KR100851982B1 - 강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체 및그 제조방법 - Google Patents
강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체 및그 제조방법Info
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Abstract
강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 개시된 강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체는: 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부전극; 및 상기 하부전극 상에 형성된 강유전체 나노도트들;을 구비하며, 상기 강유전체 나노도트들은 서로 이격되게 형성되며, 복수의 강유전체 나노도트가 하나의 비트영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 강유전체 나노도트층을 포함하는 강유전체 정보저장매체의 단면도이다.
도 2는 도 1의 강유전체 나노도트들의 배치를 보여주는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체의 제조방법을 단계적으로 보여주는 공정도이다.
도 4는 TiO2 나노도트들의 크기와 형태를 보여주는 TEM 사진이다.
도 5는 TiO2 나노도트의 표면에 카르복실기가 포함된 분산제가 배위된(coordinated) 것을 보여주는 모형도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10: 기판 20: 하부전극
22: 접착층 30: 강유전체 나노도트층
32: 강유전체 나노도트 34: 전구체 나노도트층
36: 전구체 나노도트 38: 유기물 분산제
본 발명은 정보 저장을 위한 강유전성 물질을 포함하는 정보저장매체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정보저장부인 강유전체 나노도트층을 포함하는 정보저장매체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래 하드 디스크(hard disk), 광디스크(optical disk)와 같은 정보 저장(data storage) 장치 기술의 급격한 발달로 180 Gbit/inch2 이상의 기록밀도를 갖는 정보저장 장치가 개발되었으며, 디지털 기술의 급격한 발달은 더욱 고용량의 정보저장 장치를 요구하게 되었다.
종래의 하드 디스크의 수퍼-파라마그네틱(superparamagnetic) 한계나 또는 광디스크의 레이저의 회절 한계 등으로 인하여 기록밀도가 제한된다. 최근, 근접장 광학(near-field optics) 기술을 이용하여 광의 회절 한계를 극복하여 100 Gbit/inch2 이상의 기록 밀도를 갖는 정보 저장 장치를 개발하려는 연구가 진행되고 있다. 또한, HDD의 경우에는 Discrete Track Media를 이용하여 400 Gb/in2 이상의 밀도를 데모한 바 있다.
한편, 기존의 정보저장 장치와는 달리, AFM(Atomic Force Microscopy)에서 볼 수 있는 팁-형상의 프로브(tip-shaped probes)을 이용하여 고용량 정보저장 장치를 제작하고자하는 연구가 진행되고 있다. 상기 팁-형상의 프로브는 수 nm 크기까지 작게 할 수 있기 때문에 이러한 팁-형상의 프로브를 이용하여 원자레벨의 표 면 미세 구조도 관찰할 수 있게 되었다. 이러한 특성을 갖는 팁-형상의 프로브를 이용하면, 이론적으로 테라 비트(tera bit)급의 정보저장 장치도 가능할 수 있다. 팁-형상의 프로브를 이용시 종래의 강유전체 박막은 다결정질로 인한 결정 크기의 불균일로 데이터 유지 특성이 불량해질 수 있다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 개선하기 위해 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 크기가 균일한 나노드트들로 이루어진 정보저장층을 구비한 강유전체 나노도트를 포함하는 정보저장매체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 정보저장매체를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 강유전체 나노도트를 포함하는 정보저장매체는, 기판;
상기 기판 상에 형성된 하부전극; 및
상기 하부전극 상에 형성된 강유전체 나노도트들;을 구비하며,
상기 강유전체 나노도트들은 서로 이격되게 형성되며, 복수의 강유전체 나노도트가 하나의 비트영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 강유전체 나노도트의 크기는 대략 15nm 이하이다.
또한, 상기 강유전체 나노도트는 상기 하부전극 상에 하나의 층으로 형성된 다.
상기 강유전체 나노도트는 PbTiO3, KNbO3, BiFeO3 등 강유전체 물질 중 어느 하나의 물질로 형형성되는 것이 바람직하다.
상기 기판은 실리콘, 유리, 알루미나 중 어느 하나의 물질로 형성된다.
상기 강유전체 나노도트 상에는 보호층이 더 형성될 수 있으며, 상기 보호층 상에는 윤활층이 더 형성될 수 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 강유전체나노도트를 포함하는 정보저장매체의 제조방법은:
기판 상에 하부전극을 형성하는 제1 단계;
상기 하부전극 상에 강유전체의 금속물질을 포함하는 전구체 나노도트층을 형성하는 제2 단계;
상기 전구체 나노도트층 상에 상기 전구체 나노도트와 결합하여 강유전체 나노도트를 형성하는 반응개스를 공급하는 제3 단계;
상기 전구체 나노도트층을 가열하여 상기 강유전체 나노도트를 형성하는 제4 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 상기 제2 단계는, 상기 전구체 나노도트층의 각 나노도트의 표면이 유기물로 배위되게 하는 단계이다.
상기 전구체 나노도트층은 서로 이격된 나노도트들로 이루어진다.
상기 전구체 나노도트는 15 nm 이하의 크기로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제2 단계는,
상기 전구체 나노도트들이 분산된 용액을 하부전극 상에 박막화하여 상기 전구체 나노도트층을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 박막화 방법으로는 일반적으로 잘 알려진 스핀코팅, 딥코팅, 블레이드 코팅, 스크린 프린팅, 화학적 자기조립(self-assembled), Langmuir-Blodgett 방법, 스프레이 코팅 등이 가능하다.
상기 용액에는 상기 나노도트들이 0.025wt% 내지 1wt% 포함될 수 있다.
상기 용액의 용매는 극성 용매와 무극성 용매가 모두 사용될 수 있으며, 클로로포름, 다이클로로메탄, 헥산, 톨루엔, 에테르, 아세톤, 에탄올, 피리딘, 테트라하이드로퓨란 등이 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 전구체 나노도트층은 전구체 나노도트로 된 하나의 층이다.
상기 제2 단계는, 상기 나노도트 표면에 배위된 유기물 분산제를 제거하는 단계를 더 포함한다.
상기 유기물 분산제의 제거단계는, 상기 전구체 나노도트층을 200 ℃ 이상으로 열처리 하거나 또는 상기 전구체 나노도트층을 산소(O2) 플라즈마 처리하는 단계이다.
또한, 상기 제2 단계는,
Ti, Nb, Fe 중 어느 하나를 포함하는 전구체 나노도트를 형성하는 단계이다.
상기 제4 단계는, 400℃ 내지 900℃ 로 가열하는 단계를 포함한다.
상기 제4 단계는, PbTiO3, KNbO3, BiFeO3 등과 같은 강유전체 물질 중 어느 하나로 이루어진 나노도트층을 형성하는 단계이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체 및 그 제조방법를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 강유전체 나노도트층(30)을 포함하는 강유전체 정보저장매체의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판(10) 상에 하부전극(20)이 형성되어 있으며, 상기 하부전극(20) 상에는 강유전체 나노도트들(32)로 이루어진 강유전체 나노도트층(30)이 형성되어 있다. 강유전체 나노도트들(32)은 고르게 분포되어 있다. 상기 기판(10)과 상기 하부전극(20) 사이에는 이들의 접착성을 양호하게 하기 위하여 TiO2, ZrO2, Cr 등의 접착물질(미도시)이 더 형성될 수 있다. 또한, 상기 하부전극(20) 및 강유전체 나노도트들(32) 사이에도 상기 접착물질과 같은 접착제가 더 형성될 수 있다.
상기 기판(10)은 반도체 산업에서 널리 사용되는 실리콘 기판이 사용될 수 있으며, 또한, 유리 기판 또는 알루미나 기판이 사용될 수도 있다.
상기 하부전극(20)은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 이리듐 산화물(IrO2) 또는 SrRuO3 등이 사용될 수 있다.
상기 나노도트들(32)은 도 2에서 보듯이 강유전성 물질, 예컨대 PbTiO3 나노 도트이며 이들 나노도트들(32)은 서로 이격되게 배치되어 있다. 이들은 후술하는 제조방법에서 설명하듯이 그 크기가 일정하게 형성될 수 있으며, 바람직하게는 상기 나노도트(32)는 직경이 15 nm 이하로 형성되며, 나노도트들(32) 사이의 간격은 조절이 가능하다. 이들 나노도트들(32)은 제조과정에서 자발적으로 일정한 간격을 두고 형성되지만 정렬된 구조를 갖추지 않을 수도 있다. 이러한 복수의 나노도트들이 모여서 1 비트 정보 영역이 된다. 이들 나노도트(32)의 직경이 수 nm 로 형성되면 1 제곱 인치당 1 테라비트의 형성이 가능하게 된다. 따라서, 본 발명의 정보저장매체는 종래의 정보저장 매체 보다 현저히 증가한 집적밀도를 보여줄 수 있다.
상기 강유전체 나노도트(32)는 PbTiO3 나노도트에 한정되는 것은 아니다. 즉, BiFeO3 또는 KNbO3 등의 강유전체 물질로도 형성될 수 있다.
상기 강유전체 나노도트층(30)은 하나의 층으로 형성된다. 상기 강유전체 나노도트층(30) 상에는 보호층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 상기 보호층은 예를 들면 DLC(diamond-like carbon)으로 형성될 수 있으며, 이외에도 다양한 다른 물질로도 형성될 수 있다. 또한 상기 보호층 상에는 윤활층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
도 1에서 참조번호 12는 기록/읽기 헤드를 가리키며, 이는 저항성 프로브(resistive probe) 또는 하드 디스크 드라이브의 기록/읽기 헤드일 수 있다. 상기 헤드(12)와 하부전극(20) 사이에 전압 펄스를 인가하면 강유전체 나노도트(32)의 분극(polarization)이 변화될 수 있다. 상기 전압의 부호에 따라 분극방향이 상 향 또는 하향이 된다. 이러한 분극 상태의 읽기는 기록/읽기 헤드(12)를 이용하여 검출할 수 있으며, 따라서 강유전체 나노도트들(32)로 이루어진 1 비트 영역의 기록 데이터를 읽을 수 있게 된다.
본 발명의 정보저장매체의 구조는 후술하는 제조방법으로부터 잘 알 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 강유전체 박막의 제조방법을 보여주는 공정도이다. 도 1의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 3a를 참조하면, 기판(10) 상에 접착층(12) 및 하부전극(20)을 형성한다. 상기 기판(10)으로 실리콘 기판, 유리기판 또는 알루미나 기판이 사용될 수 있다. 실리콘 기판을 사용하는 경우, 기판(10) 상에 SiO2층이 형성될 수 있다. 상기 접착층(12)은 하부전극(20) 및 기판(10) 사이의 접착을 양호하게 하기 위한 것으로 TiO2, ZrO2, Cr 등의 접착물질을 증착하여 형성할 수 있다. 상기 하부전극(20)은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 이리듐 산화물(IrO2) 또는 SrRuO3 등으로 증착하여 100 nm 이하 두께로 형성한다.
도 3b를 참조하면, 하부전극(20) 상에 강유전체 물질의 금속물질을 포함하는 전구체 나노도트층(34)을 형성한다. 전구체 나노도트층(34)은 복수의 전구체 나노도트(36)으로 형성되며, 상기 전구체 나노도트들(36)은 도 2에서의 강유전체 나노도트들(32)처럼 서로 이격되게 형성된다. 상기 강유전체 물질은 PbTiO3, KNbO3, BiFeO3 등과 같은 강유전체 물질로 이루어질 수 있다. 상기 금속물질은 Ti, Nb, Fe 일 수 있으며, 이들 금속물질이 산화물 또는 질화물 형태로 형성될 수 있다.
상기 전구체 나노도트(36)의 표면에는 유기물 분산제(38)가 배위되어 있으며, 이 유기물 분산제(38)에 의하여 나노도트들(36)이 이격된다. 상기 나노도트(36)는 바람직하게는 15nm 이하의 크기로 형성될 수 있으며, 단일층(monolayer)으로 형성된다.
다음은 TiO2 나노도트를 하부전극(20) 상에 형성하는 방법을 설명한다.
먼저, TiO2의 나노도트를 용액 상에서 합성한다. 이를 위해서, 0.4g의 올레산(oleic acid)과, 20㎖의 트리옥탈아민(trioctylamine), 1㎖의 올레일아민(oleylamine), 0.1g의 티타늄 클로라이드(titanium chloride)를 동시에 환류 콘덴서(reflux condenser)가 설치된 125㎖ 플라스크에 넣고, 교반하면서 반응 온도를 천천히 320℃로 올려 320℃에서 약 2시간 동안 반응시켰다. 반응이 종결된 후, 반응 혼합물을 가능한 빨리 냉각시킨 후, 비용매 (non solvent)인 아세톤을 부가하여 원심 분리를 실시하였다. 원심 분리된 침전물을 제외한 용액의 상등액은 버리고, 침전을 헥산에 약 1wt% 용액이 되도록 분산시켰다. 이렇게 제조된 TiO2 나노도트의 전자현미경사진이 도 4에 나타나 있다.
TiO2 나노도트의 표면에는 도 5에 도시한 것처럼 올레산기로 둘러싸여 있다. TiO2 나노도트가 분산된 용액을 하부전극(20) 상에 스핀코팅한다. 이때 스핀코팅의 속도 또는 TiO2 나노도트의 농도, 용매의 종류를 조절하여 TiO2 나노도트를 단일층 으로 형성한다. 하부전극(20) 상에 스핀코팅된 TiO2 나노도트들은 표면에 둘러싸인 올레산에 의해서 서로 이격되며, 자발적으로 정렬된다(self-assembled). 즉, 정밀한 배열은 아니지만, 어느 정도 일정한 간격을 유지한다.
상기 TiO2의 농도는 0.05wt% 내지 1 wt%인 것이 바람직하다. 상기 농도가 0.05wt% 이하인 경우 나노도트들 사이의 거리가 너무 떨어져서 밀도가 낮아질 수 있으며, 1wt% 이상인 경우 나노도트층이 너무 두껍게 형성되어서 단일층으로 형성하기가 어려울 수 있다.
이어서, 상기 전구체 나노도트(36)의 표면에 배위된 유기물 분산제(38)를 제거한다. 이를 위해서 O2 플라즈마 방법으로 1~5분 처리할 수 있다. 또한, 후술하는 열처리 공정에서 유기물 분산제(38)를 제거할 수도 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 전구체 나노도트(36)를 강유전체 나노도트(32)로 변환하기 위해서 TiO2 전구체 나노도트(36)에 PbO 반응개스를 반응시킨다. 상기 전구체의 물질이 바뀌는 경우 그에 따른 반응개스의 물질이 달라진다. 예컨대, 전구체가 Ti 또는 TiN 인 경우에는 산소개스를 더 공급한다. 전구체가 FeO 인 경우, Bi2O3 반응개스를 사용하며, 전구체가 NbO인 경우 K2O 반응개스를 사용한다. 또한, 전구체가 Fe 또는 Nb인 경우 산소분위기에서 해당 반응개스를 공급하여 강유전체 나노도트들(32)을 형성한다. 상기 강유전체 나노도트들(32)은 단층의 강유전체 나노도트층(30)을 형성한다.
상기 PbO 반응개스는 열증발(thermal evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 공급될 수 있다. 예를 들어, PbO 분말을 가열처리하여 증발시킴으로써, 기체상태의 PbO를 얻을 수 있다. 또 다른 방법으로, Pb 타겟 또는 PbO 타겟을 스퍼터에 설치하여 산소(O2)를 포함한 플라즈마 분위기에서 스퍼터링함으로써, 기체상태의 PbO를 용이하게 얻을 수 있다.
상기 전구체 나노도트(36)와 반응개스의 반응은 400℃ 내지 900℃ 범위의 분위기에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 가열처리 결과로, 가열처리 온도가 400℃ 이하로 낮을 경우, 상기 전구체 나노도트(36)와 반응개스의 반응이 원활하게 이루어지지 않을 수 있다. 또한 가열처리 온도가 900℃ 이상으로 너무 높을 경우, 이미 형성된 강유전체 나노도트(32)로부터 반응개스가 휘발될 수 있다.
이어서, 상기 강유전체 나노도트(32) 상에 보호층(미도시) 및 윤활층(미도시)을 더 형성할 수 있으며, 이러한 보호층 및 윤활층의 형성방법은 정보저장매체의 제조방법에서 잘 알려져 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 강유전체 나노도트를 포함하는 정보저장매체의 제조방법에 의하면, 800℃ 내지 900℃ 의 고온에서도 강유전체 나노도트(32)의 형성시 분리된 전구체 나노도트(36) 때문에 전구체 나노도트들이 접촉하여 재성장하는 것이 방지되므로 강유전체 나노도트(32) 크기는 일정하게 된다. 따라서, 고온성장에 의한 결정성이 양호해지며, 정보저장특성이 향상될 수 있다.
또한, 강유전체 나노도트(32) 사이의 갭이 거의 없으며 강유전체 나노도트(32)와 접촉되는 기록/읽기 헤드 부분이 상대적으로 상기 갭 보다 크므로 강유전체 나노도트(32)의 거칠기(roughness)가 양호한 것으로 인식된다.
본 발명에 따르면, 강유전체 나노도트의 크기가 15 nm 이하로 균일하게 제어될 수 있으며, 강유전체 나노도트들이 서로 이격되어 있으므로 열처리 과정에서 나노도트들 사이의 재성장이 억제된다. 또한, 나노도트들이 하부전극 상에 고르게 자발적으로 배치되며(self-assembled) 다수의 나노도트들이 하나의 비트 영역을 형성하므로 이들 나노도트가 정확하게 배열될 필요가 없으며 따라서 정밀한 패터닝 공정을 필요로 하지 않는다.
또한, 박막형태의 강유전층이 아니라 서로 이격된 나노도트층이므로 나노도트 결정 내의 스트레스가 감소하게 되며 따라서 마그네틱 정보 특성이 양호해진다.
이러한 강유전체 정보저장매체의 제조방법은 그 제조공정이 간단하고 용이할 뿐만 아니라, 상기 제조방법을 이용하면 기록특성이 향상된 강유전체 기록매체의 제조가 가능할 수 있다.
이상에서, 이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 상기 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점이 이해되어야 할 것이다. 따라서, 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 공정순서에만 국한되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 발명의 기술사상을 중심으로 보호되어야 할 것이다.
Claims (22)
- 기판;상기 기판 상에 형성된 하부전극; 및상기 하부전극 상에 형성된 강유전체 나노도트들;을 구비하며,상기 강유전체 나노도트들은 서로 이격되게 형성되며, 복수의 강유전체 나노도트가 하나의 비트영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 강유전체 나노도트의 크기는 15nm 이하인 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체.
- 제 1 항에 있어서,상기 강유전체 나노도트는 상기 하부전극 상에 하나의 층으로 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 강유전체 나노도트는 PbTiO3, KNbO3, BiFeO3 를 포함하는 강유전체 물질 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 유리, 알루미나 중 어느 하나의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체.
- 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 강유전체 나노도트 상에는 보호층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체.
- 제 6 항에 있어서,상기 보호층 상에는 윤활층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체.
- 기판 상에 하부전극을 형성하는 제1 단계;상기 하부전극 상에 강유전체의 금속물질을 포함하는 전구체 나노도트층을 형성하는 제2 단계;상기 전구체 나노도트층 상에 상기 전구체 나노도트와 결합하여 강유전체 나노도트를 형성하는 반응개스를 공급하는 제3 단계;상기 전구체 나노도트층을 가열하여 상기 강유전체 나노도트를 형성하는 제4 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전체 나노도트를 포함하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제2 단계는,상기 전구체 나노도트층의 각 나노도트의 표면에 유기물 분산제를 배위하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 전구체 나노도트층은 서로 이격된 나노도트들로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 저장방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 전구체 나노도트는 15 nm 이하의 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제2 단계는,상기 전구체 나노도트들이 분산된 용액을 하부전극 상에 박막화하여 상기 전구체 나노도트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 박막화는,스핀코팅, 딥코팅, 블레이드 코팅, 스크린 프린팅, 화학적 자기조립, Langmuir-Blodgett 방법, spray 코팅 방법 중 어느 하나의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제2 단계는,상기 용액에는 상기 나노도트들이 0.025wt% 내지 1wt% 포함된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 용액의 용매는 클로로포름, 다이클로로메탄, 헥산, 톨루엔, 에테르, 아세톤, 에탄올, 피리딘, 테트라하이드로퓨란을 포함하는 유기용매 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 전구체 나노도트층은 하나의 전구체 나노도트의 층인 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제2 단계는,상기 유기물 분산제를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 17 항에 있어서, 상기 유기물 분산제의 제거단계는;상기 전구체 나노도트층을 열처리 하거나 또는 상기 전구체 나노도트층을 산소(O2) 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제2 단계는,Ti, Nb, Fe 중 어느 하나를 포함하는 전구체 나노도트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제4 단계는,400℃ 내지 900℃ 로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제4 단계는,PbTiO3, KNbO3, BiFeO3 를 포함하는 강유전체 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어진 나노도트층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 강유전체 나노도트는 15 nm 이하의 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 정보저장매체 제조방법.
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| US11/872,059 US20080205252A1 (en) | 2007-02-23 | 2007-10-15 | Ferroelectric information storage medium and method of manufacturing the same |
| JP2008041890A JP2008219007A (ja) | 2007-02-23 | 2008-02-22 | 強誘電体ナノドットを有する強誘電体情報記録媒体及びその製造方法 |
| CN2008101428872A CN101320577B (zh) | 2007-02-23 | 2008-02-22 | 铁电信息存储介质的制造方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101231564B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2013-02-15 | 한국과학기술원 | 강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법 |
| KR101768860B1 (ko) | 2015-12-14 | 2017-08-18 | 건국대학교 산학협력단 | 그래핀과 강유전체 접합 구조를 이용한 거대자기저항 소자 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100842897B1 (ko) * | 2007-01-29 | 2008-07-03 | 삼성전자주식회사 | 강유전체 하드디스크드라이브용 강유전체 미디어 구조 및그 제조 방법 |
| KR20140025161A (ko) * | 2012-08-21 | 2014-03-04 | 삼성전자주식회사 | 양자점 소자 제조 방법, 이에 의해 제조된 양자점 소자 및 양자점 소자의 전하 이동도 측정 방법 |
| JP6285785B2 (ja) | 2013-06-10 | 2018-02-28 | 昭和電工株式会社 | 垂直記録媒体および垂直記録再生装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040069161A (ko) * | 2003-01-28 | 2004-08-04 | 성윤모 | 에스비티 강유전체 박막의 공정조건 제어방법 |
| JP2005203412A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
| KR20060075874A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-04 | 한양대학교 산학협력단 | 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자또는 기억 소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09307073A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Fujitsu Ltd | メモリ装置 |
| FR2761530B1 (fr) * | 1997-04-01 | 1999-06-11 | Univ Geneve | Composant electrique ou electronique, notamment circuit electrique ou electronique ou memoire non volatile |
| US6297085B1 (en) * | 1997-12-11 | 2001-10-02 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacturing ferroelectric capacitor and method for manufacturing ferroelectric memory |
| WO2002035554A1 (fr) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Harima Chemicals, Inc. | Pate metallique electro-conductrice et procede de production de cette pate |
| EP1213745A1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-12 | Sony International (Europe) GmbH | Method of producing a ferroelectric memory and memory device |
| DE10125370C1 (de) * | 2001-05-23 | 2002-11-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem stark polarisierbaren Dielektrikum oder Ferroelektrikum |
| JP4825373B2 (ja) * | 2001-08-14 | 2011-11-30 | ローム株式会社 | 強誘電体薄膜の製造方法およびこれを用いた強誘電体メモリの製造方法 |
| KR100867281B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2008-11-06 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 크기분리 과정 없이 균일하고 결정성이 우수한 금속,합금, 금속 산화물, 및 복합금속 산화물 나노입자를제조하는 방법 |
| JP2003263804A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Pioneer Electronic Corp | 誘電体記録媒体とその製造方法及びその製造装置 |
| US6737364B2 (en) * | 2002-10-07 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating crystalline-dielectric thin films and devices formed using same |
| JP4221660B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2009-02-12 | ソニー株式会社 | 細孔構造体及びその製造方法、メモリ装置及びその製造方法、吸着量分析装置、並びに磁気記録媒体 |
| JP2006100337A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体薄膜の製造方法 |
| JP4376761B2 (ja) * | 2004-11-24 | 2009-12-02 | パナソニック株式会社 | 容量素子及び半導体記憶装置 |
| JP2006303178A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜の作製方法 |
| KR100813517B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2008-03-17 | 삼성전자주식회사 | 데이터 저장을 위한 강유전체 박막의 제조방법 및 이를이용한 강유전체 기록매체의 제조방법 |
| JP2008192712A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Japan Science & Technology Agency | トンネル磁気抵抗素子 |
-
2007
- 2007-02-23 KR KR1020070018521A patent/KR100851982B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-10-15 US US11/872,059 patent/US20080205252A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-02-22 CN CN2008101428872A patent/CN101320577B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-22 JP JP2008041890A patent/JP2008219007A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040069161A (ko) * | 2003-01-28 | 2004-08-04 | 성윤모 | 에스비티 강유전체 박막의 공정조건 제어방법 |
| JP2005203412A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
| KR20060075874A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-04 | 한양대학교 산학협력단 | 교차하는 전극 사이에 나노 결정체를 이용한 논리 소자또는 기억 소자 및 그 제조 방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101231564B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2013-02-15 | 한국과학기술원 | 강유전체 나노도트 소자 및 그 제조방법 |
| KR101768860B1 (ko) | 2015-12-14 | 2017-08-18 | 건국대학교 산학협력단 | 그래핀과 강유전체 접합 구조를 이용한 거대자기저항 소자 및 그 제조방법 |
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