DE69832851T2

DE69832851T2 - Stromquellenschaltung

Info

Publication number: DE69832851T2
Application number: DE69832851T
Authority: DE
Inventors: Hiroshi 1-1 Shibaura 1-chome Okada; Naoki 1-1 Shibaura 1-chome Itoh
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-07-14
Filing date: 1998-07-14
Publication date: 2006-08-10
Anticipated expiration: 2018-07-15
Also published as: EP0892333A2; JP3400354B2; EP0892333A3; US5966007A; KR19990013801A; JPH1188073A; DE69832851D1; KR100284964B1; EP0892333B1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiter-Schaltung, die bipolare Transistoren und im genaueren eine Stromquellenschaltung verwendet, die bezüglich der Variation in dem Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis aufgrund der Dispersionen von Elementen und der Veränderung der Außentemperatur verbessert wurde.
1 stellt die konstitutionelle Anordnung einer konventionellen synchronen Detektionsschaltung als ein Beispiel einer integrierten Halbleiter-Schaltung dar, die mit einer Stromquellenschaltung versehen ist.
In dieser synchronen Detektionsschaltung ist ein auf einer DC-Vorspannung VB überlagerndes Eingangssignal VIN der Basis eines NPN-Transistors Q1 zugeführt. Des weiteren sind zwei Paare von NPN-Transistoren Q2, Q3 und Q4, Q5, die auf so eine Weise angeordnet, dass die Emitter der Transistoren in den entsprechenden Paaren miteinander verbunden sind, im Synchronismus mit Schaltsteuersignalen SW1, SW2 gesteuert, die den Basen der entsprechenden Transistoren zugeführt sind, wobei von den allgemeinen Kollektoren der Transistoren Q3, Q5, ein Detektionsausgangssignal OUT abgeleitet ist.
In diesem Fall besteht eine Stromspiegelschaltung (Stromquellenschaltung) 10, die als eine Last für die Transistoren Q2, Q3, Q4 und Q5 verwendet wird, aus PNP-Transistoren Q6, Q7, Q8 und Q9, einen NPN-Transistor Q10 und Widerständen R1, R2 und R3.
In dieser Stromspiegelschaltung 10 ist der Emitter des Transistors Q6 mit einem Spannungsknoten 11 durch den Widerstand R1 verbunden. Eine positive DC-Vorspannung VA wird dem Knoten 11 zugeführt. Der Kollektor des Transistors Q6 ist mit einer Stromeingangsklemme 12 verbunden. Mit dieser Stromeingangsklemme 12 sind auch die jeweiligen Kollektoren der Transistoren Q2, Q4 verbunden. Der Emitter des Transistors Q7 ist mit dem Spannungsknoten 11 durch den Widerstand R2 verbunden. Die Basis des Transistors Q7 ist gemeinsam verbunden mit der Basis des Transistors Q6, und der Kollektor davon ist mit einer Stromausgangsklemme 13 verbunden. Mit dieser Stromausgangsklemme 13 sind auch die jeweiligen Kollektoren der Transistoren Q3, Q5 verbunden. Der Emitter des Transistors Q9 ist mit dem Spannungsknoten 11 über den Widerstand R3 verbunden. Die Basis und der Kollektor des Transistors Q9 sind mit den Basen der Transistoren Q6 und Q7 verbunden. Der Transistor Q9 und der Widerstand R3 sind bereitgestellt, um die Stromspiegelschaltung 10 vom oszillieren abzuhalten.
Der Kollektor des Transistors Q10 ist mit der gemeinsamen Basis der Transistoren Q6 und Q7 verbunden. Der Emitter des Transistors Q10 ist mit dem Emitter des Transistors Q8 verbunden. Die Basis des Transistors Q8 ist mit dem Kollektor des Transistors Q6 verbunden, während der Kollektor des Transistors Q8 mit einem Spannungsknoten 14 verbunden ist, der geerdet ist.
Ferner speist die Schaltung, die aus NPN-Transistoren Q11, Q12, Q13 und Q14, Widerständen R4 und R5 und Konstant-Stromquellen I1, I2, I3 und I4 besteht, den gemeinsamen Emitter der Transistoren Q2, Q3 und den gemeinsamen Emitter der Transistoren Q4, Q5 mit einem Strom, der mit dem Eingangssignal VIN korrespondiert oder einem Strom, der mit der konstanten Spannung, die durch eine Konstant-Spannungsgenerierungsschaltung generiert wird, korrespondiert, die später beschrieben wird, wobei die Schaltung wie folgt aufgebaut ist:
Die Basen der Transistoren Q11, Q12 sind mit dem Emitter des Transistors Q1 verbunden. Der Kollektor des Transistors Q11 ist mit einem Knoten N1 verbunden, dem die konstante Spannung zugeführt wird, während dessen Emitter durch die Konstant-Stromquelle I1 mit dem geerdeten Spannungsknoten 14 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q12 ist mit dem gemeinsamen Emitter der Transistoren Q2, Q3 verbunden, während deren Emitter mit dem Spannungsknoten 14 durch die Konstant-Stromquelle I2 verbunden ist. Die Basen der Transistoren Q13, Q14 sind mit dem Knoten N1 verbunden. Der Kollektor des Transistors Q13 ist mit dem gemeinsamen Emitter der Transistoren Q4, Q5 verbunden, während deren Emitter mit dem Spannungsknoten 14 durch die Konstant-Stromquelle I3 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q14 ist mit dem Emitter des Transistors Q1 verbunden, während dessen Emitter mit dem Spannungsknoten 14 durch die Konstant-Stromquelle I4 verbunden ist.
Des weiteren ist der Widerstand R4 zwischen den Emittern der Transistoren Q12, Q13 verbunden, während zwischen den Emittern der Transistoren Q11, Q14 der Widerstand R5 verbunden ist.
Die Schaltung bestehend aus PNP-Transistoren Q15, Q16, Q17 NPN-Transistoren Q18, Q19, und einem Widerstand R6 bilden eine Konstantspannungserzeugungsschaltung. Das heißt, der Emitter des Transistors Q15 ist durch den Widerstand R6 mit dem Spannungsknoten 11 verbunden. Der Emitter des Transistors Q16 ist mit dem Spannungsknoten 11 verbunden, während dessen Basis mit der Basis des Transistors Q15 verbunden ist. Des weiteren sind die Basis und der Kollektor des Transistors Q16 miteinander kurzgeschlossen. Der Kollektor und die Basis des Transistors Q18 sind mit dem Kollektor des Transistors Q15 verbunden. Des weiteren ist ein gemeinsamer Verbindungsknoten 2 zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors Q18 mit der Basis des Transistors Q10 verbunden. Der Emitter des Transistors Q17 ist mit dem Emitter des Transistors Q18 verbunden.
Der Kollektor des Transistors Q19 ist mit dem Kollektor des Transistors Q16 verbunden. Des weiteren sind die Basen der Transistoren Q17, Q19 gemeinsam miteinander verbunden, und diesen gemeinsam miteinander verbundenen Basen ist eine DC-Vorspannung VB zugeführt. Der Kollektor des Transistors Q17 ist mit dem Spannungsknoten 14 verbunden, und der Emitter des Transistors Q19 ist mit dem Knoten N1 verbunden.
Nebenbei erwähnt ist in einer Stromspiegelschaltung im allgemeinen eine Vorrichtung zum Korrigieren des Fehlers in dem Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis, das durch Basisströme der Transistoren usw. verursacht wird, bereitgestellt; und in dem in 1 dargestellten Fall der Stromspiegelschaltung 10 sind die Transistoren Q8 und Q10 zum Korrigieren des Fehlers in dem Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis, verursacht durch den Basisstrom der Transistoren Q6, Q7 und dem Basis-Kollektorstrom des Transistors Q9, bereitgestellt, und des weiteren ist ein Strom mit einem Wert, der mit den Strömen die den Fehler verursachen korrespondieren, wird dazu gebracht, zu dem Erdspannungsknoten durch den Widerstand Q8 zu fließen.
Der Basisstrom selber des korrigierenden Transistors Q8 gesellt sich jedoch zu dem Kollektorstrom des Transistors Q6; und somit verursacht der Basisstrom einen Fehler in dem Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis der Stromspiegelschaltung.
Aufgrund dessen ist in der in 1 dargestellten Schaltung ferner eine Korrekturschaltung 20 bereitgestellt, um den durch den Basisstrom des Transistors Q8 erzeugten Fehler zu korrigieren.
Diese Korrekturschaltung 20 besteht aus PNP Transistoren Q20, Q21 und einem Widerstand R7. Das heißt, der Emitter des Transistors Q20 ist durch den Widerstand R7 mit dem Spannungsknoten 11 verbunden, während dessen Basis mit der gemeinsamen Basis der Transistoren Q6, Q7 in der Stromspiegelschaltung 10 verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q21 ist mit dem Kollektor des Transistors Q20 verbunden, dessen Basis ist mit dem Kollektor des Transistors Q7 in der Stromspiegelschaltung verbunden, und dessen Kollektor mit dem Spannungsknoten 14 verbunden.
In der Korrekturschaltung 20 bildet der Transistor Q20 einen Stromspiegel zusammen mit dem Transistor Q6 in der Stromspiegelschaltung 10. Des weiteren wird durch Setzen des Wertes des Widerstandes R7, so dass die Basisströme der Transistoren Q8 und Q21 zueinander gleich werden können, die Summe des Kollektorstromes des Transistors Q6 und des Basisstromes des Transistors Q8 und die Summe des Kollektorstromes des Transistors Q7 und des Basisstromes des Transistors Q21 aneinander angeglichen. Dadurch wird der Fehler in dem Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis, der durch den Basisstrom des Transistors Q8 verursacht wird, korrigiert.
Nebenbei erwähnt wird in der in 1 dargestellten konventionellen Schaltung der Wert des Basisstroms des Transistors Q8 l/hfe (wobei hfe für den Stromverstärkungsfaktor steht) mal so groß wie die Gesamtsumme des Basisstroms des Transistors Q6, des Basisstroms des Transistors Q7, des Basisstroms und Kollektorstroms des Transistors Q9 und des Basisstroms des Transistors Q20. Die Korrektur für den Basisstrom des Transistors Q8 wird lediglich durch den Basisstrom (der l/hfe mal so groß wie der Kollektorstrom des Transistors Q20 ist) des Transistors Q21 gemacht.
Dadurch wird, selbst wenn der Wert des Basisstroms des Transistors Q21 unter einer bestimmten Voraussetzung gesetzt oder justiert wird, ein Ungleichgewicht zwischen den Basisströmen der Transistoren Q8 und Q21 aufgrund der Dispersionen der Elemente und der Variation in der Außentemperatur hervorgerufen. Als ein Ergebnis entsteht ein Problem, das die Werte der Ströme, die zu dem Knoten 13 fließen, an dem das Detektionsausgangssignal OUT abgeleitet wird, und zu dem Knoten N3, der mit dem Knoten 13 gepaart ist, und der gemeinsame Kollektorknoten der Transistoren Q2, Q4 ist, variieren aufgrund der Dispersionen der Elemente und der Variation in der Außentemperatur, wodurch das Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis zu variieren anfängt.
Des weiteren ist das Potential an dem Knoten N3, der mit dem Knoten an dem das Detektionsausgangssignal OUT abgeleitet ist, gepaart, durch das VB + VBE (Q17) + VBE (Q18) – VBE (Q10) – VBE (Q8), bestimmt, wobei VBE (Qi) (i = 1, 2 ...) für die Basis-Emitterspannungen der jeweiligen Transistoren steht. Jedoch wird das Potential an dem Knoten, an dem das Detektionsausgangssignal OUT erhalten wird, nicht bedingungslos bestimmt, wodurch es dazwischenliegend wird. Aus diesem Grund wird auch das Problem verursacht, dass die Werte der Emitter-Kollektorspannungen VCE der Transistoren Q6 und Q7 unterschiedlich zueinander werden; und die Kollektorströme der Transistoren Q6 und Q7 werden durch den Einfluss des frühen Effekts unausgeglichen.
Somit ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Stromquellenschaltung, die auf eine solche Art aufgebaut ist, das das Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis der Stromspiegelschaltung immer konstant beibehalten werden kann, ohne durch Dispersionen der Elemente und der Variation der Außentemperaturen beeinflusst zu werden, bereitzustellen.
Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Stromquellenschaltung, die auf eine solche Weise aufgebaut ist, das das Erscheinen einer Unausgeglichenheit zwischen den Kollektorströmen durch den Einfluss des frühen Effekts basierend auf der Differenz zwischen den Emitter-Kollektorspannungen eines Paares von Transistoren, die eine Stromspiegelschaltung aufbauen, verändert werden kann, bereitzustellen.
Nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine Stromquellenschaltung bereitgestellt, die umfasst: einen ersten Spannungsknoten an dem eine erste Spannung angelegt ist;
einen zweiten Spannungsknoten an dem eine zweite Spannung, die kleiner ist als die erste Spannung, angelegt ist;
eine Stromspiegelschaltung mit einem ersten Transistor einer ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des ersten Transistors mit dem ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, einem zweiten Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des zweiten Transistors mit dem ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis des zweiten Transistors gemeinsam mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist, und einen dritten Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des dritten Transistors an einen Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors gekoppelt ist, und wobei die Basis des dritten Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, und wobei der Kollektor des dritten Transistors mit dem zweiten Spannungsknoten verbunden ist, und einen neunten Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des neunten Transistors mit dem ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis und der Kollektor des neunten Transistors mit dem Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors verbunden ist, und wobei die Kollektoren des ersten und zweiten Transistors als Stromeingangs- und ausgangsklemmen der Stromspiegelschaltung benutzt werden.
In dieser Stromquellenschaltung ist erfinderisch eine Korrekturschaltung bereitgestellt mit einem vierten Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des vierten Transistors an den ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, einen fünften Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des fünften Transistors an den ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis des fünften Transistors gemeinsam mit der Basis des vierten Transistors verbunden ist, und wobei der Kollektor des fünften Transistors mit dem zweiten Spannungsknoten verbunden ist, einen sechsten Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des sechsten Transistors an den ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis des sechsten Transistors gemeinsam mit den Basen des vierten und fünften Transistors verbunden ist, einen siebten Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des siebten Transistors mit einem Basisverbindungsknoten des vierten, fünften und sechsten Transistors verbunden ist, und wobei die Basis des siebten Transistors mit dem Kollektor des vierten Transistors verbunden ist, und wobei der Kollektor des siebten Transistors mit dem Kollektor des sechsten Transistors verbunden ist und einen achten Transistor der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des achten Transistors mit dem Kollektor des siebten Transistors verbunden ist, und wobei die Basis des achten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, und wobei der Kollektor des achten Transistors mit dem zweiten Spannungsknoten verbunden ist.
Nach einem speziellen Design dieser Ausführungsform der Erfindung ist der Emitter des dritten Transistors direkt mit dem Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors verbunden.
Nach einem anderen speziellen Design dieser Ausführungsform der Erfindung, um in der Stromspiegelschaltung den Emitter des dritten Transistors an den Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors zu koppeln,
die Stromspiegelschaltung ferner einen weiteren Transistor der zweiten Polarität gegensätzlich zu der ersten Polarität umfasst, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Kollektor des weiteren Transistors mit dem Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors verbunden ist, und wobei der Emitter des weiteren Transistors mit dem Emitter des dritten Transistors verbunden ist; und
die Korrekturschaltung ferner einen neunten Transistor der zweiten Polarität umfasst, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis und der Kollektor des neunten Transistors mit der Basis des weiteren Transistors verbunden ist, und wobei der Emitter des neunten Transistors mit dem Emitter des achten Transistors verbunden ist.
Spezielle Eigenschaften von vorteilhaften Ausführungsformen der Erfindung definieren den Inhalt der beigefügten Unteransprüche.
Diese Zusammenfassung der Erfindung beschreibt nicht notwendigerweise alle notwendigen Eigenschaften, so dass die Erfindung auch eine Unterkombination dieser beschriebenen Eigenschaften sein kann.
Diese Erfindung kann umfassender verstanden werden durch die folgende detaillierte Beschreibung, wenn diese in Kombination mit den beigefügten Zeichnungen genommen wird, in denen:
1 ist ein Schaltungsdiagramm einer konventionellen Synchrondetektionsschaltung;
2 ist ein Schaltungsdiagramm der Synchrondetektionsschaltung nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
3 ist ein Schaltungsdiagramm der Synchrondetektionsschaltung nach einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
4 ist ein Schaltungsdiagramm der synchronen Detektionsschaltung nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
5 ist ein Schaltungsdiagramm der Synchrondetektionsschaltung nach einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und
6 ist ein Schaltungsdiagramm der Synchrondetektionsschaltung nach einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun im Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
2 ist ein Schaltungsdiagramm der integrierten Halbleiter-Schaltung nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; als die integrierte Halbleiter-Schaltung ist eine Synchrondetektionsschaltung exemplarisch dargestellt wie in dem Fall der konventionellen integrierten Halbleiter-Schaltung. In der folgenden Beschreibung werden die einzelnen Teile, die mit denen in 1 dargestellten konventionellen Schaltung übereinstimmen durch die gleichen Bezugszeichen referenziert.
Der Basis eines NPN-Transistors Q1 ist eine Eingangssignal VIN zugeführt, das einer DC-Vorspannung VB überlagert ist. In dem Fall der in 1 dargestellten konventionellen Schaltung ist der Kollektor dieses Transistors Q1 mit dem Spannungsknoten 11 verbunden, an dem die DC-Vorspannung VA angelegt ist, aber in dieser Ausführungsform ist der Kollektor des Transistors Q1 mit einem vorbestimmten Knoten in einer später zu beschreibenden Korrekturschaltung verbunden.
Die Emitter jeder von zwei Paaren von NPN-Transistoren Q2, Q3 und Q4, Q5 sind gemeinsam miteinander verbunden, und den Basen der Transistoren Q2 und Q5 ist ein Schaltungssteuerungssignal SW1 zugeführt, während den Basen der Transistoren Q3, Q4 ein Schaltungssteuerungssignal SW2 zugeführt ist. Die Kollektoren der Transistoren Q2, Q4 sind gemeinsam miteinander verbunden, und die Kollektoren der Transistoren Q3, Q5 sind gemeinsam miteinander verbunden. Des weiteren ist von einem gemeinsamen Verbindungsknoten der Kollektoren der Transistoren Q3, Q5 ein Detektionsausgangssignal OUT abgeleitet.
Eine als Last für die Transistoren Q2, Q3, Q4 und Q5 verwendete Stromspiegelschaltung 10 besteht aus PNP-Transistoren Q6, Q7, Q8 und Q9, einem NPN-Transistor Q10 und Widerständen R1, R2 und R3.
In der Stromspiegelschaltung 10 ist der Emitter des Transistors Q6 durch den Widerstand R1 mit dem Spannungsknoten 11 verbunden, an dem eine positive DC-Vorspannung VA angelegt ist. Der Kollektor des Transistors Q6 ist mit einer Spannungseingangsklemme 12 verbunden. Mit dieser Stromeingangsklemme 12 ist der gemeinsame Kollektor der Transistoren Q2, Q4 verbunden. Der Emitter des Transistors Q7 ist durch den Widerstand Q2 mit dem Spannungsknoten 11 verbunden. Die Basis des Transistors Q7 ist mit der Basis der Transistors Q6 verbunden, während dessen Kollektor mit einer Stromausgangsklemme 13 verbunden ist. Mit dieser Stromspiegelklemme 13 ist der gemeinsame Kollektor der Transistoren Q3, Q5 verbunden. Der Emitter des Transistors Q9 ist durch den Widerstand R3 mit dem Spannungsknoten 11 verbunden. Die Basis und der Kollektor des Transistors Q9 sind mit der gemeinsamen Basis der Transistoren Q6, Q7 verbunden.
Der Transistor Q9 und der Widerstand R3 sind bereitgestellt, um die Stromspiegelschaltung vom Oszillieren abzuhalten.
In dem Fall der synchronen Detektionsschaltung nach dieser Ausführungsform ist eine neue Korrekturschaltung 30 anstelle der konventionellen Korrekturschaltung 20 bereitgestellt. Diese Korrekturschaltung 30 beinhaltet PNP-Transistoren Q31, Q32, Q33 und Q34, einen NPN-Transistor Q35, und Widerstände R11, R12.
Diese Korrekturschaltung 30 korrigiert den Basisstrom des Transistors Q8 in dem Stromspiegel 10 und korrigiert gleichzeitig den unausgeglichenen Zustand der Kollektorströme, basierend auf den frühen Effekt der Transistoren Q6 und Q7.
Die PNP-Transistoren Q31 und Q32 entsprechen den Transistoren Q6 und Q7 in der Stromspiegelschaltung 10; und die Basen der Transistoren Q31 und Q32 sind gemeinsam miteinander verbunden wie in dem Fall der Transistoren Q6, Q7. Des weiteren entsprechen die Widerstände R11 und R12 den Widerständen R1, R2 in der Stromspiegelschaltung 10, und durch die Widerstände R11, R12 sind die Transistoren Q31, Q32 mit dem Spannungsknoten 11 verbunden, an den die DC-Vorspannung VA angelegt ist.
Der Emitter des Transistors Q33 ist mit der gemeinsamen Basis der Transistoren Q31, Q32 verbunden, während deren Basis mit dem Kollektor des Transistor Q31 verbunden ist. Des weiteren ist der Emitter des Transistors Q34 mit dem Kollektor des Transistors Q33 verbunden, während dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors Q7 in der Stromspiegelschaltung 10 verbunden ist, während dessen Kollektor mit dem geerdeten Spannungsknoten 14 verbunden ist.
Der Kollektor und die Basis des Transistors Q35 sind mit dem Kollektor des Transistors Q32 verbunden und auch mit einem Knoten N2, zu dem die Basis des Transistors Q10 in der Stromspiegelschaltung 10. Der Emitter des Transistors Q35 ist mit dem Emitter des Transistors Q34 verbunden. Der Kollektor des Transistors Q34 ist mit dem Knoten 14 verbunden.
Des weiteren ist in der Schaltung nach dieser Ausführungsform ein NPN-Typ Transistor Q22 bereitgestellt, um eine konstante Spannung an den oben erwähnten Knoten N1 anzulegen. Das heißt, der Kollektor des Transistors Q22 ist mit dem Kollektor des oben erwähnten Transistors Q1 verbunden und auch mit dem Kollektor des Transistors Q31, dessen Emitter mit dem Knoten N1 verbunden ist, und an dessen Basis eine DC-Vorspannung VB angelegt ist.
Das Stromverhältnis der Konstant-Stromquellen I1, I2, I3 und I4 sind gesetzt auf 1 : 2 : 2 : 1.
In dieser Synchrondetektionsschaltung sind die Transistoren Q31 bis Q35 und die Widerstände R1 und R12 in der Korrekturschaltung 30 bereitgestellt, um dadurch innerhalb der Korrekturschaltung 30 einen Stromspiegel identisch mit dem Stromspiegel bestehend aus den Transistoren Q6, Q7, Q10, Q8 und den Widerständen R1, R2 in der Stromspiegelschaltung 10, zu bilden, und des weiteren ist der Transistor Q35 auf so eine Weise bereitgestellt, dass dessen Basis-Emitterstrompfad zwischen dem Emitter des Transistors Q34 und der Basis des Transistors Q10 in der Stromspiegelschaltung 10 eingefügt ist.
Des weiteren ist, um eine konstante Spannung zu erzeugen, die an den Knoten N1 anzulegen ist, der den Transistor Q1 entsprechende Transistor Q22 hinzugefügt.
Ferner können in der Stromspiegelschaltung 10 die Widerstände R1 bis R3 weggelassen werden, aber in dem Fall, wo sie weggelassen werden, können die Widerstände R11 und R12 in der Korrekturschaltung 30 weggelassen werden.
Wie für die in 2 dargestellte Schaltung fließt in der Stromspiegelschaltung 10 der Basisstrom des Transistors Q8 in den Kollektor des Transistors Q6 von der gemeinsamen Basis der Transistoren Q6, Q7 durch den Kollektor-Emitterstrompfad des Transistors Q10 und durch den Emitter-Basisstrompfad des Transistors Q8.
Andererseits fließt in der Korrekturschaltung 30 der Basisstrom des Transistors Q34 in den Kollektor des Transistors Q7 von der gemeinsamen Basis der Transistoren Q31, Q32 durch den Emitter-Kollektorstrompfad des Transistors Q32 und durch den Emitter-Basisstrompfad des Transistors Q34.
Aufgrund dessen werden verschiedene Beschaffenheiten, wie die Elementgrößen der Transistoren Q6 und Q31, der Transistoren Q7 und Q32, der Transistoren Q10 und Q35 und der Transistoren Q8 und Q34, und die Widerstandswerte der Widerstände R1 und R11, und der Widerstände R2 und R12 aneinander angeglichen, wobei der Basisstrom des Transistors Q8 in etwa auf den selben Wert des Basisstroms des Transistors Q34 gesetzt werden kann.
Hier muss angemerkt werden, dass wenn Dispersionen unter den Elementen verursacht werden, wenn diese hergestellt werden, die Dispersionen der Elemente, die bezüglich der verschiedenen Beschaffenheiten gleich sind, zueinander angeglichen werden, so dass die Werte der zwei Basisströme gleich variieren im Zusammenhang mit den Dispersionen der Elemente. Ferner wird bemerkt, dass im Fall der Berücksichtigung der Außentemperatur der die Schaltungsanordnung des Teils der Korrekturschaltung 30, in dem der Basisstrom des Transistors Q34 erzeugt wird, in etwa gleich mit dem in der Stromspiegelschaltung 10 ist, die Variationen der zwei Basisströme aufgrund der Variation der Außentemperatur zueinander gleich werden. Als ein Resultat kann das Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis der Stromspiegelschaltung konstant gehalten werden, ohne von den Dispersionen der Elemente und der Variation der ermutigten Temperatur beeinflusst zu werden.
Andererseits nimmt die Spannung am Knoten N3 (die Stromeingangsklemme 12 der Stromspiegelschaltung 10), der ein gemeinsamer Kollektorknoten der Transistoren Q2, Q4 ist, den Wert an, der auf so eine Weise bestimmt wird, dass die Spannung an dem Knoten (die Stromausgangsklemme 13 der Stromspiegelschaltung 10), an dem das Detektionsausgangssignal OUT ausgeleitet wird, durch einen Wert erhöht wird, der mit den entsprechenden Basis-Emitterspannungen VBE der Transistoren Q34, Q35 korrespondiert, und der resultierende Spannungswert wird durch einen Wert gemindert, der mit den entsprechenden Basis-Emitterspannungen VBE der Transistoren Q10, Q8 korrespondiert. Hier kann sicher davon ausgegangen werden, dass die entsprechende VBE eines PNP-Transistors und die eines NPN-Transistors zueinander gleich sind, so dass die Spannung an dem Knoten N3 gleich ist mit der Spannung an dem Knoten, an dem das Detektionsausgangssignal OUT abgeleitet wird. Als ein Resultat können die Emitter-Kollektorspannungen VCE der Transistoren Q6 und Q7 aneinander angeglichen werden; und somit kann das Problem, das durch den Einfluss des frühen Effekts, der durch den Umstand, dass die Werte der jeweiligen Emitter-Kollektorspannungen VCE von einander unterschiedlich sind, die Kollektorströme der Transistoren Q6 und Q7 unausgeglichen sind, gelöst werden.
Ferner wird die Spannung an dem Knoten N1 eine konstante Spannung, die einen um die Basis-Emitterspannung des Transistors Q22 niedrigeren Wert als die DC-Vorspannung aufweist.
3 stellt die Aufbauanordnung der integrierten Halbleiter-Schaltung nach einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. In dieser in 3 dargestellten Schaltung sind die aufbauenden Teile, die mit denen der Schaltung nach der in 2 dargestellten Ausführungsform korrespondieren, durch die selben Bezugszeichen referenziert.
Die Synchrondetektionsschaltung nach dieser zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von der in 2 dargestellten Synchrondektionsschaltung dadurch, dass der Transistor Q10 in dem Stromspiegel 10 weggelassen ist, dass der Emitter des Basisstromkorrekturtransistors Q8 direkt mit der gemeinsamen Basis der Transistoren Q6 und Q7 verbunden ist, und dass anstelle der in 2 dargestellten Korrekturschaltung 30 eine andere Korrekturschaltung 40 bereitgestellt ist.
Die Korrekturschaltung 40 unterscheidet sich von der in 2 dargestellten Korrekturschaltung 30 dadurch, dass der Transistor Q35 in Verbindung mit der Tatsache, dass der Transistor Q10 in der Stromspiegelschaltung 10 weggelassen ist, weggelassen ist, und dass ein PNP-Transistor Q36 und ein Widerstand R13 neu hinzugefügt sind. Aufgrund des Weglassens des Transistors Q35 ist der Kollektor des Transistors Q32 mit dem Emitter des Transistors Q34 verbunden.
Des weiteren ist der Emitter des neu hinzugefügten Transistors Q36 durch den Widerstand R13 mit einem Spannungsknoten 11 verbunden, an dem die DC-Vorspannung VA angelegt ist. Des weiteren ist die Basis des Transistors Q36 mit dem Basisverbindungsknoten der Transistoren Q31, Q32 verbunden, und deren Kollektor ist mit dem geerdeten Spannungsknoten 14 verbunden.
Ferner können im Fall der zweiten Ausführungsform die Widerstände R1 bis R3 in der Stromspiegelschaltung 10 weggelassen werden, aber in dem Fall des Weglassens der Widerstände können die Widerstände R11 bis R13 auf der Seite der Korrekturschaltung 40 weggelassen werden.
Mit einer solchen Aufbauanordnung in der Stromspiegelschaltung 10 fließt der Basisstrom des Transistors Q8 in den Kollektor des Transistors Q6 von der gemeinsamen Basis der Transistoren Q6 und Q7 durch den Emitter-Basisstrompfad des Transistors Q8.
Hier muss erwähnt werden, dass der Basisstrom des Transistors Q8 in der Stromspiegelschaltung 10 l/hfe der gesamten Summe des Basisstroms des Transistors Q6, des Basisstroms und des Kollektorstroms des Transistors Q9 und des Basisstroms des Transistors Q7 ist, das heißt, l/hfe der gesamten Summe der Basisströme der drei Transistoren und der Kollektorströme eines Transistors; und somit kann der Basisstrom des Transistors Q8 dargestellt werden als (Ic + 3Ib)/hfe wobei Ib für den Basisstrom steht und Ic für einen Kollektorstrom steht.
Andererseits wird in der Korrekturschaltung 40 der Kollektorstrom des Transistors Q33 3Ib – α, das geringfügig kleiner ist als die gesamte Summe der Basisströme der drei Transistoren Q31, Q32 und Q36. Zu dem Kollektor des Transistors Q34 kommen der Kollektorstrom des Transistors Q33 und der Kollektorstrom des Transistors Q32 zusammen, so dass, wenn davon ausgegangen wird, das Ic für den Kollektorstrom des Transistors Q32 steht, dann der Kollektorstrom des Transistors Q34 dargestellt ist durch (Ic + 3Ib – α), und der Basisstrom des Transistors Q34 ist dargestellt als (Ic + 3Ib)/hfe. Hier ist das α/hfe genügend klein verglichen mit (Ic + 3Ib)/hfe, so dass der Basisstrom des Transistors Q8 und der Basisstrom des Transistors Q34 sicher als in etwa gleich zueinander betrachtet werden können.
Hier muss angemerkt werden, dass im Fall, dass Dispersionen unter den Elementen hervorgerufen werden, wenn diese hergestellt werden, Dispersionen der Elemente die bezüglich der unterschiedlichen Bedingungen zueinander gleich werden, so dass die Werte der zwei Basisströme gleich variieren in Übereinstimmung mit den Dispersionen der Elemente. Ferner wird herausgestellt, dass im Fall, dass die Außentemperatur berücksichtigt wird, dass die Schaltungsanordnung des Teils der Korrekturschaltung 40, in der der Basisstrom des Transistors Q34 in etwa gleich generiert wird wie in der Stromspiegelschaltung 10, die Variationen der zwei Basisströme aufgrund der Variationen in der Außentemperatur auch gleich werden.
Als ein Resultat ist es in dem Fall der in 3 dargestellten Ausführungsform auch möglich, dass Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis der Stromspiegelschaltung konstant zu halten, ohne von den Dispersionen der Elemente und der Variation der Außentemperatur beeinflusst zu sein.
Als nächstes wird eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu 4 beschrieben. Die Synchrondetektionsschaltung nach dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der in 3 dargestellten Synchrondetektionsschaltung dadurch, dass anstelle der in 3 dargestellten Korrekturschaltung 40 eine andere Korrekturschaltung 50 bereitgestellt ist. Die Korrekturschaltung 50 unterscheidet sich von der in 3 dargestellten Korrekturschaltung 40 dadurch, dass ein NPN-Transistor Q37 und eine Konstantstromquelle I5 neu hinzugefügt werden.
Der Kollektor des neu hinzugefügten Transistors Q37 ist mit dem Spannungsknoten 11, an dem die DC-Vorspannung VA angelegt ist, verbunden, und dessen Basis ist mit dem Kollektor des Transistors Q32 verbunden. Des weiteren ist der Emitter des Transistors Q37 durch die Konstantstromquelle I5 mit dem geerdeten Spannungsknoten 14 verbunden.
Wie an dem Kollektor des Transistors Q31 in der Korrekturschaltung 50 dargestellt fließen die Basisströme der Transistoren Q11 bis Q14 und die Kollektorströme der Transistoren Q11 und Q14 durch den Transistor Q1 oder Q22. Das heißt, dass der Kollektorstrom des Transistors Q31 durch einen Betrag gesteigert wird, der mit dem durch diese Transistoren Q11 bis Q14 fließenden Strom korrespondiert. Als Antwort darauf wird der Kollektorstrom des Transistors Q32 auch erhöht als ein Resultat davon, dass eine Diskrepanz zwischen dem Basisstrom des Transistors Q8 in der Stromspiegelschaltung 10 und dem Basisstrom des Transistors Q34 in der Korrekturschaltung in einigen Fällen verursacht wird.
In der Korrekturschaltung 50 nach dieser Ausführungsform kann der erhöhte Betrag des Kollektorstroms des Transistors Q32 aufgrund der durch die Transistoren Q11 bis Q14 fließenden Ströme dazu gebracht werden, wie der Basisstrom zu dem Transistor Q37 zu fließen, so dass der Unterschied zwischen dem Basisstrom des Transistors Q8 in der Stromspiegelschaltung 10 und dem Basisstrom des Transistors Q34 in der Korrekturschaltung 50 genügend reduziert werden könnte, wodurch das Eingangs-/Ausgangsverhältnis in der Stromspiegelschaltung 10 konstant gehalten werden kann.
Die Konstantstromquelle I5 sollte durch Verwendung von Transistoren, die uniforme Charakteristiken aufweisen, gebildet werden, so wie die oben erwähnten Konstantstromquellen I1 bis I4.
Als nächstes wird eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu 5 beschrieben.
In der Synchrondetektionsschaltung nach dieser Ausführungsform wird anstelle der Korrekturschaltung 30 nach der in 2 dargestellten Ausführungsform eine andere Korrekturschaltung 60 bereitgestellt.
Die Korrekturschaltung 60 unterscheidet sich von der in 2 dargestellten Korrekturschaltung 30 dadurch, dass die Korrekturschaltung 60 auf so eine Weise aufgebaut ist, das der Transistor Q36 und der Widerstand R13 in der in 3 dargestellten Korrekturschaltung 40 der in 2 dargestellten Korrekturschaltung 30 hinzugefügt sind.
Deshalb kann nach dieser vierten Ausführungsform die Korrektur der Basisstromkomponente des Transistors Q8 durch die Korrekturschaltung 60 in Verbindung mit dem Kollektorstrom und dem Basisstrom des oszillationsunterdrückenden Transistors Q9 in der Stromspiegelschaltung 10 wie in dem in 3 dargestellten Fall der Ausführungsform gemacht werden; und somit kann die Stromkorrektur mit einer größeren Genauigkeit beeinflusst werden.
Als nächstes wird eine fünfte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf 6 beschrieben.
In der Synchrondetektionsschaltung nach dieser Ausführungsform wird anstelle der Korrekturschaltung 60 nach der in 5 dargestellten Ausführungsform eine andere Korrekturschaltung 70 bereitgestellt.
Die Korrekturschaltung 70 unterscheidet sich von der in 5 dargestellten Korrekturschaltung 60 dadurch, dass in die in 5 dargestellte Korrekturschaltung 60 der Transistor Q37 und Konstantstromquelle I5 in die in 4 dargestellte Korrekturschaltung 40 hinzugefügt werden.
Deshalb kann nach dieser Ausführungsform der Effekt erreicht werden, dass auf der Basis der durch die Transistoren Q11 bis Q14 fließenden Ströme der Unterschied zwischen dem Basisstrom des Transistors Q8 in der Stromspiegelschaltung 10 und dem Basisstrom des Transistors Q34 in der Korrekturschaltung 70 genügend reduziert werden, wodurch das Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis in der Stromspiegelschaltung 10 konstant gemacht werden kann.
Natürlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen reduziert sondern kann viel mehr auf unterschiedliche Weise modifiziert werden. Zum Beispiel ist in der entsprechend oben beschriebenen Ausführungsformen die Erfindung angewendet auf Synchrondetektionsschaltungen, aber die Stromquellenschaltungen nach der vorliegenden Erfindung können einfach in Schaltungen angewendet werden, die in eine andere Verwendungsrichtung weisen.
Wie oben beschrieben kann nach der vorliegenden Erfindung eine Stromquellenschaltung auf so eine Weise aufgebaut werden, dass das Eingangs-/Ausgangsstromverhältnis einer Stromspiegelschaltung konstant gehalten werden kann, ohne durch Dispersionen der Elemente und der Variation der Außentemperatur beeinflusst zu werden.
Ferner kann nach der vorliegenden Erfindung das Auftreten eines unausgeglichenen Zustandes der Kollektorströme durch den Einfluss des frühen Effekts basierend auf der Differenz zwischen der Emitter-Kollektorspannungen und der Transistoren, die die Stromspiegelschaltung aufbauen, auch verhindert werden.

Claims

Stromquellenschaltung, umfassend: einen ersten Spannungsknoten (11) an dem eine erste Spannung (VA) angelegt ist; einen zweiten Spannungsknoten (14) an dem eine zweite Spannung, die kleiner ist als die erste Spannung, angelegt ist; eine Stromspiegelschaltung (10) mit einem ersten Transistor (Q6) einer ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des ersten Transistors (Q6) mit dem ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, einem zweiten Transistor (Q7) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des zweiten Transistors (Q7) mit dem ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis des zweiten Transistors (Q7) gemeinsam mit der Basis des ersten Transistors (Q6) verbunden ist, und einen dritten Transistor (Q8) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des dritten Transistors (Q8) an einen Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors (Q6, Q7) gekoppelt ist, und wobei die Basis des dritten Transistors (Q8) mit dem Kollektor des ersten Transistors (Q6) verbunden ist, und wobei der Kollektor des dritten Transistors (Q8) mit dem zweiten Spannungsknoten verbunden ist, und einen neunten Transistor (Q9) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des neunten Transistors (Q9) mit dem ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis und der Kollektor des neunten Transistors (Q9) mit dem Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors (Q6, Q7) verbunden ist, und wobei die Kollektoren des ersten und zweiten Transistors (Q6, Q7) als Stromeingangs- und ausgangsklemmen (12, 13) der Stromspiegelschaltung (10) benutzt werden; gekennzeichnet durch eine Korrekturschaltung (30, 40, 50, 60, 70) mit einem vierten Transistor (Q31) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des vierten Transistors (Q31) an den ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, einen fünften Transistor (Q36) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des fünften Transistors (Q36) an den ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis des fünften Transistors (Q36) gemeinsam mit der Basis des vierten Transistors (Q31) verbunden ist, und wobei der Kollektor des fünften Transistors (Q36) mit dem zweiten Spannungsknoten verbunden ist, einen sechsten Transistor (Q32) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des sechsten Transistors (Q32) an den ersten Spannungsknoten gekoppelt ist, und wobei die Basis des sechsten Transistors (Q32) gemeinsam mit den Basen des vierten und fünften Transistors (Q31, Q36) verbunden ist, einen siebten Transistor (Q33) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des siebten Transistors (Q33) mit einem Basisverbindungsknoten des vierten, fünften und sechsten Transistors (Q31, Q36, Q32) verbunden ist, und wobei die Basis des siebten Transistors (Q33) mit dem Kollektor des vierten Transistors (Q31) verbunden ist, und wobei der Kollektor des siebten Transistors (Q33) mit dem Kollektor des sechsten Transistors verbunden ist und einen achten Transistor (Q34) der ersten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des achten Transistors (Q34) mit dem Kollektor des siebten Transistors (Q33) verbunden ist, und wobei die Basis des achten Transistors (Q34) mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, und wobei der Kollektor des achten Transistors (Q34) mit dem zweiten Spannungsknoten verbunden ist.
Stromquellenschaltung nach Anspruch 1, wobei die Stromquellenschaltung ferner umfasst: einen zehnten Transistor (Q37) der zweiten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Kollektor des zehnten Transistors (Q37) mit dem ersten Spannungsknoten verbunden ist, und wobei die Basis des zehnten Transistors (Q37) mit dem Emitter des achten Transistors verbunden ist; und eine mit dem Emitter des neunten Transistors verbundene Stromquellenschaltung (15).
Stromquellenschaltung nach Anspruch 1, wobei die Stromspiegelschaltung (10) ferner einen ersten zwischen dem Emitter des ersten Transistors (Q6) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R1) und einen zweiten zwischen dem Emitter des zweiten Transistors (Q6) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R2) beinhaltet, und die Korrekturschaltung (40; 50) ferner einen dritten zwischen dem Emitter des vierten Transistors (Q31) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R11), einen vierten zwischen dem Emitter des fünften Transistors (Q36) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R13) und einen fünften zwischen dem Emitter des sechsten Transistors (Q32) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R12) beinhaltet.
Stromquellenschaltung nach Anspruch 1, wobei die Stromspiegelschaltung (10) ferner einen ersten zwischen dem Emitter des ersten Transistors (Q6) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R1), einen zweiten zwischen dem Emitter des zweiten Transistors (Q7) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R2) und einen dritten zwischen dem Emitter des neunten Transistors (Q9) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R3) beinhaltet, und die Korrekturschaltung (40; 50) ferner einen dritten zwischen dem Emitter des vierten Transistors (Q31) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R11), einen vierten zwischen dem Emitter des fünften Transistors (Q36) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R13) und einen fünften zwischen dem Emitter des sechsten Transistors (Q32) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R12) beinhaltet.
Stromquellenschaltung nach Anspruch 1, wobei um in der Stromspiegelschaltung (10) den Emitter des dritten Transistors (Q8) an den Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors (Q6, Q7) zu koppeln, die Stromspiegelschaltung (10) ferner einen weiteren Transistor (Q10) der zweiten Polarität gegensätzlich zu der ersten Polarität umfasst, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Kollektor des weiteren Transistors (Q10) mit dem Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors (Q6, Q7) verbunden ist, und wobei der Emitter des weiteren Transistors (Q10) mit dem Emitter des dritten Transistors (Q8) verbunden ist; und die Korrekturschaltung (30, 60, 70) ferner einen neunten Transistor (Q35) der zweiten Polarität umfasst, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis und der Kollektor des neunten Transistors (Q35) mit der Basis des weiteren Transistors (Q10) verbunden ist, und wobei der Emitter des neunten Transistors (Q35) mit dem Emitter des achten Transistors (Q34) verbunden ist.
Stromquellenschaltung nach Anspruch 5, wobei die Korrekturschaltung (60) ferner einen zehnten Transistor (Q36) der ersten Polarität beinhaltet, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des zehnten Transistors (Q36) mit dem ersten Spannungsknoten verbunden ist, und wobei die Basis des zehnten Transistors (Q36) mit dem Basisverbindungsknoten des fünften und sechsten Transistors (Q31, Q32) verbunden ist, und wobei der Kollektor des zehnten Transistors (Q36) mit dem zweiten Spannungsknoten verbunden ist.
Stromquellenschaltung nach Anspruch 5, wobei die Korrekturschaltung (70) ferner beinhaltet: einen elften Transistor (Q37) der zweiten Polarität mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Kollektor des elften Transistors mit dem ersten Spannungsknoten verbunden ist, und wobei die Basis des elften Transistors mit dem Emitter des neunten Transistors verbunden ist, und eine mit dem Emitter des elften Transistors verbundene Stromquellenschaltung (15).
Stromquellenschaltung nach Anspruch 5, wobei die Stromspiegelschaltung (10) ferner einen zwölften Transistor (Q9) der ersten Polarität beinhaltet, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei der Emitter des zwölften Transistors mit dem ersten Spannungsknoten verbunden ist, und wobei die Basis des zwölften Transistors und der Kollektor mit dem Basisverbindungsknoten des ersten und zweiten Transistors verbunden ist.
Stromquellenschaltung nach Anspruch 5, wobei die Stromspiegelschaltung (10) ferner einen ersten zwischen dem Emitter des ersten Transistors und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R1) und einen zweiten zwischen dem Emitter des zweiten Transistors und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R2) beinhaltet, und die Korrekturschaltung (60; 70) ferner einen dritten zwischen dem Emitter des fünften Transistors und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R11), einen vierten zwischen dem Emitter des sechsten Transistors und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R12) und einen fünften zwischen dem Emitter des zehnten Transistors (Q36) und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R13) beinhaltet.
Stromquellenschaltung nach Anspruch 8, wobei die Stromspiegelschaltung (10) ferner einen sechsten zwischen dem Emitter des zwölften Transistors und dem ersten Spannungsknoten verbundenen Widerstand (R3) beinhaltet.