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Die
vorliegende Erfindung betrifft einen Magnetfeld-Impulsgenerator,
und zwar insbesondere einen, der für die Erzeugung eines HF-Impulses
zur Verwendung bei einer Kernspinresonanz-(NMR)-Untersuchung Anwendung
findet. Insbesondere geht es bei der Erfindung um die Schaffung
eines solchen Generators zur Verwendung beim Betrieb in einer Abwärtsbohrloch-Messsonde.
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Konventionelle
NMR-Impulssignalverstärker nutzen
lineare Verstärker
der Klasse A/B (üblicherweise
Röhrenverstärker)
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Das
US-Patent US-A-5072183 legt einen HF-Generator für ein magnetisches Resonanzgerät für bildgebende
Verfahren offen, zu dem ein Modulator gehört, bei welchem ein Modulationsträger durch ein
Hüllkurvensignal
moduliert wird, sowie eine Senderstufe, welche nachfolgend mit einem
Modulationsgenerator verbunden wird, bei dem die Implementierung
des modulierenden Signals dazu führt, dass
der Kostenaufwand für
die Senderstufe erheblich reduziert werden kann. Zum Modulator gehört zunächst der
Modulatorabschnitt, in dem das Hüllkurvensignal
in eine Reihe gleich langer digitaler Impulse, deren Dichte der
Amplitude des Hüllkurvensignals
entspricht, in k verschiedenen Arten von Impulsen umgewandelt wird.
Während
eines jeden Impulses einer bestimmten Art wird der Modulationsträger stets
mit einer bestimmten Phasenlage eingeschaltet, welche von den Phasenlagen
des Trägers,
die zu den Impulsen der anderen Arten gehören, um 360°/k oder ein ganzzahliges Vielfaches
hiervon abweicht. Der resultierende, durch den Impuls geschaltete,
vorzugsweise in Rechteckwelle auftretende Modulationsträger wirkt
als Schaltsignal für
die Senderstufe.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird ein HF-Magnetfeld-Impulsgenerator zur Erzeugung eines
magnetischen Feldimpulses im HF-Bereich geschaffen, der bei einer
Kernspinresonanz-(NMR)-Untersuchung zum Einsatz kommen soll, wobei
der Generator folgende Teile umfasst:
- 1) zwei
Arme, die parallel zwischen ein Paar Stromquellen-Eingangsanschlüsse geschaltet sind,
wobei jeder Arm zwei in Reihe verbundene Festkörperschalter umfasst;
- 2) eine Senderspule, die zwischen die Ausgangsanschlüsse geschaltet
ist, die jeweils zwischen jedem Paar in Reihe verbundener Festkörperschalter
ausgebildet sind, wobei die Senderspule so eingerichtet ist, dass
sie den Magnetfeldimpuls, in Reaktion auf ein wechselndes HF-Signal
an den Ausgangsanschlüssen
sendet;
- 3) eine Stromquelle, die mit einem oder beiden Eingangsanschlüssen verbunden
ist; und
- 4) eine Steuereinrichtung, die so eingerichtet ist, dass sie
in Funktion abwechselnd einen entsprechenden Schalter in jedem Arm
bei einer erforderlichen Hochfrequenz betätigt, so dass die Stromquelle
mit abwechselnder Polarität über die
Senderspule geschaltet wird und ein wechselndes HF-Signal an den
Ausgangsanschlüssen
erzeugt.
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Die
Konfiguration der Schalter gemäß der vorliegenden
Erfindung wird als „H-Brücke" bezeichnet. Üblicherweise
umfassen die Festkörperschalter Verstärker der
Klasse D/E. Es wurde festgestellt, dass diese Konfiguration für die Verwendung
bei einer NMR-Untersuchung
geeignet ist (insbesondere bei einem Abwärtsbohrloch-Messgerät), da sie
sich durch Zuverlässigkeit
auszeichnet (geringe Spannungsbeanspruchung an den Festkörperschaltern) und
nur eine minimale Anzahl von Kondensatoren benötigt wird (Kondensatoren sind
schwer herzustellen und können
bei Betriebstemperaturen in der Größenordnung von 150°C leicht
ihre Zuverlässigkeit einbüßen).
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Außerdem sorgt
die Konstruktion für
eine höhere
Effizienz (d.h. geringe Leistungsverluste bei den Verstärker-Komponenten)
als bei einer konventionellen Konstruktion mit Verstärkern der
Klasse A/B. Zudem bietet die Konstruktion eine größere Einfachheit (weniger
Komponenten), geringere Abmessungen sowie höhere Robustheit und bessere
Zuverlässigkeit
(teilweise auf Grund der Verwendung von Festkörperschaltelementen).
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Üblicherweise
handelt es sich bei den Festkörperschaltern
um MOSFET-Schalt-Leistungstransistoren,
wie zum Beispiel HEXFETs. Es wurde festgestellt, dass diese für die Leistungs-
und Schaltanforderungen eines Abwärtsbohrloch-Messgerätes für NMR-Untersuchungen geeignet
sind. Außerdem
sind die MOSFET-Transistoren in der Lage, Betriebstemperaturen in
der Größenordnung
von 150°C
auszuhalten, wenngleich bei geringerem Nennstrom.
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Die
Schalter können
jeweils aus einem einzelnen Festkörperschalter bestehen, oder
jeder Schalter kann jeweils aus einer Anzahl von Festkörperschaltern
bestehen, welche parallel zueinander geschaltet sind.
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Üblicherweise
besteht die Steuereinrichtung aus einem Schaltkreis, der so ausgelegt
ist, dass er zwei Steuersignale generiert, welche gegeneinander um
180° phasenversetzt
sind und die Gates diagonaler Schalterpaare in der H-Brücke ansteuern. Üblicherweise
umfasst der Regelkreis eine weitere H-Brücke, welche durch einen HF-Signalgenerator gesteuert
wird.
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Üblicherweise
ist die Senderspule Teil eines Resonanzkreises, der eine Kapazität (üblicherweise einen
Kondensator) aufweist, welche/r parallel oder in Reihe mit der Spule
verbunden ist.
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Vorzugsweise
umfasst der Resonanzkreis einen Kondensator, der in Reihe mit der
Senderspule verbunden ist. Die Verwendung einer Reihenschaltung
für den
Kreis mit niedriger Impedanz bei Resonanz (im Gegensatz zu einer
Parallelschaltung des Kreises, bei dem die Impedanz bei Resonanz
hoch ist) stellt sicher, dass alle Leitungsknoten im Kreis auf dem
Wert bzw. unterhalb des Wertes der lokalen Versorgungsspannung (von üblicherweise
250 V Gleichspannung) bleiben, mit Ausnahme der Verbindung zwischen
der Senderspule (Lτ) und der Kapazität (Cτ),
welche den Wert von 5 kV in Abhängigkeit
vom Resonanzkreisgütefaktor
des Kreises Q (= ωLτ/Rτ) überschreiten
können. Üblicherweise
handelt es sich hierbei um eine permanente Verbindung und die Kapazität befindet
sich in einem zentralen, mit Öl
gefüllten
Abschnitt zusammen mit der Senderspule. Falls es notwendig ist,
den Resonanzkreis im Gebrauch auf Grund einer Frequenzänderung
(drift) von B0 und/oder einer Frequenzänderung
bei Cτ oder
Lτ abzustimmen,
können
zusätzliche
Kondensatoren zwischen den verschiedenen Impulsfolgen geschaltet werden. Üblicherweise
handelt es sich bei den kapazitiven Schaltern um hochspezifische
Hochspannungs- und Hochstromrelais.
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Alternativ
ist es ebenfalls möglich,
dass der Sender nicht Teil eines Resonanzkreises ist. In diesem
Fall funktioniert die Ansteuerung der Spule direkt ohne einen Abstimmkondensator
nur dann, wenn seine charakteristische Zeitkonstante erheblich geringer
ist als die Periode der Steuerfrequenz. Bei Erreichen der Resonanzfrequenz
reduziert sich die Impedanz eines in Serie abgestimmten Kreises
auf den Wert der Wirkverluste (Rτ),
und die Blindkomponenten (ωLτ)
und (ωCτ)
verschwinden. Lässt
man den Abstimmkondensator weg, so dominiert die Induktivität (= ωLτ)
der Spule die Impedanz des Senders. Das Verhältnis von Widerstand zu Induktivität (= Rτ/ωLτ) definiert
die charakteristische Zeitkonstante der Spule (τ, welche der reziproke Wert
von Q, der Resonanzgüte,
ist). Ist diese klein im Vergleich zur Einschaltdauer (d.h. Hälfte der
Umschaltperiode), so steigt der Strom auf seinen Maximalwert an,
welcher während
der Einschalt-Halbperiode durch Rτ begrenzt
ist, und das System funktioniert, allerdings mit geringer spektraler
Reinheit und Leistungsverlusten auf Grund der harmonischen Teilschwingungen,
die durch die resultierenden „rechteckigen" Stromimpulse entstehen.
Ist τ im
Vergleich zur Einschaltdauer groß, dann steigt der Strom nicht
auf den erforderlichen Einschaltwert an, bevor die Steuerspannung umgepolt
wird.
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Üblicherweise
wird der Ringdown im Resonanzkreis dadurch minimiert, dass eine
aktive Ringdown-Schaltung hinzugefügt wird, die einen oder mehrere
Dämpfungswiderstände umfasst,
die über einen
oder mehrere Schalter mit dem Resonanzkreis verbunden sind, sowie
eine Steuereinrichtung umfasst, die so eingerichtet ist, dass sie
den/die Schalter nach einem Magnetimpuls schließt. Im Ergebnis dessen bildet
der Dämpfungswiderstand/bilden
die Dämpfungswiderstände einen
Teil einer Stromschleife, zu der auch der Resonanzkreis gehört, und
leiten Energie ab, um Ringdown im Resonanzkreis zu steuern. Die
Ringdown-Schaltung kann einen einzelnen Widerstand, vorzugsweise
jedoch zwei Widerstände umfassen,
wobei jeder der Widerstände
mit einem entsprechenden Schalter versehen ist. Üblicherweise handelt es sich
bei den Schaltern um Festkörperschalter,
wie zum Beispiel MOSFETs.
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Üblicherweise
gehören
zur Stromquelle ein oder mehrere Speicherkondensatoren. Bei einem Abwärtsbohrloch-Messgerät ist der/sind
die Kondensator/en vorzugsweise an der Sonde im Bohrloch angebracht
und mit einer Gleichstromquelle über
Tage verbunden. Gemäß dem zweiten
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Betrieb
eines Generators gemäß dem ersten
Aspekt der Erfindung geschaffen; wobei das Verfahren das Betätigen der
entsprechenden Schalter jedes Paares während eines Impulses und am
Ende des Impulses umfasst und alle vier Schalter geöffnet werden,
wodurch der Ringdown im Resonanzkreis gesteuert wird.
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Mit
dem zweiten Aspekt der Erfindung wird ein zusätzliches Verfahren geschaffen,
mit dessen Hilfe der Ringdown im Resonanzkreis nach einem Impuls
gesteuert werden kann. Üblicherweise
wird, nachdem die Schalter für
einen vorher definierten Zeitraum geöffnet worden sind, die aktive
Ringdown-Schaltung – sofern
vorhanden – geschaltet,
um das Überschwingen
im Niederspannungsbereich zu steuern.
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Eine
Reihe von Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung soll nachfolgend unter Bezugnahme auf
die beigefügten
Figuren beschrieben werden, in denen: –
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1 eine
schematische Darstellung eines Impulsgenerators gemäß der Erfindung
ist;
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2 eine
schematische Darstellung der Komponenten aus 1 in größerer Detailtiefe
ist;
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die 3a und 3b Kurvendiagramme zur
Darstellung der Spannung der Gate-Ansteuerungssignale G1 und G2 während eines
Impulses sind;
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4 ein
Kurvendiagramm ist, in dem ein tatsächliches Paar von Gate-Ansteuerungssignalen dargestellt
wird, welche aus der Ausgangsleistung des Impulswandlers abgeleitet
worden sind;
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5 ein
Kurvendiagramm ist, das den Strom durch die Senderspule während eines
konventionellen Impulses ohne die Verwendung des Ringdown-Verfahrens
gemäß dem zweiten
Aspekt der Erfindung darstellt;
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6 ein
Kurvendiagramm ist, das den Strom durch die Senderspule Lτ darstellt,
während die
Schalter am Ende des Impulses geöffnet
sind, jedoch ohne dass ein aktiver Dämpfungskreis geschaltet ist;
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7 eine
Darstellung des aktiven Ringdown-Steuersignals ist, das an die Schalter
Q5 und Q6 angelegt wird;
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8 eine
Darstellung der Spannung durch die Senderspule ist, wobei die vier
Schalter am Ende des Impulses geöffnet
sind und der aktive Dämpfungskreis
geschaltet ist;
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9 die
Darstellung der Topologie eines alternativen Parallelresonanzkreises
ist;
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10 die
Darstellung eines typischen Impulses ohne Ringdown-Schaltung ist;
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11 die
Darstellung wie in 10, jedoch mit einer Ringdown-Schaltung
ist;
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12 die
Darstellung des Endes des Impulses aus 10 in
größerer Detailtiefe
ist (ohne Ringdown-Schaltung);
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13 die
Darstellung des Endes des Impulses aus 11 in
größerer Detailtiefe
ist (mit Ringdown-Schaltung);
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14 die
Darstellung des Endes des Impulses aus 10 in
noch größerer Detailtiefe
ist (ohne Ringdown-Schaltung);
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15 die
Darstellung des Endes des Impulses aus 11 in
noch größerer Detailtiefe
ist (mit Ringdown-Schaltung);
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16 die
Darstellung des unverzögerten Stromverlaufes
während
der Anfangs-Ringdown-Phase
ist;
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17 die
Darstellung des unverzögerten Stromverlaufes
während
der End-Ringdown-Phase ohne
aktive Dämpfung
ist; und
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18 die
Darstellung des unverzögerten Stromverlaufes
während
der aktiven Dämpfung
ist.
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Unter
Bezugnahme auf 1 wird hier dargestellt, dass
eine über
Tage befindliche Gleichstromquelle 1 über ein Kabel 2 (das über die
Länge eines
Bohrloches verlegt ist) mit einer Sonde 8 verbunden ist,
die einen Energiespeicher 3 enthält. Dieser Energiespeicher 3 ist
mit einem Verstärker 4 verbunden,
welcher ein gepulstes Wechselstrom-HF-Signal 5 an einen Parallelresonanzkreis 6 unter
der Steuerung eines Ansteuerkreises 7 abgibt. Der Parallelresonanzkreis 6 überträgt ein HF-Magnetsignal 9,
welches für
eine NMR-Untersuchung der Umgebung von Sonde 8 verwendet
wird.
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2 veranschaulicht
den Generator in größerer Detailtiefe.
Die über
Tage befindliche Stromversorgung 1 liefert die Gleichspannungen
+Vs und –Vs an
den Speicherkondensator 14 über das Kabel 2. Üblicherweise
liegen die Werte für
Vs im Bereich von 250 bis 500 V (d.h. eine
Spannungsdifferenz von 500–1000
V) bei einer Leistung von 500 W. Die Spannung wird zum Teil durch
die Konstruktion des Stromspeicherkondensators 14 und die
Spannungseigenschaften der MOSFETs vorgegeben. Wie in der Abbildung
verfügt
das Kabel 2 über
einen zugehörigen Kabelwiderstand
und eine zugehörige
Induktivität, veranschaulicht
durch die Widerstände 10, 11, 11' und die Drosselspulen 12, 13.
Das Kabel 2 umfasst zwei quasi-symmetrische Kabel. Ein
absolutes Minimum von 250 J gespeicherter Energie muss im Kondensator 14 gespeichert
sein. Der Kondensator 14 wird schematisch dargestellt als
einzelner Kondensator, ist jedoch üblicherweise als eine Bank
von parallel geschalteten Kondensatoren ausgeführt, damit auf diese Weise
die benötigte
hohe Kapazität
erreicht werden kann. Eine modulare Konstruktion wird für das Energiespeichermodul 3 verwendet,
wobei jede Einheit über
einen Kondensator 14 verfügt, der in der Lage ist, 250
J zu speichern, so dass es möglich
ist, zusätzliche
Module an den Generator anzuschließen und die insgesamt gespeicherte
Energiemenge so anzupassen, dass sie zu den verwendeten Impulssequenzen,
wie auch zu der Umgebung des im Bohrloch verwendeten Messwerkzeuges
passt.
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Der
Energiespeicher wird benötigt,
da die über
Tage zur Verfügung
stehende mittlere Leistung auf 500 Watt beschränkt ist, welche durch die benötigte Spitzenimpulsleistung
von ca. 10 kW übertroffen wird.
Der Kondensator 14 ist so bemessen, dass er eine ausreichende
Energiemenge speichern kann, um der doppelten Einschränkung durch
die längste Impuls
Spin-Echo-Sequenz und die längste
zulässige
Wiederaufladezeit zwischen den Sequenzen gewachsen zu sein. Die
zweite Einschränkung
bringt es normalerweise mit sich, dass die gespeicherte Energie
zwei- bis fünfmal
höher ist
als die Energiemenge, die zur Bewältigung der ersten Einschränkung notwendig
ist. Bei einer erforderlichen Energie von 250 J und einem Spannungsbereich
zwischen 500 und 1000 Volt Gleichspannung liegt die erforderliche
Kapazität
daher im Bereich zwischen 500 und 2000 μF. Der Energiespeicher 3 ist
mit dem Verstärker 4 über ein
Verbindungsstück 16 mit
einer zugehörigen
Drosselspulenverbindung und einer Bremsdiode 16' verbunden,
sowie ebenso mit der lokalen Bezugserde 17. Die lokale
Bezugserde 17 des Verstärkers
kann um minus einige Hundert Volt von der Bodenoberfläche abweichen.
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Der
Verstärker 4 ist
als H-Brücken-Resonanzkonverter
konfiguriert und besteht aus vier HEXFET-Modulen (International
Rectifier HEXFETs") 20–23.
Die HEXFET-Module 20–23 können die
Modelle IRFK6H450, IRFK6H350 sein oder diesen ähnlich sein. Alternativ dazu
können
die HEXFET-Module auch durch viele kleinere parallele Vorrichtungen, wie
zum Beispiel HEXFET III-Vorrichtungen ersetzt werden. Das Energiespeicher-Verbindungsstück 15 wird
an eine H-Brücken-Eingangsklemme 18 angeschlossen.
Die andere Stromaufnahme-Eingangsklemme 19 wird an die
Verstärkermasse 17 angeschlossen.
Der Parallelresonanzkreis 6 wird zwischen den Ausgangsklemmen 24 und 25 ange schlossen
(d.h. der Parallelresonanzkreis 6 wird über die zentrale Schiene von „H" angeschlossen).
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Die
HEXFET Schalter 20–23 werden
von einem Hochstrom-Ansteuerkreis 7 (in 2 nicht
abgebildet) über
einen Impulswandler (der die Signale G1 und G2 erzeugt, welche jeweils
in ein Paar Steuer-Gates 27, 28 und 26, 29 gesendet
werden) angesteuert, der seinerseits eine H-Brücke von kleineren HEXFET-Vorrichtungen
ist. Der Ansteuerkreis 7 muss über eine ausreichende Stromwechselgeschwindigkeit
verfügen,
damit die FETs 20–23 in
weniger als 100 ns eingeschaltet werden können. Die Diodenpaare 30–37 sind
duale Diodenmodule mit kurzer Erholzeit, welche die (langsameren)
eigenen Dioden der FETs (nicht dargestellt) isolieren und ein rasches
Abschalten sicherstellen.
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Die
Gate-Signale G1 und G2 sind in den 3a und 3b,
jeweils während
eines einfachen 40 μs-Impulses,
dargestellt. Wie aus der Darstellung ersichtlich ist, wurden die
Signale G1 und G2 um 180° gegeneinander
phasenverschoben. Im Ergebnis dessen werden die versetzt angeordneten
Paare 20, 23, angesteuert durch G2 und 21, 22,
angesteuert durch G1, im Wechsel eingeschaltet und erzeugen so eine
Wechselspannung, die an die Ausgangsklemmen 24, 25 angelegt
wird.
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Obwohl
die horizontale Skala in 3 nicht groß genug
ist, um dies bildlich darzustellen, stellt der Ansteuerkreis sicher,
dass eine Zeitverzögerung
zwischen den Gate-Signalen
G1 und G2 existiert, welche davor schützt, dass beide FETs gleichzeitig
in einem Leitungszweig eingeschaltet werden (wobei jedes Schalterpaar
der Schalter 20, 21 und 22, 23 jeweils
einen „Leitungszweig" der H-Brücke bilden). Zudem
ist auch noch ein Stromfühler-Regelkreis
integriert (nicht in der Abbildung enthalten).
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Die
Signale zu den oberen FETs 20, 22 müssen in
Bezug auf den Regelkreis massefrei sein. Die Gate-Impulse werden
daher vom Gate-Ansteuerkreis über
einen Impulswandler zusammengeschaltet.
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Der
Ableitkondensator 40 muss die Zuführungsleitung lokal „aussteifen" und damit die Wirkungen
der Streuflussinduktivität
des Kabels vom lokalen Speicherkondensator aufheben.
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In 4 werden
die tatsächlichen
Gate-Signale dargestellt, die aus der Ausgangsleistung des Impulswandlers
abgeleitet worden sind.
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Unter
erneuter Bezugnahme auf 2 wird hier dargestellt, dass
der Parallelresonanzkreis 6 aus einer Senderspule 41 besteht,
die in Reihe mit einem Abstimmkondensator 42 auf die Larmortrequenz
eingestellt ist. Der Abstimmkondensator 42 ist als Reihe von
Parallelkondensatoren 42–46 konfiguriert.
Während
des normalen Betriebes ist lediglich der erste Kondensator 43 angeschlossen.
Sollte es notwendig sein den Senderkreis im Betrieb wegen einer
B0-Abweichung und/oder einer Frequenzänderung
bei Kondensator 43 oder Spule 41 abzustimmen,
so können
die zusätzlichen
Abstimmkondensatoren 44–46 zwischen den Impulsfolgen
zugeschaltet werden. Die zugehörigen
Schalter 47–49 sind
hochspezifische Hochspannungs- und Hochstromrelais.
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Übliche Werfe
für die
Komponenten wären folgende:
Dioden 30–37:
BYT261PIV-600: Vrrm = 600 V, Ifrm = 800 A, duale Diodenmodul-Packung
mit kurzer Erholzeit, ISOTOP-Baugruppe.
Senderspule: L-22 μH; Spitzenspannung:
10 kV max., Spitzenstrom: 100 A; Widerstand 50 Ω, reduziert durch eine sorgfältige Konstruktion,
die Verwendung von Hochfrequenzlitze usw.
Kondensatoren 43–46:
Hochspannungs- und Hochfrequenz-Scheibenkondensatoren mit Keramikscheiben
und einer Eignung für
150° (typische
Werte: Kondensator 43: 5,9 nF, Kondensator 44: 180 pF, Kondensator
45: 360 pF, Kondensator 46: 710 pF für eine 10%ige Frequenzumschaltung
von 440 kHz).
Schalter 47–49: Isolation für 10 kV,
100 A Spitzenstrom, minimalen Gleich- und Wechselstromwiderstand,
bekannte Streuflussinduktion und Kapazität. (Die Umschaltzeit spielt
keine Rolle.)
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Der
Widerstand 50 verkörpert
den gesamten Dämpfungswiderstand
und umfasst den Gleich- und Wechselstromwiderstand der Spule 41 und
der Kondensatoren 43–46 sowie
die Rückflussdämpfung in der
leitenden Umgebung der Sonde. Die Resonanzgüte Q der H-Brücke 4 wird
durch die Summe dieses Verlustes und des Verlustes im Paar der leitenden FETs
bestimmt. Die Effizienz des Senders hängt mit dem Verhältnis des
Verlustes in Spule 41 zum Verlust in der H-Brücke 4 und
dem Ansteuerkreis während eines
Impulses zusammen. Die Effizienz nimmt mit ansteigender Temperatur
ab, und der FET-Betriebswiderstand
nimmt zu. Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verstärkers ist die Tatsache, dass
dieser zwischen den Impulsen fast keine Energie verbraucht; dies
steht im Gegensatz zu einem Vakuum-Röhrensystem, welches zu jedem
beliebigen Zeitpunkt mehrere Dutzend Watt an Heizleistung verbraucht.
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Während einer
typischen NMR-Untersuchung wird eine Reihe von HF-Energie-Impulsen (diese
Impulsreihe wird auch als „Impulsfolge" (engl.: „pulse
train") bezeichnet)
von der Senderspule 41 abgegeben. In 5 ist
ein einzelner Impuls dargestellt, wobei es sich hier um ein Kurvendiagramm handelt,
das den Stromfluss durch eine Senderspule 41 darstellt,
während
an die Ausgangsklemmen 24, 25 ein Impuls zwischen
0 und 40 μs
angelegt wird, wobei ein aktiver „Ringdown" nicht zum Einsatz kommt. Das heißt, dass
am Ende des Impulses die zwei unteren Schalter 21, 23 geschlossen,
und die zwei oberen Schalter 20, 22 geöffnet sind.
Außerdem wird
die Ringdown-Schaltung (weiter unten beschrieben) nicht zugeschaltet.
Wie man an diesem konventionellen Impuls feststellen kann, vergeht
eine erhebliche „Ringup"-Zeit (ungefähr zwischen
0 und 40 μs). Außerdem zeigt
sich ein signifikanter „Ringdown" im Bereich zwischen
40 μs und
60 μs (der
sich überdies noch
nach 60 μs
fortsetzt, was allerdings aus der Abbildung in 5 nicht
mehr ersichtlich ist). Bei „Ringup" und „Ringdown" handelt es sich
um die unausweichliche Konsequenz, die sich aus dem Resonanzkreis 6 ergibt.
Sowohl „Ringup"- als auch „Ringdown"-Zeit hängen mit
dem Q-Faktor (der Resonanzgüte)
des Schaltkreises zusammen. Während
ein hoher Q-Faktor während
eines Impulses erstrebenswert ist, um die Energieverluste in der
Spule zu verringern, handelt es sich bei den damit einhergehenden „Ringup"- und „Ringdown"-Perioden um unerwünschte Merkmale
eines Impulses. Die mit diesem Ringdown zusammenhängenden
Probleme werden auf zwei Arten, wie nachfolgend beschrieben, eingegrenzt.
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Zuerst
werden, nachdem der Impuls bei 40 μs vorüber ist, alle Schalter 20–23 geöffnet. In
diesem Zustand fließt
die Energie über
den verlustbehafteten Weg der FET-Dioden und des Ableitkondensators 40,
wie in 16 gezeigt, und es wird ein
zunächst
sehr rascher Ringdown erreicht, wobei die Energie in nutzbringender
Weise zurück
in den Ableitkondensator 40 gepumpt wird, anstatt verloren
zu gehen. Die Diode 16' wird
benötigt,
um die Energie aus der ersten Ringdown-Stufe zurück in den Ableitkondensator 40 zu
speichern. Die resultierende Impulsform ist in 6 bildlich
dargestellt. Wie zu erkennen ist, wird ein sehr viel schnellerer
Ringdown – zwischen
40 μs und
50 μs – erreicht.
Allerdings ist dieser Betriebsmodus des Schaltkreises nicht mehr
möglich,
wenn die FET-Dioden zu leiten aufhören. Der Strom fließt sodann über die
Streukapazitäten
der FETs 70–73 und
den Ableitkondensator 40, wie in 17 gezeigt,
wobei die Frequenz des Nachschwingens (Ringing) erhöht wird,
welches noch einige Zehn Mikrosekunden andauert. In 6 wird
dies ungefähr
nach 50 μs
gezeigt. Der übrige
Strom wäre ausreichend,
um die Empfängerspule
erneut zum Schwingen zu bringen, daher ist die beste Lösung an diesem
Punkt die Einführung
eine Widerstands-Dämpfungsschleife.
Die Dämpfungswiderstände 60 und 61 sind
zwischen den Ausgangsklemmen 24, 25 und der Eingangsklemme 19 über die MOSFET-Schalter 62, 63 verbunden.
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Der
Betrieb der Schalter 62, 63 wird durch einen Regelkreis 65 gesteuert,
welcher aus einem Steuersignal 66 besteht, das über einen
optoelektronischen Koppler 67 und ein Tiefpassfilter 68 eingegeben
wird. Die Schalter 62, 63 werden auf diese Weise für einige
Mikrosekunden nach dem Impuls geschlossen und vollenden ihre Stromschleife
durch die Punkte 41-42-63-61-60-62-50.
Dieses aktive Verfahren des „Q-Spoiling" hat keinen Einfluss
auf die Resonanzgüte
des Systems während
des Impulses.
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Das
Steuersignal, das an die Schalter
62,
63 angelegt
wird, ist in
7 dargestellt. Wie hieraus erkennbar
ist, wird die Ringdown-Schaltung etwa bei 45 μs (5 μs nach dem Im puls) zugeschaltet.
Zu diesem Zeitpunkt ist der Impuls schon auf Grund der Öffnung der
vier Schalter
20–
23 erheblich
abgeklungen und gerade dabei, in die Ringdown-Phase im höheren Frequenzbereich
zwischen 50 und 80 μs
einzutreten, wie in
6 bildlich dargestellt. Die
noch verbleibende gespeicherte Energie geht als Wärme in den
Widerständen
60,
61 verloren,
deren Werte so gewählt
wurden, dass sie eine optimale (das heißt gerade unterkritisch gedämpfte) Ringdown-Zeit
ermöglichen,
d.h.
wobei R
τ =
der Widerstandswert
50;
R
01 =
der Widerstandswert des Widerstandes
60;
R
02 = der Widerstandswert des Widerstandes
61;
C
τ =
die Kapazität
des Kondensators
42; und
L
τ =
die Induktivität
der Spule
41 ist.
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Die
resultierende Spannung über
Spule 41 ist in 8 dargestellt. Wie daraus erkennbar
ist, wird ein sehr schneller Ringdown erreicht, und es gibt nach
ungefähr
50 μs kein
wahrnehmbares Nachschwingen. Der Stromverlauf während der aktiv gedämpften Ringdown-Phase
ist in 18 dargestellt.
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Bei
den 11,13 und 15 handelt es
sich um Oszilloskop-Kurvendiagramme von einem tatsächlichen
Ringdown-Betrieb, dem entgegengestellt sind die 10, 12 und 14,
welche Impulse darstellen, bei denen kein aktives Ringdown-Verfahren
zur Anwendung gebracht wurde.
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9 stellt
eine alternative Topologie mit Parallelresonanzkreis dar. In diesem
Fall besteht der Parallelresonanzkreis aus einem parallelen Resonanzkreis 6', welcher über einen
Wandler 90 mit der H-Brücke 4 (weiter
oben beschrieben) verbunden ist.
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Es
ist möglich,
die vier separaten HEXFET-Module und ihre Dioden durch eine anwenderspezifisch
gestaltete Hybridkonstruktion H-Brücke Festkörperbrücke zu ersetzen (d.h. der Kreis
ist der gleiche, aber alle Festkörper-Silikonvorrichtungen werden
auf Basis eines Keramikträgers
in einem langen Modul hergestellt – dies ermöglicht Leistungsverbesserungen,
führt zu
einer Verringerung der Größe und erleichtert
den Anschluss an den abgestimmten Kreis).