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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung bezieht sich auf einen Photosensor zur Erfassung optischer
Informationen, bzw. einen Photosensor, der zur Erfassung von Strahlung gut
geeignet ist, wie Röntgenstrahlen
und γ-Strahlen, direkt
oder nach Umwandlung der Wellenlängenbereiche
dieser Strahlungen in den photoempfindlichen Wellenlängenbereich,
wie dem von sichtbarem Licht. Sie bezieht sich auch auf eine Strahlungserfassungsvorrichtung
und ein System, die jeweils durch Anwenden des Photosensors aufgebaut
sind.
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Verwandter
Stand der Technik
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Bisher
wurde bei einer Strahlendiagnose im Allgemeinen ein Film zur Beobachtung
eines Strahlungstransmissionsbildes verwendet. Ein Bildverstärker (der
nachstehend mit „I/I" bezeichnet wird)
wurde zum Betrachten eines Transmissionsbildes in Echtzeit während der
Bestrahlung verwendet. Mit dem I/I sind jedoch Probleme einer großen Größe und eines großen Gewichts
verbunden.
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Seit
kurzem wird ein Sensor mit großer
Größe, der
amorphes Silizium verwendet (das nachstehend mit „a-Si" bezeichnet wird),
als Erfassungseinrichtung vorgeschlagen, die eine kleinere Größe hat und
leichter im Gewicht ist, und mit der ein Transmissionsbild in Echtzeit
betrachtet werden kann. Dieser Sensor hat einen Aufbau, bei dem
eine Photodiode als Lichtaufnahmeelement aus a-Si und ein Dünnfilmtransistor
(der nachstehend mit „TFT" abgekürzt wird)
als Schaltelement in einer Eins-Zu-Eins-Entsprechung zur Bildung eines
Bildelements kombiniert sind, wobei die Lichtaufnahmeelemente aus
a-Si in der Form einer zweidimensionalen Matrix angeordnet sind
(siehe beispielsweise US-Patent Nr. 5,262,649).
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Obwohl
die vorstehende Photodiode vom pin-Typ ist, können Photodioden vom pn-Typ,
Schottky-Typ, usw. verwendet werden. Außerdem ist von den Erfindern
der vorliegenden Erfindung ein Photosensor vom MIS-Typ vorgeschlagen
(siehe Japanische Patentanmeldungsoffenlegungsschrift Nr. 8-116044).
Bei diesem Photosensor ist eine transparente Elektrode an einer
Eingangsseite für
Licht angeordnet, und eine gemeinsame Elektrodenleitung Vce, die
für Leitungselektroden
bzw. Drahtelektroden gemeinsam im Sensor gebildet ist, ist aus Metall
gebildet. Die gemeinsame Elektrodenleitung Vce ist so gelegt, dass
sie Teile der oberen Abschnitte der Photodioden passiert, parallel
mit Signalleitungen Vsig, die Lichtsignale von den Photodioden über die Schalt-TFTs
zu einem Verstärker übertragen.
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Hier
ist das für
die gemeinsame Elektrodenleitung im Sensor verwendete Metall ein
lichtundurchlässiges
(beispielsweise Al, Cr, W, Ta oder Mo). Demzufolge verdeckt die
gemeinsame Elektrodenleitung Vce die Lichtaufnahmeabschnitte der
Photodioden und verringert den Öffnungsgrad
dieser Abschnitte, wodurch der Lichteinlass in die Lichtaufnahmebereiche
der Photodioden verringert und die S/N(Signal zu Rausch)-Verhältnisse
der Lichtsignale verschlechtert werden.
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Die
Erfindung soll einen Photosensor bereitstellen, der trotz eines
großen
Schirms und hoher Auflösung
den Öffnungsgrad
eines Lichtaufnahmeabschnitts größer gehalten
werden kann, wodurch ein Lichteinlass in diesen Abschnitt erhöht und ein gutes
S/N-Verhältnis
sichergestellt werden können.
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Die
Erfindung soll auch eine Strahlungserfassungsvorrichtung und ein
Strahlungserfassungssystem bereitstellen, die jeweils den vorstehenden Photosensor
anwenden, insbesondere einen zweidimensionalen Photosensor, in dem
Lichtaufnahmeelemente in zwei Dimensionen angeordnet sind.
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Der
hier berücksichtigte
Photosensor ist ein Photosensor der Art, wie er in der Europäischen Patentanmeldung
EP-A-0 767 389 offenbart
ist. Dieser Photosensor umfasst eine Vielzahl von Bildelementen,
die jeweils ein Lichtaufnahmeelement und ein Schaltelement enthalten,
eine gemeinsame Elektrodenleitung mit einem Hauptleitungsabschnitt
und jeweiligen koextensiv dazwischen liegenden Verbindungsabschnitten,
mit denen jeweils eine eines Paars von Elektroden jedes Lichtaufnahmeelements gemeinsam
mit jedem der Bildelemente verbunden ist, und Signalleitungen, zu
denen Lichtsignale der Lichtaufnahmeelemente durch gleichzeitige
Ansteuerung der Schaltelemente der Bildelemente übertragen werden.
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Erfindungsgemäß ist dieser
Photosensor dadurch gekennzeichnet, dass der Hauptleitungsabschnitt
der gemeinsamen Elektrodenleitung den Signalleitungen jeweils überlagert
ist, wobei der Hauptleitungsabschnitt der gemeinsamen Elektrodenleitung
eine Breite bezüglich
des Querschnitts kleiner oder gleich der Breite jeder Signalleitung
bezüglich des
Querschnitts hat.
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Erfindungsgemäß ist auch
eine Strahlungserfassungsvorrichtung mit einem Photosensor der oben
definierten Art bereitgestellt, der in Kombination mit einer Wellenlängenumwandlungseinrichtung
zur Umwandlung eines Wellenlängenbereichs
einer Strahlung in einen erfassbaren Wellenlängenbereich der Lichtaufnahmeelemente
angeordnet ist.
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Erfindungsgemäß ist auch
ein Strahlungserfassungssystem bereitgestellt, das eine Strahlungserfassungsvorrichtung
der oben angeführten
Art umfasst, das in Kombination mit einer Bildverarbeitungseinrichtung
zur Verarbeitung von Bildinformationen angeordnet ist, die von der
Strahlungserfassungsvorrichtung zugeführt werden.
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Es
zeigen:
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1 eine
schematische Draufsicht der ersten Ausgestaltung der Erfindung,
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2A eine
schematische Schnittansicht eines Abschnitts 2A-2A in 1,
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2B eine
schematische Schnittansicht eines Abschnitts 2B-2B in 1,
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3A, 3B, 3C, 3D, 3E und 3F schematische
Darstellungen zur Beschreibung eines Beispiels des Herstellungsvorgangs
des erfindungsgemäßen Photosensors
gemäß Abschnitt
3F-3F in 1,
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3G, 3H und 3I schematische Darstellungen
zur Beschreibung der Schritte des Vorgangs nach dem Schritt in 3F gemäß dem Abschnitt
2A-2A in 1 (3G zeigt
den Abschnitt 2A-2A in 1 im selben Schritt wie 3F),
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4 eine
schematische Draufsicht der zweiten Ausgestaltung der Erfindung,
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5 eine
schematische Schnittansicht des Abschnitts 5-5 in 4,
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6A und 6B schematische
Schnittansichten eines Beispiels des Aufbaus, bei dem der gemäß der ersten
Ausgestaltung der Erfindung aufgebaute Sensor bei einer Strahlungserfassungsvorrichtung
angewendet wird, jeweils gemäß den Abschnitten
2A-2A und 2B-2B in 1,
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7 und 8 jeweils
eine schematische Darstellung und eine schematische Schnittansicht
im Fall der Anwendung des erfindungsgemäßen Sensors bei einer Strahlungserfassungsvorrichtung,
beispielsweise einer Röntgenerfassungsvorrichtung, und
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9 ein
Beispiel der Anwendung des erfindungsgemäßen zweidimensionalen Photosensors bei
einem Strahlungserfassungssystem.
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BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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1 zeigt
eine schematische Draufsicht der ersten Ausgestaltung der Erfindung. 2 zeigt eine schematische Schnittansicht
des Abschnitts 2A-2A in 1, während 2B eine
schematische Schnittansicht des Abschnitts 2B-2B in 1 zeigt.
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Gemäß 1 bezeichnet
das Bezugszeichen 11 eine Photodiode, die eine Photodiode
vom pin-Typ, pn-Typ oder Schottky-Typ (einschließlich eines MIS-Typs) aus a-Si
ist. Die Photodiode 11 ist auf einer Drain-Elektrode 12 eines
TFT 13 gebildet. Der TFT 13 überträgt eine Lichtausgabe zu einer
Signalleitung (Vsig-Leitung) 14, die durch den Lichteinfall auf
die Photodiode 11 erzeugt wurde. Das Bezugszeichen 16 bezeichnet
eine Gate-Leitung zur Ansteuerung des TFT 13.
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Gemäß den 2A und 2B liegt
an der Photodiode 11 durch eine gemeinsame Elektrodenleitung
(Vce-Leitung) 15 ein vorbestimmtes Vorspannungspotential über eine
transparente Elektrode 104, die an der Lichteintrittseite
dieser Photodiode angeordnet ist, und durch eine in einem Isolierschutzfilm 103 vorgesehene Öffnung an.
Wie in 1 und den 2A und 2b gezeigt,
ist der Hauptteil der gemeinsamen Elektrodenleitung (Vce-Leitung) 15 abgesehen
von ihren zu den Photodioden 11 führenden Ansätzen über den Signalleitungen (Vsig-Leitungen) gebildet.
Demnach schirmt der Verdrahtungsabschnitt der gemeinsamen Elektrodenleitung
(Vce-Leitung) 15 den Eintrittsabschnitt der Photodioden 11 kaum
vor dem Licht ab. Wie es insbesondere aus 2B ersichtlich
ist, ist der Verdrahtungsabschnitt der gemeinsamen Elektrodenleitung 15 innerhalb
eines Ausmaßes über den
Signalleitungen 14 gebildet, unter der Bedingung, dass
er eine Breite gleich der Breite der Signalleitungen 14 hat,
oder dass zumindest eine seiner Endseiten eine Breite kleiner oder gleich
der Breite der Signalleitungen 14 hat. Die Bezugszeichen 101 und 102 in 2A bezeichnen
jeweils ein Substrat und einen Isolierfilm.
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Die 3A bis 3F zeigen
schematische Darstellungen zur Beschreibung eines Beispiels des Herstellungsvorgangs
des erfindungsgemäßen Photosensors.
Der Herstellungsvorgang wird in Verbindung mit dem Schnitt 3F-3F
in 1 beschrieben.
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Wie
in 3A gezeigt, wird die Gate-Führungsleitung 16 jedes
TFT auf einem Glassubstrat 101 gebildet (Schritt A).
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Wie
in 3B gezeigt, werden ein Isolierfilm 102,
eine Halbleiterschicht 105 und ein Kanalschutzfilm 106 auf
dem resultierenden Substrat aufgebracht (Schritt B). Der Isolierfilm 102 besteht
beispielsweise aus Siliziumnitrid und wird ein Gate-Isolierfilm.
Der Kanalschutzfilm 106 ist ein Isolierfilm beispielsweise aus
Siliziumnitrid.
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Wie
in 3C gezeigt wird danach der Kanalschutzfilm 106 so
gestaltet, dass lediglich der Kanalabschnitt jedes TFT zurückbleibt
(Schritt C).
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Danach
wird wie in 3D gezeigt eine ohmsche Kontaktschicht 107 für die TFTs
beispielsweise aus a-Si oder mikrokristallinem Silizium („μc-Si"), dotiert als n+-Typ, auf der resultierenden Struktur aufgebracht,
woraufhin die ohmsche Kontaktschicht 107 und die Halbleiterschicht 105 so
ausgestaltet werden, dass sie lediglich an jedem TFT-Abschnitt zurückbleiben
(Schritt D).
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Wie
in 3E gezeigt wird Metall wie Al mit einer Dicke
von 1 μm
durch Sputtern aufgebracht, und das aufgebrachte Metall wird in
die Form der Signalleitung (Source-Elektrode) 14 und Drain-Elektrode 12 jedes
TFT 13 gebracht (Schritt E).
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Wie
in 3F gezeigt werden eine p-Schicht, eine i-Schicht und eine
n-Schicht aus a-Si durch Aufbringen auf den Drain-Elektroden 12 der TFTs
in der vorstehend angeführten
Reihenfolge geschichtet, ein transparenter Film aus ITO (Indium-Zinnoxid)
oder dergleichen wird auf den aufgebrachten Schichten gebildet,
und der Film und die Schichten werden in die Form jedes Lichtaufnahmeabschnitts
gebracht, wodurch jede Photodiode 11 des pin-Typs und jede
transparente Elektrode 104 gebildet werden (Schritt F).
Die Schichtungsreihenfolge der Typen der a-Si-Schichten zur Bildung
jeder Photodiode 11 kann auch in der Reihenfolge der n-Schicht,
i-Schicht und p-Schicht, umgekehrt zur vorstehend beschriebenen
Reihenfolge sein. Da die Diffusionslänge eines positiven Lochs jedoch
größer als
die eines Elektrons ist, wird die Ausbeute des Sensors (das heißt, des
Lichtaufnahmeabschnitts) durch Lokalisieren der p-Schicht auf der
Lichteintrittseite jeder Photodiode 11 verbessert.
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Die
vorstehenden Schritte A bis F betreffen den Schnitt 3F-3F in 1.
Der gleiche Schritt wie Schritt F ist in 3G hinsichtlich
des Schnitts 2A-2A in 1 gezeigt. Die folgende Beschreibung
hinsichtlich der 3G bis 3I betrifft
den Schnitt 2A-2A.
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Wie
in 3G gezeigt wurden die Photodiode 11 und
die transparente Elektrode 104 auf jeder Drain-Elektrode 12 im
Schnitt 2A-2A gebildet, der abgesehen von dieser Drain-Elektrode
keinen TFT-Abschnitt enthält.
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Ein
Isolierschutzfilm 103 wird auf der in 3G gezeigten
Struktur aufgebracht, und jede Kontaktöffnung 108 zur Verbindung
der entsprechenden transparenten Elektrode 104 mit einer
gemeinsamen Elektrodenleitung 15 wird in dem Film 103 ausgebildet,
wie es in 3H gezeigt ist.
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Ein
Metall wie Al wird auf der in 3H gezeigten
Struktur aufgebracht. Dann wird das aufgebrachte Metall wie in 3I gezeigt
mit jeder transparenten Elektrode 104 durch die entsprechende Kontaktöffnung 108 verbunden,
die in dem Isolierschutzfilm 103 vorgesehen ist. Des Weiteren
wird das aufgebrachte Metall zum Legen der gemeinsamen Elektrodenleitung 15 derart
gestaltet, dass deren Verdrahtungsabschnitt, der zur Verbindung
mit einer Spannungsquelle erforderlich ist, über den Signalleitungen 14 angeordnet
werden kann. Insbesondere ist diese Leitung ausgenommen der Ansätze der gemeinsamen
Elektrodenleitung 15, die zu den Sensoren (das heißt, den
Lichtaufnahmeschnitten) führen, über den
Signalleitungen 14 gebildet, so dass sie eine Breite kleiner
oder gleich der Breite der Leitungen 14 haben. Somit kommt
der Hauptleitungsabschnitt der gemeinsamen Elektrodenleitung 15 bezüglich der
Signalleitungen 14 zum Überliegen.
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Auf
diese Weise kann der Hauptteil der gemeinsamen Elektrodenleitung 15 auf
den Signalleitungen 14 gebildet werden, wodurch der Raumfaktor des
Photosensors und der Öffnungsgrad
der Lichtaufnahmeabschnitte einfach verbessert werden kann.
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Im
Folgenden wird die zweite Ausgestaltung der Erfindung unter Bezugnahme
auf die 4 und 5 beschrieben.
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Im
in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ragt eine gemeinsame
Elektrodenleitung 15 lediglich über TFTs 13 hinaus. Über jedem
TFT 13, über
den sich die gemeinsame Elektrodenleitung 15 erstreckt, wird
ein Lichtschutz 17 durch die Erstreckung der gemeinsamen
Elektrodenleitung 15 gebildet, wodurch der Kanalabschnitt
des TFT 13 verdeckt wird. Somit wird der Kanalabschnitt
des TFT 13 vor Licht abgeschirmt, das ansonsten in diesen
Kanalabschnitt von oben eintritt.
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5 zeigt
eine schematische Schnittansicht entlang der Fläche 5-5 in 4.
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Bei
dem in den 4 und 5 gezeigten Ausführungsbeispiel
wird üblicherweise
ein vorbestimmtes Potential an die gemeinsame Elektrodenleitung 15 angelegt,
die sich über
die TFTs 13 erstreckt. Bei Bedarf kann die gemeinsame Elektrodenleitung 15 daher
als Vorspannelektrode zur weiteren Verringerung eines Leckstroms
beim Ausschalten jedes TFT oder zur weiteren Erhöhung der Ansprechgeschwindigkeit
jedes TFT betrieben werden. Ein derartiger Betrieb hängt auch
von der Dicke einer Isolierschutzschicht 103 und dem Vorzeichen
und der Größe der angelegten
Spannung ab.
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Im Übrigen ist
der in 5 gezeigte TFT 13 vom sogenannten „Kanalätztyp", bei dem eine ohmsche
Kontaktschicht 107 im Kanalabschnitt des TFT entfernt wird,
nachdem die Metallelektroden (Source- und Drain-Elektroden) des TFT gebildet wurden, ohne
eine Kanalschutzschicht bereitzustellen. In diesem Fall wird auch
eine Halbleiterschicht 105 etwas über-ätzt, jedoch wird auf eine Maske
zur Bereitstellung der Kanalschutzschicht verzichtet, um den Vorteil
eines einfacheren Herstellungsvorgangs zu haben.
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Ein
Beispiel des Aufbaus, bei dem der gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
gebildete Photosensor bei einer Strahlungserfassungsvorrichtung angewendet
wird, wird nachstehend unter Bezugnahme auf die schematischen Schnittansichten
in den 6A und 6B beschrieben.
Die in den 6A und 6B gezeigten
Schnitte entsprechen jeweils den Flächen 2A-2A und 2B-2B in 1.
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In
dem hier angewendeten Photosensor wurde ein zweiter Isolierfilm 109 aus
Siliziumnitrid zum Schutz der Sensorabschnitte (Lichtaufnahmeabschnitte)
zusätzlich
nach der Bildung der TFTs, Photodioden und des Verdrahtungsabschnitts
bzw. Leitungsabschnitts aufgebracht. Wird der zweite Isolierfilm 109 als
anorganischer Film auf diese Weise gebildet, kann perfekt verhindert
werden, dass Wasser und Feuchtigkeit in die Halbleiterelemente wie
TFTs und Photodioden und die Verdrahtungsleitungen eindringt. Ein
Szintillator 111, der als Wellenlängenwandler dient, ist auf
dem zweiten Isolierfilm 109 durch die Verwendung einer
Bindeschicht 110 aus Epoxidharz, Silikonharz oder dergleichen
geschichtet. Als Szintillator 110 kann Phosphor beruhend
auf seltener Erde, CsI, CsI(Tl) oder dergleichen verwendet werden.
Der Szintillator 111 wandelt Röntgenstrahlen 112 in
sichtbares Licht mit einer Wellenlänge um, für die die Sensorabschnitte
aus a-Si sehr empfindlich sind. Natürlich sollte der Szintillator 111 vorzugsweise
mit einem Schutzelement ausgestattet sein, wie einem dünnem Aluminiumfilm,
um die Röntgenstrahlen 112 zu übertragen
und den Phosphor oder dergleichen vor Feuchtigkeits- und mechanischen
Schäden
zu schützen.
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7 und 8 zeigen
jeweils eine schematische Anordnung und eine schematische Schnittansicht
in dem Fall, dass der Photosensor der Erfindung bei einer Strahlungserfassungsvorrichtung,
beispielsweise einer Röntgenerfassungsvorrichtung
angewendet wird. Gemäß 7 sind
eine Vielzahl von Lichtaufnahmebildelementen, die jeweils eine a-Si-Photodiode
und einen a-Si-TFT enthalten, in Matrixform in einem a-Si-Sensorsubstrat 200 gebildet.
Erste flexible Platinen 201, an denen jeweils ein Schieberegister
IC (SRI) angebracht ist, sind auf der Oberfläche einer Kante des a-Si-Sensorsubstrats 200 verbunden,
während
zweite flexible Platinen 202, an denen jeweils ein Erfassungs-IC
zur Verstärkung
und Erfassung der Lichtsignale der Sensorbildelemente angebracht
ist, auf der Oberfläche
einer andere Kante orthogonal zur erstgenannten Kante verbunden
sind. Platinen PCB1 und PCB2 sind jeweils auf den Seiten der ersten
und zweiten flexiblen Platinen (201 und 202) entfernt
vom Sensorsubstrat 200 verbunden.
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Gemäß 8 sind
eine Vielzahl (beispielsweise vier) a-Si-Sensorsubstrate 200 wie
vorstehend beschrieben auf einer Grundplatte 203 angebracht, wodurch
ein zweidimensionaler Photosensor großer Größe gebildet wird. Eine Bleiplatte 204 zum
Schützen
der elektrischen Schaltungen oder ICs, wie des Speichers 205 einer
Verarbeitungsschaltung 206, vor Röntgenstrahlen 212 ist
auf der Seite der Grundplatte 203 entfernt von der Einfallseite
des Photosensors hinsichtlich der Röntgenstrahlen 212 angebracht. Des
Weiteren ist jede flexible Platine in die Form U gebogen, wodurch
der entsprechende Erfassungs-IC 202 derart angeordnet ist,
dass er durch die schützende
Bleiplatte 204 gegen die einfallenden Röntgenstrahlen 212 abgeschirmt
ist. Ein Szintillator beispielsweise aus CsI(Tl) 210 zum
Umwandeln der Röntgenstrahlen 212 in
sichtbares Licht ist auf den a-Si-Sensorsubstraten 200 angebracht,
oder ist direkt auf den Oberflächen
der a-Si-Sensorsubstrate 200 gebildet.
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Die
aufgebaute Röntgenerfassungsvorrichtung
kann die Dosis oder Menge der Röntgenstrahlen 212 durch
Erfassung der Lichtmenge erfassen, in die die Röntgenstrahlen 212 mittels
desselben Prinzips wie vorstehend beschrieben umgewandelt wurden.
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Bei
dem in den 7 und 8 gezeigten Ausführungsbeispiel
ist die gesamte Struktur einschließlich der Sensorsubstrate und
der elektrischen Schaltungen in einem Gehäuse 211 aus Karbonfaser aufbewahrt.
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9 zeigt
ein Beispiel der Anwendung des erfindungsgemäßen zweidimensionalen Photosensors
bei einem Strahlungserfassungssystem.
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Durch
eine Röntgenröhre 301 erzeugte Röntgenstrahlen 302 werden
durch die Brust 304 eines Patienten oder ein Subjekt 303 geschickt
und treten in eine photoelektrische Wandlervorrichtung (Bildsensor) 305 mit
einem darauf angeordneten Leuchtstoffschirm ein. Informationen über das
Innere des Körpers
des Patienten 303 ist in dem Bild der eingetreten Röntgenstrahlen
enthalten. Der Leuchtstoff phosphoresziert entsprechend dem Eintritt
der Röntgenstrahlen 302 und
die resultierende Phosphoreszenz wird photoelektrisch zum Erhalten
elektrischer Informationen umgewandelt. Die elektrischen Informationen
werden digitalisiert und danach durch eine Bildverarbeitungseinrichtung 306 in
ein Bild verarbeitet, das auf einer Anzeigeeinrichtung 307 betrachtet werden
kann, die in einem Kontrollraum installiert ist.
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Des
Weiteren können
die Bildinformationen zu einem entfernten Ort durch eine Übertragungs-(Kommunikations-)Einrichtung
wie eine Telefonleitung 308 übertragen werden. In einem
Arztraum oder dergleichen an einem Ort separat vom Röntgenraum
oder dem Kontrollraum können
die übertragenen
Informationen auf einer Anzeigeeinrichtung 309 bei Bedarf
auf umgekehrte Weise angezeigt oder in einer Sicherungseinrichtung
wie einer optischen Platte gesichert und gespeichert werden. Es
ist natürlich
möglich,
das Strahlungserfassungssystem für
eine Diagnose durch einen Arzt am entfernten Ort zu verwenden. Des
Weiteren können
die übertragenen
Informationen auf einem Film 311 (oder Papier) unter Verwendung
eines Laserdruckers aufgezeichnet werden, der in einer Filmverarbeitungseinrichtung 310 enthalten
ist, die auch als Sicherungseinrichtung dient. Natürlich kann
der Patient 303 auch durch eine beliebige Struktur oder
einen Artikel ersetzt werde, wobei die Brust 304 durch
den Teil der Struktur oder des Artikels ersetzt wird, der durchleuchtet
werden soll. In diesem Fall kann das Strahlungserfassungssystem
für die
Inspektion eines inneren Aufbaus oder innerer Inhalte verwendet
werden.
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Wie
vorstehend beschrieben können
die offenen Bereiche von Lichtaufnahmeelementen erfindungsgemäß vergrößert werden,
um größere Sensorausgangssignale
zu erzeugen. Es ist daher möglich, einen
zweidimensionalen Photosensor mit hohem S/N-Verhältnis und eine Strahlungserfassungsvorrichtung
sowie ein Strahlungserfassungssystem auszugestalten, die den Photosensor
anwenden. Ferner kann eine Bildelementgröße, die für ein Sensorausgangssignal
erforderlich ist, durch Vergrößerung des offenen
Bereichs verkleinert werden. Es ist daher möglich, einen zweidimensionalen
Photosensor hoher Auflösung
und eine Strahlungserfassungsvorrichtung sowie ein Strahlungserfassungssystem
bereitzustellen, die den Photosensor anwenden.
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Erfindungsgemäß kann ein
Kriechstrom beim Ausschalten jedes TFT durch Anwenden einer gemeinsamen
Elektrodenleitung zum Abschirmen von TFTs vor Licht abgeschwächt werden.
Dementsprechend ist es möglich,
einen zweidimensionalen Photosensor mit noch höherem S/N-Verhältnis
und stabileren Eigenschaften bzw. einer stabileren Kennlinie, und
eine Strahlungserfassungsvorrichtung sowie ein Strahlungserfassungssystem
bereitzustellen, die den Photosensor anwenden.