DE69800399D1 - Verfahren und Schaltung zur Erzeugung der Programmier- und Löschspannung in einem nichtflüchtigen Speicher - Google Patents
Verfahren und Schaltung zur Erzeugung der Programmier- und Löschspannung in einem nichtflüchtigen SpeicherInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9711912A FR2768846B1 (fr) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | Procede et circuit de generation de la tension de programmation et d'effacement dans une memoire non volatile |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69800399D1 true DE69800399D1 (de) | 2000-12-21 |
DE69800399T2 DE69800399T2 (de) | 2001-03-15 |
Family
ID=9511448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69800399T Expired - Lifetime DE69800399T2 (de) | 1997-09-19 | 1998-09-10 | Verfahren und Schaltung zur Erzeugung der Programmier- und Löschspannung in einem nichtflüchtigen Speicher |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5995416A (de) |
EP (1) | EP0903750B1 (de) |
DE (1) | DE69800399T2 (de) |
FR (1) | FR2768846B1 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1303204B1 (it) * | 1998-11-27 | 2000-10-30 | St Microelectronics Srl | Metodo di programmazione di celle di memoria non volatile ad elevataprecisione, con velocita' di programmazione ottimizzata. |
DE69922637D1 (de) | 1999-06-04 | 2005-01-20 | St Microelectronics Srl | CMOS Schalter zum Übertragen von hohen Spannungen, insbesondere für Zeilendekodierer in nichtflüchtigen Speichern mit geringem Verbrauch während des Schaltens |
FR2809246B1 (fr) * | 2000-05-17 | 2003-08-15 | St Microelectronics Sa | Generateur de rampe a faible chute de tension serie |
FR2821974B1 (fr) * | 2001-03-12 | 2003-05-23 | St Microelectronics Sa | Circuit et procede associe d'effacement ou de programmation d'une cellule memoire |
TW505365U (en) * | 2002-02-08 | 2002-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Computer housing |
KR100748553B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2007-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리플-프리 고전압 발생회로 및 방법, 그리고 이를 구비한반도체 메모리 장치 |
KR100830575B1 (ko) * | 2006-09-26 | 2008-05-21 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 멀티-블록 소거 방법 |
KR101390337B1 (ko) * | 2007-09-13 | 2014-04-29 | 삼성전자주식회사 | 멀티-레벨 상변환 메모리 장치, 그것의 프로그램 방법,그리고 그것을 포함한 메모리 시스템 |
US9082510B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-07-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) with adaptive write operations |
FR3041807B1 (fr) * | 2015-09-24 | 2017-12-08 | Stmicroelectronics Rousset | Procede de controle d'un cycle d'ecriture de memoire de type eeprom et dispositif correspondant |
JP6741811B1 (ja) * | 2019-03-07 | 2020-08-19 | 力晶積成電子製造股▲ふん▼有限公司Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 不揮発性半導体記憶装置の消去制御回路及び方法、並びに不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57176826A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-30 | Hitachi Ltd | Ramp function voltage generator |
FR2738386B1 (fr) * | 1995-09-05 | 1997-10-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede et circuit de programmation et d'effacement d'une memoire |
JP3976839B2 (ja) * | 1996-07-09 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性メモリシステムおよび不揮発性半導体メモリ |
KR100232190B1 (ko) * | 1996-10-01 | 1999-12-01 | 김영환 | 비휘발성 메모리장치 |
-
1997
- 1997-09-19 FR FR9711912A patent/FR2768846B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-10 EP EP98460036A patent/EP0903750B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-10 DE DE69800399T patent/DE69800399T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-18 US US09/156,945 patent/US5995416A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2768846B1 (fr) | 1999-12-24 |
DE69800399T2 (de) | 2001-03-15 |
EP0903750A1 (de) | 1999-03-24 |
US5995416A (en) | 1999-11-30 |
EP0903750B1 (de) | 2000-11-15 |
FR2768846A1 (fr) | 1999-03-26 |
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