DE69827865T2 - Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen - Google Patents
Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen Download PDFInfo
- Publication number
- DE69827865T2 DE69827865T2 DE69827865T DE69827865T DE69827865T2 DE 69827865 T2 DE69827865 T2 DE 69827865T2 DE 69827865 T DE69827865 T DE 69827865T DE 69827865 T DE69827865 T DE 69827865T DE 69827865 T2 DE69827865 T2 DE 69827865T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- printed circuit
- track
- signal input
- output element
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/144—Stacked arrangements of planar printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06541—Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06551—Conductive connections on the side of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06593—Mounting aids permanently on device; arrangements for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf eine kompakte Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen.
- Aus älteren Techniken, die beispielsweise im Dokument US-A-5 101 323 beschrieben werden, ist eine Mehrschichtschaltung bekannt, die durch Gießen einer Reihe von Schichten oder Ebenen von Bauelementen in einem einzigen Block, der üblicherweise quaderförmig ist, ausgeführt wird. Jede Bauelementschicht beinhaltet mindestens ein Bauelement und eine Bahn, durch die eine Verbindung zu dem genannten Bauelement hergestellt wird und die sich in Richtung einer der Seiten des quaderförmigen Blocks erstreckt. Die Verbindungen zwischen den einzelnen Ebenen, üblicherweise mit einer Metallschicht bedampfte Bahnen, sind auf den Seiten des quaderförmigen Blocks zwischen den Bauelementen der verschiedenen Ebenen durch Ätzen des Blocks ausgeführt, der zuvor mit einer Metallschicht bedampft wurde.
- Eine ähnliche Struktur wurde beschrieben in dem Artikel von S. Plarcombe et al. „Utilizing a low cost 3D packaging technology for consumer applications", erschienen in IEEE Transactions on consumer electronics, Band 41, Nr. 4, Seite 1095–1101, am 1. November 1995.
- Trotz des Vorteils, den die Verwendung einer einzige Seite des Blocks darstellt, um die Hochfrequenz- oder Niederfrequenz-Verbindungspunkte für den Eingang und/oder den Ausgang von Bauelementen aufzunehmen, weist diese Lösung jedoch den Nachteil auf, dass die Umgehung einer Blockkante mit Bahnen erforderlich ist. Dies beinhaltet somit insbesondere eine technische Schwierigkeit beim Ätzen der Bahn im Bereich der Kante, eine höhere Brüchigkeit der Ätzung an dieser Kante, etc....
- Die Erfindung hat zum Ziel, diesen Nachteil zu beseitigen, indem sie eine Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen bietet, bei der die Umgehung einer Kante durch Bahnen nicht erforderlich ist, die die Verbindungen zwischen den Anschlusspunkten von Eingängen und/oder Ausgängen sowie zwischen den Bauelementen herstellen sollen.
- Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein Herstellungsverfahren für eine solche Monoblockstruktur zu liefern.
- Zu diesem Zweck wird eine Monoblockstruktur ausgeführt, die aus mindestens zwei gestapelten Bauelementebenen besteht, wobei jede Bauelementebene Folgendes beinhaltet:
- – (1) eine Schicht aus Isoliermaterial, die eine Bauelementebene darstellt und in die Folgendes eingebettet ist:
- – (2) mindestens ein Bauelement, und
- – (3) mindestens eine erste Bahn, deren erstes Ende mit einem Anschlusspunkt des genannten Bauelements verbunden ist,
- Gemäß einer ersten Ausführungsvariante handelt es sich bei dem Signaleingangs- und/oder Ausgangselement um ein Pin-Element, das in einem mit Metall bedampften Loch der gedruckten Schaltung angeordnet ist.
- Gemäß einer anderen Ausführungsvariante handelt es sich bei dem Signaleingangs- und/oder Ausgangselement um ein Wellenleiterelement, das mindestens einen Erdungsstift an einer seiner Kanten enthält, wobei der Stift in einem mit Metall bedampften Loch in dem Mittel für die gedruckte Schaltung angeordnet ist, die ein Ende der Erdungsbahn bildet, wobei das genannte erste Ende der dritten Bahn mit dem genannten Wellenleiter gekoppelt ist.
- Ein Herstellungsverfahren für eine Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen ist ebenfalls Gegenstand der vorliegenden Erfindung. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
- (a) – Stapeln von mindestens zwei Bauelementebenen, wobei jede Bauelementebene Folgendes beinhaltet:
- – (1) eine Schicht aus Isoliermaterial, die eine Bauelementebene bildet und in die Folgendes eingebettet ist:
- – (2) mindestens ein Bauelement, und
- – (3) mindestens eine erste Bahn, deren erstes Ende mit einem Anschlusspunkt des genannten Bauelements verbunden ist. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass es die folgenden Schritte umfasst:
- (b) – Gießen der genannten, mindestens zwei gestapelten Bauelementebenen und eines Mittels für eine gedruckte Schaltung, das zu einer Ebene der gedruckten Schaltung gehört und mindestens eine dritte Bahn beinhaltet, die mit einem Signaleingangs- und/oder Ausgangselement gekoppelt ist, wobei das genannte Signaleingangsund/oder Ausgangselement senkrecht zu dem genannten Mittel für die gedruckte Schaltung angeordnet ist, um eine unbearbeitete Monoblockstruktur zu bilden.
- (c) – Zuschnitt der genannten, unbearbeiteten Monoblockstruktur, um einen Abschnitt des genannten Signaleingangs- und/oder Ausgangselements und eine Kante der genannten dritten Bahn sichtbar zu machen,
- (d) – Metallbedampfung der sich daraus ergebenden, ausgeschnittenen, unbearbeiteten Monoblockstruktur;
- (e) – Ätzen mindestens einer zweiten Seite der unbearbeiteten, zugeschnittenen und mit Metall bedampften Monoblockstruktur, um eine zweite seitliche Bahn zwischen einem zweiten Ende der genannten ersten Bahn und einem zweiten Ende der genannten dritten Bahn zu bilden.
- Zur Herstellung einer Pin-Struktur umfasst das Verfahren unter anderem die folgenden Schritte:
- (f) – Ätzen einer ersten Seite der unbearbeiteten, zugeschnittenen und mit Metall bedampften Monoblockstruktur, auf der der Abschnitt der genannten Pin-Vorrichtung sichtbar wird, um eine mit Metall bedampfte Zone im Bereich des genannten Abschnitts zu bilden; und
- (g) – Wachstum eines Löthöckers in der mit Metall bedampften Zone.
- Üblicherweise besteht der Schritt des Wachstums eines Löthöckers in der mit Metall bedampften Zone in einem Schritt elektrolytischen Wachstums.
- Weitere Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden beim Durchlesen der folgenden Beschreibung deutlich, die sich auf die entsprechenden Zeichnungen im Anhang bezieht, wobei:
-
1 stellt eine Schnittansicht einer unbearbeiteten Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen gemäß der Erfindung dar; -
2 ist eine perspektivische Ansicht einer gedruckten Schaltung, die in die Struktur aus1 gegossen wurde; -
3 ist eine Ansicht von unten der unbearbeiteten Monoblockstruktur aus1 , die zugeschnitten und geätzt wurde, -
4 ist eine Schnittansicht des Moduls aus1 im Verlauf der Herstellung, und -
5 stellt eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsvariante eines Signaleingangs- und/oder Ausgangselements in Form eines Wellenleiters dar, der in die Monoblockstruktur gemäß der Erfindung integriert wurde. - In Bezug auf
1 beinhaltet eine unbearbeitete Monoblockstruktur, ausgehend von der eine Monoblockstruktur gemäß der Erfindung gebildet wird, mindestens zwei Ebenen oder Stufen mit gestapelten Bauelementen. Jede Bauelementebene enthält eine Schicht aus Isoliermaterial R, beispielsweise in Form von gehärtetem Harz, in die einerseits mindestens ein Bauelement1 ,2 ,3 ,4 oder5 sowie andererseits mindestens eine Bahn eingebettet ist, die mit dem Bauelement der entsprechenden Ebene verbunden ist. So bilden in1 beispielsweise das Bauelement4 und die Bahnen40 und41 , die in das Harz R eingebettet sind, zusammen eine Bauelementebene. In jeder Bauelementebene ist eines der beiden Enden der Bahn40 und41 dieser Ebene mit einem Anschlusspunkt des Bauelements4 verbunden. Beispielsweise handelt es sich bei den Bauelementen1 ,2 ,3 ,4 und5 der fünf abgebildeten Ebenen um Ultrahochfrequenz-Bauelemente und die diesen Bauelementen jeweils zugeordneten Bahnpaare10 –11 ,20 –21 ,30 –31 ,40 –41 und50 –51 sind Leitungen, die in derselben Ebene liegen. - Unter Bezug auf
1 und2 ist gemäß der Erfindung vorgesehen, dass diese unbearbeitete Monoblockstruktur100 , aus der sich die Struktur gemäß der Erfindung ergibt, unter anderem eine Ebene für die gedruckte Schaltung umfasst, die eine gedruckte Schaltung6 beinhaltet, die in das Harz eingebettet ist. Diese gedruckte Schaltung beinhaltet mindestens eine Bahn der gedruckten Schaltung61 , wobei ein erstes Ende60 dieser Bahn der gedruckten Schaltung mit einem Signaleingangs- und/oder Ausgangselement80 ,81 oder82 gekoppelt ist, dessen Ende auf einer Seite F1 der Struktur sichtbar ist, die parallel zu den Bauelementebenen und zur Ebene der gedruckten Schaltung verläuft. Beispielsweise liegt das Signaleingangs- und/oder Ausgangselement80 ,81 oder82 in Form eines Pins vor, wobei der Kopf in einem mit Metall bedampften Loch der gedruckten Schaltung6 angeordnet und verlötet ist, das am Ende der Bahn61 ausgeführt ist. Es sei darauf hingewiesen, dass für dieses Signaleingangs- und/oder Ausgangselement80 ,81 oder82 , dessen eines Ende auf einer Seite F1 der Struktur sichtbar ist, die parallel zu den Bauelementebenen und zur Ebene der gedruckten Schaltung verläuft, auch andere Ausführungsvarianten in Betracht kommen. Gemäß der in5 dargestellten Ausführungsvariante ist das Signaleingangs- und/oder Ausgangselement ein Wellenleiter80' , der beispielsweise mindestens einen Erdungsstift800' an einer seiner Kanten aufnimmt. Der Stift800' ist in einem mit Metall bedampften Loch einer Erdungsbahn63 der gedruckten Schaltung6 angeordnet. Eine Bahn61 gewährleistet die Kopplung mit dem Wellenleiter. Die Bahn61 verläuft oberhalb des Wellenleiters, wobei sie von diesem durch das Substrat der gedruckten Schaltung6 getrennt ist. - In Bezug auf
4 wird jetzt als Beispiel ein Herstellungsverfahren für eine unbearbeitete Monoblockstruktur, wie in1 dargestellt, vorgestellt. Für dieses Verfahren ist eine quaderförmige Gussform (nicht abgebildet) mit geschlossenem Boden vorgesehen, an dem Führungsvorrichtungen, beispielsweise in Form von zwei länglichen Stäben9a und9b ausgerichtet sind. In den Boden der Form wird Harz gegeben. Anschließend wird die gedruckte Schaltung6 , auf der jedes Signaleingangs- und/oder Ausgangselement80 ,81 ,82 oder80' senkrecht ausgerichtet ist, durch die Führung der beiden Stäbe9a und9b auf der Oberfläche dieses Harzbodens angeordnet, wobei die Signaleingangs- und/oder Ausgangselemente in das noch nicht ausgehärtete Harz eindringen. Anschließend wird die Rohstruktur schrittweise durch den abwechselnden Auftrag von Harz R und den Einsatz von Platten, die die Elemente5 ,4 und die damit verbundenen Bahnen50 –51 ,40 –41 enthalten, gebildet. Nach dem Stapeln der gewünschten Anzahl an Bauelementebenen wird die dabei entstandene Struktur aus der Gussform genommen, die eine quaderförmige Form aufweist. Es kann auch eingeplant werden, beim Guss eine Massenfläche95 ,94 einzufügen, um zwei Bauelementebenen zu trennen, insbesondere in dem Fall, in dem es sich bei den Bauelementen um Ultrahochfrequenz-Bauelemente handelt, um jegliche Störungen zwischen den Bauelementen von zwei angrenzenden Ebenen zu verhindern. - Es sei darauf hingewiesen, dass bei der Ausführungsvariante, in der jedes Signaleingangs- und/oder Ausgangselement in Form eines Pins vorliegt, jeder Pin in ein mit Metall bedampftes Loch
60 entsprechend der Bahn61 der gedruckten Schaltung6 durch eine der Seiten der gedruckten Schaltung eingeführt wird, während bei der Ausführungsvariante, in der jedes Signaleingangs- und/oder Ausgangselement in Form eines Wellenleiters vorliegt, jeder Erdungsstift800' in ein entsprechendes, mit Metall bedampftes Loch der Bahn63 der gedruckten Schaltung6 über die andere Seite der gedruckten Schaltung eingeführt wird. Bei dieser zweiten Ausführungsvariante sind die Erdungsbahnen63 und die Kopplungsbahnen61 derart angeordnet, dass sie an die Geometrie des Wellenleiters80' angepasst sind. - Die Rohstruktur aus
1 wird anschließend den folgenden Bearbeitungsschritten unterzogen. Zunächst wird sie entlang der gestrichelten Linien D, die in1 dargestellt sind, zerschnitten, um einerseits die entsprechenden Abschnitte der Signaleingangs- und/oder Ausgangselemente80 ,81 ,82 oder80' auf der Seite F1 und andererseits die Kanten der Bahnen10 –11 ,20 –21 ,30 –31 ,40 –41 und50 –51 jeder Bauelementebene sowie die Kanten62 der Bahnen61 der gedruckten Schaltung6 auf den Seitenflächen F2 , F3 sichtbar zu machen. - In der Ausführungsvariante mit Wellenleiter werden die Seitenflächen F2 und F3, auf denen einerseits die Kanten der Bahnen
10 –11 ,20 .21 ,30 –31 ,40 –41 und50 –51 jeder Bauelementebene und andererseits die Kanten62 der Bahnen61 der gedruckten Schaltung6 sichtbar sind, mit Metall bedampft. Anschließend werden diese Seiten, auf denen die Kanten62 der Bahnen61 der gedruckten Schaltung6 mit der Metallbedampfung sichtbar sind, geätzt, um die Verbindungsbahnen zwischen jeder dieser Kanten62 und dem Ende einer Bahn10 ,11 ,20 ,21 ,30 ,31 ,40 ,41 ,50 ,51 einer Bauelementebene sowie alle seitlichen Verbindungsbahnen zwischen den Bahnen10 ,20 ,30 ,40 und50 und zwischen den Bahnen11 ,21 ,31 ,41 und51 zu bilden. Dieser Ätzungsvorgang besteht beispielsweise in einer Laserätzung der mit Metall bedampften gleichmäßigen Schicht der betreffenden Seite F2 oder F3. - Im Fall der Ausführungsvariante mit Pin wird die entstandene Rohstruktur durch Aufbringen einer Metallschicht auf der Oberfläche vollständig mit Metall bedampft. Anschließend wird, wie in
3 dargestellt, die Seite F1 geätzt, auf der die Abschnitte der Pin-Elemente80 ,81 und82 vor der Metallbedampfung sichtbar sind, um eine mit Metall bedampfte Zone70 zu bilden, die mit jedem der Abschnitte des Pin-Elements in Kontakt ist. In jeder dieser mit Metall bedampften Zonen70 wird ein Löthöcker ausgeführt, beispielsweise durch elektrolytisches Wachstum. Es sei darauf hingewiesen, dass diese Zonen70 alle über die Bahnen61 der gedruckten Schaltung6 und die mit Metall bedampften Seiten der zugeschnittenen und mit Metall bedampften Rohstruktur elektrisch miteinander verbunden sind. - Anschließend werden die Seiten F2 und F3, auf denen die Kanten
62 der Bahnen61 der gedruckten Schaltung6 vor der Metallbedampfung zu sehen sind, geätzt, um die Verbindungsbahnen zwischen diesen Kanten62 und einem Ende einer Bahn10 ,11 ,20 ,21 ,30 ,31 ,40 ,41 ,50 ,51 einer Bauelementebene, sowie alle seitlichen Verbindungsbahnen zwischen den Bahnen10 ,20 ,30 ,40 und50 und den Bahnen11 ,21 ,31 ,41 und51 zu bilden. Dieser Ätzungsvorgang besteht beispielsweise in einer Laserätzung der mit Metall bedampften, gleichmäßigen Schicht der betreffenden Seite.
Claims (6)
- Monoblockstruktur, bestehend aus mindestens zwei Bauelementebenen, die gestapelt sind, wobei jede Bauelementebene Folgendes umfasst: – (1) eine Schicht aus Isoliermaterial (R), die eine Bauelementebene bildet und in die Folgendes eingebettet ist: – (2) mindestens ein Bauelement (
1 ,2 ,3 ,4 ,5 ), und – (3) mindestens eine erste Bahn (10 –11 ,20 –21 ,30 –31 ,40 –41 ,50 –51 ), deren erstes Ende mit einem Anschlusspunkt des genannten Bauelements verbunden ist, wobei die genannte Struktur außerdem mindestens eine zweite Bahn beinhaltet, die seitlich angeordnet ist (F3, F2), deren erstes Ende mit einem zweiten Ende der genannten ersten Bahn (10 –11 ,20 –21 ,30 –31 ,40 –41 ,50 –51 ) verbunden ist; dadurch gekennzeichnet, dass sie ein Mittel für eine eingebettete gedruckte Schaltung (6 ) beinhaltet, die eine Ebene der gedruckten Schaltung bildet und mindestens eine dritte Bahn (61 ) umfasst, wobei ein erstes Ende (60 ) dieser dritten Bahn mit einem Signaleingangs- und/oder Ausgangselement (80 ,81 ,82 ) gekoppelt ist, dessen Ende auf einer Seite der genannten Struktur sichtbar ist, die parallel zu der genannten Bauelementebene und der Ebene der gedruckten Schaltung verläuft, und wobei ein zweites Ende (62 ) dieser dritten Bahn mit einem zweiten Ende der zweiten Bahn verbunden ist. - Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem genannten Signaleingangs- und/oder Ausgangselement (
80 ,81 ,82 ) um ein Pin-Element handelt, das in einem mit Metall bedampften Loch der gedruckten Schaltung angeordnet ist. - Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem genannten Signaleingangs- und/oder Ausgangselement (
80 ,81 ,82 ) um ein Wellenleiterelement handelt, das an einer seiner Kanten mindestens einen Erdungsstift beinhaltet, wobei der genannte Stift in einem mit Metall bedampften Loch in dem Mittel für die gedruckte Schaltung angeordnet ist, das ein Ende einer Erdungsbahn bildet, und wobei das genannte erste Ende (60 ) der dritten Bahn (61 ) mit dem genannten Wellenleiter gekoppelt ist. - Herstellungsverfahren einer Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen, bestehend aus folgenden Schritten: (a) Stapeln von mindestens zwei Bauelementebenen, wobei jede Bauelementebene Folgendes umfasst: – (1) eine Schicht aus Isoliermaterial (R), die eine Bauelementebene bildet und in die Folgendes eingebettet ist: – (2) mindestens ein Bauelement (
1 ,2 ,3 ,4 ,5 ), und – (3) mindestens eine erste Bahn (10 –11 ,20 –21 ,30 –31 ,40 –41 ,50 –51 ), deren erstes Ende mit einem Anschlusspunkt des genannten Bauelements verbunden ist; (b) – Gießen der genannten, mindestens zwei gestapelten Bauelementebenen sowie eines Mittels für eine gedruckte Schaltung (6 ), das zu einer Ebene der gedruckten Schaltung gehört und mindestens eine dritte Bahn umfasst, die mit einem Signaleingangs- und/oder Ausgangselement (80 ,81 ,82 ;80' ) gekoppelt ist, wobei das genannte Signaleingangs- und/oder Ausgangselement (80 ,81 ,82 ;80' ) senkrecht zu dem genannten Mittel für eine gedruckte Schaltung angeordnet ist, um eine unbearbeitete Monoblockstruktur zu bilden; (c) – Zuschnitt (D) der genannten, unbearbeiteten Monoblockstruktur, um einen Abschnitt des genannten Signaleingangsund/oder Ausgangselements (80 ,81 ,82 ;80' ) sowie eine Kante (62 ) der genannten dritten Bahn (61 ) sichtbar zu machen; (d) –Metallbedampfung der beim Zuschnitt entstandenen unbearbeiteten Monoblockstruktur; (e) –Ätzen mindestens einer zweiten Seite der unbearbeiteten, zugeschnittenen und mit Metall bedampften Monoblockstruktur, um eine zweite seitliche Bahn zwischen einem zweiten Ende der genannten ersten Bahn und einem zweiten Ende der genannten dritten Bahn zu bilden. - Verfahren gemäß Anspruch 4 zur Herstellung einer Struktur gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie außerdem die folgenden Schritte umfasst: (f) Ätzen einer ersten Seite der unbearbeiteten, zugeschnittenen und mit Metall bedampften Monoblockstruktur, auf der der Abschnitt der genannten Pin-Vorrichtung sichtbar ist, um eine mit Metall bedampfte Zone (
70 ) zu bilden, die im Bereich des genannten Abschnitts angeordnet ist; und (g) – Wachstum eines Löthöckers auf der genannten, mit Metall bedampften Zone. - Verfahren gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Schritt zum Löthöcker-Wachstum in der genannten, mit Metall bedampften Zone um einen Schritt mit elektrolytischem Wachstum handelt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9701481 | 1997-02-10 | ||
FR9701481A FR2759527B1 (fr) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | Structure monobloc de composants empiles |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69827865D1 DE69827865D1 (de) | 2005-01-05 |
DE69827865T2 true DE69827865T2 (de) | 2005-12-01 |
Family
ID=9503502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69827865T Expired - Lifetime DE69827865T2 (de) | 1997-02-10 | 1998-02-09 | Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6188128B1 (de) |
EP (1) | EP0858108B1 (de) |
JP (1) | JP4303324B2 (de) |
CA (1) | CA2226419A1 (de) |
DE (1) | DE69827865T2 (de) |
FR (1) | FR2759527B1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2797348B1 (fr) * | 1999-08-02 | 2001-10-19 | Cit Alcatel | Procede d'obtention d'un module, a haute densite, a partir de composants electroniques, modulaires, encapsules et module ainsi obtenu |
FR2805082B1 (fr) * | 2000-02-11 | 2003-01-31 | 3D Plus Sa | Procede d'interconnexion en trois dimensions et dispositif electronique obtenu par ce procede |
JP2006324568A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層モジュールとその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3370203A (en) * | 1965-07-19 | 1968-02-20 | United Aircraft Corp | Integrated circuit modules |
US3746934A (en) * | 1971-05-06 | 1973-07-17 | Siemens Ag | Stack arrangement of semiconductor chips |
FR2663702B1 (fr) | 1990-06-21 | 1995-05-12 | Skf France | Butee d'embrayage comportant des moyens de solidarisation avec l'organe de manóoeuvre. |
FR2688629A1 (fr) * | 1992-03-10 | 1993-09-17 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'encapsulation en trois dimensions de pastilles semi-conductrices. |
JPH0637202A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波ic用パッケージ |
US5291061A (en) * | 1993-04-06 | 1994-03-01 | Micron Semiconductor, Inc. | Multi-chip stacked devices |
US5406125A (en) * | 1993-04-15 | 1995-04-11 | Martin Marietta Corp. | Semiconductor device having a metalized via hole |
FR2730534B1 (fr) | 1995-02-09 | 1997-04-04 | Valeo | Butee de debrayage a commande hydraulique pour un embrayage a diaphragme de vehicule automobile |
WO1996027282A1 (en) * | 1995-03-02 | 1996-09-06 | Circuit Components Incorporated | A low cost, high performance package for microwave circuits in the up to 90 ghz frequency range using bga i/o rf port format and ceramic substrate technology |
FR2747239B1 (fr) * | 1996-04-04 | 1998-05-15 | Alcatel Espace | Module hyperfrequence compact |
US5953588A (en) * | 1996-12-21 | 1999-09-14 | Irvine Sensors Corporation | Stackable layers containing encapsulated IC chips |
-
1997
- 1997-02-10 FR FR9701481A patent/FR2759527B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-09 US US09/020,413 patent/US6188128B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-09 EP EP98400273A patent/EP0858108B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-09 DE DE69827865T patent/DE69827865T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-09 CA CA002226419A patent/CA2226419A1/fr not_active Abandoned
- 1998-02-10 JP JP02869098A patent/JP4303324B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4303324B2 (ja) | 2009-07-29 |
US6188128B1 (en) | 2001-02-13 |
EP0858108B1 (de) | 2004-12-01 |
JPH10242382A (ja) | 1998-09-11 |
CA2226419A1 (fr) | 1998-08-10 |
DE69827865D1 (de) | 2005-01-05 |
FR2759527A1 (fr) | 1998-08-14 |
FR2759527B1 (fr) | 2002-07-19 |
EP0858108A1 (de) | 1998-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2212735C3 (de) | Hochfrequenz-Übertragungsleitung in Streifenleiterbauweise | |
DE3605491C2 (de) | ||
DE60114200T2 (de) | Keramischer vielschichtkondensatornetzwerk | |
DE3011068C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Gegenplatte mit elektrisch voneinander isolierten Potential- und Masseplatten | |
DE10016064B4 (de) | Substrat,Einzelsubstrat und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE3245658C2 (de) | ||
EP0627760A1 (de) | Mehrfach-Substrat sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2054571A1 (de) | Integrierte Halbleiterstruktur und Verfahren zum Herstellen dieser Halbleiterstruktur | |
DE2702844A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer vielschichtigen gedruckten schaltung | |
DE2536270A1 (de) | Mii oeffnungen versehene halbleiterscheibe | |
WO2000031796A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines beidseitig prozessierten integrierten schaltkreises | |
DE102008016133A1 (de) | Leiterplatte und Verfahren zum Herstellen einer Leiterplatte | |
DE2103064A1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Modulelementen | |
DE4239990A1 (en) | Chip type directional coupler - has number of substrates with electrode films stacked together and produced of sintered ceramic | |
DE2315711A1 (de) | Verfahren zum kontaktieren von in einem halbleiterkoerper untergebrachten integrierten schaltungen mit hilfe eines ersten kontaktierungsrahmens | |
DE2603747A1 (de) | Integrierte schaltungsanordnung | |
CH667359A5 (de) | Verfahren zur herstellung einer starre und flexible partien aufweisenden leiterplatte fuer gedruckte elektrische schaltungen. | |
EP3599636A1 (de) | Keramischer schaltungsträger und elektronikeinheit | |
DE69827865T2 (de) | Monoblockstruktur mit gestapelten Bauelementen | |
DE2326599A1 (de) | Monolithisches elektromechanisches filter mit gekoppelten resonatoren | |
DE3445690C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte für eine gedruckte Schaltung | |
EP0351531A2 (de) | Elektronische Baueinheit | |
DE3931551C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Substrates | |
EP0710432B1 (de) | Verfahren zur herstellung von folienleiterplatten oder halbzeugen für folienleiterplatten sowie nach dem verfahren hergestellte folienleiterplatten und halbzeuge | |
DE19711325C2 (de) | Befestigungskonstruktion für gedruckte Platinen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ALCATEL LUCENT, PARIS, FR |