JP2890011B2 - 情報記録方法 - Google Patents
情報記録方法Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/02—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using ferroelectric record carriers; Record carriers therefor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報記録方法に関し、特
に詳細には、半導体層と強誘電体の層とを有する情報記
録媒体に、上記強誘電体の分極の方向により情報を記録
する方法に関するものである。
に詳細には、半導体層と強誘電体の層とを有する情報記
録媒体に、上記強誘電体の分極の方向により情報を記録
する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】画像信号や音声信号等の各種情報を記録
したり、さらにはコンピュータ用データメモリとして使
用される超高密度記録可能な情報記録媒体として、特開
昭５７−２７４４７号公報に示されるように、半導体層
とこの半導体層上に形成された強誘電体の層とを有し、
この強誘電体の分極の方向により情報を記録するものが
知られている。この情報記録媒体への記録は、導電性ヘ
ッド（電極）を強誘電体層上で移動させつつ該層に電圧
を印加することにより、この強誘電体層の所定部分のみ
を選択的に所定方向に分極させて行なわれる。またこの
情報記録媒体からの情報再生は、上記強誘電体の分極の
ために半導体層中に形成される空乏層による記録媒体の
静電容量変化を、導電性ヘッドで検出することにより行
なわれる。
したり、さらにはコンピュータ用データメモリとして使
用される超高密度記録可能な情報記録媒体として、特開
昭５７−２７４４７号公報に示されるように、半導体層
とこの半導体層上に形成された強誘電体の層とを有し、
この強誘電体の分極の方向により情報を記録するものが
知られている。この情報記録媒体への記録は、導電性ヘ
ッド（電極）を強誘電体層上で移動させつつ該層に電圧
を印加することにより、この強誘電体層の所定部分のみ
を選択的に所定方向に分極させて行なわれる。またこの
情報記録媒体からの情報再生は、上記強誘電体の分極の
ために半導体層中に形成される空乏層による記録媒体の
静電容量変化を、導電性ヘッドで検出することにより行
なわれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な情報記録媒体に情報を記録する際、記録速度は強誘電
体の分極反転の速度で決まる。従来、この分極反転の速
度は、強誘電体材料毎に固有の値を取ると考えられてき
た。これは一面では正しいが、本発明者の研究による
と、強誘電体材料が同じ場合でも、分極反転の速度が異
なることもあることが判明した。この分極反転の速度が
低下すると、当然記録速度が低下し、情報記録に要する
時間が長くなってしまう。
な情報記録媒体に情報を記録する際、記録速度は強誘電
体の分極反転の速度で決まる。従来、この分極反転の速
度は、強誘電体材料毎に固有の値を取ると考えられてき
た。これは一面では正しいが、本発明者の研究による
と、強誘電体材料が同じ場合でも、分極反転の速度が異
なることもあることが判明した。この分極反転の速度が
低下すると、当然記録速度が低下し、情報記録に要する
時間が長くなってしまう。
【０００４】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、いかなる場合でも強誘電体材料毎に極限
まで分極反転の速度を高め、それにより高速記録を可能
にする情報記録方法を提供することを目的とするもので
ある。
たものであり、いかなる場合でも強誘電体材料毎に極限
まで分極反転の速度を高め、それにより高速記録を可能
にする情報記録方法を提供することを目的とするもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による情報記録方
法は、前述した半導体層と強誘電体の層とを有する情報
記録媒体に対して電圧を印加して、強誘電体の分極の方
向により情報を記録する情報記録方法において、上記印
加電圧の値を、半導体層に生じる空乏層になだれ破壊電
圧（なだれ破壊を引き起こす最低の電圧）以上の電圧が
加わる値に設定することを特徴とするものである。
法は、前述した半導体層と強誘電体の層とを有する情報
記録媒体に対して電圧を印加して、強誘電体の分極の方
向により情報を記録する情報記録方法において、上記印
加電圧の値を、半導体層に生じる空乏層になだれ破壊電
圧（なだれ破壊を引き起こす最低の電圧）以上の電圧が
加わる値に設定することを特徴とするものである。
【０００６】なお、本発明方法において用いられる強誘
電体材料としては、無機材料ではペロブスカイト構造の
強誘電体、チタン酸バリウム、チタン酸鉛−ジルコン酸
鉛固溶体、チタン酸ビスマス、タングステン・ブロンズ
構造のニオブ酸ストロンチウム−ニオブ酸バリウム、硫
酸グリシン、硝酸カリ、リン酸カリ、Ｃ（ＮＨ2 ）3Ａ
ｌ（ＳＯ4 ）2 ６Ｈ2 Ｏ、亜硝酸ナトリウム、ＳｂＳＩ
等が挙げられる。また有機の強誘電体材料としては、フ
ッ化ビニリデン（ＶＤＦ）ポリマーもしくはそれを含む
共重合体、奇数次のナイロン、あるいはシアン化ビニリ
デンもしくはそれを含む共重合体、フッ化ビニル（Ｖ
Ｆ）ポリマーもしくはそれを含む共重合体等が挙げられ
る。
電体材料としては、無機材料ではペロブスカイト構造の
強誘電体、チタン酸バリウム、チタン酸鉛−ジルコン酸
鉛固溶体、チタン酸ビスマス、タングステン・ブロンズ
構造のニオブ酸ストロンチウム−ニオブ酸バリウム、硫
酸グリシン、硝酸カリ、リン酸カリ、Ｃ（ＮＨ2 ）3Ａ
ｌ（ＳＯ4 ）2 ６Ｈ2 Ｏ、亜硝酸ナトリウム、ＳｂＳＩ
等が挙げられる。また有機の強誘電体材料としては、フ
ッ化ビニリデン（ＶＤＦ）ポリマーもしくはそれを含む
共重合体、奇数次のナイロン、あるいはシアン化ビニリ
デンもしくはそれを含む共重合体、フッ化ビニル（Ｖ
Ｆ）ポリマーもしくはそれを含む共重合体等が挙げられ
る。
【０００７】一方半導体層としては、半導体よりなる基
板をそのまま用いてもよい。あるいは、予め案内溝ある
いはピットや、セクタ情報を示すピット等が設けられた
プラスチック、ガラス、金属を基板として用いて、該基
板上に半導体層を形成するようにしてもよい。この場合
の半導体としては、良く知られているように、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、あるいはＧａＡｓに代表される III−Ｖ属化合物半
導体、さらにはII−VI属化合物半導体等が用いられ得
る。また、有機物半導体としてポリピロール、ポリチオ
フェン等も用いられ得る。これらは、単結晶、多結晶あ
るいはアモルファスでもよい。また半導体の抵抗率は0.
01Ωcm〜1000Ωcm程度とするのが良く、好ましくは0.1
Ωcm〜100 Ωcmである。
板をそのまま用いてもよい。あるいは、予め案内溝ある
いはピットや、セクタ情報を示すピット等が設けられた
プラスチック、ガラス、金属を基板として用いて、該基
板上に半導体層を形成するようにしてもよい。この場合
の半導体としては、良く知られているように、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、あるいはＧａＡｓに代表される III−Ｖ属化合物半
導体、さらにはII−VI属化合物半導体等が用いられ得
る。また、有機物半導体としてポリピロール、ポリチオ
フェン等も用いられ得る。これらは、単結晶、多結晶あ
るいはアモルファスでもよい。また半導体の抵抗率は0.
01Ωcm〜1000Ωcm程度とするのが良く、好ましくは0.1
Ωcm〜100 Ωcmである。
【０００８】それらの半導体の内、好ましいものは不純
物をドープしたｎ型もしくはｐ型シリコンであり、シリ
コン中の不純物濃度は1019〜1024ｍ-3程度、好ましくは
1020〜1023ｍ-3である。
物をドープしたｎ型もしくはｐ型シリコンであり、シリ
コン中の不純物濃度は1019〜1024ｍ-3程度、好ましくは
1020〜1023ｍ-3である。
【０００９】
【作用】まず、先に述べたように、強誘電体材料が同じ
でも分極反転の速度が異なる点について詳しく説明す
る。本発明者の研究によると、情報記録媒体に＋、−交
互の電圧を印加して記録を行なう場合、特定の側で分極
反転速度が小さくなる。例えば半導体層にｐ型半導体を
用いる場合は＋電圧を印加する側であり、半導体層にｎ
型半導体を用いる場合は−電圧を印加する側である。こ
れらの場合、印加電圧の方向が、半導体層に空乏層が形
成される方向と一致していることに着目すると、分極反
転速度が低下することの原因は、半導体層の強誘電体層
側の界面に蓄積すべき反転キャリアの発生数に分極反転
が律速されているのではないかと推察される。
でも分極反転の速度が異なる点について詳しく説明す
る。本発明者の研究によると、情報記録媒体に＋、−交
互の電圧を印加して記録を行なう場合、特定の側で分極
反転速度が小さくなる。例えば半導体層にｐ型半導体を
用いる場合は＋電圧を印加する側であり、半導体層にｎ
型半導体を用いる場合は−電圧を印加する側である。こ
れらの場合、印加電圧の方向が、半導体層に空乏層が形
成される方向と一致していることに着目すると、分極反
転速度が低下することの原因は、半導体層の強誘電体層
側の界面に蓄積すべき反転キャリアの発生数に分極反転
が律速されているのではないかと推察される。
【００１０】それに対して、印加電圧の値を本発明のよ
うに設定すると、従来は上記のように分極反転が遅くな
る場合において、分極反転速度が明らかに上昇すること
が確認された。この作用は、半導体層の空乏層になだれ
破壊が起きることにより、少数キャリアが、分極反転を
律速しないような速さで半導体層の強誘電体層側界面に
蓄積する結果によると考えられる。
うに設定すると、従来は上記のように分極反転が遅くな
る場合において、分極反転速度が明らかに上昇すること
が確認された。この作用は、半導体層の空乏層になだれ
破壊が起きることにより、少数キャリアが、分極反転を
律速しないような速さで半導体層の強誘電体層側界面に
蓄積する結果によると考えられる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１は本発明の情報記録方法を実施する装
置の一例を示すものであり、また図２は、この方法によ
って情報が記録される情報記録媒体10の側断面形状を概
念的に示すものである。まず情報記録媒体10について説
明する。
詳細に説明する。 ＜実施例１＞図１は本発明の情報記録方法を実施する装
置の一例を示すものであり、また図２は、この方法によ
って情報が記録される情報記録媒体10の側断面形状を概
念的に示すものである。まず情報記録媒体10について説
明する。
【００１２】この情報記録媒体10は、半導体層11とその
上に絶縁層12を介して形成された有機強誘電体層13とか
らなる。本実施例では半導体基板をそのまま半導体層11
としており、この基板としては、抵抗率５Ωcmで不純物
濃度５×1021ｍ-3のｐ型シリコン・ウエファが用いられ
ている。また絶縁層12は、上記シリコン・ウエファ上に
熱酸化法により酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を膜厚50ｎｍに
層成してなるものである。そしてその上に、有機強誘電
体であるＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体（ＶＤＦが65mol
％）の薄膜を形成して、有機強誘電体層13が形成されて
いる。
上に絶縁層12を介して形成された有機強誘電体層13とか
らなる。本実施例では半導体基板をそのまま半導体層11
としており、この基板としては、抵抗率５Ωcmで不純物
濃度５×1021ｍ-3のｐ型シリコン・ウエファが用いられ
ている。また絶縁層12は、上記シリコン・ウエファ上に
熱酸化法により酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を膜厚50ｎｍに
層成してなるものである。そしてその上に、有機強誘電
体であるＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体（ＶＤＦが65mol
％）の薄膜を形成して、有機強誘電体層13が形成されて
いる。
【００１３】この薄膜形成は、一例として以下のように
して行なわれる。まずＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体をメチ
ル・エチル・ケトン（ＭＥＫ）に10ｗｔ％にて溶解し、
この溶液を市販のスピンコータを用いて回転数5000ｒｐ
ｍで10秒間振り切りの条件で、シリコン・ウエファ上に
塗布する。次いでこの塗布膜を、オーブンを用い大気雰
囲気で145 ℃×２時間の条件でアニールし、膜厚１μｍ
のＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の薄膜が形成される。
して行なわれる。まずＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体をメチ
ル・エチル・ケトン（ＭＥＫ）に10ｗｔ％にて溶解し、
この溶液を市販のスピンコータを用いて回転数5000ｒｐ
ｍで10秒間振り切りの条件で、シリコン・ウエファ上に
塗布する。次いでこの塗布膜を、オーブンを用い大気雰
囲気で145 ℃×２時間の条件でアニールし、膜厚１μｍ
のＶＤＦ／ＴｒＦＥ共重合体の薄膜が形成される。
【００１４】なお、半導体層11と有機強誘電体層13との
間に絶縁層12を設けることは必ずしも必要ではないが、
この絶縁層12を設ければ強誘電体へのキャリア注入等の
問題を回避できるので、より好ましい。本実施例のよう
に半導体としてシリコンを用いる場合は、絶縁層12はＳ
ｉＯ2 から形成するのが望ましく、その膜厚は100 ｎｍ
以下とするのが望ましい。
間に絶縁層12を設けることは必ずしも必要ではないが、
この絶縁層12を設ければ強誘電体へのキャリア注入等の
問題を回避できるので、より好ましい。本実施例のよう
に半導体としてシリコンを用いる場合は、絶縁層12はＳ
ｉＯ2 から形成するのが望ましく、その膜厚は100 ｎｍ
以下とするのが望ましい。
【００１５】上記構成の情報記録媒体10に対して、図１
の装置により情報記録を行なう。この場合、情報記録媒
体10は図示されるようにターンテーブル20にエアチャッ
ク等で固定し、そしてこのターンテーブル20は記録時の
電圧印加用の一方の電極とする。またこの電圧印加用の
他方の電極として、可動の針状電極21を用いる。この針
状電極21として本例では、底面の直径が50μｍで金メッ
キが施されたタングステン針を用いる。
の装置により情報記録を行なう。この場合、情報記録媒
体10は図示されるようにターンテーブル20にエアチャッ
ク等で固定し、そしてこのターンテーブル20は記録時の
電圧印加用の一方の電極とする。またこの電圧印加用の
他方の電極として、可動の針状電極21を用いる。この針
状電極21として本例では、底面の直径が50μｍで金メッ
キが施されたタングステン針を用いる。
【００１６】上記のターンテーブル20を固定したまま、
針状電極21を情報記録媒体10の有機強誘電体層13側に接
触させつつ、該針状電極21とターンテーブル20を介して
パルス電源25から有機強誘電体層13に電圧を印加すれ
ば、針状電極21に対向する部分の有機強誘電体が所定の
向きに分極する。それにより、この分極の向きで情報を
記録することができる。
針状電極21を情報記録媒体10の有機強誘電体層13側に接
触させつつ、該針状電極21とターンテーブル20を介して
パルス電源25から有機強誘電体層13に電圧を印加すれ
ば、針状電極21に対向する部分の有機強誘電体が所定の
向きに分極する。それにより、この分極の向きで情報を
記録することができる。
【００１７】このように強誘電体層13に電気的分極を生
じさせると、図１に示すようにその分極の向きが下向き
（半導体層11側を向く方向）となっている部分に対応し
て、半導体層11に空乏層14が生じるので、この空乏層14
による静電容量変化を公知のピックアップ回路で検出す
ることにより、記録情報を読み取ることができる。
じさせると、図１に示すようにその分極の向きが下向き
（半導体層11側を向く方向）となっている部分に対応し
て、半導体層11に空乏層14が生じるので、この空乏層14
による静電容量変化を公知のピックアップ回路で検出す
ることにより、記録情報を読み取ることができる。
【００１８】ここで、分極反転を評価するため、上記針
状電極21に信号電圧として＋100 Ｖ、＋120 Ｖ、＋140
Ｖ、＋160 Ｖおよび＋180 Ｖの５通りの値の電圧をとも
にパルス幅20ｍsec で印加し、分極反転時間すなわち記
録時間を測定した。記録時間は、図１のＣａに溜まる電
荷を測定し、それが飽和するまでの時間とする。図３に
はこのパルス電圧の波形と、Ｃａに溜まる電荷の変化状
態を示してある。同図中、最初のパルス幅100 ｍsec の
記録電圧は、強誘電体層12の分極の向きを一定に揃える
初期化のためのものである。
状電極21に信号電圧として＋100 Ｖ、＋120 Ｖ、＋140
Ｖ、＋160 Ｖおよび＋180 Ｖの５通りの値の電圧をとも
にパルス幅20ｍsec で印加し、分極反転時間すなわち記
録時間を測定した。記録時間は、図１のＣａに溜まる電
荷を測定し、それが飽和するまでの時間とする。図３に
はこのパルス電圧の波形と、Ｃａに溜まる電荷の変化状
態を示してある。同図中、最初のパルス幅100 ｍsec の
記録電圧は、強誘電体層12の分極の向きを一定に揃える
初期化のためのものである。
【００１９】なお、上述のように印加電圧を全て＋電圧
とした理由は、本例で用いられている半導体層がｐ型で
あるため、半導体層11に空乏層14が生じる方向が＋電位
側となるからである。
とした理由は、本例で用いられている半導体層がｐ型で
あるため、半導体層11に空乏層14が生じる方向が＋電位
側となるからである。
【００２０】以上のようにして記録時間を調べた結果
を、表１に示す。またこの結果をグラフにして図４に示
す。
を、表１に示す。またこの結果をグラフにして図４に示
す。
【００２１】
【表１】
【００２２】これらの表１および図４から明らかなよう
に、印加電圧（電極電圧）が140 Ｖを超えると、分極反
転速度が著しく速くなる。ここで電極電圧が150 Ｖのと
き、半導体の不純物濃度から半導体層11に生じた空乏層
14の深さを求め、その上で該空乏層14に分圧されている
電圧を計算すると、約100 Ｖとなる。一方空乏層14のな
だれ破壊電圧を半導体の不純物濃度から計算すると、約
100 Ｖとなる。したがって、電極電圧が150 Ｖを上回る
と、空乏層14に加わる電圧がなだれ破壊電圧を超えるも
のと考えられる。
に、印加電圧（電極電圧）が140 Ｖを超えると、分極反
転速度が著しく速くなる。ここで電極電圧が150 Ｖのと
き、半導体の不純物濃度から半導体層11に生じた空乏層
14の深さを求め、その上で該空乏層14に分圧されている
電圧を計算すると、約100 Ｖとなる。一方空乏層14のな
だれ破壊電圧を半導体の不純物濃度から計算すると、約
100 Ｖとなる。したがって、電極電圧が150 Ｖを上回る
と、空乏層14に加わる電圧がなだれ破壊電圧を超えるも
のと考えられる。
【００２３】以上の結果に基づき、図１の装置を用いた
上で、本発明を適用して情報記録媒体10に記録を行なう
には、印加電圧（電極電圧）を150 Ｖ以上に設定すれば
よいことになる。
上で、本発明を適用して情報記録媒体10に記録を行なう
には、印加電圧（電極電圧）を150 Ｖ以上に設定すれば
よいことになる。
【００２４】本例で用いられているＶＤＦ／ＴｒＥＥ共
重合体の固有の分極反転速度は、約10μsec である。し
たがって、印加電圧が180 Ｖまで上げられた際には、記
録速度が、この強誘電体材料そのものの性質により律速
される極限値まで上昇していると考えられる。なお、10
μsec よりもさらに速い固有の分極反転速度を有する強
誘電体材料も存在するから、それらを使用すれば、記録
速度をさらに高めることも可能である。
重合体の固有の分極反転速度は、約10μsec である。し
たがって、印加電圧が180 Ｖまで上げられた際には、記
録速度が、この強誘電体材料そのものの性質により律速
される極限値まで上昇していると考えられる。なお、10
μsec よりもさらに速い固有の分極反転速度を有する強
誘電体材料も存在するから、それらを使用すれば、記録
速度をさらに高めることも可能である。
【００２５】一方、なだれ破壊電圧は半導体の性質に依
存するから、半導体の選択次第で、なだれ破壊電圧を１
００Ｖより低くすることもできる。これは、結果的に印
加電圧（電極電圧）を低下させる。また、強誘電体層１
３を薄く形成することで、強誘電体の分極反転に必要な
電圧も低くすることができ、これも、印加電圧（電極電
圧）を低下させる。したがって、本発明における印加電
圧（電極電圧）は、上記の値に限定されるものではな
い。
存するから、半導体の選択次第で、なだれ破壊電圧を１
００Ｖより低くすることもできる。これは、結果的に印
加電圧（電極電圧）を低下させる。また、強誘電体層１
３を薄く形成することで、強誘電体の分極反転に必要な
電圧も低くすることができ、これも、印加電圧（電極電
圧）を低下させる。したがって、本発明における印加電
圧（電極電圧）は、上記の値に限定されるものではな
い。
【００２６】＜実施例２＞次に実施例１と同様の情報記
録媒体10および記録装置を用い、短い記録パルス幅で記
録を行なっても分極反転が正常になされ得るか否かを調
べた。分極反転の評価は、実際の信号再生と同様に、情
報記録媒体10の静電容量を測定することで行なった。な
お静電容量測定は、市販のＬＣＲメータを用いて行なっ
た。
録媒体10および記録装置を用い、短い記録パルス幅で記
録を行なっても分極反転が正常になされ得るか否かを調
べた。分極反転の評価は、実際の信号再生と同様に、情
報記録媒体10の静電容量を測定することで行なった。な
お静電容量測定は、市販のＬＣＲメータを用いて行なっ
た。
【００２７】まずマイナス・パルス（−200 Ｖ）で分極
を一定に揃える初期化を行なった後、情報記録媒体10の
静電容量初期値を測定し、次に＋180 Ｖ、パルス幅20μ
secのパルス電圧で記録を行なって、記録後の静電容量
を同様に測定した。また比較例として、記録電圧を＋14
0 Ｖとした以外は上記と同様にして記録を行なった結果
を併せて表２に示す。
を一定に揃える初期化を行なった後、情報記録媒体10の
静電容量初期値を測定し、次に＋180 Ｖ、パルス幅20μ
secのパルス電圧で記録を行なって、記録後の静電容量
を同様に測定した。また比較例として、記録電圧を＋14
0 Ｖとした以外は上記と同様にして記録を行なった結果
を併せて表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２に示される通り、印加電圧（電極電
圧）が140 Ｖに設定されて、なだれ破壊が起きていない
と考えられる比較例においては、20μsec と短い記録時
間では、記録操作がなされても静電容量が初期値の0.15
ｐＦから変化せず、記録がなされ得ないことが分かる。
圧）が140 Ｖに設定されて、なだれ破壊が起きていない
と考えられる比較例においては、20μsec と短い記録時
間では、記録操作がなされても静電容量が初期値の0.15
ｐＦから変化せず、記録がなされ得ないことが分かる。
【００３０】それに対して、印加電圧（電極電圧）が18
0 Ｖに設定されて、なだれ破壊が起きていると考えられ
る実施例２においては、記録操作がなされると静電容量
が初期値の0.15ｐＦから0.12ｐＦに低下して、正常な記
録がなされ得ることが証明されている。
0 Ｖに設定されて、なだれ破壊が起きていると考えられ
る実施例２においては、記録操作がなされると静電容量
が初期値の0.15ｐＦから0.12ｐＦに低下して、正常な記
録がなされ得ることが証明されている。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り本発明の情報記
録方法においては、半導体層と強誘電体層とを有する情
報記録媒体に印加する電圧の値を、半導体層に生じる空
乏層になだれ破壊電圧以上の電圧が加わる値に設定する
ことにより、分極反転速度を十分に高め、それにより著
しく高速の記録が可能となる。
録方法においては、半導体層と強誘電体層とを有する情
報記録媒体に印加する電圧の値を、半導体層に生じる空
乏層になだれ破壊電圧以上の電圧が加わる値に設定する
ことにより、分極反転速度を十分に高め、それにより著
しく高速の記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法を実施する装置の一例を示す概略
側面図
側面図
【図２】図１の装置で記録がなされる情報記録媒体の側
断面形状を示す概略図
断面形状を示す概略図
【図３】図１の装置における記録電圧の波形と、反転電
荷の変化の様子を示すグラフ
荷の変化の様子を示すグラフ
【図４】印加電圧（電極電圧）と分極反転時間との関係
を示すグラフ
を示すグラフ
10 情報記録媒体 11 半導体層 12 絶縁層 13 強誘電体層 14 空乏層 20 ターンテーブル 21 針状電極 25 パルス電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−27447（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−139631（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 9/00 - 9/10 G11C 11/22
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体層とこの半導体層上に形成された
強誘電体の層とを有する情報記録媒体に対して電圧を印
加して、前記強誘電体の分極の方向により情報を記録す
る情報記録方法において、前記印加電圧の値を、半導体
層に生じる空乏層になだれ破壊電圧以上の電圧が加わる
値に設定することを特徴とする情報記録方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP4220108A JP2890011B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 情報記録方法 |
| US08/103,239 US5371729A (en) | 1992-08-19 | 1993-08-09 | Information recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4220108A JP2890011B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 情報記録方法 |
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|---|---|
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| JP2890011B2 true JP2890011B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=16746040
Family Applications (1)
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| JP4220108A Expired - Fee Related JP2890011B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 情報記録方法 |
Country Status (2)
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-
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