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STAND DER TECHNIK
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft
allgemein Frequenz-Spannungs-
und Frequenz-Strom-Wandler.
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Beschreibung
des Stands der Technik
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Frequenz-Strom-Wandler werden für gewöhnlich durch
die Kombination eines Frequenz-Spannungs-Wandlers und eines Spannungs-Strom-Wandlers
implementiert. Bei einem herkömmlichen
Frequenz-Spannungs-Wandler wird führt ein integrierender Verstärker eine
Mittelwertbildung einer monostabilen Stromreferenz durch. Die monostabile
Schaltung und der integrierende Verstärker verwenden jeweils verhältnismäßig hohe
Kapazitäten,
die schwer integrierbar sind und somit für gewöhnlich extern vorgesehen werden. Die
verbleibende Schaltkreisanordnung kann dabei als eine oder mehrere
integrierte Schaltungen vorgesehen werden. Es sind viele herkömmliche
Frequenz-Spannungs-Wandler erhältlich,
von denen mehrere in Applications Handbook, 1994, erhältlich von
Burr-Brown, Tucson, Arizona, USA, beschrieben sind.
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Ein zusätzliches Problem herkömmlicher
Frequenz-Spannungs-Wandler
ist eine Folge des Kompromisses zwischen Welligkeit und Beruhigungszeit.
Frequenz-Spannungs-Wandler mit hoher Auflösung setzen eine geringe Welligkeit
voraus, wobei jedoch ein kleinerer Kompromiss zwischen Beruhigungszeit
und Welligkeit durch Filtern des Frequenz-Spannungs-Ausgangs mithilfe
eines Tiefpassfilters verbessert werden kann. Leider erfordern derartige
Tiefpassfilter eine in gewisser Weise höhere Kapazität, wodurch
sich die Integration des Frequenz-Spannungs-Umsetzers noch schwieriger
gestaltet. Schließlich
handelt es sich bei herkömmlichen
Frequenz-Strom-Wandlern für
gewöhnlich
um offene Systeme. Diesbezüglich
sind herkömmliche
Frequenz-Strom-Wandler empfindlich in Bezug auf externe Störungen der
Ausgabe bzw. des Ausgangs, wie etwa als Verluststrom.
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In Anbetracht der vorstehend genannten
Probleme wird ein Frequenz-Strom-Wandler benötigt, der in Bezug auf Störungen der
Ausgabe bzw. des Ausgangs unempfindlich ist, wobei der Wandler auf
abgestimmten Komponentenwerten beruht, um Präzision zu gewährleisten,
und wobei verhältnismäßig kleine,
integrierbare Kapazitäten
verwendet werden.
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In "Halbleiterschaltungstechnik" von U. Tietze, Ch.
Schenk, 6. Auflage, 1985, Springer, Berlin, Seiten 183, 462/463,
wird ein Funktionsgenerator offenbart.
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In DE-A-2 117 599 werden ein Verfahren
und eine Vorrichtung zur Umwandlung einer variablen Eingangsfrequenz
in eine proportionale Ausgangsspannung beschrieben.
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FR-A-2 281 677 offenbart einen Frequenz-Spannungs-Wandler.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung widmet
sich den vorstehend aufgeführten
Erfordernissen, indem sie einen prozessgekoppeltgeschlossenen Frequenz-Strom-Wandler
mit integrierbaren Kapazitäten
vorsieht. Um dies zu erreichen weist ein Frequenz-Strom-Wandler gemäß der vorliegenden
Erfindung mehrere Kapazitäten
mit Kapazitätswerten
auf, die wirksam unter Verwendung erfindungsgemäßer Kapazitäts-Multiplikationstechniken multipliziert
werden.
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Ein erfindungsgemäßes Verfahren ermöglicht die
Umwandlung einer periodischen Reihe von Eingangsimpulsen in einen
proportionalen Strom ohne den Einsatz einer externen Kapazität. Nach
jedem eingehenden Impuls wird die Spannung an einer "Rampenkapazität" auf eine Anfangsspannung
zurückgesetzt.
Dabei kann sich die Rampenkapazität während dem Zeitraum vor dem
folgenden Impuls mit einer Rate entladen, die durch die Spannung
geregelt wird, die an einer Entladestrom-Vorkapazität gespeichert werden. Nach
dem folgenden Eingangsimpuls wird als nächstes die Spannung an der
Rampenkapazität über einen
Abtastzeitraum abgetastet, der im Verhältnis zu dem Zeitraum des Impulszugs
kurz ist.
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Während
dem Abtastzeitraum wird die Spannung an der Rampenkapazität mit einer
festen Referenzspannung verglichen. Wenn die Spannung an der Rampenkapazität niedriger
ist als die feste Referenzspannung, ist die Entladungsrate (und
somit der Ausgangsstrom) zu hoch. Wenn die Spannung an der Rampenkapazität im Gegensatz
dazu höher
ist als die feste Referenzspannung, so ist die Entladungsrate zu
niedrig.
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Wenn festgestellt wird, dass die
Entladungsrate der Rampenkapazität
zu niedrig oder zu hoch ist, wird die gespeicherte Spannung an der
Entladestrom-Vorkapazität
angepasst, um den Fehler zu kompensieren. Wenn zum Beispiel nach
einer Periode des Eingangssignals die Spannung an der Rampenkapazität zu hoch ist,
wird die Spannung an der Vorkapazität erhöht, um die Entladungsrate der
Rampenkapazität
für die
nächste Periode
zu erhöhen.
Nachdem der Vergleich vorgenommen worden ist und die Spannung an
der Vorkapazität entsprechend
angepasst worden ist, wird die Rampenkapazität auf die Anfangsspannung zurückgesetzt
und der Zyklus beginnt von Neuem.
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Wie dies nachstehend im Detail beschrieben
wird, ist die Abtasttechnik vorteilhaft, da die Technik:
- 1. die Verwendung einer deutlich kleineren
Vorkapazität
ermöglicht
als wie dies ansonsten erforderlich wäre, um eine gewünschte Zeitkonstante
vorzusehen;
- 2. es einem Benutzer ermöglicht,
die Zeitkonstante der Vorkapazität
zu ändern,
ohne den Wert der Kapazität
zu verändern;
und
- 3. es nicht erforderlich macht, den Wert der Vorkapazität für verschiedene
Eingangsfrequenzen anzupassen.
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Die kombinierten Vorteile ermöglichen
die Integration der Vorkapazität.
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Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren,
das nachstehend als "Falttechnik" bezeichnet wird,
ermöglicht
den Einsatz einer verhältnismäßig kleinen
Rampenkapazität,
um das entsprechend geeignete Niveau des Ausgangsstroms zu erzeugen.
Gemäß diesem
Verfahren wird die kleine Rampenkapazität zwischen zwei Referenzspannungswerten
unter Verwendung alternierender Lade- und Entladestromwerte wiederholt geladen
und entladen, wobei jeder dieser Stromwerte eine Funktion des Niveaus
des Ausgangsstroms ist.
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Da die Werte der Lade- und Entladeströme im Verhältnis zu
dem Wert des Ausgangsstroms stehen, ist die Rate, mit der die Rampenkapazität zwischen
den beiden Referenzspannungen geladen und entladen wird, ein Indikator
für den
Ausgangsstrom. Wenn der Ausgangsstrom zum Beispiel zu hoch ist,
sind auch die in Relation stehenden Lade- und Entladeströme zu hoch,
was zu verhältnismäßig schnellen
Lade- und Entladeraten führt.
Und aufgrund der schnellen Lade- und Entladeraten nimmt die Häufigkeit,
mit der die Rampenkapazität über einen
bestimmten Zeitraum geladen und entladen wird, im Verhältnis zu
dem Anstieg des Ausgangsstroms zu. Somit weist ein erfindungsgemäßes Verfahren
den Schritt des Zählens
der Anzahl der Lade- und Entladevorgänge der Rampenkapazität über einen
bestimmten Zeitraum auf, um zu bestimmen, ob der Ausgangsstrom erhöht oder
verringert werden soll.
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Die erfindungsgemäße Falttechnik ermöglicht eine
signifikante Reduzierung der Größe der Rampenkapazität, wodurch
es ermöglicht
wird, dass die Rampenkapazität
leicht integriert werden kann. Gemäß der vorliegenden Erfindung
können
somit die Vorkapazität
als auch die Rampenkapazität
in vorteilhafter Weise mit den anderen Komponenten des Frequenz-Strom-Wandlers
integriert werden. Ferner nutzt die erfindungsgemäße Konstruktion
des Frequenz-Strom-Wandlers die außerordentliche Geräteabstimmung,
die unter Verwendung der integrierten Schaltungstechnologie erreicht
wird, im Gegensatz zu den exakten Gerätewerten, um eine präzise Frequenz-Strom-Umwandlung zu gewährleisten.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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Diese und andere Merkmale, Aspekte
und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in Bezug auf die
folgende Beschreibung, die anhängigen
Ansprüche
und die beigefügten
Zeichnungen verständlich.
In den Zeichnungen zeigen:
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1 einen
Frequenz-Strom-Wandler 10 gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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2 verschiedene
Kurvenformen, die dem Frequenz-Strom-Wandler 10 aus 1 zugeordnet sind;
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3 einen
Frequenz-Strom-Wandler 50 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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4 das
Konzept des "Faltens" des Spannungsbereichs,
der an der Kapazität
angelegt wird;
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5 eine
Prinzipskizze eines Ausführungsbeispiels
der gefalteten Rampenkapazität 60;
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6 verschiedene
Kurvenformen, die einer "gefalteten" Kapazität zugeordnet
sind;
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7 verschiedene
Kurvenformen, die der gefalteten Rampenkapazität 60 zugeordnet sind;
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8 einen
Frequenz-Strom-Wandler 150 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung; und
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9 eine
Prinzipskizze einer gefalteten Rampenkapazität 160.
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GENAUE BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Die Abbildung aus 1 zeigt einen Frequenz-Strom-Wandler 10 gemäß einem
Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung. Der Frequenz-Strom-Wandler 10 weist
einen Abtast-Timer 12, eine Rampenschaltung 20,
einen differentiellen Transkonduktanz-Verstärker GM1, ein erstes Abtastgatter 30,
ein zweites Abtastgatter 31 und einen Ausgangsstromgenerator 32 auf.
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Der Abtast-Timer 12 ist
mit dem Gate-Anschluss eines Transistors 22 in der Rampenschaltung 20 über eine
Rückstellleitung
RESET, mit dem Steuergatter des Abtastgatters 30 über eine
Leitung SAMPLE und mit dem Steuergatter des Abtastgatters 31 über eine
Leitung SAMPLE. Abhängig
von der über
den Abtast-Timer 12 angelegten Spannung an dem Steueranschluss
des Transistors 22 überträgt der Transistor 22 eine
Bezugsspannung an einem Anschluss VSTART an
einen Anschluss einer Rampenkapazität CRAM in
der Rampenschaltung 20.
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Der nicht-invertierende (+) Eingang
des Transkonduktanz-Verstärkers GM1
ist mit einer Leitung VRAMP verbunden, welche
der Transistor 22 und die Kapazität CRAMP gemeinsam
nutzen, und über
das Abtastgatter 31 ist er mit einem Ausgang des Stromgenerators 32 verbunden.
Der invertierende (-) Eingang des Transkonduktanz-Verstärkers GM1
ist mit einer festen Referenzspannung an dem Anschluss VFIXED verbunden, und der Ausgang des Transkonduktanz-Verstärkers GM1
ist mit einem Strombehandlungsanschluss des Abtastgatters 30 verbunden.
Der andere Strombehandlungsanschluss des Abtastgatters 30 ist
mit den Steuergattern der Transistoren 34 und 36 in
dem Stromgenerator 32 und mit einem Anschluss der Entladestrom-Vorkapazität CCB verbunden.
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Der Stromgenerator
32 sieht
einen Ausgangsstrom I
OUT vor, der proportional
zu der Eingangsfrequenz eines Eingangssignals an einem Anschluss
F
INPUT ist und somit umgekehrt proportional
zu der durchschnittlichen Periode des Eingangssignals an dem Anschluss
F
INPUT. Mathematisch lässt sich dies wie folgt ausdrücken:
wobei T
INPUT die
durchschnittliche Dauer aus z. B. einhundert Zyklen des Eingangssignals
in Anschluss F
INPUT entspricht, und wobei α der Verstärkungsfaktor
des Frequenz-Strom-Wandlers
10 ist.
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In der Schaltung aus 1 ist der Ausgangsstrom IOUT negativ
(d. h. der Strom fließt
in den Stromgenerator 32). Natürlich kann der Stromgenerator 32 auch
so konfiguriert werden (z. B. unter Verwendung eines herkömmlichen
Stromspiegels), dass ein positiver Ausgangsstrom IOUT vorgesehen
wird.
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Herkömmliche Stromquellen 35 und 37 sehen
versetzte Ströme über die
entsprechenden Transistoren 34 und 36 vor, so
dass der Frequenz-Strom-Wandler 10 eine bestimmten spezifizierten
versetzten Strom vorsieht, wenn das Signal an dem Anschluss FINPUT eine Frequenz zwischen null Hz und
einem bestimmten ausgewählten
Wert aufweist. Die Stromquellen 35 und 37 sehen
jeweils das gleiche Stromniveau vor, so dass der Rampenstrom IRAMP dem Ausgangsstrom IOUT entspricht.
Bei Bedarf kann auf den versetzten Strom verzichtet werden oder
dieser wird auf Null gesetzt.
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Die Abbildung aus 2 zeigt verschiedene Kurvenformen, die
dem Frequenz-Strom-Wandler 10 aus 1 zugeordnet sind. Die Zeitsteuerung
bzw. Taktung der Wellenformen aus 2 ist
nicht maßstabsgetreu. Zum
Beispiel entspricht die Periode TINPUT des
Eingangssignals an dem Anschluss FINPUT in
einem Ausführungsbeispiel
300 us im Vergleich zu der Rückstellperiode
TRES von 1 us und der Abtastperiode TSAM von 100 ns bis 800 ns. Der Abtast-Timer 12 stellt
eine herkömmliche
Zeitsteuerungsschaltung dar, die auf der Basis ihrer hierin beschriebenen
Funktion durch den Fachmann leicht implementiert werden kann.
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In Bezug auf die Kurvenformen aus 2 in Verbindung mit dem
Frequenz-Strom-Wandler 10 aus 1 gibt der Abtast-Timer 12 einen Abtastimpuls
der Periode TSAM auf der Leitung SAMPLE
als Reaktion auf einen eingehenden Impuls an dem Anschluss FINPUT aus. Der Abtastimpuls auf der Leitung
SAMPLE schaltet das Abtastgatter 30 ein, wodurch der Ausgang
des Transkonduktanz-Verstärkers
GM1 mit einem Anschluss der Vorkapazität CCB verbunden
wird. Während
der Abtastperiode TSAM schaltet eine logische
Null auf der Leitung SAMPLE das Gatter 31 aus, so dass
die Spannung an dem Anschluss VRAMP z. B.
von dem Zeitpunkt t1 bis zu dem Zeitpunkt
t2 konstant bleibt.
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Während
der Abtastperiode TSAM zwischen den Zeitpunkten t1 und t2 ist die
Spannung an dem Anschluss VRAMP kleiner
als die Spannung an dem Anschluss VFIXED Somit
entzieht der Transkonduktanz-Verstärker GM1 der Kapazität CCB Ladung, wodurch die Spannung an den Gate-Anschlüssen der
Transistoren 34 und 36 verringert wird. Als Folge
dessen sinken der Strom IRAMP durch den
Transistor 34 und der Ausgangsstrom IOUT durch
den Transistor 36.
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Nach dem Abtastimpuls gibt der Abtast-Timer 12 einen
Rückstellimpuls
mit der Dauer TRES an den Gate-Anschluss
des Transistors 22 in der Rampenschaltung 20 aus.
Der Rückstellimpuls
schaltet den Transistor 22 ein, wobei CRAMP auf
den Referenzspannungswert an dem Anschluss VSTART geladen
wird, wie dies in der Abbildung aus 2 zu
dem Zeitpunkt t3 dargestellt ist.
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Nachdem die Spannung an dem Anschluss
VRAMP (und folglich an der Rampenkapazität CRAMP) auf die Referenzspannung an dem Anschluss
VSTART zurückgesetzt worden ist, entlädt sich
die Rampenkapazität CRAMP über
den Transistor 34, so dass der Spannungswert an dem Anschluss
VRAMP zu einem Zeitpunkt t4 auf einen Wert
VFIN sinkt, wenn der nächste Eingangsimpuls die Leitung 42 erreicht.
Da die Spannung VFIN auf der Leitung VRAMP während
dem Zeitraum von t4 bis t5 niedriger
ist als die Spannung an dem Anschluss VFIXED entzieht
der Transkonduktanz-Verstärker GM1
erneut der Vorkapazität
CCB Ladung, wodurch die Spannung an dem
Anschluss VCCB reduziert wird. Dieser Effekt
ist in der Abbildung aus 2 dargestellt,
wobei die Reduzierung der Spannung VCCB während der
zweite Abtastperiode (von t4 bis t5) erfolgt. Nach der Senkung der Vorspannung
an dem Anschluss VCCB sinkt auch der Strom
durch die Transistoren 34 und 36. Somit entlädt sich die
Kapazität
CRAMP langsamer als während der vorherigen Periode,
wie dies durch die fallende Kurve der Spannung an dem Anschluss
VRAMP von dem Zeitpunkt t6 zu
dem Zeitpunkt t8 angezeigt wird.
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Wenn, wie in der dritte Abtastperiode
aus 2 (von dem Zeitpunkt
t7 zu dem Zeitpunkt t8),
die Endspannung VFIN an der Rampenkapazität CRAMP größer ist
als die Spannung an dem Anschluss VFIXED führt der Transkonduktanz-Verstärker GM1
der Vorkapazität
CCB während
der Abtastperiode TSAM Ladung zu, wie dies durch
den Spannungsanstieg an dem Anschluss VCCB zwischen
dem Zeitpunkt t7 und dem Zeitpunkt t8 belegt wird.
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Das vorstehend beschriebene geschlossene
bzw. Closed-Loop-Rückkopplungssystem
bewirkt letztendlich, dass die Spannung an dem Anschluss VRAMP von der Referenzspannung an dem Anschluss
VSTART in der Periode zwischen den Eingangsimpulsen
auf die Referenzspannung an dem Anschluss VFIXED übergeht. Mit
anderen Worten entspricht der Spannungswert VFIN für die Spannung
an dem Anschluss bei VRAMP dem Spannungswert
an dem Anschluss VFIXED während der
Abtastperiode TSAM. In diesem Fall fließt während der Abtastperiode
TSAM praktisch kein Strom von dem Ausgang
des Transkonduktanz-Verstärkers
GM1. Diese Situation ist in der Abbildung aus 2 zwischen den Zeitpunkten t10 und
t11 dargestellt.
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Dabei ist es wie bei herkömmlichen
Rückkopplungssystemen
wichtig, dass die Zeitkonstante τ
Ccb der Stromvorkapazität C
CB so
ausgewählt
wird, dass ein schnelles Ansprechverhalten vorgesehen wird, ohne
dass daraus eine Instabilität
resultiert. Die Zeitkonstante τ
Ccb (gemessen in Zeiteinheiten) kann wie
folgt berechnet werden:
wobei C
Ccb die
Kapazität
der Stromvorkapazität
C
CB und g
mCcb die
Transkonduktanz darstellt, welche den Lade-/Entladestrom für C
CB vorsieht.
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Die Zeitkonstante τCcb muss
groß genug
sein, um das entsprechende Ansprechverhalten vorzusehen. Die Zeitkonstante τCcb kann
durch Reduzierung des Wertes der Transkonduktanz gm1 des
Transkonduktanz-Verstärkers
GM1 erhöht
werden, wodurch die Lade- und Entladeströme an die Kapazität CCB vorgesehen werden. Allerdings gibt es
einen unteren Grenzwert von gm1, unterhalb
welchem die Störungen
in einem unzulässigen
Maße zu
hoch werden. Eine weitere Möglichkeit
ist es, den Wert der Kapazität
CCcb zu erhöhen. Leider erfordern die entsprechend
relevanten Frequenzen (z. B. 1/TI
NPUT oder 3,3 KHz) eine verhältnismäßig hohe
Kapazität,
die praktisch nicht integriert werden kann.
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Die vorliegende Erfindung überwindet
die vorstehenden Probleme, die einer Erhöhung der Zeitkonstante τCcb zugeordnet
sind, indem eine erfindungsgemäße Abtast-Halte-Technik
eingesetzt wird. Der Abtast-Timer 12 und das Abtastgatter 30 tasten
und halten die Ausgabe des Transkonduktanz-Verstärkers GM1, so dass die Transkonduktanzeingabe
gmCcb in die Kapazität CCB auf
folgenden Wert reduziert wird:
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Somit wird die Zeitkonstante von
CCB, τCcb, auf folgenden Wert erhöht:
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Die Gleichung (7) macht deutlich,
dass die "effektive" Kapazität von CCcb als Ceff = CCcb (TINPUT/TSAM) ausgedrückt werden kann. Mit anderen
Worten wird der erforderliche Wert (und somit die Größe) der
Stromvorkapazität
CCB um den Faktor TSAM/TINPUT reduziert; demgemäß kann CCB auf
eine integrierbare Größe reduziert
werden, während
die entsprechende Zeitkonstante τCcb aufrechterhalten wird.
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Ohne die erfindungsgemäße Abtast-Halte-Technik
müsste
der Wert von CCB veränderlich bzw. anpassbar sein,
um verschiedene Eingangsfrequenzen zuzulassen. Glücklicherweise
macht es die erfindungsgemäße Abtast-Halte-Technik überflüssig, eine
regelbare Kapazität
vorzusehen. Durch Ersetzen von 1/TINPUT in
Gleichung (6) mit der Eingangsfrequenz fINPUT wird
deutlich, dass die Zeitkonstante τCcb der Vorkapazität CCB eine Funktion
der Eingangsfrequenz fINPUT ist. Mathematisch
kann dies wie folgt ausgedrückt
werden:
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Unter Verwendung der Abtast-Halte-Technik,
die eine Abtastung über
eine feste Periode TSAM vorsieht sowie eine
feste Kapazität
CCcb, ändert
sich die Zeitkonstante τCcb somit automatisch mit Änderungen
der Eingangsfrequenz fINPUT
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Die Abbildung aus 3 zeigt einen Frequenz-Strom-Wandler 50 gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Die Bestandteile aus 3, die Bestandteilen aus 1 entsprechen, sind mit den gleichen
Bezugsziffern bezeichnet. Der Frequenz-Strom-Wandler 50 arbeitet
im Wesentlichen auf die gleiche Art und Weise wie dies vorstehend
in Bezug auf die Abbildungen der 1 und 2 beschrieben worden ist.
In dem Frequenz-Strom-Wandler 50 wird die Rampenkapazität CRAM jedoch durch eine gefaltete Rampenkapazität 60 ersetzt.
Aus Gründen
der Vereinfachung sind die optionalen versetzten Stromquellen 35 und 37 in
der Abbildung aus 3 nicht
dargestellt.
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Gemäß dem Ausführungsbeispiel aus 3 wird die Rampenkapazität CRAMP durch eine gefaltete Rampenkapazität 60 ersetzt.
Wie dies bereits vorstehend im Text erläutert worden ist, ermöglicht das
Verfahren des "Faltens" den Einsatz eines
im Verhältnis
kleineren Wertes der Rampenkapazität CRAMP,
was zu einer einfacheren, wirtschaftlicheren Integration führt. Die
gefaltete Rampenkapazität 60 empfängt als
Eingaben eine Referenzspannung an einem Anschluss VMIN,
wobei die Spannungen an den Anschlüssen VMAX und
VMIN zum Beispiel entsprechend 5 Volt bzw.
1 Volt betragen. In einem Ausführungsbeispiel
sind die Anschlüsse VMAX und der Anschluss VREF so
verbunden, dass die Referenzspannung an dem Anschluss VREF auch
als Referenzspannung an dem Anschluss VMAX dient.
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Die Kapazität 60 gibt ein Signal "UNDER" auf einer Leitung 62 an
einen Eingang eines Transkonduktanz-Verstärkers GM2 aus. Der Transkonduktanz-Verstärker GM2
ist so konfiguriert, dass er als herkömmlicher Differentialverstärker arbeitet,
wenn eine logische Null (z. B. null Volt) der Leitung 62 zugeführt wird,
und wobei der maximale positive Ausgangsstrom unabhängig von
den Werten an den differentiellen Eingangsanschlüssen (+ und -) ausgegeben wird,
wenn eine logische Eins (z. B. 5 Volt) an der Leitung 62 zugeführt wird.
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Die folgende Erläuterung beschreibt allgemein
das Konzept des "Faltens", das verwendet werden kann,
um die Zeitkonstante einer bestimmten Kapazität C zu erhöhen. In dem allgemeinen Fall
mit einer bestimmten Kapazität
C mit einem konstanten Ladestrom IC ist
die Zeitkonstante τC proportional zu dem Produkt der Änderung
der Spannung ΔV
und der Kapazität
C, dividiert durch den Strom IC. Dieses
Verhältnis
kann mathematisch wie folgt ausgedrückt werden:
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Für
eine gegebene Zeitkonstante τC können
somit der erforderliche Wert der Kapazität C und somit die erforderliche
physikalische Fläche
für die
Integration einer derartigen Kapazität entweder durch Erhöhen von ΔV oder durch
Reduzieren des Stroms IC minimiert werden.
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Leider gibt es eine untere Grenze
für den
Wert von IC, der zur Änderung der Kapazität C verwendet wird,
wenn der Strom zu niedrig ist, wobei Störungen bzw. Rauschen und Verluste
eine unzulässig
schlechte Genauigkeit bei der Definition der Zeitkonstante τC erzeugen.
Darüber
hinaus ist es nicht praktisch, die Spannungen der Stromversorgungen
für integrierte
Schaltungen deutlich zu erhöhen,
um den Effekt der Kapazität einer
bestimmten Kapazität
der integrierten Schaltung zu erhöhen. Aus diesen Gründen hat
der Anmelder eine Falttechnik erfunden, die eine effektive Erhöhung der
Spannungsänderung ΔV über die
Rampenkapazität CRAMP ermöglicht,
ohne dass höhere
Spannungspotenziale erforderlich sind.
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Gemäß diesem Aspekt der vorliegenden
Erfindung wird der gewünschte
Spannungsbereich in eine Mehrzahl kleinerer Spannungsbereiche "gefaltet".
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Die Abbildung aus 4 veranschaulicht das Konzept des "Fattens" des über einer
Kapazität
angelegten Spannungsbereichs. Die Pfade P1 und
P2 sind Entladepfade, die den Entladepfaden
VRAMP zwischen den Zeitpunkten t3 und t4, den Zeitpunkten
t6 und t7 und den
Zeitpunkten t9 und t10 aus 2 ähnlich sind. Der Pfad P1 zeigt die Spannung an der Kapazität C, die
mit einem konstanten Strom IC von 5 Volt bis –11 Volt (für ein ΔV von insgesamt 16 Volt) über einen
Zeitraum T entladen wird. Der Pfad P2 zeigt
die Spannung an der Kapazität C,
die mit einem reduzierten konstanten Strom IC' entladen wird, so
dass die Kapazität
C während
dem Zeitraum T von 5 Volt auf –9
Volt entlädt,
was insgesamt zu einem ΔV
von 14 Volt ergibt. In der Annahme, dass es sich bei dem zur Erzeugung
von Pfad P1 verwendeten Strom um den gewünschten
Strom handelt, kann die Spannungsdifferenz zwischen dem Pfad P1 und dem Pfad P2 am
Ende der Periode T (d. h. die Fehlerspannung Vε von
2 Volt) danach zum Vorsehen einer Rückkopplung bzw. Rückführung an
den Transkonduktanz-Verstärker
GM2 verwendet werden, und zwar auf die vorstehend in Bezug auf den
Transkonduktanz-Verstärker
GM1 beschriebene Art und Weise.
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Gemäß der erfindungsgemäßen Falttechnik
kann der 16 Volt Bereich des Pfades P1 in
eine Reihe von Segmenten gefaltet werden. Zum Beispiel zeigt die
Abbildung aus 4 den
Pfad P1 gefaltet in einen Pfad P1', der
vier Segmente aufweist, nämlich
zwei abnehmende und zwei zunehmende. Der gefaltete Pfad P1' stellt eine
Spannungsänderung ΔV mit einem
absoluten Wert von 16 Volt dar (d. h. vier Änderungen mit je 4 Volt), ohne
dass 5 Volt überschritten
oder 1 Volt unterschritten werden. Ähnlich dem Pfad P1 kann
der Pfad P2 zum Beispiel in vier Segment
mit zwei abnehmenden und zwei zunehmenden Segmenten gefaltet werden,
wie dies unter Verwendung des Pfads P2' dargestellt ist.
Es ist wichtig anzumerken, dass die gefaltete Kurvenform P2' am
Ende der Periode T um eine Fehlerspannung VεF mit
der gleichen Größe wie die
Fehlerspannung Vε versetzt ist, welche
die Pfade P1 und P2 trennt.
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Die Fehlerspannung VεF kann
verwendet werden, um eine Rückkopplung
für den
Transkonduktanz-Verstärker
GM2 vorzusehen. Hiermit wird festgestellt, dass die Fehlerspannung VεF die
entgegengesetzte Polarität
zu der Spannung Vε aufweist. Aus diesem
Grund sind die invertierenden und nicht-invertierenden (- und +) Anschlüsse des
Transkonduktanz-Verstärkers GM2
in dem Ausführungsbeispiel
aus den Abbildungen der 3 und 5 im Vergleich zu den Anschlüssen des
Transkonduktanz-Verstärkers
GM1 aus 1 umgekehrt.
Dieser und andere Aspekte des Ausführungsbeispiels aus 3 werden nachstehend in
Bezug auf die Abbildungen der 5 und 6 näher beschrieben.
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Die Abbildung aus 5 zeigt eine Prinzipskizze eines Ausführungsbeispiels
der gefalteten Rampenkapazität 60.
Die gefaltete Rampenkapazität 60 weist
die Rampenkapazität
CRAMP, eine Vergleichsschaltung 70,
einen Zähler 80 und
eine Stromquelle 90 auf.
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Die Stromquelle 90 empfängt den
Rampenstrom IRAMP auf der Leitung 92 durch
das Abtastgatter 31 von dem Stromgenerator 32.
Der Rampenstrom IRAMP wird durch die Transistoren 94 und 96 gespiegelt,
um einen Strom IRAMP' vorzusehen, der im Wesentlichen dem
Rampenstrom IRAMP durch in Reihe geschaltete
Transistoren 98 und 100 entspricht. Die Transistoren 102 und 104 spiegeln
auf herkömmliche
Art und Weise die Transistoren 98 und 100, so
dass der Strom IRAMP' durch die in Reihe geschalteten Transistoren 96, 98 und 100 sowie
durch die in Reihe geschalteten Transistoren 106, 102 und 104 verläuft. Ein
Transistor 108 spiegelt den Transistor 106, so
dass ein Strom IC, der im Wesentlichen dem
Strom IRAMP' durch den Transistor 106 entspricht, durch
die Strombehandlungsanschlüsse
des Transistors 108 geleitet wird. Schließlich wird
eine Stromquelle 110, die einen Transistor 112 und
einen Transistor 114 aufweist, durch die Kombination aus
den Transistoren 102 und 104 vorbelastet.
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Das Paar der Transistoren 112 und 114 entspricht
den Transistoren 102 und 104, mit der Ausnahme, dass
die Transistoren 112 und 114 einen Multiplikationsfaktor
von zwei aufweisen. Aufgrund des Multiplikationsfaktors leitet die
Stromquelle 110 bei einer bestimmten Vorspannung an der
Basis des Transistors 112 doppelt so viel Strom wie die
in Reihe geschalteten Transistoren 102 und 104 (und
folglich doppelt so viel Strom wie der Strom IC durch
die Transistoren 108). Wenn der Transistor 114 bei
dieser Konfiguration ausgeschaltet ist, entspricht der gefaltete
Rampenstrom IF von der Stromquelle 90 im
Wesentlichen IC. Wenn im Gegensatz dazu
der Transistor 114 leitet, leitet die Stromquelle 110 einen
Strom, der im Wesentlichen dem Zweifachen von IC entspricht,
so dass der gefaltete Rampenstrom IF gleich
IC – 2IC _ = –IC ist. Somit kann der gefaltete Rampenstrom
IF verwendet werden, um wechselweise die
Rampenkapazität
CRAMP mit Raten von entsprechend IC und -IC zu laden
und zu entladen, der Richtung des gefalteten Rampenstroms IF, abhängig
davon, ob der Transistor 114 ein- oder ausgeschaltet ist.
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Die Vergleichsschaltung 70 empfängt den
gefalteten Rampenstrom IF an der Eingangsleitung 71.
In Bezug auf die Abbildungen der 4 und 5 wird der Pfad P1' dazu
verwendet, den Betrieb der Vergleichsschaltung 70 zu erläutern, wobei
der Pfad P1' den sich ändernden Spannungswert an dem
Anschluss VRAMP der 3 und 5 darstellt.
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Wenn wir in Bezug auf die Abbildung
aus 5 annehmen, dass
dem Rückstellanschluss
RESET des Zählers 80 nur
ein positiver Impuls (z. B. 12 Volt) zugeführt worden ist, wird die Spannung
an dem Anschluss VRAMP auf 5 Volt zurückgesetzt,
wie dies auf der Y-Achse von 4 dargestellt
ist. Und wenn wir weiter annehmen, dass der gefaltete Rampenstrom
IF von der Stromquelle
90 gleich –IC ist (d. h. der Transistor 114 wird
als eingeschaltet vorgespannt), beginnt die Spannung an dem Anschluss
VRAMP mit der Entladung, wie dies in der Abbildung
aus 4 als Element A
dargestellt ist.
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Die Vergleichsschaltung 70 weist
einen Höchstspannungs-Komparator 72,
einen Mindestspannungs-Komparator 74, einen Rückstelltransistor 76 und
einen herkömmlichen
quergekoppelten Signalspeicher 78 auf. Wenn die Spannung
an dem Anschluss VRAMP an der Rampenkapazität CRAMP unter VMIN entladen
wird, gibt der Komparator 74 eine logische Eins an den
Signalspeicher 78 aus, der in der Folge eine logische Null an
einen Eingang eines UND-Gatters 84 ausgibt. Zu diesem Zeitpunkt
wird angenommen, dass es sich bei einem anderen Eingang in das UND-Gatter 84 von
der Leitung 62 um eine logische Eins handelt, so dass die logische
Null aus dem Signalspeicher 78 bewirkt, dass das UND-Gatter 84 eine
logische Null an den Gate-Anschluss des Transistors 114 ausgibt,
so dass der Transistor 114 ausgeschaltet wird.
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Wenn der Transistor 114 ausgeschaltet
ist, ändert
sich der gefaltete Rampenstrom IF von der
Stromquelle 90 von -IC zu +IC, dem Strom durch den Transistor 108.
Wie dies in der Abbildung aus 4 als
Schenkel B des Pfads P1' dargestellt ist, beginnt der gefaltete
Rampenstrom IF die Rampenkapazität CRAMP zu laden, wodurch die Spannung an dem
Anschluss VRAMP erhöht wird.
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Wenn die Spannung an dem Anschluss
VRAMP als nächstes die Spannung an dem
Anschluss VRAMP (in diesem Fall 5 Volt) übersteigt,
gibt der Komparator 72 als nächstes eine logische Eins an
den Signalspeicher 78 aus, wodurch bewirkt wird, dass der
Signalspeicher 78 eine logische Eins an den Transistor 114 ausgibt. Als
Folge dessen leiten der Transistor 114 und der Transistor 112 doppelt
so viel Strom (2IC) wie der Transistor 108 (IC), so dass der gefaltete Rampenstrom IF der Stromquelle 90 zu -IC zurückkehrt.
Die Rampenkapazität CRAMP beginnt in der Folge mit der Entladung,
was zu einer konstanten Reduzierung der Spannung an dem Anschluss
VRAMP führt,
was in der Abbildung aus 4 als
Schenkel C des Pfads P1' dargestellt ist.
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Solange ein Rampenstrom IRAMP durch die Leitung 92 existiert,
gibt es einen gefalteten Rampenstrom IF,
der die Rampenkapazität
CRAMP entweder lädt oder entlädt. In dem
Falle des Pfads P1' zeigt die Spannung an dem Anschluss
VRAMP der Rampenkapazität CRAMP die
zweifache Entladung auf 1 Volt (Schenkel A und C) und die zweifache
Ladung auf 5 Volt (Schenkel B und D).
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Der Zähler ist an der Leitung UNDER
L, wodurch "unter
niedrig" angezeigt
wird, mit der Vergleichsschaltung 70 verbunden, wodurch
angezeigt wird, dass die Spannung an dem Anschluss VRAMP unter
der Mindestspannung an dem Anschluss VMIN liegt.
Die Impulse unter niedrig auf der Leitung UNDER L an den Zähler 80 ermöglichen
es dem Zähler 80,
die Anzahl der Änderungen
der Rampenspannung an dem Anschluss VRAMP mit Übergängen von
negativ zu positiv zu zählen,
wodurch die Anzahl der "Faltungen" angezeigt wird.
Sobald der von dem Zähler 80 empfangene
Zählwert
einen vorbestimmten Wert überschreitet,
gibt der Zähler 80 eine logische
Null auf der Ausgangsleitung 62 an den Transkonduktanz-Verstärker GM2
und das UND-Gatter 84 aus.
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Die Abbildung aus 6 entspricht der Abbildung aus 4 dahingehend, dass die
Abbildung aus 6 ein
Beispiel veranschaulicht, wobei die Spannung an der Rampenkapazität CRAMP viermal gefaltet wird. Die Spannung
VRAMP an der Rampenkapazität CRAMP wechselt von 5 Volt zu 1 Volt und danach
von 1 Volt zu 5 Volt, wie dies vorstehend in Bezug auf die Abbildung
aus 4 beschrieben worden
ist. Jedes Mal, wenn die Spannung von negativ in positiv übergeht,
gibt der Komparator 74 der Vergleichsschaltung 70 einen
positiven Impuls auf der Leitung UNDER_L aus. Die positiven Impulsinkremente
des Zählwerts
werden in dem Zähler 80 gespeichert.
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In dem Beispiel aus der Abbildung
aus 6 ist der Zähler 80 so
konfiguriert, dass er eine logische Null auf der Leitung 62 ausgibt,
nur nachdem der Zählwert
zwei entspricht. Solange der Zählwert
anders ausgedrückt "unter" zwei liegt, gibt
der Zähler 80 eine
logische Eins als das Signal UNDER auf der Leitung 62 aus.
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Wenn der Rampenstrom IRAMP für eine bestimmte
Eingangsfrequenz deutlich zu gering ist, ist auch der gefaltete
Rampenstrom IF der Stromquelle 90 zu
niedrig. In einem derartigen Fall erreicht der Zähler 80 während einer
Periode des Eingangssignals keinen Zählwert von zwei. In einem derartigen
Fall gibt der Zähler
eine logische Eins auf der Leitung 62 auf, wodurch GM2
deaktiviert wird, so dass GM2 nicht auf dessen positive und negative
Eingänge
anspricht, sondern stattdessen den maximalen Ausgangsstrom von zum
Beispiel 10 uA ausgibt. Wenn der Ausgangsstrom IOUT somit deutlich niedriger ist als wie
dies für
eine bestimmte Eingangsfrequenz geeignet ist, gibt der Transkonduktanz-Verstärker GM2
einen maximalen Strom zum Laden der Vorkapazität CCB aus.
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Wenn der Wert des Ausgangsstroms
IOUT (und somit des Rampenstroms IRAMP) ansteigt und mehr der Eingangsfrequenz
entspricht, nimmt die Übergangszeit
der Rampenspannung an dem Anschluss VRAMP weiter ab,
bis der Zähler
einen Zählwert
von zwei vor dem Ende der einen Periode TINPUT des
Eingangssignals erreicht. Dieser Fall ist in der Abbildung aus 6 dargestellt. Sobald der
Zähler 80 einen
Zählwert
von zwei erreicht, gibt der Zähler 80 eine
Null auf der Leitung 62 aus, wodurch der Transkonduktanz-Verstärker GM2 aktiviert
wird. Der Transkonduktanz-Verstärker
GM2 spricht danach auf dessen invertierende und nicht-invertierende
Eingänge
an. Der aktive Bereich des Transkonduktanz-Verstärkers GM2 ist in der Abbildung
aus 6 als "GM2 aktiv" veranschaulicht.
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Sobald der GM2 aktiv ist, arbeitet
der Frequenz-Strom-Wandler 50 im Wesentlichen auf die gleiche
Art und Weise, wie dies vorstehend in Bezug auf den Frequenz-Strom-Wandler 10 beschrieben
worden ist. Wenn am Ende der Periode TINPUT des
Eingangssignals die Rampenspannung an dem Anschluss VRAMP höher ist
als die Referenzspannung an dem Anschluss VMAX,
so entzieht der Transkonduktanz-Verstärker GM2 während der Abtastperiode TSAM etwas Ladung von der Vorkapazität CCB, wodurch der Rampenstrom IRAMP gesenkt
wird (und folglich der gefaltete Rampenstrom IF gesenkt
wird). Wenn sich GM2 im Gegensatz dazu in dem aktiven Bereich befindet
und die Rampenspannung an dem Anschluss VRAMP am
Ende der Periode TINPUT unterhalb der Referenzspannung
an dem Anschluss VMAX liegt, so gibt der
aktive Transkonduktanz-Verstärker
GM2 Strom aus, um die Vorkapazität
CCB während
der Abtastperiode TSAM durch das Abtastgatter 30 zu
laden.
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Unter Verwendung eines Faltfaktors
von vier erhöht
das in Bezug auf die Abbildung aus 6 beschriebene
Ausführungsbeispiel
die effektive Kapazität
der Rampenkapazität
CRAMP um einen Faktor von vier. Natürlich kann
die Spannung an der Rampenkapazität CRAMP beliebig
oft gefaltet werden. Die Abbildung aus 7 zeigt zum Beispiel verschiedene Kurvenformen,
die der gefalteten Rampenkapazität 60 in
einem Ausführungsbeispiel
zugeordnet sind, das die Spannungsänderung insgesamt an der Rampenkapazität CRAMP mit zweiunddreißig multipliziert.
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Während
der Abtastperiode TSAM aus 7 ist die Spannung an dem Anschluss VRAMP etwas niedriger als die Referenzspannung
an dem Anschluss VMAX. Als Folge dessen
sieht der Transkonduktanz-Verstärker GM2
einen Ausgangsstrom an die Vorkapazität CCB vor,
wodurch die Vorspannung an dem Anschluss VCCB erhöht wird.
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Während
dem folgenden Rückstellimpuls
setzt danach die positive Rückstellspannung
an dem Gate-Anschluss des Transistors 76 der Vergleichsschaltung 70 (siehe 5) die Spannung an dem Anschluss VRAMP auf die Spannung an dem Anschluss VMAX zurück.
Nach der Rücksetzung
geht die Spannung VRAMP zwischen der Spannung
an dem Anschluss VMAX und der Spannung an
dem Anschluss VMIN ungefähr 32 Mal vor dem nächsten Abtastimpuls über.
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In dem in der Abbildung aus 7 dargestellten Fall wäre der Zähler 80 so
konfiguriert, dass der GM2 nach einem Zählwert von 16 aktiviert
werden würde.
Wenn der Zähler 80 keine 16 Übergänge von
negativ auf positiv zwischen den Eingangsimpulsen erfasst hätte, würde der
Zähler 80 eine
logische Eins auf der Leitung 62 ausgeben, wodurch angezeigt
wird, dass der Zähler "darunter" liegt, wodurch bewirkt
wird, dass der Transkonduktanz-Verstärker GM2 den maximal verfügbaren Strom
an die Vorkapazität
CCB ausgibt.
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Wenn der gefaltete Rampenstrom IF im Verhältnis
zu der Eingangsfrequenz viel zu groß wäre, würden die Übergänge der Rampenspannung an dem
Anschluss VRAMP deutlich schneller erfolgen,
wodurch bewirkt wird, dass der Zähler 80 seinen maximalen
Zählwert
deutlich vor dem Ende der Periode TINPUT erreicht
und den Transkonduktanz-Verstärker
GM2 aktiviert. Wenn dies eintritt, wird das Signal von dem Zähler 80 auf
der Leitung 62 niedrig, wodurch bewirkt wird, dass das
UND-Gatter 84 den Transistor 114 deaktiviert,
wobei in der Folge die Faltwirkung der gefalteten Rampenkapazität 60 deaktiviert
wird. Als Folge dessen steigt die Spannung an dem Anschluss VRAMP weiter über die Referenzspannung an
dem Anschluss VMAX an (auf eine maximale
Spannung von z. B. 4 Volt über
VMAX oder 9 Volt), wie dies in der Abbildung
aus 6 dargestellt ist.
Der Transkonduktanz-Verstärker
GM2 gibt daraufhin einen Strom aus, um den Rampenstrom IRAMP im Wesentlichen auf die gleiche Art
und Weise zu senken, wie dies vorstehend in Bezug auf die Abbildung
aus 3 beschrieben worden
ist. Nach einer Mehrzahl von Perioden des Eingangssignals entspricht
die Endspannung an dem Anschluss von VRAMP nach
einer einzelnen Eingangsperiode TINPUT genau
der Spannung an dem Anschluss VMAX.
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Bei der Abbildung aus 8 handelt es sich um eine
Prinzipskizze eines weiteren Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung – eines
Frequenz-Strom-Wandlers 150 – wobei die Beruhigungszeit
der Ausgangsstroms IOUT durch das Hinzufügen eines
regelbaren Stromgenerators 200 und zugeordneter Schaltkreisanordnung
verbessert wird. Die Prinzipskizze aus 8 ist der Abbildung aus 3 ähnlich,
wobei übereinstimmende
Elemente mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind.
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Eine gefaltete Rampenkapazität 160 ist über eine
GM-Freigabeleitung
GM_EN mit einem Transkonduktanz-Verstärker GM3 und über einen
Stromauswahlbus ISEL mit dem Stromgenerator 200 verbunden,
wobei der Bus die Leitungen CNT < 8,
8 ≤ CNT < 12, 12 ≤ CNT < 16, 17 < CNT ≤ 20 und CNT > 20 (dargestellt in 9) aufweist.
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Bei der Abbildung aus 9 handelt es sich um eine
Prinzipskizze einer gefalteten Rampenkapazität 160, die der gefalteten
Rampenkapazität 60 aus 5 entspricht, wobei übereinstimmende
Elemente mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind. Wenn der
in einem Zähler 180 gespeicherte
Zählwert
kleiner ist als acht, gibt der Zähler 180 eine
logische Eins auf der Leitung CNT < 8
des Busses ISEL aus. Wenn der gespeicherte
Zählwert
in ähnlicher
Weise zwischen acht und elf, zwölf
und fünfzehn,
achtzehn und zwanzig oder über einundzwanzig
liegt, gibt der Zähler 180 eine
logische Eins auf der entsprechenden Leitung 8 ≤ CNT < 12, 12 ≤ CNT < 16, 17 < CNT ≤ 20
und CNT > 20 aus.
Wenn der gespeicherte Wert gleich sechzehn oder siebzehn ist, gibt
eine logische Eins auf der Leitung GM_EN den Transkonduktanz-Verstärker GM3
zur Funktion in dem aktiven Modus frei, wie dies vorstehend für den Transkonduktanz-Verstärker GM2
in Bezug auf die Abbildung aus 6 beschrieben
worden ist.
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Der Stromgenerator 200 aus 8 wird herkömmlich so
konfiguriert, dass er einen Strom mit folgendem Wert erzeugt:
- 1. 1 mA, wenn die Spannung an der Leitung CNT < 8 eine logische
Eins darstellt;
- 2. 100 μA,
wenn die Spannung an der Leitung 8 ≤ CNT < 12 eine logische Eins darstellt;
- 3. 10 μA,
wenn die Spannung an der Leitung 12 ≤ CNT < 16 eine logische Eins darstellt;
- 4. –100 μA, wenn die
Spannung an der Leitung 17 < CNT ≤ 20 eine logische
Eins darstellt; und
- 5. –1
mA, wenn die Spannung an der Leitung CNT > 20 eine logische Eins darstellt.
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Bei einer derartigen Konfiguration
schwankt der zum Laden und Entlade der Vorkapazität CCB in dem Frequenz-Strom-Wandler 150 verwendeten
Strom abhängig
von dem in dem Zähler 180 gespeicherten
Zählwert.
Das heißt,
wenn die Spannung an dem Anschluss VCCB verhältnismäßig weit
von der erforderlichen Spannung entfernt ist, um den korrekten Ausgangsstrom
IOUT vorzusehen, wird der Lade- oder Entladestrom
erhöht, der
zur Berichtigung der Spannung an dem Anschluss VCCB verwendet
wird. Wenn sich die Spannung an dem Anschluss VCCB danach
der geeigneten festen Spannung VFIXED während der
Abtastperiode TSAM nähert, nimmt der Lade- oder
Entladestrom ab. Auf diese Weise verbessert der Frequenz-Strom-Wandler 150 die
Beruhigungszeit des Rampenstroms IRAMP,
während
gleichzeitig die Stabilität
aufrechterhalten wird.
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Die Frequenz-Strom-Wandler gemäß der vorliegenden
Erfindung sind nicht auf die vorstehend beschriebenen speziellen
Anwendungen beschränkt.
In einem Ausführungsbeispiel
wird das Abtastgatter 31 aus 3 zum
Beispiel dadurch weggelassen, dass die Leitung SAMPLE direkt mit
dem Gate-Anschluss des Transistors 104 verbunden wird,
und durch einen zusätzlichen
Eingang (nicht abgebildet) des UND-Gatters 84 in den Gate-Anschluss des Transistors 114.
Ferner können
die Frequenz-Strom-Wandler,
die nicht das Ausmaß der
Präzision
erfordern, das durch den "aktiven" analogen Modus des
zweiten Ausführungsbeispiels
vorgesehen wird, sich nur auf den in dem Zähler 80 gespeicherten
Zählwert
verlassen, um den Wert des Ausgangsstroms zu bestimmen. Der Umfang
der vorliegenden Erfindung ist somit nicht auf die Beschreibung
der bevorzugten und hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt.