-Cu-Legierung gebildet, die die gleiche Dicke wie der Interdigitalwandler aufweist.
Der Abstand L zwischen der Mittelposition A in der Ausbreitungsrichtung der Gitterelektrode, die dem Interdigitalwandler unter den Gitterelektroden am nächsten liegt, die den Reflektor bilden, und der Position B, die der Mitte in der Ausbreitungsrichtung des Elektrodenfingers, der dem Reflektor unter den Elektrodenfingern am nächsten liegt, die den Interdigitalwandler bilden, unter der Annahme, dass der Elektrodenfinger ein Einzelelektrodenfinger ist, beträgt in beiden Fällen pi/2.
In 4 ist das Kennlinienfeld von dem Fall, in dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi zwei beträgt, zu der hochfrequenten Seite um 50,3 MHz verschoben, um die Antiresonanzfrequenzen fas von beiden Kennlinienfeldern der durchgezogenen und der gestrichelten Linie zur leichteren Vergleichbarkeit auszurichten.
In 4 beträgt die durch die durchgezogenen Linie dargestellte Resonanzfrequenz frs (F2 in der Figur) der Erfindung 880,73 MHz. Dabei beträgt die durch die gestrichelte Linie dargestellte herkömmliche Resonanzfrequenz frs (F1 in der Figur) 819,43 MHz, sie ist in 4 aufgrund der Verschiebung um 50,3 MHz jedoch als 869,73 MHz dargestellt.
Aus der Figur ist zu erkennen, dass in dem Fall, in dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi vier beträgt, die Erregungswirksamkeit des Interdigitalwandlers verringert wird, und die Resonanzfrequenz frs und die Antiresonanzfrequenz fas sind aneinander angenähert, wodurch der Rückgang der Einfügungsdämpfung steiler als in dem Fall ist, in dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi zwei beträgt, das heißt, der Formfaktor ist groß.
In dem Fall, in dem der die in 4 gezeigten Charakteristiken aufweisende Resonator wie er ist als ein Abzweigtypfilter verwendet wird, wird dieser vom Standpunkt der Bandcharakteristiken jedoch nicht bevorzugt, weil in dem Bereich für das Band eine Welligkeit auftritt.
In diesem Fall verschwindet die Welligkeit, wenn der Abstand L zwischen der in 1 und der gleichen gezeigten Position A und der Position B (nachfolgend als ein Kammformreflektorabstand oder ein A-B-Abstand bezeichnet) (n/2 + 3/8)λ beträgt, wobei λ die Wellenlänge der sich ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, und n ist 0 oder eine positive ganze Zahl. Dies ist der Fall, weil die Seitenkurve durch den Interdigitalwandler im Wesentlichen mit dem Pol des Seitenlappens oder -flügels (engl. side lobe) der Resonanz durch den Reflektor übereinstimmt. Die Welligkeit verschwindet ebenfalls, wenn L = (n/2 + 5/16)λ, wobei n 0 oder eine positive ganze Zahl ist.
5 ist ein Teil-Strukturschaubild, um das positionsmäßige Verhältnis des Interdigitalwandlers und des Reflektors zu erläutern, wobei n = 1 bei dem Akustikoberflächenwellenresonator gemäß der Erfindung.
Der A-B-Abstand L beträgt (7/8)pi. Die Breite der Elektrodenfinger des Interdigitalwandlers und deren Abstand betragen pi/8, und die Breite der Elektrodenfinger des Reflektors und deren Abstände betragen pi/4 (= pr/2). Die gestrichelte Linie in der Figur zeigt die Position der Elektrodenfinger für den Fall der herkömmlichen Einzelelektrode, wie dies vorstehend beschrieben wurde.
6 ist ein Teil-Strukturschaubild, um das positionsmäßige Verhältnis des Interdigitalwandlers und des Reflektors zu erläutern, wobei n = 0 gemäß der Erfindung. Der A-B-Abstand L beträgt hier (3/8)pi.
Im Allgemeinen betrifft der äußerste Elektrodenfinger 2-30 des Interdigitalwandlers nicht die Erregung der Akustikoberflächenwelle, und somit existiert kein Einfluss auf die Bandcharakteristiken, wenn er entfernt wird. In dem in 7 gezeigten Strukturschaubild ist der Elektrodenfinger 2-30 entfernt, um den Elektrodenfinger 2-31 zum äußersten Elektrodenfinger zu machen.
Daher, auch wenn der äußerste Elektrodenfinger 2-30 des Interdigitalwandlers wie in 7 entfernt ist, können die steilen Bandcharakteristiken ohne Welligkeit ähnlich wie bei der 5 und der 6 erhalten werden. In den Fällen der 6 und der 7 kann die Breite des gesamten Resonators klein gemacht werden, weil der A-B-Abstand L kleiner als der in 5 ist.
8 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken eines Akustikoberflächenwellenresonators einer Reihenschaltung zeigt, wobei der A-B-Abstand optimiert ist. In der Figur ist die durch die durchgezogene Linie gezeigte Darstellung der Fall, in dem die Anzahl von Elektrodenfingern innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers vier beträgt, und der A-B-Abstand L beträgt (7/8)pi, wie dies in 5 gezeigt ist. Die durch die gestrichelte Linie gezeigte Darstellung ist der Fall, in dem die Anzahl von Elektrodenfingern innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers zwei beträgt, ähnlich, wie bei dem herkömmlichen.
Ein LiTaO₃-Substrat, das einem Y-Schnitt unter 36° bei einer X-Ausbreitung entspricht, wird als das piezoelektrische Substrat verwendet. Die Elektrodenschicht des Interdigitalwandlers ist eine Al-Cu-Legierung, die eine Dicke von 340 nm aufweist, und die Periode pi des Interdigitalwandlers pi beträgt 4,6 μm, wobei die Anzahl von Elektrodenfingern innerhalb der Periode pi zwei beträgt, oder 4,656 μm, wobei die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi vier beträgt. Die Periode pr der Gitterelektroden des Gitterreflektors beträgt 2,2 μm, wobei die Anzahl von Elektrodenfingern innerhalb der Periode pi zwei beträgt, oder 2,328 μm, wobei die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi vier beträgt, und der Gitterreflektor ist mit der Al-Cu-Legierung gebildet, die die gleiche Dicke wie der Interdigitalwandler aufweist. Das Kennlinienfeld des Falles, in dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi 2 beträgt, ist um 50,3 MHz zur hochfrequenten Seite verschoben, um die Antiresonanzfrequenz fas der beiden Kennlinienfelder zur leichteren Vergleichbarkeit auszurichten.
Die Darstellung mit durchgezogener Linie zeigt steilere Frequenzcharakteristiken als die herkömmliche Darstellung mit gestrichelter Linie, und im Vergleich zu 4 tritt im Wesentlichen keine Welligkeit auf.
9 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des Akustikoberflächenwellenresonators einer Reihenschaltung zeigt, wobei der A-B-Abstand L (6/16)pi beträgt.
10 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des Akustikoberflächenwellenresonators einer Reihenschaltung zeigt, wobei der A-B-Abstand L (5/16)pi beträgt.
Gemäß den Darstellungen werden in beiden Fällen steilere Frequenzcharakteristiken als bei den herkömmlichen erhalten. Wie ein Vergleich von 9 und 10 zeigt, wenn die Resonatoren in Reihe geschaltet sind, ist jedoch eine um die das Durchlassband des Abzweigtypfilters definierende Resonanzfrequenz frs auftretende Welligkeit kleiner als in dem Fall von 9, in dem der A-B-Abstand L (6/16)pi beträgt.
11 ist eine Darstellung, die Frequenzcharakteristiken des Akustikoberflächenwellenresonators einer Parallelschaltung zeigt, wobei der A-B-Abstand L (6/16)pi beträgt, und 12 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des Akustikoberflächenwellenresonators einer Parallelschaltung zeigt, wobei der A-B-Abstand L (5/16)pi beträgt.
Wie ein Vergleich der 11 und der 12 zeigt, wenn die Resonatoren parallel geschaltet sind, ist ein um die das Durchlassband des Abzweigtypfilters definierende Resonanzfrequenz frs auftretende Welligkeit kleiner als in dem Fall von 12, in dem der A-B-Abstand L (5/16)pi beträgt.
13 ist ein Strukturschaubild, das ein Beispiel eines Abzweigtypfilters zeigt, der durch eine Kombination der erfindungsgemäßen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonatoren in Reihe und parallel gebildet ist.
13 entspricht dem herkömmlichen Aufbau, der in 27 dargestellt ist, unterscheidet sich von diesem jedoch durch den Punkt, dass die Akustikoberflächenwellenresonatoren gemäß der Erfindung, die in 1 oder 3 gezeigt sind, als die Resonatoren S1', S2', R1' und R2' verwendet werden. Obwohl der Fall dargestellt ist, in dem die Anzahl von sowohl der Reihenresonatoren als auch der Parallelresonatoren zwei beträgt, sind diese nicht darauf beschränkt und können drei oder mehr sein. Weiterhin ist es ausreichend, dass die Anzahl von Paaren der Reihenresonatoren und der Parallelresonatoren zwei oder mehr beträgt.
Ein LiTaO₃-Substrat, entsprechend der 42° Y-Schnitt X-Ausdehnung, wird als das piezoelektrische Substrat 1 verwendet, und die Elektrodenschichten von allen Elektroden sind eine Al-Cu-Legierung, die eine Dicke von 400 nm aufweist. 13 zeigt einen Resonator, der vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers aufweist.
14 ist eine Darstellung, die die Frequenzcharakteristiken des in 13 gezeigten Abzweigtypfilters zeigt. Die durchgezogene Linie zeigt hier die Frequenzcharakteristiken von dem Fall, in dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers vier gemäß der Erfindung (siehe 2) beträgt, und die gestrichelte Linie veranschaulicht die Frequenzcharakteristiken des herkömmlichen Falles, in dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi zwei beträgt.
Bei einem Abzweigtypfilter weichen die Periode pis und pip der in Reihe geschalteten Resonatoren (Reihenresonatoren) und der parallel geschalteten Resonatoren (Parallelresonatoren) voneinander ab, wodurch die Antiresonanzfrequenz fap der Parallelresonatoren und die Resonanzfrequenz frs der Reihenresonatoren miteinander ausgerichtet werden, um ein Durchlassband zu bilden. Der Periodenunterschied zwischen den Parallelresonatoren und den Reihenresonatoren wird durch Δpi = pis – pip dargestellt.
14 zeigt ein Beispiel eines Filters mit einem 800 MHz Band, das derart ausgelegt ist, dass eine Bandbreite bei einer Dämpfung von 3 dB von 23 bis 25 MHz beträgt. In dem Fall, in dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi zwei beträgt, pip = 4,8 μm, pis = 4,68 μm, Δpi = 0,12 μm, und Werte mit der Hälfte der jeweiligen Perioden des Interdigitalwandlers werden auf den Gitterreflektor angewendet. In dem Fall, in dem die Anzahl von Elektrodenfingern innerhalb der Periode pi vier beträgt, pip = 4,94 μm, pis = 4,82 μm, Δpi = 0,12 μm, und Werte mit der Hälfte der jeweiligen Perioden des Interdigitalwandlers werden auf den Gitterreflektor angewendet. Der A-B-Abstand beträgt 7pis/8 für die Reihenresonatoren und 5pip/16 für die Parallelresonatoren.
Gemäß der Darstellung, die durch die durchgezogene Linie in 14 gezeigt ist, beträgt die Bandbreite bei einer Einfügungsdämpfung von 3 dB (3 dB Bandbreite) 25,25 MHz. Die Bandbreite bei einer Einfügungsdämpfung von 20 dB (20 dB Bandbreite) beträgt 37,75 MHz, und der Formfaktor beträgt zu diesem Zeitpunkt 0,67.
Gemäß der herkömmlichen Darstellung, die durch die gestrichelte Linie gezeigt ist, beträgt die 3 dB Bandbreite 23,25 MHz, die 20 dB Bandbreite beträgt 47,25 MHz, und der Formfaktor beträgt 0,49. Aus den Formfaktoren ist klar, dass die steileren Charakteristiken bei der ähnlichen Bandbreite erhalten werden können, indem der in 2 gezeigte erfindungsgemäße Resonator anstelle des Resonators verwendet wird, der den herkömmlichen Elektrodenaufbau aufweist.
15 ist ein Strukturschaubild, das ein Beispiel eines Abzweigtypfilters gemäß der Erfindung zeigt, bei dem die Akustikoberflächenwellenresonatoren gemäß der Erfindung als Reihenresonatoren S1' und S2', die in Reihe geschaltet sind, und die herkömmlichen Akustikoberflächenwellenresonatoren als Parallelresonatoren R1 und R2 verwendet werden, die parallel geschaltet sind.
In 15 sind die Reihenresonatoren S1' und S2' solche, die vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi des Interdigitalwandlers aufweisen, und die Parallelresonatoren R1 und R2 sind solche, die zwei Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweisen. Ähnlich wie bei 13 ist die Anzahl der Reihenresonatoren und der Parallelresonatoren und die Anzahl von deren Paaren nicht auf die in der Figur dargestellte beschränkt. Die Materialien des piezoelektrischen Substrats und der Elektrodenschicht sind die gleichen wie die in 13.
16 ist eine Darstellung, die Frequenzcharakteristiken des in 15 gezeigten Abzweigtypfilters gemäß der Erfindung zeigt.
Die Darstellung, die durch die durchgezogene Linie gezeigt ist, veranschaulicht das Kennlinienfeld des Abzweigtypfilters gemäß der Erfindung, das in 15 dargestellt ist, und die durch die gestrichelte Linie gezeigte Darstellung veranschaulicht das Kennlinienfeld des herkömmlichen, bei dem die Anzahl der Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi zwei beträgt.
Die Parallelresonatoren R1 und R2 weisen vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi und eine Periode pip von 4,8 μm auf, und deren Gitterreflektor weist Perioden auf, die der Hälfte der Perioden des Interdigitalwandlers entsprechen. Die Reihenresonatoren S1' und S2' weisen vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi, eine Periode pis von 4,75 μm und ein Δpi von 0,05 μm auf, und deren Gitterreflektor weist Perioden auf, die der Hälfte der Perioden des Interdigitalwandlers entsprechen. Der A-B-Abstand L beträgt pis × 7/8 für die Reihenresonatoren und pip × 1/2 für die Parallelresonatoren, was das gleiche ist, wie beim herkömmlichen.
Gemäß der Darstellung der Erfindung, die durch die durchgezogene Linie in der Figur gezeigt ist, beträgt die 3 dB Bandbreite 38 MHz, die 20 dB Bandbreite beträgt 50,50 MHz, und der Formfaktor beträgt 0,75.
Gemäß der Darstellung des herkömmlichen Elektrodenaufbaus, die durch die gestrichelte Linie gezeigt ist, beträgt die 3 dB Bandbreite andererseits 38,75 MHz, die 20 dB Bandbreite beträgt 56,25 MHz, und der Formfaktor beträgt 0,69. Entsprechend diesem Aufbau können daher ein großer Formfaktor und steile Frequenzcharakteristiken mit der Erfindung erzielt werden, im Vergleich zu dem herkömmlichen Elektrodenaufbau.
Gemäß der Erfindung sind drei oder vier Elektrodenfingern, die den Interdigitalwandler des Akustikoberflächenwellenresonators bilden, innerhalb einer Periode des Interdigitalwandlers vorgesehen, und daher können solche Frequenzcharakteristiken erzielt werden, dass deren Resonanzfrequenz und Antiresonanzfrequenz aneinander angenähert werden.
Weiterhin, weil die Resonanzfrequenz und die Antiresonanzfrequenz aneinander angenähert werden können, kann das Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das mit den erfindungsgemäßen Akustikoberflächenwellenresonatoren gebildet ist, ein Bandpassfilter realisieren, das einen höheren Formfaktor als das herkömmliche aufweist.

Claims

Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, die in Reihe geschaltet und/oder parallel geschaltet sind, wobei zumindest einer der Akustikoberflächenwellenresonatoren einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator aufweist, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich drei Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gitterelektroden zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, wobei ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode des Reflektors, die dem Interdigitalwandlerbereich am nächsten ist, und einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle eines dem Reflektor nächstgelegenen Einzelelektrodenfingers der kammartigen Elektrode des Interdigitalwandlerbereichs, vom (n/2 + 5/16)-fachen bis zum (n/2 + 6/16)-fachen einer Wellenlänge λ der Akustikoberflächenwelle beträgt, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wird, wobei n = 0 oder eine positive ganze Zahl ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, die in Reihe geschaltet und/oder parallel geschaltet sind, wobei zumindest einer der Akustikoberflächenwellenresonatoren einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator aufweist, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gitterelektroden zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, wobei ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode des Reflektors, die dem Interdigitalwandlerbereich am nächsten ist, und einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle des nächsten Paares von nebeneinanderliegenden Elektrodenfingern der kammartigen Elektrode des Interdigitalwandlers, vom (n/2 + 5/16)-fachen bis zum (n/2 + 6/16)-fachen einer Wellenlänge λ der Akustikoberflächenwelle beträgt, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wird, wobei n = 0 oder eine positive ganze Zahl ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, die in Reihe geschaltet und/oder parallel geschaltet sind, wobei nur in Reihe geschaltete Akustikoberflächenwellenresonatoren einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator aufweisen, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich drei Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gitterelektroden zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, wobei ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode des Reflektors, die dem Interdigitalwandlerbereich am nächsten ist, und einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle eines dem Reflektor nächstgelegenen Einzelelektrodenfingers der kammartigen Elektrode des Interdigitalwandlerbereichs, vom (n/2 + 5/16)-fachen bis zum (n/2 + 6/16)-fachen einer Wellenlänge λ der Akustikoberflächenwelle beträgt, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wird, wobei n = 0 oder eine positive ganze Zahl ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, die in Reihe geschaltet und/oder parallel geschaltet sind, wobei nur in Reihe geschaltete Akustikoberflächenwellenresonatoren einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator aufweisen, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gitterelektroden zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, wobei ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode des Reflektors, die dem Interdigitalwandlerbereich am nächsten ist, und einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle des nächsten Paares von nebeneinanderliegenden Elektrodenfingern der kammartigen Elektrode des Interdigitalwandlers, vom (n/2 + 5/16)-fachen bis zum (n/2 + 6/16)-fachen einer Wellenlänge λ der Akustikoberflächenwelle beträgt, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wird, wobei n = 0 oder eine positive ganze Zahl ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlerbereichs und die Gitter des Reflektors des Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators Elektroden aufweisen, die das gleiche Material und die gleiche Dicke haben.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter nach Anspruch 5, bei dessen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator die Periode pr die Hälfte der Periode pi ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter nach Anspruch 5 oder 6, bei dem die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlerbereichs und die Gitter des Reflektors des Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators ein Material aufweisen, das entweder Aluminium oder eine Aluminiumlegierung ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, die in Reihe geschaltet und/oder parallel geschaltet sind, wobei zumindest einer der Akustikoberflächenwellenresonatoren einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator aufweist, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gitterelektroden zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, wobei ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode des Reflektors, die dem Interdigitalwandlerbereich am nächsten ist, und einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle des nächsten Paares von nebeneinanderliegenden Elektrodenfingern der kammartigen Elektrode des Interdigitalwandlers, vom (n/2 + 5/16)-fachen bis zum (n/2 + 6/16)-fachen einer Wellenlänge λ der Akustikoberflächenwelle beträgt, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wird, wobei n = 0 oder eine positive ganze Zahl ist, und wobei von dem Elektrodenfingerpaar, welches dem Reflektor am nächsten gelegen ist, der dem Reflektor benachbarte Elektrodenfinger weggelassen ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter, das Akustikoberflächenwellenresonatoren aufweist, die in Reihe geschaltet und/oder parallel geschaltet sind, wobei nur in Reihe geschaltete Akustikoberflächenwellenresonatoren einen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator aufweisen, umfassend ein piezoelektrisches Substrat, einen Interdigitalwandlerbereich, der auf einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist und aus einer Mehrzahl von Elektrodenfingern zusammengesetzt ist, die eine Periode pi aufweisen, die im Wesentlichen gleich einer Wellenlänge einer zu erregenden Akustikoberflächenwelle ist, und zumindest einen Reflektor, der benachbart zu dem Interdigitalwandlerbereich angeordnet ist, um die Akustikoberflächenwelle, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wurde, in eine Richtung parallel zu einer Ausbreitungsrichtung der Akustikoberflächenwelle zu reflektieren, wobei der Interdigitalwandlerbereich vier Elektrodenfinger innerhalb der Periode pi aufweist, und der Reflektor aus einer Mehrzahl von Gitterelektroden zusammengesetzt ist, die eine Periode pr aufweisen, die gleich einer halben Wellenlänge einer sich in dem Reflektor ausbreitenden Akustikoberflächenwelle ist, wobei ein Abstand L zwischen einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle der Gitterelektrode des Reflektors, die dem Interdigitalwandlerbereich am nächsten ist, und einer Mittelposition einer Breite in Ausbreitungsrichtung einer Akustikoberflächenwelle des nächsten Paares von nebeneinanderliegenden Elektrodenfingern der kammartigen Elektrode des Interdigitalwandlers, vom (n/2 + 5/16)-fachen bis zum (n/2 + 6/16)-fachen einer Wellenlänge λ der Akustikoberflächenwelle beträgt, die durch den Interdigitalwandlerbereich erregt wird, wobei n = 0 oder eine positive ganze Zahl ist, und wobei von dem Elektrodenfingerpaar, welches dem Reflektor am nächsten gelegen ist, der dem Reflektor benachbarte Elektrodenfinger weggelassen ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter nach einem der Ansprüche 8 bis 9, bei dem die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlerbereichs und die Gitter des Reflektors des Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators Elektroden aufweisen, die das gleiche Material und die gleiche Dicke haben.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter nach Anspruch 10, bei dessen Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonator die Periode pr die Hälfte der Periode pi ist.
Abzweigtyp-Akustikoberflächenwellenfilter nach Anspruch 10 oder 11, bei dem die Elektrodenfinger des Interdigitalwandlerbereichs und die Gitter des Reflektors des Einzelanschlusspaar-Akustikoberflächenwellenresonators ein Material aufweisen, das entweder Aluminium oder eine Aluminiumlegierung ist.