DE69816052T2 - Elektrisches oder elektronisches bauelement und seine verwendung als nichtflüchtiger speicher und akustische oberflächenwellenvorrichtung - Google Patents

Elektrisches oder elektronisches bauelement und seine verwendung als nichtflüchtiger speicher und akustische oberflächenwellenvorrichtung Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen elektrischen oder elektronischen Schaltkreis mit einer Verbundstruktur, die mindestens eine aus einem ferroelektrischen Material bestehende Schicht, mindestens einen Halbleiter oder einen dünnen Film aus einem Metall- oder einem Supraleiter, der mit mindestens einer ersten Fläche der Schicht aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt steht, und Einrichtungen zum Erzeugen örtlicher Polarisationsveränderungen der Schicht aus ferroelektrischem Material aufweist.
  • Sie betrifft auch die Anwendung des Schaltkreises als Oberflächenschallwellenvorrichtung.
  • Sie betrifft auch einen elektrischen oder elektronischen Schaltkreis und die Anwendung des Schaltkreises als Oberflächenschallwellenvorrichtung und als nicht flüchtigen Speicher.
  • Im Verlauf des letzten Jahrzehnts wurden schnelle Fortschritte im Bereich der Ablagerung von Filmen aus epitaktischen Verbundstrukturen auf der Basis von Oxiden erzielt, die ihren Ursprung z. B. in den daraus folgenden Fortschritten im Bereich der Supraleiter aus Kupferoxid haben, und durch welche es möglich wurde, epitaktische Filme aus Materialien wie z. B. magnetoresistenten Manganoxiden herzustellen. Eine der zahlreichen anderen zahlreichen Materialfamilien, die kürzlich durch diesen epitaktischen Ansatz verwirklicht wurden, sind die ferroelektrischen Oxide. Eine der anziehenden Merkmale dieser Materialien ist ihr umkehrbares, nicht flüchtiges Polarisationsfeld. Andererseits wurden zahlreiche Vorrichtungen mit elektrischem Feldeffekt entwickelt, die von einem dynamischen Speicher mit Direktzugriff (DRAMs) bis zu Modell-Nanosystemen wie z. B. zweidimensionalen Elektronengasen reichen.
  • Bei allen diesen Vorrichtungen ist die Verwendung sich nicht verbrauchender Metallelektroden zur Erzeugung und Aufrechterhaltung des elektrischen Feldes notwendig, was einen sehr großen Nachteil darstellt, da deren Herstellung eine umfangreiche und heikle Lithografiearbeit zur Ausführung der Metallelektroden erfordert.
  • In dem Patent US-5 206 525 ist eine Vorrichtung beschrieben, die praktisch einem Transistor mit Feldeffekt entspricht, dessen Nichtleiter durch ein pikonjugiertes, mit einem ferroelektrischen Material ge mischtes, makromolekulares Material ersetzt wird. Das Ziel besteht in der Veränderung der Leitfähigkeit durch das elektrische Feld. Mit dieser Vorrichtung ist keine örtliche Veränderung der elektronischen Eigenschaften möglich.
  • In dem Patent US 5 371 729 ist eine Datenspeicherungsvorrichtung auf der Grundlage einer örtlichen Polarisationsumschaltung eines auf einem Halbleiter abgelagerten ferroelektrischen Filmes beschrieben. Das Ziel der Erfindung besteht in der Erhöhung der Arbeitsgeschwindigkeit durch die Nutzung höherer Spannungen, die ein Lawinenereignis erzeugen.
  • Der Gegenstand der Kurzfassung der Anmeldung JP 07 335772 ist eine Oberflächenschallwellenvorrichtung, die das Lesen eines Zustandes eines ferroelektrischen Speichers ermöglicht. Diese Erfindung ermöglicht die Durchführung von nicht zerstörendem Lesen des Speichers.
  • In der unter der Nr. EP-0 275 881 veröffentlichten Europäischen Patentanmeldung ist eine Vorrichtung beschrieben, bei der ein Mikroskop mit Tunneleffekt verwendet wird, um Informationen auf einen hauptsächlich aus Polymer bestehenden, elektrisch polarisierten Film zu schreiben und davon zu lesen. Diese Vorrichtung ist nicht zum Einschreiben von Informationen mittels Stromimpulsen vorgesehen, und um diese Informationen durch die Erkennung örtlicher Veränderungen der elektronischen Dichte zu lesen.
  • Das Patent US 5 168 420 ist ein Patent über die Epitaxie ferroelektrischer Oxide auf Supraleitern für eine Anwendung zur Informationsspeicherung. In diesem Dokument geht es nicht um irgendeine Veränderung der elektronischen Eigenschaften von Materialien.
  • In dem Patent US 3 170 083 ist die Verwendung von Elektronenstrahlung zur Steuerung der Polarisation eines ferroelektrischen Materials, und um die Informationsspeicherung in einer Speichervorrichtung zu ermöglichen, beschrieben, wobei sie nicht das Erhalten einer Veränderung der elektronischen Eigenschaften des Materials ermöglicht.
  • In dem Patent US 2 922 986 ist ebenfalls ein Verfahren zur Informationsspeicherung in einer Speichervorrichtung auf der Basis der ferroelektrischen Polarisation ohne Veränderung der elektronischen Eigenschaften des Materials beschrieben, wobei das Lesen dieser Informationen pyroelektrisch erfolgt.
  • In dem Patent US 4 410 823 ist die Möglichkeit der Verwendung von Wänden ferroelektrischer Bereiche als Reflektoren für Oberflächenschallwellen beschrieben. Diese Verwendung ist auf die Standardtechnik der Oberflächenschallwellenvorrichtungen begrenzt.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen neuen, komplexen elektrischen oder elektroni schen Schaltkreis ohne dauernden elektrischen Kontakt vorzuschlagen, wobei der ferroelektrische Feldeffekt ausgenutzt wird, der eine örtlicher Veränderung der elektronischen Eigenschaften hervorruft, und bei dem normalerweise für deren Ausführung notwendige lithografische Verfahrensweisen einfach, oder ganz und gar überflüssig werden. Außerdem ist die Herstellung dieses Schaltkreises nicht invasiv.
  • Diese Aufgabe wird durch den Schaltkreis gemäß der Erfindung gelöst, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er Einrichtungen zum Erzeugen einer örtlichen Verformung der Schicht aus ferroelektrischem Material aufweist, um eine auf den örtlichen Polarisationsveränderungen basierende Oberflächenschallwelle zu erzeugen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Einrichtungen zum Erzeugen der örtlichen Polarisationsveränderungen der Schicht aus ferroelektrischem Material eine Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen mindestens einer Punktelektrode, die zum selektiven Abtasten einer zweiten Fläche der Verbundstruktur in der Lage ist, die der aus dem Halbleiter oder dünnen Metall- oder Supraleiterfilm bestehenden gegenüberliegt, und dem Halbleiter oder dünnen Metall- oder Supraleiterfilm auf.
  • Diese Aufgabe wird ebenfalls durch den elektrischen oder elektronischen Schaltkreis gelöst, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er eine Verbundstruktur aufweist, die mindestens eine aus einem ferroelektrischen Material bestehende Schicht, mindestens einen Halbleiter oder einen dünnen Metall- oder Supraleiterfilm, der mit einer ersten Fläche der Schicht aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt steht, und einen sehr dünnen Halbleiter- oder Metall- oder Supraleiterfilm aufweist, wobei der letztere mit einer der ersten Fläche gegenüberliegenden zweiten Fläche der Schicht aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt steht, sowie Einrichtungen zum Erzeugen örtlicher Polarisationsveränderungen der Schicht aus ferroelektrischem Material, entweder zur örtlichen Veränderung der elektronischen Dichte einer Zone des Halbleiters oder des dünnen Metall- oder Supraleiterfilms vom Nanometer- zum Mikrometer-Messbereich aufweist, wobei die Zone in der Nähe der ersten Fläche der Schicht aus ferroelektrischem Material liegt, oder zum Erzeugen einer örtlichen Verformung der Schicht aus ferroelektrischem Material aufweist, um eine Oberflächenschallwelle zu erzeugen.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform weisen die Einrichtungen zum Erzeugen der örtlichen Polarisationsveränderungen der Schicht aus ferroelektrischem Material eine Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen mindestens einer Punktelektrode auf, die zum selektiven Abtasten der zweiten Fläche der Verbundstruktur in der Lage ist, die den sehr dünnen Halbleiter- oder Metall- oder Supraleiterfilm trägt, und es wird eine Spannung zwischen der Punktelektrode und dem sehr dünnen Film angelegt.
  • Bei einer Ausführungsvariante wird eine Spannung zwischen der Punktelektrode und dem mit der ersten Fläche der Schicht aus ferroelek-trischem Material in intensivem Kontakt stehenden dünnen Metall- oder Supraleiterfilm angelegt.
  • Bei einer anderen Ausführungsvariante wird eine Spannung zwischen dem Halbleiter oder dem dünnen Metall- oder Supraleiterfilm und dem sehr dünnen Halbleiter-, Metall- oder Supraleiterfilm angelegt.
  • Besonders vorteilhafterweise wird der Polarisationszustand der Schicht aus ferroelektrischem Material durch ein für örtliche Veränderungen der elektronischen Dichte des Halbleiters oder des dünnen Films aus einem Metall oder einem Supraleiter empfindliches Merkmal dargestellt.
  • Vorzugsweise ist das Merkmal der Tunnelleitwert zwischen einer Punktelektrode, die die zweite Fläche der Verbundstruktur abtastet, die der aus dem Halbleiter oder dünnen Metall- oder Supraleiterfilm bestehenden gegenüberliegt, und dem Halbleiter oder sehr dünnen Metall- oder Supraleiterfilm.
  • Vorteilhafterweise besteht die Punktelektrode aus einer Spitze eines Punktsondenmikroskops. Sie kann auch aus einer Teilchenquelle bestehen.
  • Gemäß zweier Ausführungsformen kann die Teilchenquelle zum Erzeugen eines Elektronenstrahls oder eines Ionenstrahls in der Lage sein.
  • Bei einer Ausführungsvariante bestehen die Einrichtungen zum Erzeugen örtlicher Polarisationsveränderungen aus einer Strahlenquelle.
  • Bei einer der besonders vorteilhaften Ausführungsformen des Schaltkreises handelt es sich um die Ausführung einer Oberflächenschallwellenvorrichtung.
  • Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführung des Schaltkreises handelt es sich um die Ausführung eines nicht flüchtigen Speichers.
  • Die vorliegende Erfindung wird durch das Lesen der Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform des Schaltkreises gemäß der Erfindung, und seiner Varianten unter Bezugnahme auf die Zeichnungen besser verständlich, wobei:
  • 1 und 2, schematische, perspektivische Ansichten darstellen, die zwei Ausführungsformen des elektrischen oder elektronischen Schaltkreises gemäß der Erfindung veranschaulichen, und
  • 3 die Anwendung des Schaltkreises als Oberflächenschallwellenvorrichtung darstellt.
  • Der Schaltkreis gemäß der Erfindung, wie er in 1 dargestellt ist, weist hauptsächlich eine Verbundstruktur 10 mit einer aus einem ferroelektrischen Material bestehenden Schicht 11 in Form eines Filmes, und einen Halbleiter oder einen Film 12 aus Metall oder einem Supraleiter auf, der mit einer der Flächen der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt steht. Außerdem weist der Schaltkreis Einrichtungen zum Erzeugen örtlicher Veränderungen der Polarisation der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material auf. Das angestrebte Ziel besteht in der örtlichen Veränderung der elektronischen Dichte einer Zone des Halbleiters oder des dünnen Metall- oder Supraleiterfilmes 12, der in der Nähe der Fläche der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material angeordnet ist, oder in der Erzeugung einer örtlichen Verformung der Schicht aus ferroelektrischem Material, um eine Oberflächenschallwelle zu erzeugen.
  • Die Einrichtungen weisen eine Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen dem Halbleiter oder dünnen Film 12 aus Metall oder einem Supraleiter und mindestens einer Punktelektrode 13 auf, die zum selektiven Abtasten der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material in der Lage ist, die der den dünnen Film 12 tragenden Fläche gegenüberliegt. Diese Punktelektrode besteht z. B. aus der Spitze eines Punktsondenmikroskops. Sie kann auch aus einer Teilchenquelle bestehen. Die Teilchenquelle kann zum Erzeugen eines Elektronenstrahls oder eines Ionenstrahls in der Lage sein. Es kann sich dabei auch um eine Strahlenquelle handeln.
  • Eine besonders vorteilhafte Anwendung der Erfindung ist ein im Nanometerbereich geschriebener, elektrischer Schaltkreis, wobei die Spitze eines Punktsondenmikroskops als Punktelektrode dient, oder eine Teilchenquelle, die eine Durchführung einer örtlichen Veränderung der Polarisation des ferroelektrischen Materials ermöglicht. Die Polarisation (±) des Materials verändert die elektronische Dichte des Metalls oder des in der Nähe der Oberfläche angeordneten Halbleiters, wobei diese Veränderung den elektrischen Schaltkreis festlegt.
  • Zu diesem Zweck tastet in einem ersten idealen Zusammenhang ein Abstoßungskraft-Mikroskop (MFA) mit einer leitenden Spitze die Oberfläche der Verbundstruktur, der sogenannten epitaktischen, ferroelektrischen Heterostruktur ab, die in diesem Fall aus den folgenden Materialien besteht: Pb(ZrO·52 TiO·48)O3 (PZT)/SrRuO3, während eine Spannung zwischen der Spitze und dem Halbleiter oder dem Metall- oder Supraleiterfilm angelegt wird. Wenn das elektrische Feld zwischen der Spitze und dem leitenden Film größer ist als das koerzitive Feld der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material, kippt die Polarisation der Schicht örtlich unter der Spitze, und leitet einen Strom von Abschirmladungen in die Halbleiter- oder Metallschicht ein, und verändert so die Gesamtträgerdichte und somit die Resistivität des Leiters, die mit den Standardtechniken zum Messen von elektronischen Übertragungen gemessen werden kann. Idealerweise weist der Halbleiter oder der dünne Metall- oder Supraleiterfilm eine geringe Trägerdichte und ein elektrisches oder elektronisches Merkmal auf, welches für Veränderungen der elektronischen Zustandsdichte empfindlich ist.
  • Gemäß einer durch 2 dargestellten, zweiten vorteilhaften Ausführungsform wird die Struktur 10 durch ein Halbleiter-, Metall- oder Supraleitermaterial 14 ergänzt, welches auf der zweiten Fläche der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material abgelagert ist, die dem dünnen Film 12 gegenüberliegt. Dieses Material ist vorteilhafterweise in Form eines sehr dünnen Filmes vorhanden, der mit dem ferroelektrischen Material 11 in intensivem Kontakt steht. Er kann die Form eines Endlosfilmes, oder die Form von Inseln aufweisen. Dieser Film stellt gleichzeitig eine Einrichtung zum Anlegen einer Spannung auf der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material in Kombination mit dem dünnen Film 12, und eine Einrichtung zur Passivierung der Oberfläche des polarisierten ferroelektrischen Materials dar.
  • Die Einrichtungen zum Erzeugen der örtlichen Polarisationsveränderungen weisen eine Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen mindestens einer Punktelektrode 13 auf, die zum selektiven Abtasten der Schicht 11 aus ferroelektrischem Material, oder des Filmes 14, und des sehr dünnen Filmes 14 oder des dünnen Filmes 12 in der Lage ist. Man kann auch gleichzeitig eine Spannung zwischen dem sehr dünnen Film 14 und dem dünnen Film 12 anlegen. Die Polarisation des ferroelek trischen Materials kann durch das Anlegen von Spannungsimpulsen auf die Punktelektrode, und möglicherweise durch das Vorhandensein einer durch die Schicht aus ferroelektrischem Material hindurch verlaufenden Spannung erhalten werden, die einen unter ihrer Koerzitivspannung liegenden Wert aufweist.
  • Der Schaltkreis ermöglicht den nicht invasiven Aufbau eines örtlichen Feldeffektes, wodurch die Erzeugung elektrischer Nanostrukturen ohne die durch die gewöhnlichen Lithografieverfahren ausgeführten, elektronischen Kontakte ermöglicht wird. Der Zweck der Erfindung besteht in der Bereitstellung eines Ansatzes und vollständig neuer Perspektiven für die Herstellung von Feldeffektvorrichtungen und kleinen, elektronischen Strukturen. Hierbei ist es insbesondere vorteilhaft, dass das Kippen von Bereichen mit einem Nahbereichsmikroskop in vertikaler Richtung einen nicht passivierungsanfälligen, elektronischen Kontrast erzeugt.
  • Der Hauptvorteil dieses Ansatzes besteht darin, dass er das direkte Schreiben elektronischer Submikrometerstrukturen ohne chemischen Austausch und ohne Lithografieverfahren und/oder sich nicht verbrauchende Elektroden ermöglicht. Der Feldeffekt ist örtlich, umkehrbar, nicht flüchtig und nicht invasiv. Diese Technik weist den weiteren Vorteil auf, dass sie einen Mechanismus zur Erkennung des Lesens/Schreibens ferroelektrischer Bereiche ermöglicht, der gegenüber einer Verschlechterung des Kontrastes auf Grund einer elektrostatischen Passivierung nicht empfindlich ist. Aus diesem Grund kann diese Ausführungsform des Schaltkreises als nicht flüchtiger Speicher verwendet werden.
  • In der Praxis kann jede Punktsonde verwendet werden, mit der das Kippen der Polarisation eines ferroelektrischen Materials möglich ist. So kann z. B. ein Mikroskop mit Tunneleffekt verwendet werden, um das ferroelektrische Material zu polarisieren, wenn das letztere mit einer ausreichend dünnen, leitenden Schicht bedeckt ist. Das Mikroskop mit Tunneleffekt kann auch zum Messen und Lesen der Veränderungen bei der Dichte von Trägern verwendet werden, die von dem elektrischen Feld erzeugt wurden, indem z. B. die Veränderungen des Tunnelleitwertes gemessen werden (Zustandsdichten).
  • Zum Lesen kleiner ferroelektrischer Bereiche können weitere Kontrastmechanismen anvisiert werden, die auf den piezoelektrischen und pyroelektrischen Eigenschaften der ferroelektrischen Materialien basieren. In ähnlicher Weise wie weiter oben beschrieben, wären auch diese Ansätze nicht für eine Passivierung anfällig.
  • 3 veranschaulicht schematisch eine Anwendung des oben festgelegten Schaltkreises 20 als Oberflächenschallwellenvorrichtung. Die Verbundstruktur 10 weist in diesem Fall z. B. eine Schicht 11 aus einem ferroelektrischen Material auf, die örtlich, und z. B. von Zeit zu Zeit polarisiert wurde, und einen Halbleiter oder einen dünnen Film 12 aus einem Metall oder einem Supraleiter auf. Ein wechselweises Signal führt durch piezoelektrische Wirkung eine Verformung herbei, deren Kennzeichen von der Polarisation abhängig ist, und erzeugt eine Oberflächenschallwelle, wenn die Signalfrequenz gleich der Geschwindigkeit der Oberflächenwelle geteilt durch die Wellenlänge ist.
  • Bei den bekannten Vorrichtungen erzeugen die durch die Lithografietechniken 30 herbeigeführten Begrenzungen Frequenzbegrenzungen in der Nähe von 1 GHz.
  • Zwei Kontakte 22 an der Oberfläche der Verbundstruktur 10 ermöglichen mittels einer Erregervorrichtung 20 und eines Detektors 21 jeweils die Erzeugung und Erkennung von Frequenzen von bis zu 20 GHz und mehr.
  • Die Vorrichtung weist eine sehr hohe Raumauflösung auf, wodurch das Erreichen der hohen Frequenzen möglich ist, die mit klassischen Vorrichtungen mit durch Lithografieverfahren abgelagerten Kontakten erreichbar sind.

Claims (15)

  1. Elektrischer oder elektronischer Schaltkreis mit einer Verbundstruktur (10), die mindestens eine aus einem ferroelektrischen Material bestehende Schicht (11), mindestens einen Halbleiter oder einen dünnen Film (12) aus einem Metall- oder einem Supraleiter, der mit mindestens einer ersten Fläche der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt steht, und Einrichtungen (13) zum Erzeugen örtlicher Polarisationsveränderungen der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass er Einrichtungen (20,22) zum Erzeugen einer örtlichen Verformung der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material aufweist, um eine auf den örtlichen Polarisationsveränderungen basierende Oberflächenschallwelle zu erzeugen.
  2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtungen zum Erzeugen der örtlichen Polarisationsveränderungen der Schicht (11) aus ferroele ktrischem Material eine Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen mindestens einer Punktelektrode (13), die zum selektiven Abtasten einer zweiten Fläche der Verbundstruktur (10) in der Lage ist, die der aus dem Halbleiter oder dünnen Metall- oder Supraleiterfilm (12) bestehenden gegenüberliegt, und dem Halbleiter oder dünnen Metall- oder Supraleiterfilm (12) aufweisen.
  3. Elektrischer oder elektronischer Schaltkreis, dadurchgekennzeichnet, dass er eine Verbundstruktur (10) aufweist, die mindestens eine aus einem ferroelektrischen Material bestehende Schicht (11), mindestens einen Halbleiter oder einen dünnen Metall- oder Supraleiterfilm (12), der mit einer ersten Fläche der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt steht, und einen sehr dünnen Halbleiter- oder Metall- oder Supraleiterfilm (14) aufweist, wobei der letztere mit einer der ersten Fläche gegenüberliegenden zweiten Fläche der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt steht, sowie Einrichtungen (13) zum Erzeugen örtlicher Polarisationsveränderungen der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material, entweder zur örtlichen Veränderung der elektronischen Dichte einer Zone des Halbleiters oder des dünnen Metall- oder Supraleiterfilms (12) vom Nanometer- zum Mikrometer-Messbereich aufweist, wobei die Zone in der Nähe der ersten Fläche der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material liegt, oder zum Erzeugen einer örtlichen Verformung der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material aufweist, um eine Oberflächenschallwelle zu erzeugen.
  4. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurchgekennzeichnet, dass die Einrichtungen zum Erzeugen der örtlichen Polarisationsveränderungen der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material eine Vorrichtung zum Anlegen einer Spannung zwischen mindestens einer Punktelektrode (13), die zum selektiven Abtasten der zweiten Fläche der Verbundstruktur (10) in der Lage ist, die den sehr dünnen Halbleiter- oder Metall- oder Supraleiterfilm (14) trägt, aufweisen, und eine Spannung zwischen der Punktelektrode (13) und dem sehr dünnen Film (14) angelegt wird.
  5. Schaltkreis nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurchgekennzeichnet, dass eine Spannung zwischen der Punktelektrode (13) und dem mit der ersten Fläche der Schicht (11) aus ferroelektrischem Material in intensivem Kontakt stehenden dünnen Metall- oder Supraleiterfilm (12) angelegt wird.
  6. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , dass eine Spannung zwischen dem Halbleiter oder dem dünnen Metall- oder Supraleiterfilm (12) und dem sehr dünnen Halbleiter-, Metall- oder Supraleiterfilm (14) angelegt wird.
  7. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (11) aus ferroelektrischem Material durch ein für örtliche Veränderungen der elektronischen Dichte des Halbleiters oder des dünnen Films (12) aus einem Metall oder einem Supraleiter empfindliches Merkmal dargestellt wird.
  8. Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , dass das Merkmal der Tunnelleitwert zwischen einer Punktelektrode (13), die die zweite Fläche der Verbundstruktur (10) abtastet, die der aus dem Halbleiter oder dünnen Metall- oder Supraleiterfilm (12) bestehenden gegenüberliegt, und dem Halbleiter oder sehr dünnen Metall- oder Supraleiterfilm (12) ist.
  9. Schaltkreis nach den Ansprüchen 2 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Punktelektrode aus einer Spitze eines Punktsondenmikroskops besteht.
  10. Schaltkreis nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtungen zum Erzeugen örtlicher Polarisationsveränderungen aus einer Teilchenquelle bestehen.
  11. Schaltkreis nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilchenquelle zum Erzeugen eines Elektronenstrahls in der Lage ist.
  12. Schaltkreis nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilchenquelle zum Erzeugen eines Ionenstrahls in der Lage ist.
  13. Schaltkreis nach den Ansprüchen 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtungen zum Erzeugen örtlicher Polarisationsveränderungen aus einer Strahlenquelle bestehen.
  14. Anwendung des Schaltkreises nach einem der vorangegangenen Ansprüche als Oberflächenschallwellenvorrichtung.
  15. Anwendung des Schaltkreises nach einem der Ansprüche 3 bis 13 als nicht flüchtiger Speicher.
DE69816052T 1997-04-01 1998-04-01 Elektrisches oder elektronisches bauelement und seine verwendung als nichtflüchtiger speicher und akustische oberflächenwellenvorrichtung Expired - Lifetime DE69816052T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9704298A FR2761530B1 (fr) 1997-04-01 1997-04-01 Composant electrique ou electronique, notamment circuit electrique ou electronique ou memoire non volatile
FR9704298 1997-04-01
PCT/CH1998/000123 WO1998044498A1 (fr) 1997-04-01 1998-04-01 Composant electrique ou electronique et application comme memoire non volatile et dispositif a ondes acoustiques de surface.

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