DE69723814D1 - Verfahren und Vorrichtung zum Analogprogrammieren von nichtflüchtigen Speicherzellen, insbesondere für Flash-Speicherzellen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Analogprogrammieren von nichtflüchtigen Speicherzellen, insbesondere für Flash-Speicherzellen

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Pierluigi Rolandi
Roberto Canegallo
Ernestina Chioffi
Danilo Gerna
Marco Pasotti
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STMicroelectronics SRL
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    • G11C27/005—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values with non-volatile charge storage, e.g. on floating gate or MNOS
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001027931A1 (en) * 1999-10-08 2001-04-19 Aplus Flash Technology, Inc. Multiple level flash memory
US6574145B2 (en) * 2001-03-21 2003-06-03 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for sensing while programming a non-volatile memory cell
US6515904B2 (en) 2001-03-21 2003-02-04 Matrix Semiconductor, Inc. Method and system for increasing programming bandwidth in a non-volatile memory device
US6888758B1 (en) * 2004-01-21 2005-05-03 Sandisk Corporation Programming non-volatile memory
US7173859B2 (en) 2004-11-16 2007-02-06 Sandisk Corporation Faster programming of higher level states in multi-level cell flash memory
DE602005018738D1 (de) * 2005-03-03 2010-02-25 St Microelectronics Srl Speichervorrichtung mit auf Zeitverschiebung basierender Referenzzellenemulation
US7450426B2 (en) 2006-10-10 2008-11-11 Sandisk Corporation Systems utilizing variable program voltage increment values in non-volatile memory program operations
US7474561B2 (en) 2006-10-10 2009-01-06 Sandisk Corporation Variable program voltage increment values in non-volatile memory program operations
US7599224B2 (en) 2007-07-03 2009-10-06 Sandisk Corporation Systems for coarse/fine program verification in non-volatile memory using different reference levels for improved sensing
US7508715B2 (en) 2007-07-03 2009-03-24 Sandisk Corporation Coarse/fine program verification in non-volatile memory using different reference levels for improved sensing
US8300478B2 (en) * 2007-09-19 2012-10-30 Apple Inc. Reducing distortion using joint storage

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4890259A (en) * 1988-07-13 1989-12-26 Information Storage Devices High density integrated circuit analog signal recording and playback system
US5164915A (en) * 1990-09-26 1992-11-17 Information Storage Devices, Inc. Cascading analog record/playback devices
US5629890A (en) * 1994-09-14 1997-05-13 Information Storage Devices, Inc. Integrated circuit system for analog signal storing and recovery incorporating read while writing voltage program method
JP3336813B2 (ja) * 1995-02-01 2002-10-21 ソニー株式会社 不揮発性半導体メモリ装置
US5712815A (en) * 1996-04-22 1998-01-27 Advanced Micro Devices, Inc. Multiple bits per-cell flash EEPROM capable of concurrently programming and verifying memory cells and reference cells
US5675537A (en) * 1996-08-22 1997-10-07 Advanced Micro Devices, Inc. Erase method for page mode multiple bits-per-cell flash EEPROM
US5801991A (en) * 1997-03-31 1998-09-01 Intel Corporation Deselected word line that floats during MLC programming of a flash memory
US5903487A (en) * 1997-11-25 1999-05-11 Windbond Electronics Corporation Memory device and method of operation

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