DE69815498T2 - Rasterelektronenmikroskop unter kontrollierter umgebung mit mehrpolfelder zur erhöter sekundärelektronenerfassung - Google Patents

Rasterelektronenmikroskop unter kontrollierter umgebung mit mehrpolfelder zur erhöter sekundärelektronenerfassung Download PDF

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Description

  • Die Erfindung betrifft eine teilchenoptische Vorrichtung, die aufweist:
    eine Teilchenquelle zur Erzeugung eines Primärstrahls aus elektrisch geladenen Teilchen, die sich entlang einer optischen Achse (4) der Vorrichtung bewegen,
    einen Probenhalter für eine Probe, die durch die Vorrichtung bestrahlt werden soll,
    eine Immersionslinse zur Erzeugung eines Brennpunkts des Primärstrahls in der Nähe des Probenhalters,
    eine Abtasteinrichtung zum Abtasten der Probe durch den fokussierten Strahl,
    eine Nachweiseinrichtung zum Erfassen von Signalen, die als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe ausgehen, wobei die Nachweiseinrichtung eine elektrostatische Nachweiselektrode zur Erzeugung eines elektrischen Feldes in dem Raum zwischen Nachweiselektrode und Probenhalter aufweist.
  • Eine Vorrichtung dieser Art ist aus der Zusammenfassung Nr. 5-174 768 (A) der japanischen Patentanmeldung Nr. 3-53 811, veröffentlicht am 13. 7. 93, bekannt.
  • Vorrichtungen der dargestellten Art sind als Rasterelektronenmikroskope (REM) bekannt. In einem REM wird ein Bereich einer zu untersuchenden Probe durch einen Primärstrahl aus elektrisch geladenen Teilchen abgetastet, gewöhnlich Elektronen, die sich entlang einer optischen Achse der Vorrichtung bewegen. Die Beschleunigungsspannung für den Elektronenstrahl in dem REM wird in Abhängigkeit von der Natur der zu untersuchenden Probe gewählt. Diese Beschleunigungsspannung sollte einen vergleichsweise niedrigen Wert haben (in der Größenordnung von 1 kV), um die Aufladung der Probe durch den Elektronenstrahl auf ein Mindestmaß zu reduzieren. Dies könnte zum Beispiel während der Untersuchung von elektrisch isolierenden Schichten in integrierten elektronischen Schaltkreisen oder bei gegebenen biologischen Proben geschehen. Außerdem ist es für bestimmte Untersuchungen wünschenswert, daß die Elektronen des Primärstrahls nur bis zu einer geringen Tiefe in die Probe eindringen, woraus sich ein besserer Kontrast des zu erzeugenden Bildes ergibt. Andere Proben erfordern jedoch eine höhere Beschleunigungsspannung, zum Beispiel in der Größenordnung von 30 kV.
  • Die Bestrahlung der zu untersuchenden Probe setzt elektrisch geladene Teilchen frei (im allgemeinen Sekundärelektronen), die eine wesentlich niedrigere Energie aufweisen, beispielsweise in der Größenordnung von 5 bis 50 eV. Die Energie und/oder die Energieverteilung dieser Sekundärelektronen liefert Informationen über die Natur und die Zusammensetzung der Probe. Daher ist ein REM vorteilhafterweise mit einem Detektor für Sekundärelektronen ausgestattet. Diese Elektronen werden auf der Seite der Probe freigesetzt, auf welcher der Primärstrahl einfällt, wonach sie gegen die Einfallsrichtung der Primärelektronen zurückfliegen. Wenn ein Detektor (der zum Beispiel mit einer Elektrode ausgestattet ist, die eine positive Spannung von 300 V führt) in der Nähe der auf diese Weise zurückfliegenden Sekundärelektronen angeordnet wird, werden die Sekundärelektronen durch diese Elektrode eingefangen, und der Detektor gibt ein elektrisches Signal aus, das dem so erfaßten elektrischen Strom proportional ist. So entsteht auf bekannte Weise das (Sekundärelektronen-) Bild der Probe. Im Hinblick auf die Qualität des Bildes, besonders die Entstehungsgeschwindigkeit des Bildes und das Signal-Rausch-Verhältnis, ist der erfaßte Strom vorzugsweise so groß wie möglich.
  • In einem sogenannten Umgebungs-Rasterelektronenmikroskop (UREM) ist die Probe in einer Gasatmosphäre unter einem Druck zwischen 1,3 N/m2 (0,01 Torr) und 2630 N/m2 (30 Torr) angeordnet, also unter einem vielfach höheren Druck als dem Arbeitsdruck herkömmlicher Rasterelektronmikroskope. Ein elektrisches Feld, das durch die Spannung zwischen der Probe und einer elektrostatischen Nachweiselektrode erzeugt wird, die mit der Nachweiseinrichtung zur Erfassung von Signalen verbunden ist, die als Reaktion auf den Einfall des Primär strahls von der Probe ausgehen, beschleunigt die von der Probe ausgehenden Sekundärelektronen auf eine solche Geschwindigkeit, daß sie die Atome des die Probe einhüllenden Gases ionisieren können. Während dieser Ionisationen werden von den Gasatomen ein oder mehrere Elektronen freigesetzt, die selbst beschleunigt werden und durch weitere Ionisationen wieder Elektronen freisetzen können, und so weiter. Das die Probe umgebende Gas wirkt folglich als Verstärker für den Sekundärelektronenstrom, so daß der nachzuweisende Strom im Prinzip größer sein kann als der durch die Sekundärelektronen selbst verursachte Strom.
  • Weitere Vorteile eines mit einer Gasatmosphäre arbeitenden REM (nachstehend als "Umgebungs-REM" oder UREM bezeichnet) gegenüber dem herkömmlichen REM bestehen darin, daß das UREM die Entstehung elektronenoptischer Bilder von feuchten oder nichtleitenden Proben (zum Beispiel biologischen Proben, Kunststoffen, Keramiken oder Glasfasern) ermöglicht, die unter den gebräuchlichen Vakuumbedingungen in den herkömmlichen Rasterelektronenmikroskopen äußerst schwer abzubilden sind. Das UREM ermöglicht, die Probe in ihrem "natürlichen" Zustand zu erhalten, ohne die Probe den schädlichen Auswirkungen von Trocknungs-, Gefrier- oder Vakuumbedampfungsvorgängen aussetzen zu müssen, die normalerweise für die Untersuchung mittels Elektronenstrahlen unter Hochvakuumbedingungen erforderlich sind.
  • Wegen des vergleichsweise hohen zulässigen Drucks im Probenraum des UREM neutralisieren ferner die gebildeten Gasionen eine etwaige elektrische Aufladung einer nichtleitenden Probe, die andernfalls die Entstehung eines Bildes mit hoher Auflösung behindern könnte. Das UREM ermöglicht auch die direkte Echtzeitbeobachtung von Erscheinungen wie z. B. Flüssigkeitstransport, chemischen Reaktionen, Lösung, Kristallisation und anderen Prozessen, die bei einem vergleichsweise hohen Dampfdruck stattfinden, der weit über dem zulässigen Dampfdruck in der Probe eines herkömmlichen REM liegt.
  • Nach der zitierten Zusammenfassung Nr. 5-174 768 (A) wird der Primärstrahl durch eine Immersionslinse auf die Probe fokussiert. Bekanntlich ist eine Immersionslinse eine Magnet linse, die in dem Raum zwischen den Polschuhen der Linse und der Probe ein Magnetfeld erzeugt. Die durch den Primärstrahl aus der Probe freigesetzten Elektronen fliegen dann von der Probe zurück zu der elektrostatischen Nachweiselektrode des Detektors, wobei sie annähernd den Feldlinien der Immersionslinse folgen. Die in der zitierten Zusammenfassung offenbarte elektrostatische Nachweiselektrode ist eine ringförmige Elektrode, die zwischen der Probe (die eine niedrigere als die an dieser Elektrode anliegende Spannung führt) und dieser Elektrode ein elektrisches Feld erzeugt. Um durch die Gasatmosphäre in dem UREM einen ausreichend hohen Stromverstärkungseffekt zu erzielen, ist jedoch eine vergleichsweise hohe Spannung für die Detektorelektrode erforderlich, und wegen der Gefahr elektrischer Durchschläge darf der Abstand zwischen der Probe und der Detektorelektrode nicht kleiner als ein vergleichsweise großer Mindestabstand sein. Infolgedessen ist die Anzahl aufeinanderfolgender Ionisationen und daher auch die Stromverstärkung begrenzt.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein U-REM mit einer höheren Stromverstärkung als derjenigen des bekannten Umgebungs-Rasterelektronenmikroskops bereitzustellen. Zu diesem Zweck ist die erfindungsgemäße teilchenoptische Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, daß die Nachweiseinrichtung so eingerichtet ist, daß ein elektrisches Mehrpolfeld oder Multipolfeld um die optische Achse herum erzeugt wird, das sich quer zur optischen Achse in dem gleichen Raum wie das Magnetfeld der Immersionslinse erstreckt.
  • Die Erfindung nutzt die Eigenschaft elektrischer Multipole, daß bei einer gegebenen Feldstärke an der optischen Achse des Mehrpols die elektrische Feldstärke außerhalb der optischen Achse wesentlich höher sein kann. Während daher auf den Primärelektronenstrahl nur eine schwache Wirkung ausgeübt wird, kann dennoch ein starkes Detektorfeld bereitgestellt werden, so daß die zu beschleunigenden Sekundärelektronen ausreichend Energie empfangen, um zahlreiche Multipol-Ionisationen und daher eine hohe Stromverstärkung in der Gasatmosphäre um die Probe herum zu realisieren. Außerdem ist der Raumwinkel sehr groß, in dem die Probe durch die das elektri sche Mehrpolfeld erzeugende Elektrodenbaugruppe "wahrgenommen" wird.
  • Die Erfindung beruht auf der Anerkennung der Tatsache, daß bekanntlich ein Elektron, das sich in einem Magnetfeld bewegt, eine Kraft erfährt, die senkrecht zur Bewegungsrichtung und außerdem senkrecht zum Magnetfeld gerichtet ist. In Abwesenheit eines Magnetfeldes folgt ein Sekundärelektron, das sich von der Probe zur Detektorelektrode bewegt, einer praktisch geraden Bahn zur Detektorelektrode, mit Ausnahme von Richtungsänderungen, die auf Zusammenstöße mit Gasatomen zurückzuführen sind. In Gegenwart eines Magnetfeldes wird daher ein solches Elektron aus seiner Bewegungsrichtung zur Detektorelektrode abgelenkt. (Theoretisch gesagt, im Fall gegebener Feldgeometrien kann es bei fehlendem Energieverlust nicht einmal die Detektorelektrode erreichen.) Folglich bewegt sich dieses Elektron über eine wesentlich längere Distanz, so daß sich die Wahrscheinlichkeit von Zusammenstößen mit den Gasatomen wesentlich erhöht. Wegen der ionisierenden Stöße mit den Gasatomen verliert ein solches Elektron jedesmal einen gegebenen Energiebetrag während seines Fluges, so daß es im Grunde schließlich durch die Detektorelektrode eingefangen werden kann. Während dieses wesentlich längeren Fluges wird dieses Elektron daher eine proportional größere Anzahl von ionisierenden Stößen erfahren und folglich eine größere Anzahl von Elektronen freigesetzt haben. Das gleiche gilt auch für die durch solche Stöße freigesetzten Elektronen. Auf diese Weise entsteht eine Kaskade von freigesetzten Elektronen, wodurch sichergestellt wird, daß das zu erfassende Signal viel größer ist als in Abwesenheit eines zusätzlichen Magnetfeldes. Das zu erfassende Signal kann verschiedene Formen annehmen, die alle eine Darstellung des aus der Probe freigesetzten Elektronenstroms bilden.
  • Zu beachten ist, daß im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung der Ausdruck "der Raum zwischen der Nachweiseinrichtung und dem Probenhalter" als der Raum aufzufassen ist, der von elektrisch geladenen Teilchen (und möglicherweise von Teilchen, die durch diese Teilchen erzeugt werden, zum Beispiel von Elektronen und durch Ionisationsvorgänge erzeugten Ionen) durchquert wird, bevor sie durch eine Detektorelektrode eingefangen werden.
  • Die Nachweiseinrichtungen in einer Ausführungsform der Erfindung sind außerdem so eingerichtet, daß sie um die optische Achse herum ein magnetisches Multipolfeld erzeugen, das sich quer zur optischen Achse in dem gleichen Raum wie das elektrische Mehrpolfeld erstreckt. Diese Ausführungsform ist besonders attraktiv, wenn das im Probenraum durch die Fokussiereinrichtung selbst erzeugte Magnetfeld nicht stark genug ist, um die gewünschte Verlängerung der Elektronenweglänge für die Elektronenvervielfachung zu erreichen. Diese Ausführungsform nutzt die Eigenschaft magnetischer Multipole, daß bei einer gegebenen Feldstärke an der optischen Achse des Mehrpols die Magnetfeldstärke außerhalb der optischen Achse wesentlich höher sein kann. Während daher auf den Primärelektronenstrahl nur eine schwache Wirkung ausgeübt wird, kann dennoch ein starkes Magnetfeld erzielt werden, um die Weglänge der Sekundärelektronen zu vergrößern.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen teilchenoptischen Vorrichtung ist mit Einstelleinrichtungen versehen, um die Stärke des Multipolfeldes unabhängig von der Fokussiereinrichtung einzustellen. Dies bietet einen hohen Flexibilitätsgrad beim Einsatz der Vorrichtung und ermöglicht eine Anpassung des Multipolfeldes an verschiedene Abbildungsparameter, die einer Veränderung unterliegen, zum Beispiel den Abstand zwischen der Probe und der Objektivlinse, die Anzahl der Sekundärelektronen pro Primärelektron, die Beschleunigungsspannung, den Gasdruck im Probenraum, die Anzahl der Ionen, die zur Entladung der Probe erforderlich sind, usw.
  • Der Nachweis des zu erfassenden Signals in einer Ausführungsform der Erfindung findet so statt, daß die Signale, die als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe ausgehen, durch von der Probe ausgehende elektrisch geladene Teilchen gebildet werden. Dieser von der Probe ausgehende Strom elektrisch geladener Teilchen kann der Strom der Sekundärelektronen sein (d. h. die Gesamtzahl der von der Probe freigesetzten Elektronen und der Elektronen, die durch Vervielfachung in der Gasentladung erzeugt werden). Alternativ wird der von der Probe ausgehende Strom elektrisch geladener Teilchen durch einen Ionenstrom gebildet, der in der Gasentladung entsteht, sich unter dem Einfluß des elektrischen Feldes zur Probe bewegt und als Probenstrom gemessen werden kann. Eine dritte Möglichkeit besteht darin, daß der von der Probe ausgehende Strom elektrisch geladener Teilchen durch einen Ionenstrom gebildet wird, der in der Gasentladung entsteht und sich, beispielsweise unter dem Einfluß eines durch die Nachweiseinrichtung erzeugten elektrischen Feldes, zu einer Elektrode der Nachweiseinrichtung bewegt und als Detektorstrom gemessen werden kann. Alternativ können zwei oder mehrere der so gebildeten Ströme kombiniert und das dann entstehende Signal gemessen werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung findet der Nachweis des zu erfassenden Signals so statt, daß die als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe ausgehenden Signale durch Lichtsignale gebildet werden, die durch Gasionisationsvorgänge in dem elektrischen Multipolfeld entstehen. Dieser Effekt wird außerdem durch das stärkere elektrische und/oder magnetische Detektorfeld verstärkt, da darin die Energie und/oder die Weglänge der Sekundärelektronen erhöht und damit auch die Anzahl der Ionisationen sowie die dadurch erzeugte Lichtmenge vergrößert werden.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen ausführlich beschrieben, in denen einander entsprechende Bezugszeichen entsprechende Elemente bezeichnen. Dabei zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung eines teilchenoptischen Geräts, bei dem die Erfindung angewandt werden kann;
  • 2 schematisch den Prozeß der Elektronenvervielfachung mittels eines elektrischen und eines magnetischen Feldes;
  • 3a eine schematische Darstellung einer Elektrodenbaugruppe zur Erzeugung eines elektrischen Vierpolfeldes;
  • 3b eine perspektivische Ansicht einer Polkonfiguration zur Erzeugung eines elektrischen und/oder magnetischen Multipolfeldes;
  • 4 eine Schnittansicht eines Probenraums mit einer Immersionslinse, deren Magnetfeld mit dem elektrischen und/oder magnetischen Multipolfeld des Detektors zusammenwirkt.
  • 1 zeigt ein teilchenoptisches Gerät in Form eines Teils einer Säule 2 eines Rasterelektronenmikroskops (REM). Wie üblich, erzeugt eine Elektronenquelle (in der Figur nicht dargestellt) in diesem Gerät einen Elektronenstrahl, der sich entlang der optischen Achse 4 des Geräts ausbreitet. Dieser Elektronenstrahl kann eine oder mehrere elektromagnetische Linsen durchlaufen, wie z. B. die Kondensorlinse 6, wonach er die Linse 8 erreicht. Diese Linse, die eine sogenannte Monopol-Linse ist, bildet einen Teil eines Magnetkreises, der außerdem durch die Wand 10 der Probenkammer 12 gebildet wird. Die Linse 8 dient zur Ausbildung eines Elektronenstrahlbrennpunkts, durch den die Probe 14 abgetastet wird. Diese Abtastung erfolgt durch Bewegen des Elektronenstrahls quer über die Probe in x-Richtung sowie in y-Richtung mittels der in der Linse 8 vorgesehenen Abtastspulen 16. Die Probe 14 ist auf einem Probentisch 18 angeordnet, der einen Träger 20 für die x-Verschiebung und einen Träger 22 für die y-Verschiebung aufweist. Durch diese zwei Träger kann ein gewünschter Bereich der Probe für die Untersuchung ausgewählt werden. Von der Probe werden Sekundärelektronen freigesetzt, die in Richtung der Linse 8 zurückfliegen. Diese Sekundärelektronen werden durch einen nachstehend zu beschreibenden Detektor 24 erfaßt, der in der Bohrung dieser Linse angeordnet ist. Eine Steuereinheit 26 ist mit dem Detektor verbunden, um den Detektor zu aktivieren und den Strom erfaßter Elektronen in ein Signal umzuwandeln, das zur Erzeugung eines Bildes der Probe verwendet werden kann, zum Beispiel mit Hilfe einer Kathodenstrahlröhre.
  • 2 zeigt schematisch den Prozeß der Elektronenvervielfachung mittels eines elektrischen und eines magnetischen Feldes in einer Gasatmosphäre. Zu beachten ist, daß zur Vereinfachung der Elektronenbewegung eine plattenförmige Nachweiselektrode und keine Multipolkonfiguration angenommen wird; jedoch ist dies bei der Klärung des Prinzips der Elektronenvervielfachung nicht von wesentlicher Bedeutung.
  • Der Primärelektronenstrahl (in der Figur nicht dargestellt), der durch eine vorgeschaltete Objektivlinse 8 fokus siert wird, fällt entlang der optischen Achse 4 der Vorrichtung auf eine Probe 14 auf, die auf einem Probenhalter 20 angeordnet ist. Um die Beschreibung zu vereinfachen, wird angenommen, daß die Detektorelektrode aus einer Platte 30 aufgebaut ist, die unterhalb der Objektivlinse 8 angeordnet ist. Im Mittelpunkt dieser Detektorplatte 30 ist eine Öffnung für den Durchgang des Primärstrahls vorgesehen. Die Detektorelektrode 30 führt eine positive Spannung, so daß die in der Probe freigesetzten Sekundärelektronen in Richtung dieser Elektrode beschleunigt werden. Um die Darstellung zu vereinfachen, wird in 2 angenommen, daß sich ein Magnetfeld B senkrecht zur Zeichnungsebene erstreckt, wie durch das Symbol 38 bezeichnet. Ein von der Probe 14 ausgehendes Sekundärelektron wird durch das elektrische Feld, das durch die Kombination aus der positiven Elektrode 30 und der geerdeten Probe 14 erzeugt wird, in Richtung der Elektrode 30 beschleunigt. Wegen der Geschwindigkeit des Elektrons wird dieses durch das Magnetfeld B so abgelenkt, daß es einer Zykloidenbahn 40 folgt. Wenn es bei der Bewegung auf dieser Bahn keine Energie verlieren würde, dann würde das Elektron durch das Feld B daran gehindert werden, jemals die Elektrode 30 zu erreichen. Die Spannung an der Elektrode 30 ist ausreichend hoch (zum Beispiel 300 V), um sicherzustellen, daß das Elektron, während es dieser Bahn folgt, genügend Energie zur Ionisierung eines im Probenraum vorhandenen Gasatoms 41 aufnehmen kann, mit dem Ergebnis, daß mindestens ein zusätzliches freies Elektron entsteht. Das ionisierende Elektron sowie das zusätzliche Elektron werden wieder durch das elektrische Feld auf einer Zykloidenbahn 42 beschleunigt, wonach sich der beschriebene Prozeß wiederholen kann. Das ionisierende Elektron hat während der Ionisation einen gegebenen Energiebetrag verloren, so daß es sich auf einer Bahn zu bewegen beginnt, die näher an der Elektrode 30 liegt. Der beschriebene Prozeß wiederholt sich für alle Elektronen, die sich im Probenraum bewegen, und dauert für alle Elektronen an, bis das entsprechende Elektron die Elektrode 30 erreicht. Um die Zeichnung zu vereinfachen, ist nicht für jeden ionisierenden Stoß die doppelte Elektronenzahl dargestellt. Auf diese Weise wird im Probenraum eine lawinenartige Entladung erzielt, wobei sich die Stoßwahrscheinlichkeit eines Elektrons mit einem Gasatom durch die Gegenwart des zusätzlichen Magnetfeldes wesentlich erhöht. Folglich erhöht sich im Verhältnis dazu die Menge der durch Ionisationen freigesetzten Elektronen und damit auch das durch die Sekundärelektronen erzeugte Stromsignal.
  • 3a zeigt die Form der Elektrodenbaugruppe zur Erzeugung eines elektrischen Multipolfeldes rund um die optische Achse, das quer zur optischen Achse gerichtet ist. Die in 3a dargestellte Elektrodenbaugruppe besteht aus vier plattenförmigen Leitern (Polen) 60-a, 60-b, 60-c und 60-d, die elektrisch voneinander isoliert sind, alle in einer Ebene liegen und symmetrisch um die optische Achse 4 herum gruppiert sind, die in dieser Figur senkrecht zur Zeichnungsebene steht. Diese Figur zeigt außerdem die zueinander senkrechten x-y-Richtungen. Die der optischen Achse zugewandten Begrenzungslinien dieser Pole haben die Form von Hyperbeln; die rund um einen gedachten Mittelkreis liegen, der die Hyperbeln berührt. Um die Fertigung zu vereinfachen, kann die Hyperbelform auf bekannte Weise durch einen Kreisbogen angenähert werden. Jeder der Pole 60-a bis 60-d kann auf ein Potential V1, V2, V3 bzw. V4 eingestellt werden. Im einfachsten Fall sind V1 und V3 gleich, ebenso wie V2 und V4, die dann die Gegenpotentiale zu V1 und V3 sind. Die Figur zeigt nur eine Elektrodenschicht; jedoch können auch mehrere Schichten übereinander (d. h. parallel zur Zeichnungsebene, aber über oder unter dieser Ebene) bereitgestellt werden, wenn dies wünschenswert ist. Auf diese Weise wird ein höherer Flexibilitätsgrad bezüglich der Konstruktion und/oder der Erregung des elektrischen Vierpols erzielt.
  • Es ist auch möglich, alle Potentiale der Pole 60-a bis 60-d um einen festen Betrag zu erhöhen, ohne daß der Vierpoleffekt verloren geht. Dieser feste Betrag kann für eine nächste Elektrodenschicht einen anderen Wert haben, so daß dem Vierpol ein elektrostatischer Monopol und damit ein Element mit Linsenwirkung überlagert wird.
  • 3b zeigt eine perspektivische Ansicht einer Polkonfiguration zur Erzeugung eines elektrischen und/oder magne tischen Multipolfeldes. Der Multipolkonfiguration in dieser Figur wird durch einen Magnetkreis gebildet, der aus einer zylinderförmigen Hülle 66 besteht, in der eine Anzahl von n Polen 64-1 bis 64-n so untergebracht sind, daß sie gleichmäßig über den Zylinder verteilt sind, wobei in dieser Figur n gleich 8 ist. Wenn auch zur Ausführung der Erfindung im Grunde keine Mehrpolfelder von höherer Ordnung als Vierpole erforderlich sind, ist es beispielsweise zum Ausgleich mechanischer Mängel wünschenswert, auch über eine Möglichkeit zur Erzeugung von Feldern höherer Ordnung zu verfügen, zum Beispiel von n = 8 in dieser Figur, während auch n = 12 möglich ist. Diese Möglichkeit ist jedoch für die Erfindung nicht von wesentlicher Bedeutung. Die Zylinderachse der Hülle 66 fällt mit der optischen Achse 4 des in 1 dargestellten teilchenoptischen Geräts zusammen.
  • Die verschiedenen Multipolfelder, d. h. sowohl die magnetischen als auch die elektrostatischen Felder, werden durch die n Pole erzeugt. Jeder dieser Pole ist so angeordnet, daß sowohl ein elektrisches als auch ein magnetisches Feld erzeugt wird, wobei die Polflächen diese Multipolfelder festlegen, die sich parallel zur optischen Achse der Vorrichtung erstrecken. Jeder Pol 64-i ist mit einer Erregerspule 68-i zur Erzeugung eines Magnetfeldes und mit einer Polkappe 70-i zur Erzeugung eines elektrischen Feldes versehen. Jede der Erregerspulen 68-i und jede der Polkappen 70-i kann individuell erregt werden, so daß jedes der gewünschten, sowohl elektrischen als auch magnetischen Multipolfelder durch die 8 Pole 64-1 bis 64-8 erzeugt werden kann.
  • 4 zeigt eine Schnittansicht eines Probenraums mit einer Immersionslinse, deren Magnetfeld mit dem elektrischen und/oder magnetischen Multipolfeld des Detektors zusammenwirkt. Der Magnetkreis zur Erzeugung des Fokussierungsfeldes für die Immersionslinse besteht aus den trichterförmigen Polen 8 der Immersionslinse und der Wand 10 der Probenkammer 12, die sich (wegen des Magnetflusses) im Kontakt damit befindet. Die Magnetfeldlinien 52 erstrecken sich folglich vom Ende der trichterförmigen Pole 8 der Immersionslinse zur Probe 14, die sich über den Probenhalter 20, d. h. die Wand 10, im Kontakt mit dem Magnetkreis befindet. Eine Multipolvorrichtung 46, deren Symmetrieachse mit der optischen Achse 4 zusammenfällt, ist im gleichen Raum wie das Magnetfeld 52 der Immersionslinse untergebracht. Die schematisch dargestellte Multipolvorrichtung 46 hat daher die Form des Multipols von 3b oder des elektrischen Vierpols von 3a. Im Falle von 3a bildet die Höhe des Rechtecks 46 die Dicke der plattenförmigen Leiter 60-a bis 60-d; im Falle von 3b bildet die Höhe des Rechtecks 46 die Abmessung in der Axialrichtung der zylinderförmigen Hülle 66.
  • Bekanntlich muß aus verschiedenen Gründen der Druck in dieser Säule wesentlich niedriger sein als die Druckwerte (bis zu ≈ 2500 N/m2) im Probenraum des Umgebungs-Rasterelektronenmikroskops (UREM). Um die Aufrechterhaltung dieser Druckdifferenz zu ermöglichen, wird auf bekannte Weise eine Trennmembran 28 zwischen dem Probenraum und der Säule 2 vorgesehen. Die Membran 28 wird mit einer Bohrung von beispielsweise 0,1 mm versehen. Der gewünschte niedrige Druck in der Säule kann aufrechterhalten werden, indem direkt oberhalb dieser Membran eine Pumpöffnung (nicht dargestellt) angebracht wird.
  • Die Erregung der verschiedenen Pole der Multipolvorrichtung 46 wird durch eine steuerbare Stromversorgungsquelle 50 realisiert, die über zwei Anschlüsse mit der Multipolvorrichtung 46 verbunden ist, wie schematisch in der Figur dargestellt. Diese Stromversorgungsquelle ist so eingerichtet, daß sie verschiedene unabhängig regelbare Spannungen für die elektrostatischen Elektroden und verschiedene unabhängig regelbare Ströme für die Magnetpole liefern kann.
  • Die in 4 dargestellte Ausführungsform bietet einen Detektor mit vergleichsweise weitem Raumwinkel für den Einfang der Sekundärelektronen und mit einem Entladungsraum zwischen den Polen, in dem die Elektronen während einer vergleichsweise langen Zeitspanne enthalten sein können, so daß sie einen ausreichenden Betrag an elektrischer (und damit kinetischer) Energie aufnehmen können und daher eine hohe Stromverstärkung der Sekundärelektronen stattfinden kann. Die Weiterverarbeitung des durch die Sekundärelektronen erzeugten Stromsignals erfolgt in einer Verarbeitungseinheit (nicht dargestellt), die mit den verschiedenen Polen verbunden ist. Die Weiterverarbeitung des Stromsignals ist für die Erfindung nicht wichtig, so daß sie nicht ausführlich beschrieben wird.

Claims (5)

  1. Teilchenoptische Vorrichtung, die aufweist: eine Teilchenquelle zur Erzeugung eines Primärstrahls elektrisch geladener Teilchen, die sich entlang einer optischen Achse (4) der Vorrichtung bewegen, einen Probenhalter (20) für eine Probe (14), die durch die Vorrichtung bestrahlt werden soll, eine Immersionslinse (8) zur Ausbildung eines Brennpunkts des Primärstrahls in der Nähe des Probenhalters, eine Abtasteinrichtung (16) zum Abtasten der Probe (14) durch den fokussierten Strahl, eine Nachweiseinrichtung (46, 50) zum Erfassen von Signalen, die als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe ausgehen, wobei die Nachweiseinrichtung eine elektrostatische Nachweiselektrode zur Erzeugung eines elektrischen Feldes in dem Raum zwischen Nachweiselektrode und Probenhalter aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Nachweiseinrichtung so eingerichtet ist, daß um die optische Achse herum ein elektrisches Multipolfeld erzeugt wird, das sich quer zur optischen Achse (4) in dem gleichen Raum wie das Magnetfeld (52) der Immersionslinse (8) erstreckt.
  2. Teilchenoptische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Nachweiseinrichtung außerdem so eingerichtet ist, daß um die optische Achse herum ein magnetisches Multipolfeld erzeugt wird, das sich quer zur optischen Achse in dem gleichen Raum wie das elektrische Multipolfeld erstreckt.
  3. Teilchenoptische Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die eine Einstelleinrichtung (50) aufweist, um die Feldstärke des Multipolfeldes unabhängig von der Fokussiereinrichtung einzustellen.
  4. Teilchenoptische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, in der die als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe ausgehenden Signale durch elektrisch geladene Teilchen gebildet werden, die von der Probe (14) ausgehen.
  5. Teilchenoptische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe ausgehenden Signale durch Lichtsignale gebildet werden, die durch Gasionisationen in dem elektrischen Multipolfeld entstehen.
DE69815498T 1997-12-08 1998-10-19 Rasterelektronenmikroskop unter kontrollierter umgebung mit mehrpolfelder zur erhöter sekundärelektronenerfassung Expired - Lifetime DE69815498T2 (de)

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EP97203839 1997-12-08
EP97203839 1997-12-08
PCT/IB1998/001643 WO1999030344A1 (en) 1997-12-08 1998-10-19 Environmental sem with multipole fields for improved secondary electron detection

Publications (2)

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DE69815498D1 DE69815498D1 (de) 2003-07-17
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EP (1) EP0958590B1 (de)
JP (1) JP4084427B2 (de)
AU (1) AU748840B2 (de)
DE (1) DE69815498T2 (de)
WO (1) WO1999030344A1 (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9623768D0 (en) * 1996-11-15 1997-01-08 Leo Electron Microscopy Limite Scanning electron microscope
JP5005866B2 (ja) * 1999-11-29 2012-08-22 カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー 可変の圧力を有する走査電子顕微鏡用の検出器および該検出器を有する走査電子顕微鏡
EP1367630B1 (de) * 2002-05-31 2011-09-14 Carl Zeiss SMT Limited Verbesserungen in einem Teilchendetektor
US6972412B2 (en) 2002-09-18 2005-12-06 Fei Company Particle-optical device and detection means
US6979822B1 (en) * 2002-09-18 2005-12-27 Fei Company Charged particle beam system
US7504182B2 (en) 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
DE102004037781A1 (de) * 2004-08-03 2006-02-23 Carl Zeiss Nts Gmbh Elektronenstrahlgerät
US20060099519A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Moriarty Michael H Method of depositing a material providing a specified attenuation and phase shift
WO2007117397A2 (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Fei Company Improved detector for charged particle beam instrument
US7791020B2 (en) 2008-03-31 2010-09-07 Fei Company Multistage gas cascade amplifier
US8299432B2 (en) 2008-11-04 2012-10-30 Fei Company Scanning transmission electron microscope using gas amplification
EP2838108A1 (de) 2013-08-12 2015-02-18 Fei Company Verfahren zur Verwendung eines Environmental-TEMs (Transmissionselektronenmikroskop)
US9478390B2 (en) * 2014-06-30 2016-10-25 Fei Company Integrated light optics and gas delivery in a charged particle lens
TWI506666B (zh) * 2014-08-08 2015-11-01 Nat Univ Tsing Hua 桌上型電子顯微鏡及其複合多極-聚焦可調式磁透鏡

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0275306B1 (de) * 1986-08-01 1990-10-24 Electro-Scan Corporation Mehrzwecksgasdetektoranordnung fuer elektronmikroskopen
US4785182A (en) 1987-05-21 1988-11-15 Electroscan Corporation Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere
NL9100294A (nl) * 1991-02-20 1992-09-16 Philips Nv Geladen deeltjesbundelinrichting.
JPH05174768A (ja) * 1991-02-26 1993-07-13 Nikon Corp 環境制御型走査電子顕微鏡
JPH06168695A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Nikon Corp 荷電粒子顕微鏡
DE69501533T2 (de) * 1994-03-18 1998-07-30 Philips Electronics Nv Partikel-optisches instrument mit einer ablenkeinheit für sekundärelektronen

Also Published As

Publication number Publication date
JP4084427B2 (ja) 2008-04-30
AU748840B2 (en) 2002-06-13
AU9811698A (en) 1999-06-28
EP0958590A1 (de) 1999-11-24
DE69815498D1 (de) 2003-07-17
WO1999030344A1 (en) 1999-06-17
EP0958590B1 (de) 2003-06-11
US6184525B1 (en) 2001-02-06
JP2001511302A (ja) 2001-08-07

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