DE69833754T2

DE69833754T2 - Laservorrichtungen

Info

Publication number: DE69833754T2
Application number: DE69833754T
Authority: DE
Inventors: Philip Dowd; Hugh Ian WHITE; Vincent Richard PENTY; John Peter HEARD; Charles Geoffrey ALLEN; Renne Michael Menlo Park TAN
Original assignee: University of Bristol
Current assignee: University of Bristol
Priority date: 1997-05-17
Filing date: 1998-05-15
Publication date: 2006-11-30
Anticipated expiration: 2018-05-16
Also published as: EP1679773A2; CN1120550C; ATE320098T1; KR100566027B1; US6639931B1; JP3955925B2; EP0981843B1; GB9709949D0; DE69833754D1; JP2001525995A; EP0981843A1; EP1679773A3; CN1263642A; WO1998053537A1; KR20010012680A

Description

Die Erfindung betrifft Laservorrichtungen, und insbesondere Halbleiterlaservorrichtungen mit Lichtabstrahlung senkrecht zur Halbleiterebene (VCSEL), wie VCSEL-Dioden.
Stand der Technik
Laservorrichtungen, wie Laserdioden, werden häufig verwendet bei einer Anzahl von Anwendungen, wie Kommunikations- und Datenspeicher-Vorrichtungen. Eine Art Laserdiode ist die Laserdiode mit Lichtabstrahlung senkrecht zur Halbleiterebene (VCSEL), und ein übliches Beispiel ist in der Draufsicht in der 1 und in einem Seitenquerschnitt in der 2 der beigefügten Zeichnungen gezeigt. Die VCSEL 1 umfasst ein Substrat 7, das einen unteren elektrischen Kontakt 8 trägt. Ein aktiver Bereich 6 befindet sich sandwichartig zwischen oberen und unteren verteilten Bragg-Reflektor-(DBR)-Spiegelstrukturen 4 und 5, wobei die untere Spiegelstruktur von Substrat 7 getragen wird. Die Spiegelstrukturen 4 und 5 bieten ein hohes Reflexionsvermögen, beispielsweise ca. 99,5%. Die obere DBR-Spiegelstruktur 4 umfasst einen Protonen-Implantationsbereich 9. Der Protonen-Implantationsbereich 9 begrenzt den der Vorrichtung zugeführten Strom.
Ein oberer elektrischer Kontakt 3 befindet sich auf der Oberseite der oberen Spiegelstruktur 4. Der obere Kontakt 3 umgrenzt eine Öffnung 2, die bis zur Oberseite der oberen Spiegelstruktur 4 durchgeht.
Die VCSEL 1 der 1 und 2 erzeugt einen Lichtausgang, der in der Richtung des Pfeils A durch die Öffnung 2 emittiert wird. Das Ausgangslicht wird durch eine Laserwirkung oder Laseraktivität im aktiven Bereich 6 zwischen den beiden DBR-Spiegeln 4 und 5 erzeugt, was Stand der Technik ist.
Einer der Hauptvorteile der VCSEL-Vorrichtungen ist, dass der Lichtausgang in einer Richtung erzeugt wird, die senkrecht ist zur Ebene der Vorrichtung. Dies steht den vorhergehenden randemittierenden Laserdioden entgegen, die Licht in der Ebene der Vorrichtung emittieren. Somit können VCSEL-Vorrichtungen leicht zu Anordnungen hergestellt werden, da eine Anzahl der Vorrichtungen auf einem einzelnen Halbleiterbereich produziert werden kann, ohne dass man die Vorrichtungen voneinander trennen muss. Zudem sind die VCSELs besonders geeignet zur Herstellung eines Kreislichtstrahls. Ein solcher Kreisstrahl erfordert nur wenig oder keine weitere optische Verarbeitung vor der Anwendung bei Geräten, wie CD-ROM-Laufwerken oder Kommunikations-Geräten.
Die Laseremission in VCSELs kann oft orthogonale oder elliptische Polarisationsstadien ermöglichen, mit einer unvollständigen Steuerung der Polarisationsachsen oder des Polarisationszustands der einzelnen Lasermodi oder Fasern, welche ebenfalls mit dem Ruhestrom variieren kann. Dies kann auch dazu führen, dass die Polarisationsachsen von Gerät zu Gerät variieren, selbst zwischen den benachbarten Lasern, die aus dem gleicher Wafer hergestellt sind.
Es besteht großes Interesse an der Verwendung der Halbleiterlaservorrichtungen mit Lichtabstrahlung senkrecht zur Halbleiterebene (VCSELs) für eine Reihe von Anwendungen, einschließlich optischer Speicher, Druck und Kommunikation. Diese Anwendungen erfordern jedoch eine hohe Strahlqualität, insbesondere mit einem einzelnen Quermodus-Betrieb, wo der Polarisationszustand auf eine genaue Richtung fixiert ist. VCSELs können zwar zur Erzeugung von Kreisstrahlen gebildet werden und in zweidimensionalen Anordnungen integriert werden, jedoch leiden sie an starken optischen Nichtlinearitäten, die mit ihrem hohen Zunahme-Betrieb und starken thermischen Effekten einhergehen. Solche Nichtlinearitäten können nicht gerade einen starken Multimodus-Betrieb ermöglichen, sondern auch eine Faserwirkung über den emittierenden Bereich. Dieses Verhalten bewirkt somit, dass Strahlen mit schlechten Fernfeldern und mit Mehrfachintensitäts-Peaks erzeugt werden, die in schlecht begrenzten Polarisationsstadien emittieren, was mit der Temperatur und dem Ruhestrom variieren kann.
Vorherige Verfahren zum Steuern des Polarisationszustands von Licht, das aus oberflächenemittierenden Lasern emittiert wird, umfassen die Verwendung anisotroper Hohlraumgeometrien, die eine Verformung der Ausgangsstrahlform verursachen kann. Die Einbringung von anisotroper Belastung, Zuwachs oder Verlust wurde auch zur Steuerung des Polarisationszustandes entlang vordefinierter Richtungen verwendet, obschon eine vollständige Steuerung gewöhnlich nicht über den gesamten Betriebsbereich der Vorrichtung beibehalten wird.
Ein Verstimmen der nicht-degenerativen Hohlraummodi kann zur vollständigen Polarisationssteuerung verwendet werden, jedoch wird auf Kosten der Reduktion des Zuwachses erzielt, wodurch der Schwellenstrom der Vorrichtung und der Stromverbrauch erhöht werden, und der verfügbare Leistungsausgang verringert wird. Diese Wirkung hängt stark von der Spektralaufteilung der orthogonalen Polarisationszustände ab, welche durch die Restbelastung in einer Vorrichtung beeinflusst werden können. Daher kann eine zusätzliche Technik zur Steuerung der Spektralaufteilung erforderlich sein, wenn eine hinreichende Zunahmedifferenz zwischen den beiden Zuständen erzielt werden soll.
Die Integration zusätzlicher Strukturen in dem Laser, beispielsweise Gitter, kann eine Polarisationssteuerung herbeiführen, steigert aber die Komplexität der Vorrichtung erheblich, und solche Strukturen können die räumlichen Ausgangseigenschaften der Laseremission beeinflussen.
IEEE Photon. Technol. Lett. Bd. 5, Nr. 2, Februar 1993, Seiten 133-135 offenbart einen Halbleiterlaser mit Lichtabstrahlung senkrecht zur Halbleiterebene, der einen polarisierten Strahl aussendet, der durch anisotrope Belastung aufgrund eines elliptischen Substratlochs erzeugt wird.
Zusammenfassung der Erfindung
Gemäß einem Aspekt der Erfindung nach Anspruch 1 wird eine Halbleiterlaservorrichtung mit Lichtabstrahlung senkrecht zur Halbleiterebene bereitgestellt, welche einen Hohlraum aufweist, der innerhalb des Körpers der Vorrichtung ausgebildet ist, so dass, wenn die Vorrichtung in Benutzung ist, die Polarisationsrichtung des von der Vorrichtung emittierten Lichtes im Wesentlichen mit der Grenze des Hohlraums ausgerichtet ist.
Der Hohlraum kann durch eine längliche Furche dargestellt werden, die sich von einer äußeren Oberfläche des Körpers der Vorrichtung in deren Körper hinein erstreckt.
Eine solche Vorrichtung kann eine Anzahl solcher Hohlräume enthalten, wobei die Polarisationsrichtung des von der Vorrichtung emittierten Lichts, wenn diese in Benutzung ist, durch die Hohlräume bestimmt wird.
Es kann ein Paar von im Wesentlichen parallelen länglichen Hohlräumen bereitgestellt werden, wobei die Polarisationsrichtung des emittierten Lichts im Wesentlichen mit der Richtung der Grenze der Hohlräume ausgerichtet ist, die dem Lichtausgangsbereich am nächsten ist.
Alternativ kann ein Paar von im Wesentlichen orthogonal zueinander verlaufenden länglichen Hohlräumen verwendet werden.
Bei einer solchen Vorrichtung kann zumindest eine der Spiegelstrukturen eine verteilte Bragg-Reflektorstruktur sein.
Der Furchenbereich kann gebildet werden durch Ätzen der Vorrichtungsstruktur oder durch Laserabtragung der Vorrichtungsstruktur oder durch Elektronenstrahllithographie.
Das Halbleitermaterial der Vorrichtung ermöglicht vorzugsweise eine Lichtemission im Wellenlängenbereich von 400 bis 4000 nm.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung nach Anspruch 1 wird ein Verfahren zum Polarisieren von Licht bereitgestellt, aufweisend das Ausbilden eines Hohlraums im Körper einer Halbleiterlaservorrichtung mit Lichtabstrahlung senkrecht zur Halbleiterebene, so dass die Polarisationsrichtung des Lichts, das von der Vorrichtung bei der Verwendung emittiert wird, im Wesentlichen mit einer Grenze des Hohlraums ausgerichtet ist. Es zeigt/zeigen:
1 und 2 Drauf- und Querschnitts-Ansichten einer bekannten VCSEL-Diode;
3 und 4 Drauf- und Querschnittsansichten einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
5 ein Schaubild, das Lichtstrom-L-I-Eigenschaften einer bekannten VCSEL und einer erfindungsgemäßen VCSEL vergleicht;
6 ein Schaubild der L-I-Eigenschaften einer bekannten Laserdiode;
7 die L-I-Eigenschaften einer Ausführungsform der Erfindung;
8, 9 und 10, Schaubilder, die vorstehenden schwellenpolarisationsabhängige Leistungsmessungen einer erfindungsgemäßen Ausführungsform;
11 ein Schaubild, das die unterschwellenpolarisationsabhängige L-I-Eigenschaften einer bekannten Laserdiode mit einer erfindungsgemäßen Diode vergleicht;
12 ein Schaubild von Unterschwellenpolarisationsverhältnismessungen einer Laserdiode und einer erfindungsgemäßen Laserdiode;
13, ein Schaubild, die Querschnittslinienemission, die die Abhängigkeit der Ausgangsleistung einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zeigt;
14 ein Schaubild, polarisationsaufgelöste Hohlraumverlustmessungen einer erfindungsgemäßen Laserdiode;
15, ein Schaubild, die optischen Subschwellenspektren einer erfindungsgemäßen Laserdiodenvorrichtung;
16 eine Draufsicht auf eine zweite erfindungsgemäße Laserdiode; und
17 eine Draufsicht auf eine dritte erfindungsgemäße Laserdiode.
Eingehende Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Die 3 und 4 der beigefügten Zeichnungen zeigen Drauf- bzw. Querschnittsansichten einer erfindungsgemäßen VCSEL-Diode 10.
Wie anhand einer bekannten Vorrichtung oben beschrieben, umfasst die VCSEL 10 ein Paar Elektroden 13 und 18, ein Substratmaterial 17 sowie einen aktiven Bereich 16, der sich sandwichartig zwischen oberen und unteren DBR-Spiegelstrukturen 14 und 15 befindet. Die obere DBR-Spiegelstruktur umfasst einen Protonenimplantierungsbereich 19. Die obere Elektrode 13 definiert eine kreisförmige Öffnung 12, durch die Laserlicht in der Richtung des Pfeils A emittiert wird.
Die in den 3 und 4 gezeigte VCSEL arbeitet im Wesentlichen gemäß der bekannten Vorrichtung der 1 und 2, insofern als eine Laserwirkung in dem aktiven Bereich 16 zwischen den beiden Spiegelstrukturen 14 und 15 erzeugt wird. Das durch diesen Effekt erzeugte Licht wird dann durch die Öffnung 12 wie zuvor emittiert.
In der Erfindung wird jedoch die Polarisationssteuerung des emittierten Laserlichts erzielt durch das Einbringen eines Hohlraums in die Vorrichtung. In der in 4 gezeigten Vorrichtung wird der Hohlraum durch einen geätzten Hohlraum 11 bereitgestellt, der durch die obere Elektrode 13 in die DBR-Spiegelstruktur 14 zum aktiven Bereich 16 verläuft.
Die geätzte Furche nahe der Laseröffnung ist vorzugsweise in einem Abstand von bis zu 10 Mikron vom Rand der Öffnung positioniert (4).
Der Furchenhohlraum kann durch Maskierungs- und Ätztechniken, oder andere Techniken, wie Mikroverarbeitung, Laserabtragung, E-Strahl-Lithographie, Röntgen oder reaktives Ionen-Ätzen (RIE), eingebracht werden, und kann an den fertigen Vorrichtungen durchgeführt werden.
Andere Geometrien und Positionen für solche Ätzungen können ebenfalls wünschenswerte Ergebnisse hervorbringen.
Der Hohlraum kann durch andere Mittel als durch Furchen bereitgestellt werden. Die in dieser Beschreibung beschriebenen Hohlräume sind lediglich beispielhaft, und der Fachmann kann weitere Hohlräume im erfindungsgemäßen Schutzbereich entwickeln.
Die Orientierung der Hohlräume kann variiert werden, so das man den Polarisierungszustand der Emission auf eine bevorzugte bzw. gewünschte Orientierung abstimmt. Der Winkel des Hohlraumprofils von der Normalen zur Ebene der Vorrichtungsemissionsebene kann ebenso wie seine Tiefe variieren, was ein Durchdringen durch andere Schichten, wie den aktiven Bereich 16 und die untere Spiegelstruktur 15, ermöglicht. Die Breite, Länge und Form des Brechungsindex-Hohlraums 11 kann auch variieren.
Das Einbringen einer Furche modifiziert die auf die Vorrichtung lastende Dehnung und Belastung, was die Polarisationsabhängigkeit des emittierten Lichtstrahls steuert. Es scheint auch Grenzeffekte zu geben, die die Polarisation steuern.
Das Einbringen von Furchen scheint auch eine weitere Wirkung einzubringen, die eine Polarisationsabhängigkeit der Optikmodusdichte verursacht und zu einer spontanen Emission führt, die eine ähnliche Polarisationsabhängigkeit zur Laseremission aufweist.
Die Verwendung einer Furche oder eines anderen Hohlraums ermöglicht, dass die Achse der dominanten Polarisation in einer beliebigen Orientierung eingestellt werden kann, und zwar unabhängig von jeglicher vorher existierenden Wirkung, wie der Orientierung der Kristallachsen. Die Polarisation des Ausgangslichtstrahls richtet sich mit der Richtung der nächsten Grenze des Hohlraums zur Öffnung aus.
Mit allgemeinen Worten hat eine tiefe Furche eine größere Wirkung auf das Polarisations-Pinning als eine schmale Furche. Eine Furche, die sich nahe der Öffnung 12 befindet hat eine größere Wirkung als eine Furche, die von der Öffnung weiter entfernt ist.
Dieses Verfahren zur Erzielung der Polarisationssteuerung lässt sich auf optisch gepumpte und elektrisch gepumpte Laservorrichtungen anwenden.
Das für die erfindungsgemäßen Vorrichtungen verwendete Halbleitermaterial erlaubt vorzugsweise eine Emission im Wellenlängenbereich von 400 bis 4000 nm.
Die erfindungsgemäße Polarisationssteuerung braucht nicht notwendigerweise die Qualität der räumlichen, spektralen und Leistungsausgangseigenschaften des Lasers und auch nicht die elektrischen Eigenschaften des Lasers zu mindern, wie nachstehend veranschaulicht wird.
Die 5, 6 und 7 zeigen, dass die Schlüsselleistungsbereiche der Vorrichtung nicht besonders durch das Verfahren zur Polarisationssteuerung gemindert werden, wobei die Lichtleistungsausgangs- bzw. Stromeigenschaften, das optische Spektrum oder der räumliche Ausgang nicht gemindert werden.
Die 8 zeigt die L-I-Eigenschaften für eine typische Proton-implantierte VCSEL, in der ein schwacher einzelner Polarisationsvorgang erfolgt. Bei Beginn der Transvers-Modi höherer Ordnung wird hier ein Umschalten des Polarisationszustandes beobachtet, und bei hohen Strömen erfolgen beide Polarisationen zusammen.
Die 9 und 10 zeigen den Einfluss der Polarisationssteuerung auf die vorstehenden schwellenpolarisationsabhängigen Leistungsmessungen, welche zeigen, wie die Emission von einem Polarisationszustand über den gesamten Vorrichtungsbetriebsbereich in einer erfindungsgemäßen Vorrichtung stark unterdrückt wird. Nach dem Ätzen einer 1 Mikron breiten und zwischen 4 und 4,5 Mikron tiefen Furche 7 Mikron vom Rand der Öffnung wird ein einzelner Polarisationsvorgang erzwungen. (9)
Dies wird erzielt unter minimaler Änderung des Schwellenstroms oder der Vorrichtungseffizienz. Der Polarisationszustand der Emission bleibt über den Ruhestrom-Betriebsbereich der Vorrichtung fixiert, wobei die dominante E-Feld-Polarisation parallel zur Ätzrichtung ist. Es werden Polarisationsextinktionsverhältnisse über 100 (10) erzielt, und man findet, dass sie nur bei Beginn des Wärme-Roll-Offs signifikant sinken. Tatsächlich polarisiert das Ätzen der Furche die spontane Emission signifikant, was Extinktionsverhältnisse von sogar 1,5 bei niedrigen Antriebsströmen im Ätzzentrum erzeugt, die beim Ätzen auf 3 steigen. Die Pinning-Mechanismen sind im Gegensatz zu anderen Vorrichtungen sehr stark, so dass ein sofortiger einzelner Polarisationsbetrieb sofort vom Anschalten erfolgt, wenn eine Vorrichtung gepulst wird, statt einer anfänglichen Polarisationskonkurrenz, bevor ein Fließgleichgewicht in nicht-gesteuerten Vorrichtungen erreicht wird. Trotz der Nähe der Ätzung zur Öffnung werden keine nachteiligen Auswirkungen hinsichtlich der Lebensdauer beobachtet.
Diese Technik wurde auf einen breiten Bereich an Vorrichtungen angewendet, und sie erweist sich immer als erfolgreich. Die Polarisationsrichtung richtet sich selbst in allen Fällen entlang der Ätzrichtung aus und bleibt in dieser Richtung zumindest innerhalb von 5° fest, was die Genauigkeitsgrenze der Messung ist.
Die 11 und 12 zeigen den Einfluss des Ätzens auf die unterschwellenpolarisationsabhängige Leistung von der Hohlraumöffnung der jeweils modifizierten VCSEL-Vorrichtungen, was zeigt, dass die Modifikation selbst bei Ruheströmen weit unter der Schwelle zu einer ungleichmäßigen Aufteilung zwischen den beiden Polarisationszuständen führt.
Die 13 zeigt, dass Leistungsmessungen der spontanen Emission aus der geätzten Linie eine hohe Polarisationsabhängigkeit aufweisen.
Die 14 zeigt das Einbringen des polarisationsabhängigen Hohlraumverlusts in Bezug auf die Subschwellenlinienbreite der Emission, und 15 zeigt die spektrale Aufteilung der orthogonalen Polarisationszustände, die durch Modifikation des Lasers eingebracht wurden.
Da die Ätzungen, die nahe der Emissionsöffnung aufgebracht werden, den Lasermodus nicht stark beeinflussen, können für die Einzelmodus-Betriebsbehandlung von Multimodusvorrichtungen sowie für Einzelmodusvorrichtungen Schaltungsausgangsstrahleigenschaften von Spektralqualität erhalten werden. Zudem wird ein Längs-Einzelmodusbetrieb, wenn dieser vor dem Polarisations-Pinning geschieht, zurückgehalten (15). Eine kleine Verschiebung der Linienbreite wird beobachtet, obschon diese klein ist (< 0,2 mm), wobei die dominante Polarisation bei der kürzeren Wellenlänge beobachtet wird. Dies zeigt, das der Polarisations-Pinning-Mechanismus eine stärkere Doppelbrechung in dem System hervorrufen kann.
Ein erfolgreiches Pinning der Polarisation erfordert, dass Furchen einer hinreichenden Tiefe gebildet werden, und diese müssen zumindest durch die oberen Metallkontaktschichten in das Halbleitermaterial gelangen. Die Mindesttiefe, die zum Pinning erforderlich ist, hängt vom Abstand der Furche von der Öffnung und auch von der Richtung der Furche in Bezug auf die bestehende Polarisationsrichtung ab, da der Pinning-Mechanismus bestehende Polarisations-Selektionsmechanismen vor dem Einstellen der Polarisation auf seine eigene Richtung bewältigen muss. Die Tiefe muss in Multimodusvorrichtungen ebenfalls hinreichend groß sein, so dass alle Modi polarisiert werden, worauf man diesbezüglich achtsam sein muss, da Modi höherer Ordnung häufig mit orthogonalen Polarisationen erzeugt werden.
Eine Bestimmung der Hohlraumverluste, die mit jedem Polarisationszustand einhergehen, wird durch Messen der in Bezug auf die Polarisation aufgelösten Linienbreiten unter der Schwelle durchgeführt. Aus der 14 geht hervor, dass die gemessenen Hohlraumverluste, die man durch den dominanten Polarisationszustand erfährt, kleiner sind als diejenigen vor dem stark unterdrückten Zustand. Vor dem Ätzen wurde keine Spektralaufteilung beobachtet, und die Hohlraumverluste der beiden Polarisationszustände wurden für ähnlich befunden. Tatsächlich stellte sich heraus, dass bei optischen Injektionsmessungen, wobei der photoerzeugte Strom aus einer VCSEL bei Verwendung als Detektor gemessen wird, eine polarisationsabhängige Absorption nach dem Ätzen vorliegt, wobei dies eine Modifikation in Bandrand anzeigt, die möglicherweise durch einen spannungsabhängigen Effekt betrieben wird.
Eine erfindungsgemäße Laserdiode kann mehr als einen Hohlraum enthalten, beispielsweise wie in den 16 und 17 gezeigt. In der 16 sind zwei parallele Hohlräume gezeigt, und zwar jeweils einer an jeder Seite der Öffnung 22 der Vorrichtung. Die 17 zeigt eine Vorrichtung mit einem Paar orthogonaler Ätzungen.
In dem in der 16 gezeigten Beispiel ist die Polarisationsrichtung mit der Richtung der beiden Hohlräume ausgerichtet. Das Beispiel der 17 kann dazu verwendet werden, die Hohlraumzunahme der beiden orthogonalen Polarisationen gleich zu setzen.

Claims

Halbleiterlaservorrichtung (10) mit Lichtabstrahlung senkrecht zur Halbleiterebene, welcher einen Hohlraum (11) aufweist, der innerhalb des Körpers (13, 14, 15, 16, 17, 18) der Vorrichtung ausgebildet ist, so dass, wenn die Vorrichtung in Benutzung ist, die Polarisationsrichtung des von der Vorrichtung emittierten Lichtes im Wesentlichen mit der Grenze des Hohlraums (11) ausgerichtet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, aufweisend ein Substrat (17), eine untere Spiegelstruktur (15), die vom Substrat getragen wird, einen aktiven Bereich (16), der durch die untere Spiegelstruktur getragen wird, und eine obere Spiegelstruktur (14), die durch den aktiven Bereich getragen wird, und einen Kontaktbereich (13), der von der oberen Spiegelstruktur getragen wird, wobei der Kontaktbereich eine Öffnung (12) begrenzt, durch die das Laserlicht emittiert wird, wenn die Diode in Verwendung ist.
Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei zumindest eine der Spiegelstrukturen eine verteilte Bragg-Reflektorstruktur ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Hohlraum durch eine längliche Furche (11) dargestellt wird, die sich von einer äußeren Oberfläche des Körpers der Vorrichtung in deren Körper hinein erstreckt.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Hohlraum mit einem Bereich eines Materials gefüllt ist, das vom Material des Körpers der Vorrichtung verschieden ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, aufweisend eine Anzahl solcher Hohlräume (21₁ , 21₂ , 31₁ , 32₂ ), wobei die Polarisationsrichtung des von der Vorrichtung emittierten Lichts, wenn sie in Gebrauch ist, durch die Hohlräume bestimmt wird.
Vorrichtung nach Anspruch 6, aufweisend ein Paar im Wesentlichen parallele längliche Hohlräume (21₁ , 21₂ ), wobei die Polarisationsrichtung des emittierten Lichts im Wesentlichen mit der Längsrichtung der Hohlräume ausgerichtet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 6, aufweisend ein Paar im Wesentlichen orthogonale längliche Hohlräume (31₁, 31₂ ).
Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Hohlraum von einem Furchenbereich (11) gebildet wird, der sich durch den Kontaktbereich (13) in die Vorrichtung gegen den aktiven Bereich (16) erstreckt.
Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, aufweisend Halbleitermaterialien, welche die Lichtemission im Wellenlängenbereich von 400 nm bis 4000 nm ermöglichen.
Verfahren zum Polarisieren von Licht, aufweisend das Ausbilden eines Hohlraums im Körper einer Halbleiterlaservorrichtung mit Lichtemission senkrecht zur Halbleiterfläche, so dass die Polarisationsrichtung von Licht, das von der Vorrichtung bei der Verwendung emittiert wird, im Wesentlichen mit einer Grenze des Hohlraums ausgerichtet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 11, aufweisend das Ausbilden eines Furchenbereichs im Körper der Vorrichtung, welcher Furchenbereich sich von einer äußeren Oberfläche der Vorrichtung aus erstreckt.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, aufweisend das Füllen des Hohlraums oder Furchenbereichs mit einem Material, das von demjenigen der Vorrichtung verschieden ist.