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GEBIET DER
ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung betrifft verbesserte, elektrisch betriebene,
direkt überschreibbare,
extrem energiearme, sehr schnell schaltende, nichtflüchtige,
einzellige Speicherelemente und hochdichte Parallelkreise und hochdichte
elektrische Speicherplatzanordnungen (nachfolgend auch als "Ovonic-EEPROM" bezeichnet), die
aus diesen Speicherelementen hergestellt sind. Diese verbesserten
Speicherelemente wurden mit einzigartigen Materialien hergestellt,
so dass sie durch geringeren Schaltstrombedarf sowie größere thermische
Stabilität
der in den Elementen gespeicherten Daten, als diese in früheren Elementen
möglich
waren, charakterisiert werden.
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HINTERGRUND
UND STAND DER TECHNIK
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Der
Ovonic-EEPROM ist ein neuartiges, geschütztes, nichtflüchtiges,
elektronisches, Hochleistungs-, Dünnschicht-Speicherelement.
In diesem Element können
Informationen entweder in analoger oder binärer Form (ein Bit pro Zelle)
oder in Mehrzustandsform (mehrere Bits pro Speicherzelle) gespeichert
werden. Zu den Vorteilen des Ovonic-EEPROM gehören nichtflüchtige Datenspeicherung, das
Potential für
hohe Bitdichte und folglich niedrige Kosten als Ergebnis seiner
kleinen Anschlussfläche
und einfachen zweipoligen Elementkonfiguration, eine lange Neuprogrammierungszykluslebensdauer,
niedrige Programmierungsenergie und hohe Geschwindigkeit. Es gibt
kleine Unterschiede in der Struktur und den Materialien, die bei
diesen beiden Arten von Speicherelementen verwendet werden, wobei
diese Unterschiede entweder deren binäre oder Mehrzustandsleistungsmerkmale
verbessern. Zum Zwecke der vorliegenden Erfindung werden die Termini "Speicherelemente" und "Steuerelemente" synonym verwendet.
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Vor
der ausführlichen
Darstellung des Betriebs und der Struktur dieses neuartigen und
im Grunde einzigartigen Ovonic-EEPROM-Elements der vorliegenden
Erfindung werden einige sehr wichtige und sachdienliche Gedanken
bezüglich
der allgemeinen Halbleiterstrukturen und -betriebsweise erörtert. Der
Betrieb der meisten Halbleiterelemente wird durch die Kontrolle
der Konzentrationen von beweglichen Ladungsträgern bestimmt, die sich von
jenen unterscheiden, die bei thermischem Gleichgewicht erzeugt werden.
Vor der Erfindung des Ovonic-EEPROM waren nur vier allgemeine Methoden
bekannt, durch die die Konzentration von überschüssigen oder freien (diese beiden
Termini werden überall
in dieser Erörterung
austauschbar verwendet) Ladungsträgern in Festkörper-Halbleiterelementen
kontrolliert und moduliert werden konnte. Diese vier bekannten Methoden
wurden zuvor in US-A-5.534.711 beschrieben und müssen hier nicht weiter erörtert werden.
Es folgt jedoch eine allgemeine Erörterung jener grundlegenden
Mechanismen des Betriebs von Halbleiterelementen, die erforderlich
sind, um sich der Vorteile der vorliegenden Erfindung bewusst zu
werden.
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In
einem perfekten Halbleitergitter ohne Störstellen oder Gitterfehler – einem
Eigenhalbleiter – sind
bei null Kelvin keine Ladungsträger
vorhanden, da das Valenzband mit Elektronen gefüllt ist und das Leitungsband leer
ist. Bei höheren
Temperaturen jedoch werden als Valenzbandelektronen erzeugte Elektron-Loch-Paare thermisch über die
Bandlücke
zum Leitungsband angeregt. Diese thermisch erzeugten Elektron-Loch-Paare sind
die einzigen Ladungsträger,
die in einem eigenleitenden Halbleitermaterial vorhanden sind. Da
die Elektronen und Löcher
in Paaren erzeugt werden, ist die Leitungsbandelektronenkonzentration
(Elektronen pro Kubikzentimeter) natürlich gleich der Konzentration
von Löchern
im Valenzband (Löcher
pro Kubikzentimeter). Es ist gut bekannt, aber hervorhebenswert,
dass, wenn eine stationäre
Trägerkonzentration
aufrecht erhalten werden soll, eine Rekombination der Ladungsträger mit
der gleichen Rate, mit der sie erzeugt werden, erfolgen muss. Die
Rekombination erfolgt, wenn ein Elektron im Leitungsband einen Übergang
zu einem leeren Zustand (Loch) im Valenzband entweder direkt oder
indirekt durch die Hilfe eines Rekombinationszentrums in der Bandlückenmitte
vollzieht, und dadurch das Paar vernichtet.
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Zusätzlich zu
thermisch erzeugten Ladungsträgern
können
Träger
in Halbleitermaterialien geschaffen werden, indem absichtlich gewisse
Störstellen
in das Kristallgitter eingebaut werden. Dieser Prozess wird Dotierung
genannt und stellt ein übliches
Verfahren der Veränderung
der Leitfähigkeit
von Halbleitern dar. Durch das Dotieren kann ein Halbleitermaterial
so verändert
werden, dass entweder Elektronen oder Löcher vorherrschend sind, d.
h. es ist entweder n-leitend oder p-leitend. Wenn ein Kristallgitter so
dotiert ist, dass sich die Gleichgewichtsträgerkonzentrationen von den
Eigenleitungsträgerkonzentrationen
unterscheiden, wird das Halbleitermaterial als "störstellenleitend" bezeichnet. Wenn
Störstellen
oder Gitterdefekte in ein ansonsten perfektes Gitterkristall eingebaut
werden, werden zusätzliche
Niveaus in der Energiebänderstruktur,
für gewöhnlich innerhalb
der Bandlücke,
geschaffen. Der Einbau von Phosphor in Silizium oder Germanium zum
Beispiel erzeugt ein Energieniveau in großer Nähe des Leitungsbandes. Dieses
neue Energieniveau wird mit Elektronen bei null Kelvin gefüllt, und
sehr wenig thermische Energie ist erforderlich, um diese Elektronen
zum Leitungsband anzuregen. Folglich werden bei etwa 50–100 Kelvin
nahezu alle der Elektronen im Störstellenniveau
an das Leitungsband abgegeben. Halbleitermaterial, welches mit Donatorstörstellen
dotiert ist, kann eine beträchtliche
Konzentration von Elektronen im Leitungsband aufweisen, selbst wenn
die Temperatur zu niedrig für
die Eigenleitungsladungsträgerkonzentration
ist, um nennenswert zu sein. Nun, wo sich der Leser der Bedeutung
des Vorhandenseins von Überschussladungsträgern für die elektrische
Leitfähigkeit
bewusst ist, muss angemerkt werden, dass diese Träger auch
durch optische Erregung geschaffen werden können, oder sie können über einen
in Durchlassrichtung vorgespannten p-n-Übergang oder eine Schottky-Barriere
injiziert werden. Ungeachtet der Art, auf welche die Überschussträger erzeugt
werden, können
sie die elektrischen Leitungsprozesse in einem Halbleitermaterial
dominieren.
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FRÜHER ELEKTRISCHER
PHASENWECHSELSPEICHER
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Das
allgemeine Konzept der Nutzung von elektrisch beschreibbaren und
löschbaren
Phasenwechselmaterialien (d. h. Materialien, die elektrisch zwischen
im allgemeinen amorphen und im allgemeinen kristallinen Zuständen geschaltet
werden können)
für elektronische
Speicheranwendungen ist in der Technik gut bekannt und wird zum
Beispiel im US-Patent Nr. 3.271.591 an Ovshinsky, erteilt am 6.
Sep. 1966 und im US-Patent Nr. 3.530.441 an Ovshinsky, erteilt am
22. Sep. 1970, die beide an denselben Erwerber wie die vorliegende Erfindung übertragen
wurden, (nachfolgend die "Ovshinsky-Patente" genannt) offenbart.
Wie in den Ovshinsky-Patenten offenbart wird, können solche Phasenwechselmaterialien
elektrisch zwischen Strukturzuständen von
im allgemeinen amorpher und im allgemeinen kristalliner lokaler
Ordnung oder zwischen verschiedenen nachweisbaren Zuständen lokaler
Ordnung über
das gesamte Spektrum zwischen den vollständig amorphen und den vollständig kristallinen
Zuständen
geschaltet werden. Das heißt,
die Ovshinsky- Patente
beschreiben, dass das elektrische Schalten dieser Materialien nicht
zwischen vollständig
amorphen und vollständig
kristallinen Zuständen
stattfinden muss, sondern in inkrementalen Schritten erfolgen kann,
die Änderungen
von lokaler Ordnung reflektieren, um eine "Grauskala" bereitzustellen, die durch eine Vielzahl
von Zuständen
lokaler Ordnung dargestellt wird, die das Spektrum zwischen den
vollständig
amorphen und den vollständig
kristallinen Zuständen
umfassen. Die frühen
Materialien, die durch die Ovshinsky-Patente beschrieben werden,
konnten auch zwischen nur zwei Strukturzuständen von im allgemeinen amorpher
und im allgemeinen kristalliner lokaler Ordnung geschaltet werden,
um der Speicherung und Wiedergewinnung von einzelnen Bits von binär kodierten
Informationen Rechnung zu tragen.
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Die
in den Ovshinsky-Patenten beschriebenen elektrisch löschbaren
Phasenwechselspeicher wurden in einer Anzahl von kommerziell signifikanten
Anwendungen genutzt. Aufgrund fehlender Mittel zur Kommerzialisierung
der Ovshinsky-Speicher lösten
nachfolgende Entwicklungen auf anderen Gebieten der elektronischen
Festkörperspeicher
schließlich
diese frühe
elektrisch löschbare
Phasenwechseltechnologie auf dem Markt ab und verhinderten die Verwendung
dieser Phasenwechselspeicher in elektrischen Vorrichtungen wie zum
Beispiel Personalcomputern.
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In
den typischen Personalcomputern gibt es oft vier Speicheretagen.
Archivinformationen werden auf billigen, langsamen, nichtflüchtigen
Vorrichtungen mit hoher Speicherkapazität wie etwa Magnetband und Disketten
gespeichert. Diese Informationen werden nach Bedarf auf schnellere
und teurere, aber nach wie vor nichtflüchtige Festplattenspeicher übertragen.
Informationen von den Festplatten werden wiederum auf die noch teureren,
schnelleren, flüchtigen
Systemspeicher übertragen,
die dynamische RAM (DRAM)-Halbleiterelemente verwenden. Sehr schnelle
Computer übertragen
sogar kleine im DRAM gespeicherte Informationsabschnitte auf noch
schnellere und noch teurere flüchtige
statische RAM (SRAM)-Elemente hin und zurück, so dass der Mikroprozessor
durch die Zeit, die erforderlich ist, um die Daten vom relativ langsameren
DRAM abzurufen, nicht verlangsamt wird. Die Übertragung von Informationen
zwischen den Etagen der Speicherhierarchie beansprucht einen Teil
der Computerleistung und dieser Bedarf an "Organisationsaufwand" verringert die Leistung und bewirkt
eine zusätzliche
Komplexität
in der Computerarchitektur. Die gegenwärtige Verwendung der hierarchischen
Struktur, wird jedoch durch den Preis und die Leistung von verfügbaren Speicherelementen und
die Notwendigkeit, die Computerleistung bei gleichzeitiger Kostenminimierung
zu optimieren, diktiert.
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Die
in den Ovshinsky-Patenten beschriebenen elektrisch löschbaren
Phasenwechselspeicher, ebenso wie nachfolgende elektrische Festkörperspeicher,
wiesen eine Reihe von Beschränkungen
auf, die ihre weitverbreitete Anwendung als direkter und universeller
Ersatz für
gegenwärtige
Computerspeicheranwendungen wie etwa Band, Disketten, magnetische
oder optische Festplatten, Festkörperplatten-Flash, DRAM, SRAM
und Socket-Flash-Speicher verhinderten. Speziell die folgenden sind
die wesentlichsten dieser Beschränkungen: (i)
eine relativ langsame (nach heutigen Standards) elektrische Schaltgeschwindigkeit,
besonders beim Schalten in Richtung der größeren lokalen Ordnung (in die
Richtung zunehmender Kristallisierung); (ii) ein relativ hoher Bedarf
an zugeführter
Energie, die erforderlich ist, um eine nachweisbare Änderung
in der lokalen Ordnung zu initiieren; und (iii) relative hohe Kosten
pro Megabyte gespeicherter Informationen (besonders im Vergleich
zu den gegenwärtigen
Festplattenmedien).
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Die
wesentlichste dieser Beschränkungen
ist die relativ hohe zugeführte
Energie, die erforderlich ist, um nachweisbare Änderungen in den chemischen
und/oder Elektronenbindungskonfigurationen des Chalkogenidmaterials
zu erzielen, um einen nachweisbaren Wechsel in der lokalen Ordnung
zu initiieren. Ebenfalls bedeutend waren die Schaltzeiten der elektrischen
Speichermaterialien, die in den Ovshinsky-Patenten beschrieben wurden.
Diese Materialien benötigten
typischerweise Zeiten im Bereich von ein paar Millisekunden für die Setzzeit
(die Zeit, die erforderlich ist, um das Material aus dem amorphen
Zustand in den kristallinen Zustand zu schalten); und ungefähr eine
Mikrosekunde für
die Rücksetzzeit
(die Zeit, die erforderlich ist, um das Material aus dem kristallinen
Zustand zurück
in den amorphen Zustand zu schalten). Die Elektroenergie, die zum
Schalten dieser Materialien erforderlich war, lag typischerweise
im Bereich von etwa einem Mikrojoule. Es sollte angemerkt werden,
dass diese Energiemenge an jedes der Speicherelemente in der Festkörpermatrix
von Reihen und Spalten von Speicherzellen zu liefern ist. Solche
hohen Energieniveaus setzen sich um in hohe Strombelastungsanforderungen
an die Adressenleitungen und das Zellentrenn-/Adressenelement, das mit jedem diskreten
Speicherelement verbunden ist. Unter Berücksichtigung dieses Energiebedarfs
wäre die Auswahl
von Speicherzellentrennelementen für einen Fachmann auf sehr große Einkristalldioden- oder Transistortrennelemente
beschränkt,
welche die Verwendung von Lithografie im Mikrometerbereich und folglich eine
hohe Packungsdichte von Speicherelementen unmöglich machen würden. Folglich
würden
die niedrigen Bitdichten von auf diesem Material hergestellten Matrixanordnungen
zu hohen Kosten pro Megabyte gespeicherter Information führen.
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Durch
wirksame Verengung des Preis- und Leistungsunterschieds zwischen
nichtflüchtigem
Archivmassenspeicher und schnellem, flüchtigem Systemspeicher besitzen
die Speicherelemente der vorliegenden Erfindung das Potential, die
Schaffung eines neuartigen, nicht hierarchischen "universellen Speichersystems" zu ermöglichen.
Im wesentlichen kann der gesamte Speicher im System billig, schnell
und Archivspeicher sein. Im Vergleich zu den ursprünglichen
elektrischen Ovshinsky-Phasenwechselspeichern
bieten die hierin beschriebenen Speichermaterialien über sechs
Größenordnungen
schnellere Programmierzeit (weniger als 30 Nanosekunden) und nutzen
außerordentlich
geringe Programmierungsenergie (weniger als 50 Picojoule) bei nachgewiesener
langfristiger Stabilität
und Zyklusfähigkeit
(über 20
Millionen Zyklen). Außerdem
deuten die Versuchsergebnisse darauf hin, dass zusätzliche
Verringerungen der Elementgröße die Schaltgeschwindigkeiten
und die Zykluslebensdauer erhöhen
können.
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Im
allgemeinen ist die Entwicklung und Optimierung der Klasse von Chalkogenidspeichermaterialien nicht
mit derselben Geschwindigkeit vorangeschritten wie andere Arten
von elektrischen Festkörperspeichern, die
jetzt wesentlich schnellere Schaltzeiten und wesentlich niedrigere
Setz- und Rücksetzenergien
aufweisen. Diese anderen Speicherformen verwenden typischerweise
mehrere mikroelektronische Festkörperschaltkreiselemente
für jedes
Speicherbit, zum Beispiel drei oder vier Transistoren pro Bit bei
einigen Speicheranwendungen. Die primären "nichtflüchtigen" Speicherelemente in solchen Festkörperspeichern,
wie etwa EEPROM, sind typischerweise Floating-Gate-Feldeffekttransistorelemente,
die eine begrenzte Wiederprogrammierbarkeit aufweisen und eine Ladung
am Gate eines Feldeffekttransitors halten; um jedes Speicherbit
zu speichern. Da diese Ladung im Lauf der Zeit abwandern kann, ist
die Speicherung von Informationen nicht wirklich nichtflüchtig, wie
sie es in den dem Stand der Technik entsprechenden Phasenwechselmedien
ist, wo Informationen durch Änderungen
in der eigentlichen Atomkonfiguration oder Elektronenstruktur des
Chalkogenidmaterials, aus dem diese Elemente hergestellt sind, gespeichert
werden. Diese anderen Speicherformen erfreuen sich jetzt einer begrenzten
Akzeptanz auf dem Markt.
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Im
Gegensatz zu flüchtigen
DRAM- und SRAM-Speicherelementen und im Gegensatz zu anderen "Flash"-Elementen, wie etwa
Floating-Gate-Strukturen, sind keine Feldeffekttransistorelemente
in den elektrischen Speicherelementen der vorliegenden Erfindung
erforderlich. In der Tat stellen die elektrisch löschbaren, direkt überschreibbaren
Speicherelemente der vorliegenden Erfindung das am einfachsten herstellbare
elektrische Speicherelement dar, welches nur zwei elektrische Kontakte
an einem monolithischen Körper
von Dünnschicht-Chalkogenid-Material und eine
Halbleiterdiode zur Trennung aufweist. Folglich ist nur sehr wenig Chip-"Grundfläche" erforderlich, um
ein Informationsbit zu speichern, wodurch eine Konfiguration von
Speicherchips bereitgestellt wird, die von Natur aus hochdicht sind.
Darüber
hinaus, und wie nachfolgend beschrieben, kann ein zusätzlicher
Zuwachs an Informationsdichte in den Speicherelementen der vorliegenden
Erfindung durch die Verwendung von Mehrbitspeicherung in jeder diskreten
Speicherzelle erzielt werden.
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Die
gegenwärtig
genutzten elektronischen Festkörperspeicher
sind in der Herstellung relativ teuer, wobei die Kosten typischerweise
etwa das Doppelte der Kosten pro Bit Speicherkapazität im Verhältnis zur
Magnetplattenspeicherung betragen. Andererseits bieten diese elektronischen
Festkörperspeicher
gewisse Vorteile gegenüber
Magnetplattenspeichern, insofern als dass sie keine sich bewegenden
Teile aufweisen, viel weniger Elektroenergie zum Betrieb benötigen, leicht
zu transportieren und zu lagern sind, und für den Einsatz bei tragbaren
Computern und anderen tragbaren elektronischen Vorrichtungen viel
flexibler und anpassungsfähiger
sind. Es ist eine Tatsache, dass Festplattenspeicherhersteller eine
schnelle Zunahme beim Einsatz von immer kleineren Festplattenspeichern
und schließlich
Festkörperspeicherung
auf dem Gebiet tragbarer Computer voraussagen. Außerdem sind
diese Festkörperspeicher üblicherweise
echte Direktzugriffssysteme im Gegensatz zu Plattenarten, welche
die physikalische Bewegung des Plattenkopfes zur richtigen Datenspur
erforderlich machen, um auf den gewünschten Speicherplatz zuzugreifen.
Trotz solcher Vorteile haben die höheren Kosten von elektrisch
löschbaren
Festkörperspeichern
jedoch verhindert, dass sie einen wesentlichen Anteil am Markt haben,
der jetzt von Magnetplattenspeichersystemen dominiert wird. Obwohl
elektrisch löschbare
Festkörperspeicher
möglicherweise
zu geringeren Kosten hergestellt werden könnten, sind die Gesamtleistungsparameter
dieser Materialien unzureichend für sie, um die Magnetplattensysteme
völlig
zu ersetzen.
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Einfach
gesagt, kein Festkörperspeichersystem,
das vor der vorliegenden Erfindung entwickelt wurde, ungeachtet
der Materialien aus welchen es hergestellt wurde, war billig, leicht
herstellbar, elektrisch beschreibbar und direkt löschbar (überschreibbar)
mit geringer zugeführter
Energie; fähig
zur Mehrbitspeicherung in einer einzigen Zelle (hatte eine Grauskala),
nichtflüchtig;
und fähig
zu einer hohen Packungsdichte. Das hier nachfolgend beschriebene
Speichersystem wird, weil es alle Unzulänglichkeiten bekannter Speichersysteme anspricht,
sofortige weitverbreitete Anwendung als universeller Ersatz für praktisch
alle Arten von Computerspeichern, die gegenwärtig auf dem Markt sind, finden.
Da die Speicher der vorliegenden Erfindung in einem Ganzdünnschichtformat
hergestellt werden können,
sind außerdem
dreidimensionale Anordnungen für
sehr schnelle, hochdichte neuronale Netze und Anwendungen künstlicher
Intelligenz möglich.
Das Speichersystem der vorliegenden Erfindung ist deshalb in einzigartiger
Weise für
neuronale Netze und Systeme künstlicher
Intelligenz anwendbar, weil seine mehrschichtigen, dreidimensionalen
Anordnungen enorme Mengen von Informationsspeicher bereitstellen,
der schnell adressierbar ist und folglich das Lernen aus gespeicherten
Informationen zulässt.
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Aus
der vorstehenden Erörterung
wird klar, dass die quantitativen Änderungen der Schaltgeschwindigkeit
und des Energiebedarfs der Speicher der vorliegenden Erfindung im
Vergleich zu den dem Stand der Technik entsprechenden Phasenwechselspeichern
beweisen, dass diese Materialien eine ganz neue Klasse von modulierbarem
Halbleitermaterial darstellen. Außerdem hat der Stand der Technik
keine Parallele zur Leistungsfähigkeit
der Speicherelemente der vorliegenden Erfindung im Hinblick auf
das direkte Überschreiben, den
breiten dynamischen Bereich und die Mehrbitspeicherung aufzuweisen.
Außerdem
erfolgt der Betrieb der Halbleitermaterialien der vorliegenden Erfindung
ausschließlich
im kristallinen Zustand und ist deshalb ganz anders als der Betrieb
aller bekannten elektrischen Speicherelemente, die entweder auf
den Übergängen von der
kristallinen in die amorphe Phase beruhten oder von der kontinuierlichen
Anwendung eines Stromverstärkungsfeldes
abhängig
waren. Außerdem
ist dieser Unterschied im Betrieb von Elementen, die aus den Halbleitermaterialien
der vorliegenden Erfindung hergestellt werden, eine Konsequenz der
Art und Weise, in der nicht nur die Konzentration von freier Ladung
unter anderem durch ein elektrisches Feld moduliert werden kann,
sondern der Tatsache, dass die neue Konzentration von freier Ladung,
auf die das Element moduliert wurde, konstant bleibt, nachdem das
elektrische Feld entfernt wurde. Dieses Merkmal stellt einen fünften und grundlegend
neuen Mechanismus zum Modulieren der Konzentration von freier Ladung
in Halbleiterelementen dar und macht eine Reihe von neuen und einfachen
Schalt- und Verstärkungsverfahren
möglich,
die in der Lage sind, die Halbleiterindustrie wesentlich zu beeinflussen.
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Wie
es ordnungsgemäß ausgebildeten
Fachleuten mehr als klar sein sollte, ist es wesentlich, dass Speicherelemente
wirklich nichtflüchtig
sind, um den Flash-EEPROM-Markt
anzusprechen und ernsthaft als universeller Speicher betrachtet
zu werden. Das ist sogar noch bedeutender, wenn der Anspruch erhoben
wird, dass das Speicherelement Mehrbitspeicherfähigkeiten besitzt. Wenn ein
Setzwiderstandswert verloren geht oder wenn sogar festgestellt wird,
dass er im Laufe der Zeit wesentlich driftet, werden die darin gespeicherten Informationen
zerstört,
verlieren Benutzer das Vertrauen in die Archivierungsfähigkeiten
des Speichers, und die Technologie verliert alle Glaubwürdigkeit.
Jede Drift im Laufe der Zeit, ungeachtet wie klein sie ist, ist
ein Todfeind von Speicherelementen und wird weiterhin ein Schwerpunkt
in der Entwicklung dieser neuen Klasse von Speicherelementen sein.
Das ist zutreffend, weil eine andere Zusammensetzung, die nachfolgend
zur Verbesserung von Schaltgeschwindigkeit, Energie usw. entwickelt
wird, auch einer Optimierung im Hinblick auf Stabilität bedarf.
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Neben
der Setzwiderstandsstabilität
ist der geringe Schaltstrom ein weiterer ganz wichtiger Faktor,
der von einem universellen Speicher gefordert würde. Das ist äußerst bedeutsam,
wenn die EEPROMs zur Archivspeicherung im großen Maßstab eingesetzt werden. Werden
sie auf diese Weise verwendet, würden
die EEPROMs die mechanischen Festplattenspeicher (wie etwa Magnet-
und optische Festplattenspeicher) gegenwärtiger Computersysteme ersetzen.
Einer der Hauptgründe
für diesen
Ersatz von konventionellen mechanischen Festplattenspeichern durch
EEPROM-"Festplattenspeicher" würde darin
bestehen, den vergleichsweise hohen Leistungsverbrauch der mechanischen
Systeme zu senken. Im Falle von Laptop-Computern ist dies von besonderem
Interesse, weil der mechanische Festplattenspeicher einer der größten Leistungsverbraucher darin
ist. Deshalb wäre
es besonders vorteilhaft, diese Leistungslast zu verringern, und
dadurch die Nutzungszeit des Computers pro Ladung der Leistungszellen
wesentlich zu vergrößern. Wenn
jedoch der EEPROM-Ersatz für
mechanische Festplattenspeicher einen hohen Schaltstrombedarf (und
deshalb einen hohen Leistungsbedarf) aufweist, können die Leistungseinsparungen
irrelevant oder bestenfalls unwesentlich sein. Einfach gesagt, macht
deshalb ein EEPROM der als universeller Speicher betrachtet werden
soll, einen niedrigen Schaltstrom erforderlich. Eine andere Anforderung
an einen universellen EEPROM-Speicher ist hohe thermische Stabilität der darin
gespeicherten Informationen. Die heutigen Computer, besonders die
Personalcomputer, werden routinemäßig hohen Temperaturen ausgesetzt.
Diese hohen Temperaturen können
durch intern erzeugte Wärme,
wie etwa durch die Stromquellen oder andere wärmeerzeugende innere Bauteile
verursacht werden. Diese hohen Temperaturen können auch durch Umweltfaktoren
verursacht werden, wie etwa die Nutzung des Computers in heißem Klima
oder die Lagerung des Computers in einer Umgebung, die direkt oder indirekt
auf höhere
als die normalen Temperaturen beheizt wird. Ungeachtet der Ursache
der erhöhten
Temperaturen müssen
gegenwärtige
Computerspeichersysteme, besonders "feste" und Archivspeicher selbst bei relativ
hohen Temperaturen thermisch stabil sein. Ohne thermische Stabilität kann ein
Datenverlust auftreten, der den bereits erwähnten Glaubwürdigkeitsverlust
nach sich zieht. Dementsprechend muss jeder EEPROM-Ersatz eine thermische
Stabilität
aufweisen, die mindestens mit jener der gegenwärtigen Speichersysteme vergleichbar
ist.
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Es
ist das Hauptziel der vorliegenden Erfindung, Speicherelemente zu
entwickeln, die durch niedrige Schaltströme und hohe thermische Stabilität der gespeicherten
Daten charakterisiert sind. Dies wird durch Modifizieren der neuartigen
Speichermaterialien, die zuerst in US-A-5.534.711 und US-A-5.414.271
beschrieben wurden, erreicht.
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KURZE DARSTELLUNG
DER ERFINDUNG
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Hierin
wird ein grundlegend neues, direkt überschreibbares, elektronisches,
nichtflüchtiges,
hochdichtes, kostengünstiges,
leicht herstellbares, einzelliges Festkörper-Speicherelement offenbart,
das einen verringerten Schaltstrombedarf und eine größere thermische
Stabilität
von darin gespeicherten Daten aufweist. Diese Speicherelemente nutzen
eine einzigartige Klasse von Chalkogenidspeichermaterialien in neuen
Zusammensetzungskonfigurationen. Die einzigartigen Speichermaterialien
weisen um Größenordnungen
höhere Schaltgeschwindigkeiten
bei bemerkenswert verringerten Energieniveaus auf. Die neuartigen
Speichermaterialien, aus denen die Speicherelemente und Anordnungen
der vorliegenden Erfindung gebildet werden, sind unter anderem durch
stabile und wirklich nichtflüchtige
nachweisbare Konfigurationen von lokaler Atom- und/oder Elektronenordnung
charakterisiert, die selektiv und wiederholt durch elektrische Eingangssignale
von veränderlicher
Impulsspannung, -stromstärke
und -dauer hergestellt werden können.
Die Speicherelemente der vorliegenden Erfindung sind deshalb zwischen
Atom- und/oder Elektronenkonfigurationen von unterschiedlicher lokaler
Ordnung in einem einkristallinen Zustand schaltbar, um mindestens
zwei stabile Einstellungen bereit zu stellen.
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Obgleich
diese Speichermaterialien intensiv untersucht werden, hat noch keine
Theorie das beobachtete außergewöhnliche
elektrische Schaltverhalten erklärt.
Die Subjekthalbleitermaterialien können speziell zwischen zahlreichen
elektrisch nachweisbaren Zuständen
in Nanosekunden-Zeitintervallen mit Picojoules an zugeführter Energie
geschaltet werden. Die Subjektspeichermaterialien sind wirklich
nichtflüchtig
und können nahezu
unendlich zyklisch betätigt
(beschrieben und wiederbeschrieben) werden, während die Integrität der Informationen,
die durch die Speicherzelle gespeichert werden, ohne Notwendigkeit
von periodischen Auffrischungssignalen erhalten bleibt. Das Subjektspeichermaterial
ist direkt überschreibbar,
so dass die in anderen Speicherelementen gespeicherten Informationen
nicht gelöscht
werden müssen
(wie es bei ferro-elektrischen und anderen Flash-Speichersystemen
erforderlich ist), um die Informationen, die in einem gegebenen
Satz von Speicherelementen gespeichert sind, zu ändern. Außerdem werden Speicherkonfigurationen,
welche die neuartigen Materialien der vorliegenden Erfindung nutzen,
dargelegt, in denen die Bitdichte des Speicherelements gegenüber dem
Stand der Technik entsprechenden Konfigurationen stark vergrößert wurde.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird ein elektrisch betriebenes, direkt überschreibbares,
einzelliges Mehrbit-Speicherelement bereit gestellt. Das Speicherelement
umfasst ein Volumen von Speichermaterial, dass mindestens ein Chalkogenelement
und mindestens ein Übergangsmetallelement
aufweist. In einer früheren
Erfindung konnte das Übergangsmetallelement
aus der Gruppe, die CR, Fe, Ni und Gemische oder Legierungen daraus
umfasst, ausgewählt
werden. In der vorliegenden Erfindung kann das Übergangsmetallelement aus der
Gruppe, die Nb, Pd, Pt und Gemische oder Legierungen daraus umfasst,
ausgewählt
werden.
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Andere
Ausführungsformen
und Merkmale der vorliegenden Erfindung sowie weitere Vorteile und
Ziele davon, werden dargelegt und werden aus der ausführlichen
Beschreibung der Erfindung, die danach folgt, offensichtlich, besonders
wenn diese in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen betrachtet
wird.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist eine fragmentarische
Querschnittsansicht, die ein Teilstück eines integrierten Schaltkreises zeigt,
wobei der Schaltkreis eine elektrisch löschbare und direkt überschreibbare
Mehrlagenspeicherkonfiguration einer ersten bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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2 ist eine Draufsicht, die
schematisch ein Teilstück
der integrierten Schaltkreiskonfigurationen von 1 zeigt;
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3 ist ein schematischer
Schaltplan, der ein Teilstück
der X-Y-Matrixanordnung
von Trennelementen in Verbindung mit den Speicherelementen der integrierten
Schaltkreiskonfigurationen von 1 darstellt;
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4 ist eine schematische
Darstellung, die ein Einkristall-Halbleitersubstrat mit der integrierten
Speichermatrix der vorliegenden Erfindung, wie in 1 gezeigt, darstellt, das in elektrische
Kommunikation mit einem integrierten Schaltkreis-Chip gebracht wird,
auf dem die Adresse/Treiber/Dekodierer betriebsbereit angebracht
sind;
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5 ist ein ternäres Phasendiagramm
des Ge:Sb:Te-Legierungssystems, das den Hauptbestandteil der Speicherelemente
der vorliegenden Erfindung bildet, wobei das Phasendiagramm die
mehreren Phasen zeigt, in die sich verschiedene Gemische dieser
Elemente bei schneller Erstarrung entmischen;
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6 zeigt die Atomstrukturschichtung
von drei ternären
Legierungen des Ge-Sb-Te-Systems von 5 sowie
die Atomstruktur von binärem
Ge-Te, um die anisotrope Struktur der Systeme darzustellen;
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7 ist eine grafische Darstellung
von Zykluslebensdauerdaten, die für ein Speichermaterialvolumen ermittelt
wurden, das eine nominelle chemische Zusammensetzung von (Te56Ge22Sb22)90Ni5Se5 aufweist,
und speziell den Elementwiderstand, der auf der Ordinate dargestellt
wird, gegenüber
der Schreib-/Löschzyklusanzahl,
die auf der Abszisse dargestellt wird, zeigt; und
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8 ist eine grafische Darstellung
von Daten, die für
das Speichermaterial der vorliegenden Erfindung mit einer nominellen
chemischen Zusammensetzung von (Te56Ge22Sb22)90Ni5Se5 (d. h. das modifizierte Material)
und ein Speicherelement, das ein Speichermaterialvolumen mit einer
nominellen chemischen Zusammensetzung von Te56Ge22Sb22 aufweist (d.
h. das Standardmaterial), ermittelt wurden, wobei speziell die Datenhaltezeit,
die auf den Ordinaten dargestellt wird, gegenüber der Elementtemperatur (oder
eine Funktion davon) auf den Abszissen gezeigt wird.
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Detaillierte
Beschreibung der Erfindung
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In
der Vergangenheit wurden löschbare
elektrische Speicher aus Chalkogenidmaterialien hergestellt. Diese
dem Stand der Technik entsprechenden Materialien nutzten jedoch
Strukturänderungen,
denen durch die Bewegung von bestimmten Atomarten innerhalb des
Materials Rechnung getragen wurde, um den Phasenwechsel zu gestatten,
wenn das Material aus dem amorphen Zustand in den kristallinen Zustand
schaltete. Im Fall von elektrisch schaltbaren Chalkogenidlegierungen
zum Beispiel, die aus Tellur und Germanium gebildet wurden, wie
etwa jene, die etwa 80% bis 85% Tellur und etwa 15% Germanium zusammen
mit bestimmten anderen Elementen in kleinen Mengen von etwa jeweils
ein bis zwei Prozent wie etwa Schwefel und Arsen aufwiesen, war
der geordnetere oder kristalline Zustand typischerweise durch die
Bildung eines gut elektrisch leitenden kristallinen Te-Fadens innerhalb
der schaltbaren Pore des Speichermaterials charakterisiert. Eine
typische Zusammensetzung eines solchen dem Stand der Technik entsprechenden
Materials wäre
zum Beispiel Te81Ge15S2As2 oder Te81Ge15S2Sb2. Weil Te in seinem kristallinen Zustand
so gut leitend ist, wurde ein Zustand sehr niedrigen Widerstands
durch den Te-Faden in dem geordneteren oder kristallinen Zustand
hergestellt; wobei dieser Widerstand eine Anzahl von Größenordnungen
niedriger als der Widerstand der Pore in dem weniger geordneten
oder amorphen Zustand ist.
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Die
Bildung des leitenden Te-Fadens im kristallinen Zustand machte jedoch
die Wanderung der Te-Atome aus ihrer Atomkonfiguration im amorphen
Zustand in die neue lokal konzentrierte Atomkonfiguratian im kristallinen
Te-Fadenzustand erforderlich. Ebenso musste das Te, das sich in
den kristallinen Faden ausgeschieden hatte, innerhalb des Materials
aus seiner lokal konzentrierten Form im Faden zurück in seine
Atomkonfiguration im amorphen Zustand wandern, wenn das fadenförmige Chalkogenidmaterial
in den amorphen Zustand zurück
geschaltet wurde. Diese Atomwanderung, -diffusion oder -neuanordnung
zwischen dem amorphen und dem kristallinen Zustand machte in jedem
Fall eine Halte- oder Verweilzeit von ausreichender Länge erforderlich,
um der Migration Rechnung zu tragen, wodurch die erforderliche Schaltzeit
und -energie relativ hoch wurden. Der Subjekterfinder hat jetzt
bestimmte neue Prinzipien entdeckt, die eine bemerkenswerte Verringerung
sowohl bei der erforderlichen Schaltzeit als auch bei der zugeführten Energie
für eine
verbesserte und grundlegend andere Art eines elektrisch löschbaren,
direkt überschreibbaren
Speichers gestatten, der hauptsächlich
auf einer neuen Klasse von Chalkogenidhalbleitermaterialien basiert.
Außerdem
basieren die phänomenologisch
unterschiedlichen Chalkogenidmaterialien der vorliegenden Erfindung
auf im wesentlichen neuen physikalischen Grundlagen, denen Wirkungsweise,
obwohl nicht vollständig
verstanden, das Schalten entweder innerhalb eines breiten dynamischen
Bereichs von stabilen Zuständen
innerhalb einer gegebenen kristallinen Gitterstruktur oder zwischen
verschiedenen kristallinen Zuständen
mit bemerkenswert geringer zugeführter
Energie bei bemerkenswert schnellen Geschwindigkeiten sicherstellt,
so dass diese neu entdeckte Klasse von Halbleitermaterialien verwendet
werden kann, um verbesserte elektrische Speicherelemente herzustellen.
In der Wirkungsweise basieren diese neuartigen Materialien auf der
Fähigkeit,
eine sehr hohe, nichtflüchtige
und modulierbare Konzentration von freier Ladung in einem Halbleitermaterial
mit schmaler Bandlücke,
bei dem die Bandlücke
maßgeschneidert
werden kann, zu schaffen. Diese Materialien unterscheiden sich sowohl
von herkömmlichen
amorphen als auch kristallinen Materialien, insofern als dass die
Kristallite dem ungeordneteren amorphen Zustand ähneln und stark die Elektronenleitfähigkeit
des Schalters beeinflussen.
-
Speziell
das Speichermaterial der vorliegenden Erfindung kann zwischen zahlreichen
elektrisch nachweisbaren Zuständen
veränderlichen
Widerstands in Nanosekunden-Zeitintervallen mit Picojoules an zugeführter Energie
geschaltet werden. Dieses Speichermaterial ist nichtflüchtig und
hält die
Integrität
der durch die Speicherzelle gespeicherten Informationen (innerhalb
eines gewählten
Fehlerspielraums) aufrecht, ohne dass periodische Auffrischsignale
erforderlich sind. Im Gegensatz zu vielen anderen Halbleitermaterialien
und -systemen, die vordem für
Speicheranwendungen spezifiziert wurden, sind das Halbleiterspeichermaterial
und die Halbleiterspeichersysteme der vorliegenden Erfindung direkt überschreibbar,
so dass die diskreten Speicherelemente nicht gelöscht (auf einen spezifizierten
Ausgangspunkt gesetzt) werden müssen,
um die dort gespeicherten Informationen zu ändern. Beweismaterial aus Versuchen
belegt, dass das bemerkenswert schnelle und energiearme Schalten
auf irgendeinen der verschiedenen Widerstandwerte der Tatsache zugeschrieben werden
kann, dass das Schalten ohne Notwendigkeit der Gesamtatomneuanordnung
des Schaltmaterials erfolgt. Unser gegenwärtiges Verständnis lässt vermuten,
dass das Speicherlegierungsmaterial in einer mikrokristallinen Phase
vorliegt, und Beweismaterial aus Versuchen demonstriert auch das
Vorhandensein von gewisser Übereinstimmung
zwischen der Kristallitgröße des hierin
beschriebenen mikrokristallinen Hableitermaterials und der Fähigkeit
dieses Materials, schnell stabile Zustände auf die Anwendung eines
niederenergetischen Signals hin anzunehmen.
-
Obwohl
spezifische Beispiele von Halbleitermaterialien, die unter anderem
für die
Speichernutzung angepasst wurden, nachfolgend beschrieben werden,
kann das Speicherelement der vorliegenden Erfindung aus jedem Körper von
Halbleitermaterial hergestellt werden, das dem Erfordernis von modulierbarer
freier Ladungskonzentration durch Verschieben der Fermi-Niveauposition
in Bezug auf eine Bandkante gerecht wird. Insbesondere für die neu
entdeckte Familie von Halbleitermaterialien, wie sie auf elektrische
Speicher angewandt wird, besteht das Ergebnis in einem sehr schnellen,
energiearmen, Direktüberschreibbetrieb.
Das Speichermaterialvolumen, das die Speicherelemente der vorliegenden
Erfindung aufweisen, wird aus einer Vielzahl von atomaren Bestandteilen
gebildet, von denen ein jeder überall
im gesamten Volumen vorhanden ist. Die Vielzahl der atomaren Bestandteile
umfasst mindestens ein Chalkogenelement und mindestens ein Übergangsmetallelement.
Der Terminus "Übergangsmetall", wie er hier verwendet
wird, umfasst die Elemente 21 bis 30, 39 bis 48, 57 und 72 bis 80.
Noch besser weist die Vielzahl von atomaren Bestandteilen, die das
Speichermaterialvolumen bilden, Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As,
S, Si, P, O und Gemische oder Legierungen daraus auf. Gemäß der Erfindung
umfasst das Übergangsmetall
Pd, Pt, Nb und Gemische von Legierungen daraus, und das Chalkogenelement
umfasst Te und Se. Am besten ist das Übergangsmetall Pd. Spezifische
Beispiele solcher Mehrelementsysteme werden nachfolgend mit Bezug
auf das Te:Ge:Sb-System mit Ni und/oder Se dargestellt.
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Wie
Fachleuten gut bekannt ist, werden Chalkogenidhalbleitermaterialien
wie andere Halbleiter durch eine verbotene Energiezone oder Bandlücke, die
ihre Leitungs- und Valenzbänder
trennt (siehe das "Cohen, Fritsche,
Ovshinsky-Modell",
welches die Beweglichkeitslücke
von Chalkogenidhalbleitermaterialien beschreibt) charakterisiert.
Die Fermi-Niveauposition, d. h. die Energie bei der die Wahrscheinlichkeit
der Belegung eines Energieniveaus 50% beträgt, bestimmt teilweise die
elektrische Leitfähigkeit
des Halbleitermaterials, und wenn sie an wesentlich verschiedene
Positionen in der Bandlücke
bewegt wird, wird ein großer
dynamischer Bereich von elektrischen Leitfähigkeiten möglich. Ungeachtet der Erläuterung
der Art und Weise, wie dieses Speichermaterial arbeitet, stellt
die vorliegende Erfindung eine Kombination von wertvollen charakteristischen
elektrischen Schaltmerkmalen bereit, die nie zuvor in einem einzigen
Speicherelement verfügbar
waren. Es muss hervorgehoben werden, dass Versuchsergebnisse gezeigt
haben, dass die bis dato untersuchten Chalkogenidzusammensetzungen
Löcherleitung
anwenden.
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Da
die spezifischen Halbleiterlegierungen, die bei der Herstellung
der Speicherelemente verwendet werden, Chalkogenidelemente umfassen.
Gemische/Legierungen der Chalkogenide sind besonders für das Vorhandensein
von "einsamen Elektronenpaaren" bekannt. Es ist
deshalb erforderlich, die Wirkung und das Wesen von jenen einsamen
Elektronenpaaren in verfügbaren
chemischen Bindungskonfigurationen zu erörtern. Einfach gesagt, ist
ein einsames Paar ein Elektronenpaar in der Valenzschale eines Atoms,
das typischerweise nicht an der Bindung beteiligt ist. Solche einsamen
Elektronenpaare sind sowohl strukturell als auch chemisch wichtig.
Sie beeinflussen die Form von Molekülen und kristallinen Gitterstrukturen,
indem sie starke abstoßende
Kräfte
auf Nachbarelektronenpaare, die an Bindungskonfigurationen beteiligt
sind, und ebenso auf andere einsame Paare ausüben. Da einsame Elektronenpaare
nicht durch einen zweiten Kern in eine Bindungsregion hinab geleitet
werden, können
sie niederenergetische Elektronenübergänge beeinflussen und zu diesen
beitragen. Wie zuerst durch Ovshinsky hervorgehoben wurde, können die
einsamen Paare eine 1- und 3-Zentrenbindung
aufweisen und wie durch Kastner, Adler und Fritsche gezeigt wurde,
haben sie Wertwechselpaare.
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Speziell,
die hierin beschriebenen Tellur-Legierungen haben ein Valenzband,
das sich aus Zuständen einsamer
Paare zusammensetzt. Da vier (4) p-Schalenelektronen in Te vorhanden sind,
und das Te-Atom chemisch durch zwei dieser Bindungselektronen in
der p-Schale gebunden ist, werden die zwei äußeren Elektronen (das einsame
Paar) nicht für
Bindungszwecke genutzt und ändern
folglich nicht wesentlich die Atomenergie des Systems. In dieser
Hinsicht ist anzumerken, dass das höchste gefüllte Molekülorbital, das Orbital ist, welches
die einsamen Elektronenpaare aufweist. Das ist bedeutsam, weil in
einem perfekten stöchiometrischen
Kristall von Tellur- und Germaniumatomen bei Anwendung von etwas
innerer Spannung in dem Gitter, aus dem der Kristallit gebildet
ist, das Valenzband sich verbreitern und nach oben in Richtung der
Position des dann vorhandenen Fermi-Niveaus bewegen kann. TeGe-Kristalle
sind jedoch von Natur aus "selbst-kompensiert", das heißt, der
Kristall wünscht
vorzugsweise eine Tereiche Zusammensetzung (52 Prozent Te und 48 Prozent
Ge) anzunehmen. Der stöchiometrische
Kristall ist ein flächenzentrierter
Kubus; wird jedoch eine minimale Energiemenge zugeführt, kann
der Kristall eine rhomboedrische Gitterstruktur durch Vergrößern der Anzahl
seiner Ge- und/oder Sb-Leerstellen annehmen. Es ist diese Schaffung
von Leerstellen in der kristallinen Gitterstruktur, welche die Gitterspannung
in TeGe-Legierungen verringern kann, den Energiezustand des Materials
senkt und das Fermi-Niveau in Richtung Valenzband bewegt. Obwohl
wir nur das Vorhandensein von stabilen Widerstandszwischenwerten
in der rhomboedrischen Kristallstruktur demonstriert haben, ist
das System mikrokristallin, wobei die Korngröße sehr klein ist und die Oberflächenhaut
eine sehr wichtige Rolle spielen kann. Es ist deshalb akzeptabel,
wenn nicht unbedingt erforderlich, ein lokales Nahordnungsmodell
mit einem amorphen Modell lokaler Ordnung zu überlagern, um eine deskriptive
wenn nicht perfekt prognostische Erklärung des Atomverhalten zu erhalten.
Wenn das amorphe Wesen des Materials betrachtet wird, ist zu bemerken,
dass die Dichte von Störstellenzuständen in
den Bandenden neben den Bandkanten am größten ist, während die Tiefe der Rekombinationszentren
für eingefangene
Ladungsträger
tiefer weiter weg von den Bandkanten sind. Das Vorhandensein von
diesen tiefen Fangstellen und Zuständen der Enden würde eine
mögliche Erklärung für die stabilen
Widerstandszwischenwerte zwischen der Fermi-Niveauposition und der
Bandkante bereitstellen. Ungeachtet der Theorie ist das Halbleitermaterial
der vorliegenden Erfindung ein entarteter Halbleiter, der metallartige
Leitung aufweist.
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Es
wird angenommen, dass die Größe der Kristallite,
die in der Masse des Halbleiter- und Speichermaterials der vorliegenden
Erfindung existiert, relativ klein, vorzugsweise kleiner als etwa
2000 Å (1 Å = 10–10 m),
besser zwischen etwa 50 und 500 Å und am besten in der Ordnung
von etwa 200 bis etwa 400 Å ist.
Darüber
hinaus wird von diesen Kristalliten angenommen, dass sie von einer
amorphen Haut umgeben sind, die zur schnellen Bildung der vielen
Fermi-Niveaupositionen des Materials, nachweisbar als unterschiedliche
Widerstände
(Leitfähigkeiten),
ebenso wie zum niedrigeren Energiebedarf für die Übergänge zwischen diesen nachweisbaren
Widerstands-/Reflexionswerten, auf die das Material zuverlässig und
wiederholt gesetzt werden kann, beitragen könnte. In Übereineinstimmung mit noch
einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wurde herausgefunden,
dass die Modulation der charakteristischen Schaltmerkmale von Zwei-
oder Dreipolhalbleiterelementen, die aus dem mikrokristallinen Materialien
der vorliegenden Erfindung hergestellt sind, so kontrolliert werden
könnte,
dass wiederholbare und nachweisbare Widerstandswerte bewirkt werden
können.
Es wurde ermittelt, dass, damit die Materialien der vorliegenden
Erfindung schnell durch niederenergetische Eingangssignale auf eine
gewünschte
Leitfähigkeit
(bestimmt durch die Fermi-Niveauposition) gesetzt werden, diese
Materialien nur zu einer stabilen (oder langlebigen metastabilen)
Existenz mit mindestens zwei verschiedenen Fermi-Niveaupositionen
in der Lage sein müssen,
wobei die Fermi-Niveaupositionen
durch im wesentlichen konstante Bandlücken aber unterschiedliche
elektrische Leitfähigkeiten
charakterisiert sind. Wenn es durch diese Eigenschaften charakterisiert
wird, kann das Element, welches das Material umfasst, so moduliert
werden, dass es einen gewünschten
Grad an Schaltleistung aufweist.
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Wie
vorstehend bemerkt, wird auch angenommen, dass die relativ kleine
Kristallitgröße zu dem schnellen Übergang
zwischen nachweisbaren Widerstandswerten beiträgt. Es wurde jetzt postuliert,
dass eine mikrokristalline Gitterstruktur schneller zwischen diesen
Widerstandswerten schaltet, weil die Mikrostrukturen leicht auf
dem Atomniveau reguliert werden können. Wenn zum Beispiel die
einsamen Elektronenpaare für
das schnelle Schalten verantwortlich sind, müssen Bindungen mit dem Ge-
oder Sb-Atomen nicht einmal durch den elektrischen Impuls gelöst werden,
um für
eine höhere
elektrische Leitfähigkeit
zu sorgen. Ein charakteristisches Merkmal der Halbleitermaterialien
der vorliegenden Erfindung ist ihre Neigung zur Bildung von mehr
und kleineren Kristalliten pro Volumeneinheit des Materials. Es
wurde ermittelt, dass Kristallitgrößen des breitesten Vorzugsbereichs
von repräsentativen
Materialien weit kleiner sind als etwa 2000 Å und im allgemeinen kleiner sind
als der Bereich von etwa 2.000 bis 5.000 Å, der für dem Stand der Technik entsprechende
Materialien charakteristisch war. Die Kristallitgröße wird
hierin als der Durchmesser der Kristallite oder ihre "charakteristischen
Dimension", die äquivalent
zum Durchmesser ist, wo die Kristallite nicht kugelförmig geformt
sind, definiert.
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Es
wurde ermittelt, dass Zusammensetzungen im hochohmigen Zustand der
Klasse von TeGeSb-Materialien, welche die Kriterien der vorliegenden
Erfindung erfüllen,
im allgemeinen durch beträchtlich
verringerte Konzentrationen von Te in bezug auf jene, die in elektrisch
löschbaren
Speichermaterialien des Standes der Technik vorliegen, charakterisiert
sind. In einer Zusammensetzung dieser Klasse, welche die beträchtlich
verbesserten elektrischen Schaltleistungsmerkmale bereitstellt,
war die durchschnittliche Te-Konzentration in den Materialien im
aufgebrachten Zustand deutlich unter 70%, typischerweise unter etwa
60% und lag im allgemeinen im Bereich von nicht mehr als etwa 23%
bis hoch zu etwa 58% Te und am besten etwa 48% bis 58% Te. Konzentrationen
von Ge betrugen über
etwa 5% und lagen im Bereich von einem tiefen Wert von etwa 8% bis etwa
40% durchschnittlich im Material, wobei sie im allgemeinen unter
50% Ge bleiben, wobei der Rest der Hauptelementarbestandteile in
dieser Zusammensetzung Sb ist. Die angegebenen Prozentsätze sind
Atomprozente, die insgesamt 100% der Atome der Elementarbestandteile
ausmachen. Folglich kann diese Zusammensetzung als TeaGebSb100–(a+b) charakterisiert
werden, wobei a gleich oder kleiner als etwa 70% ist und vorzugsweise
zwischen etwa 48% bis etwa 58% liegt, b über etwa 5% und weniger als
50% beträgt,
vorzugsweise zwischen etwa 8% bis etwa 40% liegt und der Rest Sb
ist. Diese ternären
Te-Ge-Sb-Legierungen sind nicht nur sehr nützliche Speichermaterialien,
sie erweisen sich auch als sehr nützliche Ausgangsmaterialien
für die Entwicklung
von weiteren Speichermaterialien, die noch bessere charakteristische
elektrische Merkmale aufweisen.
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Ein
ternäres
Diagramm des Te:Ge:Sb-Systems wird in 5 gezeigt.
Schmelzen wurden aus verschiedenen Gemischen von Te, Ge und Sb hergestellt.
Die Analyse dieser schnell erstarrten Schmelzen zeigte die Anwesenheit
von zehn verschiedenen Phasen (nicht alle in jeder schnell erstarrten
Schmelze anwesend). Diese Phasen sind: elementares Ge, Te und Sb,
die binären
Verbindungen GeTe und Sb2Te3 und
fünf verschiedene
ternäre
Phasen. Die Elementarbestandteile von allen der ternären Phasen
liegen auf der pseudobinären GeTe-Sb2Te3-Linie und werden
durch die Verweisbuchstaben A, B, C, D und E in dem in 5 gezeigten ternären Diagramm
angegeben. Die Atomverhältnisse
der Elemente in diesen fünf
ternären
Phasen werden in Tabelle 1 dargestellt. Eine ausführlichere
Beschreibung von 5 wird
nachfolgend dargestellt.
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Tabelle
1
Beobachtete ternäre
kristalline Phasen des TeGeSb-Systems
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Die
neuartigen Speicherelemente der vorliegenden Erfindung umfassen
ein Speichermaterialvolumen, wobei das Speichermaterial mindestens
ein Chalkogenid und mindestens ein Übergangsmetall aufweist. Diese
verbesserten Speichermaterialien sind elementar modifizierte formen
unserer zuvor offenbarten Speichermaterialien in dem ternären Te-Ge-Sb-System.
Das heißt,
die Speichermaterialien der vorliegenden Erfindung stellen elementar
modifizierte Formen der Te-Ge-Sb-Speicherlegierungen dar, die im
Vorgänger
und Vorvorgänger
der vorliegenden Anmeldung offenbart wurden. Diese elementare Modifikation
wird durch die Inkorporation von Übergangsmetallen in das ternäre Te-Ge-Sb-Basissystem,
mit einem oder ohne ein zusätzliches Chalkogenelement,
wie etwa Se, erzielt. Im allgemeinen fallen die gegenwärtigen Speichermaterialien
in zwei Kategorien.
-
Die
erste Kategorie ist ein Speichermaterial, welches Te, Ge, Sb und
ein Übergangsmetall
in einem Verhältnis
(TeaGebSb100–(a+b))cTM100–c aufweist, wobei die
tiefgestellten Zahlen in Atomprozent angegeben sind, die insgesamt
100% der Elementarbestandteile ausmachen, wobei TM ein oder mehrere Übergangsmetalle darstellt,
a und b wie hier vorstehend für
das ternäre
Te-Ge-Sb-Basissystem dargelegt sind und c zwischen etwa 90 und etwa
99,99% liegt. Das Übergangsmetall
weist vorzugsweise Cr, Fe, Ni, Nb, Pd, Pt und Gemische oder Legierungen
daraus auf.
-
Spezifische
Beispiele von Speichermaterialien, die durch dieses System erfasst
werden, würden (Te56Ge22Sb22)95Ni5, (Te56Ge22Sb22)90Ni10, (Te56Ge22Sb22)95Cr5, (Te56Ge22Sb22)90Cr10, (Te56Ge22Sb22)95Fe5, (Te56Ge22Sb22)90Fe10, (Te56Ge22Sb22)95Pd5, (Te56Ge22Sb22)90Pd10, (Te56Ge22Sb22)95Pt5, (Te56Ge22Sb22)95Pt10, (Te56Ge22Sb22)95Nb5, (Te56Ge22Sb22)90Nb10, (Te56Ge22Sb22)90Ni5Cr5,
(Te56Ge22Sb22)90Ni5Fe5, (Te56Ge22Sb22)90Cr5Fe5, (Te56Ge22Sb22)90Pd5Cr5,
(Te56Ge22Sb22)90Ni5Pd5, (Te56Ge22Sb22)90Pd5Pt5 usw. umfassen.
-
Die
zweite Kategorie ist ein Speichermaterial, dass Te, Ge, Sb, Se und
ein Übergangsmetall
im Verhältnis
(TeaGebSb100–(a+b))cTMdSe100–(c+d) umfasst,
wobei die tiefgestellten Zeichen in Atomprozent angegeben sind,
die insgesamt 100% der Elementarbestandteile ausmachen, wobei TM
ein oder mehrere Übergangsmetalle
darstellt, wobei a und b wie vorstehend für das grundlegende ternäre Te-Ge-Sb-System
dargestellt sind, wobei c zwischen etwa 90 und 99,5% liegt und d
zwischen etwa 0,01 und 10% liegt. Das Übergangsmetall kann vorzugsweise
Cr, Fe, Ni, Pd, Pt, Nb und Gemische von Legierungen daraus umfassen.
Spezifische Beispiele von Speichermaterialien, die durch dieses
System erfasst werden, würden
(Te56Ge22Sb22)90Ni5Se5, (Te56Ge22Sb22)80Ni10Se10, (Te56Ge22Sb22)90Cr5Se5,
(Te56Ge22Sb22)80Cr10Se10, (Te56Ge22Sb22)90Fe5Se5, (Te56Ge22Sb22)80Fe10Se10,
(Te56Ge22Sb22)90Pd5Se5, (Te56Ge22Sb22)80Pd10Se10, (Te56Ge22Sb22)90Pt5Se5, (Te56Ge22Sb22)80Pt10Se10,
(Te56Ge22Sb22)90Nb5Se5, (Te56Ge22Sb22)80Nb10Se10, (Te56Ge22Sb22)85Ni5Cr5Se5, (Te56Ge22Sb22)80Ni5Fe5Se10,
(Te56Ge22Sb22)85Cr5Fe5Se5, (Te56Ge22Sb22)85Ni5Pd5Se5, (Te56Ge22Sb22)80Ni5Pt5Se10, (Te56Ge22Sb22)85Ni5Nb5Se5, (Te56Ge22Sb22)85Pd5Cr5Se5,
(Te56Ge22Sb22)80Pd5Pt5Se10, (Te56Ge22Sb22)85Pd5Nb5Se5, (Te56Ge22Sb22)85Pt5Nb5Se5 usw.
umfassen.
-
Die
Speicherelemente der vorliegenden Patentanmeldung scheinen nichtflüchtige gesetzte
Widerstandswerte aufzuweisen. Wenn der Widerstandswert der vorliegenden
Speicherelemente jedoch unter gewissen Umständen von seinem ursprünglichen
gesetzten Wert weg driftet, kann die "Zusammensetzungsmodifikation", die erstmals in
US-A-5.534.711 vorgestellt wurde, verwendet werden, um diese Drift
zu kompensieren. Wie hierin verwendet, bezieht sich die Verwendung
des Terminus "nichtflüchtig" bei Bezugnahme auf
den elektrischen Speicher der vorliegenden Erfindung auf den Zustand,
in dem der gesetzte Widerstandswert für Archivzeitintervalle im wesentlichen
konstant bleibt, ohne die Integrität von darin gespeicherten Informationen
zu verlieren. Natürlich
kann Software (einschließlich
das nachfolgend erörterte
Feedbacksystem) in Verbindung mit den Speicherelementen der vorliegenden
Erfindung verwendet werden, um sicherzustellen, dass absolut keine "Drift" außerhalb
des gewählten
Fehlerspielraums auftritt. Weil Drift des Widerstandswertes der
Speicherelemente, wenn nichts dagegen unternommen wird, die Grauskalaspeicherung
von Informationen behindern kann, ist es wünschenswert, die Drift zu minimieren.
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Im
allgemeinsten Sinn wird "Zusammensetzungsmodifikation" so definiert, dass
sie alle Mittel der Zusammensetzungsmodifikation des Speichermaterialvolumens
aufweist, um im wesentlichen stabile Widerstandswerte zu ergeben,
einschließlich
des Hinzufügens
von Bandlückenverbreiterungselementen
zur Vergrößerung des
Eigenwiderstands des Materials. Ein Beispiel und eine bevorzugte
Ausführungsform
der Zusammensetzungsmodifikation bildet das Speichermaterialvolumen
so, dass es abgestufte Inhomogenitäten in der Zusammensetzung
in Bezug auf die Dicke aufweist. Das Speichermaterialvolumen kann
zum Beispiel aus einer Te-Ge-Sb-Legierung auf einer Seite des Materials
zu einer Te-Ge-Sb-Legierung von abweichender Zusammensetzung auf
der gegenüberliegenden
Seite abgestuft sein. Die Zusammensetzungsabstufung kann irgendeine
Form annehmen, die das gewünschte
Ergebnis erbringt (d. h. verringerte Drift des gesetzten Widerstandswertes).
Die Zusammensetzungsabstufung muss zum Beispiel nicht auf eine erste
und zweite Legierung desselben Legierungssystems beschränkt sein.
Die Abstufung kann auch mit mehr als zwei Legierungen erzielt werden.
Die Abstufung kann gleichmäßig und
kontinuierlich sein, kann aber auch ungleichmäßig und diskontinuierlich sein.
Im wesentlichen kann jede Form von Zusammensetzungsabstufung verwendet
werden, die ein Speicherelement hervorbringt, das durch einen im
wesentlichen im Lauf der Zeit stabilen Widerstand charakterisiert
wird. Ein spezifisches Beispiel der Zusammensetzungsabstufung, die
zu einer verringerten Widerstandsdrift führt, ist ein Speichermaterialvolumen,
das eine gleichmäßige und
kontinuierliche Abstufung von Ge14Sb29Te57 an einer Oberfläche zu Ge22Sb22Te56 an
der gegenüberliegenden
Oberfläche
aufweist.
-
Eine
andere Art der Anwendung der Zusammensetzungsmodifikation zum Verringern
der Widerstandsdrift, erfolgt durch Schichtung des Speichermaterialvolumens.
Das heißt,
das Speichermaterialvolumen kann aus einer Vielzahl von diskreten
relativ dünnen
Schichten unterschiedlicher Zusammensetzung gebildet werden. Das
Speichermaterialvolumen kann zum Beispiel ein oder mehrere Paare
von Schichten aufweisen, von denen ein jedes aus einer anderen Te-Ge-Sb-Legierung gebildet
wird. Wie es bei den abgestuften Zusammensetzungen der Fall war,
kann wieder jede Kombination von Schichten, die zu wesentlich verringerter
Widerstandswertdrift führt,
verwendet werden. Die Schichten können gleich dick oder unterschiedlich
dick sein. Eine beliebige Anzahl von Schichten kann verwendet werden
und mehrere Schichten derselben Legierung können im Speichermaterialvolumen,
entweder aneinandergrenzend oder entfernt von einander, vorliegen.
Es kann auch eine beliebige Anzahl von verschiedenen Legierungszusammensetzungen
verwendet werden. Ein spezifisches Beispiel der Zusammensetzungsschichtung
ist ein Speichermaterialvolumen, das abwechselnde Schichtpaare von
Ge14Sb29Te57, und Ge22Sb22Te56 aufweist.
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Eine
weitere Form der Inhomogenität
in der Zusammensetzung zur Verringerung der Widerstandsdrift wird
erzielt, indem Zusammensetzungsabstufung und Zusammensetzungsschichtung
so kombiniert werden, dass das Speichermaterialvolumen gebildet
wird. Insbesondere kann die vorstehend erwähnte Zusammensetzungsabstufung
mit irgendeinem der vorstehend beschriebenen Zusammensetzungsschichtungsverfahren kombiniert
werden, um ein stabiles Speichermaterialvolumen zu bilden. Beispielhafte
Speichermaterialvolumen, die diese Kombination verwenden, sind:
(1) ein Speichermaterialvolumen, das eine diskrete Schicht von Ge22Sb22Te56 gefolgt
von einer abgestuften Zusammensetzung von Ge14Sb29Te57 und Ge22Sb22Te56 aufweist und
(2) ein Speichermaterialvolumen, das eine diskrete Schicht von Ge14Sb29Te57 und
eine abgestufte Zusammensetzung von Ge14Sb29Te57 und Ge22Sb22Te56 aufweist.
-
Bezugnehmend
jetzt auf 1 wird dort
eine Querschnittsansicht eines Teilstücks der Struktur eines elektrisch
löschbaren
Speichers der vorliegenden Erfindung gezeigt, der auf einem Einkristall-Siliziumhalbleiterwafer 10 gebildet
wurde, der p-dotiert ist und der ein p-Substrat für das Aufbringen
der restlichen Elemente der dargestellten Konfiguration bildet.
Im p-Substrat 10 sind n+-Kanäle 12 gebildet, die
auf eine in der Technik hinreichend bekannte Weise diffusionsdotiert
werden können.
Die n+-Kanäle
erstrecken sich über
den Chip in einer Richtung, die senkrecht zur Ebene der Abbildung
ist, und bilden eine Menge von Elektroden, in diesem Fall die Menge
y, eines x-y-Elektrodengitters zum Adressieren der einzelnen Speicherelemente.
-
Oben
auf dieser n+-Gitterstruktur wird eine n-dotierte kristalline epitaktische
Schicht 14 wieder durch in der Technik hinreichend bekannte
Verfahren gebildet. Die n-dotierte epitaktische Schicht 14 kann
zum Beispiel etwa 5.000 Å dick
sein. Unter Verwendung bekannter Maskierungs- und Dotierungsverfahren
werden dann p-dotierte
Trennkanäle 16 in
der n-epitaktischen Schicht 14 gebildet. Diese p-dotierten
Trennkanäle 16 erstrecken
sich über
den gesamten Weg nach unten zum p-Substrat 10, wie in 1 gezeigt, und erstrecken sich
auch vollständig
um die Inseln 18 der n-epitaktischen Schicht 14 herum
und trennen und definieren diese. Die Inseln 18 werden
in der Draufsicht von 2 deutlicher
gezeigt, wobei gezeigt wird, dass die p-Trennkanäle ein Trenngitter bilden,
das die Inseln 18 des n-epitaktischen Materials definiert
und trennt. Anstelle der p-dotierten Trennkanäle können SiO2-Trennungsgräben zum
Trennen der Inseln 18 verwendet werden. Das Verfahren der
Bildung von solchen SiO2-Trennungsgräben ist
Fachleuten hinreichend bekannt. Eine Schicht 20 von thermisch
gewachsenem SiO2 wird dann auf der soeben
beschriebenen Struktur gebildet und geätzt, um Öffnungen 22 über den
Inseln 18 zu bilden. Diffusionsbereiche 24 von
p+-Material werden dann innerhalb der durch die Öffnungen 22 definierten
Flächen,
wie in 1 gezeigt, gebildet.
Die Halbleiterübergänge der p+-Bereiche
und der n-epitaktischen Schicht definieren p-n-Flächendioden 26 in
Reihe mit jedem der Bereiche der n-epitaktischen Schicht, die durch
die Öffnungen 22 der
SiO2-Schicht 20 freigelegt wird.
-
Die
Speicherelemente 30 werden dann über den p+-Bereichen 24 in
Reihe in individuellem, ohmschem, elektrischem Kontakt mit den Dioden 26 aufgebracht.
Die Speicherelemente 30 weisen untere dünne elektrische Kontaktschichten
aus hochkorrosionsbeständigem
Metall (wie etwa Molybdän
zum Beispiel) 32 und die elektrisch leitende Diffusionssperrschicht
(wie etwa Kohlenstoff zum Beispiel) 34 auf, wobei die Speicherschicht 36 aus
einem wie vorstehend beschriebenen Material gebildet wird und die
oberen dünnen
elektrischen Kontaktschichten aus hochkorrosionsbeständigem Material 40 aus
Molybdän
und die elektrisch leitende Diffusionssperrschicht 38 aus
Kohlenstoff. Die Kontaktschichten 32, 34, 38 und 40 aus
Kohlenstoff und Molybdän
bilden ausgezeichnete elektrische Kontakte mit den Speicherschichten 36 und
der Kohlenstoff bildet auch eine Diffusionssperrschicht, die wirksam
die Diffusion des Molybdänmetalls
und/oder des optionalen externen Kontaktgittermaterialkontakts in
das Volumen aus Chalkogenidspeichermaterial 36 blockiert.
Die Kohlenstoffschichten 34 und 38 haben einen
relativ hohen spezifischen elektrischen Widerstand und sind schwieriger
zu ätzen
und sind deshalb vorzugsweise dünn,
typischerweise im Bereich von 100 bis 1.000 Å oder so. Die Molybdänschichten 32 und 40 sollten
dicker sein, im Bereich von 1.000 bis 2.000 Å oder so.
-
Die
Speichermaterialschicht
36 wird aus einem Mehrelementhalbleitermaterial
gebildet, wie etwa den hierin offenbarten Chalkogenidmaterialien.
Die Schicht
36 kann durch solche Verfahren wie etwa Sputtern,
Bedampfen oder chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD) aufgebracht
werden, die durch Plasmaverfahren wie etwa HF-Glimmentladung verbessert
werden können.
Die Chalkogenidspeichermaterialien der vorliegenden Erfindung werden
vorzugsweise am besten durch HF-Sputtern oder Bedampfen hergestellt.
Typische Parameter für
das Aufbringen durch HF-Sputtern oder Bedampfen der Chalkogenidschicht
36 werden nachfolgend
in den Tabellen 2 beziehungsweise 3 dargestellt. Tabelle
2
Parameter für
das Aufbringen durch HF-Sputtern
Parameter | Typischer
Bereich |
Basisdruck | 8×10–7–1×10–6 Torr |
Sputter-Gas(Ar)-Druck | 4–8 m Torr |
Sputter-Leistung | 40–60 Watt |
Frequenz | 13–14 MHz |
Aufbringungsrate | 0,5
bis 10 Å/Sekunde |
Aufbringungszeit | 2–25 Minuten |
Schichtdicke | 250–1500 Å |
Substrattemperatur | Umgebung – 300°C |
Tabelle
3
Parameter für
das Aufbringen durch Bedampfen
Parameter | Typischer
Bereich |
Basisdruck | 1×10–6–5×10–6 Torr |
Bedampfungstemp. | 450–600°C |
Aufbringungsrate | 2–4 Å/Sekunde |
Aufbringungszeit | 2–20 Minuten |
Schichtdicke | 250–1500 Å |
Substrattemperatur | Umgebung – 300°C |
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Versuchsmessdaten,
die durch Analyse von Dünnschichten,
die gemäß den in
Tabelle 3 dargestellten Bedampfungsparametern aufgebracht wurden,
gewonnen wurden, zeigen, dass die Fermi-Niveauposition für die fcc-Phase
neben die Kante des Valenzbandes bewegt wurde (d. h. die fcc-Phase
verhält
sich wie ein Halbmetall mit null eV Aktivierungsenergie). Beachten
Sie, dass die aufgedampften Schichten "im aufgebrachten Zustand" amporph sind und
nachfolgend einer Ausheilung ausgesetzt werden, um die kristalline
kubisch-flächenzentrierte
Gitterstruktur zu erzielen. Im Gegensatz dazu wurden die Fermi-Niveaupositionen
für die
hexagonale Kristallstruktur (die durch die Eingabe eines zusätzlichen
elektrischen Impulses erzielt wird) tatsächlich in das Valenzband bewegt
(d. h. die Positionen weisen das Verhalten eines "entarteten Halbleiters" auf, bei dem sich
die hexagonale Phase wie ein Metall verhält). Die Gründe für die Unterschiede im Schaltverhalten, die
zwischen durch Sputtern aufgebrachten Dünnschichten gegenüber solchen,
die durch Bedampfen aufgebracht wurden, bestehen, sind nicht vollständig klar.
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Beweismaterial
aus Versuchen zeigt, dass Störstellen,
die durch die Anwesenheit von Sauerstoff in der gesputterten Schicht
verursacht werden, für
die Unterschiede bei den Fermi-Niveaupositionen verantwortlich sind.
Es ist jedoch beachtenswert, dass Sauerstoff im Kathodentargetmaterial
anwesend war. Seine Anwesenheit wurde später analytisch entdeckt. Es
ist auch wichtig, anzumerken, dass die auf einem erhitzten Substrat
aufgebrachten Aufdampfschichten charakteristische anisotrope Wachstumsmerkmale
aufweisen werden (siehe Beschreibung von 6), wobei orientierte Schichten der Chalkogenidelemente
nacheinander aufgebracht werden. Ob sich dies als wesentlich für elektrische
Anwendungen erweisen wird, ist noch zu beweisen; diese Art von Schicht
ist jedoch sehr vielversprechend für andere Gebiete wie etwa die
Thermoelektrizität
(aufgrund der hohen Thermoleistung, die bereits für diese
Zusammensetzungen gemessen wurde, d. h. ein Faktor, der viermal
größer als
der für
Wismutsysteme gemessene ist) oder für spezifische Halbleiter- und Supraleitfähigkeitsanwendungen.
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Die
Speichermaterialschicht 36 wird vorzugsweise auf eine Dicke
von etwa 200 Å bis
etwa 5.000 Å, besser
von etwa 250 Å bis
etwa 2.500 Å und
am besten von etwa 400 Å bis
etwa 1.250 Å in
der Dicke aufgebracht. Die seitliche Abmessung oder der Durchmesser
der Pore des Halbleitermaterials 36 kann im Bereich von
weniger als etwa einem Mikrometer liegen, obwohl es praktisch keine
Grenze für
die seitliche Abmessung gibt. Es wurde ermittelt, dass der Durchmesser
des eigentlichen Leiterpfades des hochleitfähigen Materials bedeutend kleiner
als ein Mikrometer ist. Der Porendurchmesser kann folglich so klein
sein, wie es die Lithografieauflösungsgrenzen
gestatten, und in der Tat, je kleiner die Pore desto niedriger der
Energiebedarf für
das elektrische Schalten.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung wird der Porendurchmesser so gewählt, dass
er im wesentlichen mit dem Durchmesser des niederohmigen Pfades übereinstimmt,
der gebildet wird, wenn das Material in den niederohmigen Zustand
geschaltet wird. Der Durchmesser der Pore des Speichermaterials 36 ist
deshalb vorzugsweise kleiner als etwa ein Mikrometer, so dass das
Volumen des Speichermaterials 36 in dem lithografisch möglichen
Umfang auf das Volumen des Materials 36 begrenzt ist, welches
tatsächlich
zwischen den verschiedenen Widerstandszuständen geschaltet wird. Das verringert
weiter die Schaltzeit und die Elektroenergie, die zum Initiieren
der nachweisbaren Widerstandsänderung
erforderlich sind. Der Terminus "Porendurchmesser", wie er hierin verwendet
wird, steht für
die seitliche Querschnittsabmessung der Speichermaterialschicht 36,
die sich unter den Kontaktbereichen erstreckt, die mit der Speicherschicht 36 und
mit der unteren p+-Schicht und den oberen Leiter 42, wie
in der Ausführungsform
von 1 gezeigt, gebildet
wird. Es wird darüber
hinaus bevorzugt, dass die Porenbereiche der Speicherelemente 30 thermisch
isoliert und/oder kontrolliert werden, mit Ausnahme des elektrischen
Kontakts mit der oberen und der unteren Elektrode, der für den ordnungsgemäßen Betrieb
der Speicherelemente erforderlich ist. Das beschränkt, begrenzt
und kontrolliert weiter die Wärmeübertragung
aus dem geschalteten Volumen der Pore und die Elektroenergie, die
für die
Widerstandsübergange
erforderlich ist. Das wird in der Ausführungsform von 1 durch die Oxidschichten 20 und 39 bewirkt,
welche die seitlichen peripheren Abschnitte der Speicherelemente 30 umgeben.
Dementsprechend können
kleine Porendurchmesser von nur 250 Å verwendet werden, um die
Setzenergie/-stromstärke/-spannung
zu minimieren.
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Die
Schichten 32, 34, 36, 38 und 40 werden
geätzt
und eine Oxidschicht 39 wird darüber gebildet und geätzt, so
dass wie gezeigt Öffnungen über den
Speicherelementen 30 bleiben. Alternativ können die
Speicherelemente in einem zweistufigen Ätzprozess gebildet werden,
wobei die Schichten 32 und 34 zuerst aufgebracht
werden und dann über
der Oberseite geätzt
werden, worüber
die restlichen Schichten 36, 38 und 40 aufgebracht
werden und dann separat auf das gewählte Maß geätzt werden. Auf der Oberseite
der gesamten Struktur, die durch die Schichten 32, 34, 36, 38,
und 40 gebildet wird, wird die zweite Elektrodengitterstruktur aufgebracht,
die aus Aluminiumleitern 42 gebildet wird, die sich senkrecht
in Richtung der Leiter 12 erstrecken und die x-y-Gitterverbindung
zu den einzelnen Speicherelementen vervollkommnen. Die komplette
integrierte Struktur wird durch eine Verkappungsdeckschicht 44 aus
einem geeigneten Verkappungsmaterial wie etwa Si3N4 oder einem Kunststoffmaterial wie etwa
Polyamide überdeckt,
welche die Struktur gegen Feuchtigkeit und andere äußere Elemente
abdichtet, die eine Verschlechterung oder Herabsetzung der Leistungsfähigkeit besonders
der Phasenwechselmaterialien in der Speicherschicht 36 bewirken
könnten.
Das Si3N4-Verkappungsmaterial
kann zum Beispiel unter Anwendung eines Tieftemperatur-Plasmaabscheidungsverfahrens
aufgebracht werden. Das Polyamidmaterial kann aufgeschleudert und
nach dem Aufbringen in Übereinstimmung mit
bekannten Verfahren ofengetrocknet werden, um die Verkappungsschicht 44 zu
bilden.
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Parallelverarbeitung
und folglich mehrdimensionale Speicheranordnungsstrukturen sind
für die schnelle
Erfüllung
von komplexen Aufgaben wie etwa Strukturerkennung, Klassifizierung
und assoziatives Lernen usw. erforderlich. Weitere Nutzungen für Parallelverarbeitung
und deren Beschreibung werden in dem US-Patentantrag laufende Nummer
594.387, eingereicht am 5. Oktober 1990 dargestellt, der an den
Erwerber des vorliegenden Antrags abgetreten wird, und dessen Inhalt
hiermit im Rahmen dieser Anmeldung vollumfänglich als geoffenbart gilt.
Mit der integrierten Struktur, wie in der Ausführungsform von 1 gezeigt, wird jedoch eine vollständig vertikal
integrierte Struktur des Speicherelements und seiner Trenndiode
gebildet, wodurch die durch jede der Kombinationen von Speicherelementen
und Dioden auf dem Substrat belegte Fläche minimiert wird. Das heißt, dass
die Dichte der Speicherelemente in dem Chip im wesentlichen nur
durch die Auflösungsfähigkeiten
der Lithografie beschränkt
wird. Die so gebildete integrierte Struktur ist eine x-y-Speichermatrix,
die, wie in 2 gezeigt,
verbunden ist, in der jedes Speicherelement 30 in Reihe
mit einer Diode 26 zwischen einer horizontalen x-Leitung 42 und
einer vertikalen y-Leitung 12 verbunden ist.
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Die
Dioden 26 dienen der elektrischen Trennung jedes der Speicherelemente 30.
Die Realisierung anderer Schaltungskonfigurationen für den elektrisch
löschbaren
Speicher der vorliegenden Erfindung ist natürlich möglich und durchführbar. Eine
besonders nützliche
Konfiguration ist eine dreidimensionale, Mehrlagenanordnung, in
der eine Vielzahl von Ebenen von Speicher- oder Steuerelementen
und ihren jeweiligen Trennelementen eine auf die andere gestapelt
werden. Jede Ebene von Speicherelementen ist als eine Vielzahl von Reihen
und Spalten von Speicherelementen angeordnet, wodurch die X-Y-Adressierung
ermöglicht
wird. Dieses Stapeln von Ebenen zusätzlich zur Steigerung der Speicherdichte
ermöglicht
eine zusätzliche
Verbindungsdimension Z. Diese Anordnung ist besonders nützlich,
um ein neuronales Netz für
einen wirklich intelligenten Computer nachzubilden.
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3 ist ein stilisierter,
schematischer Schaltplan eines Teilstücks der Speicherzellenausführungsformen
von 1. Die Schaltung
umfasst ein x-y-Gitter, wobei jedes der Speicherelemente 30 elektrisch
in Reihe mit einer Trenndiode 26 an den Kreuzungspunkten
der x-Adressenleitungen 42 und der y-Adressenleitungen 12,
wie gezeigt, verbunden ist. Die Adressenleitungen 12 und 42 sind
mit externen Adressierungsschaltungen auf eine Weise verbunden,
die Fachleuten hinreichend bekannt ist. Der Zweck der x-y-Matrix
von Speicherelementen in Kombination mit Trennelementen besteht
darin, jedes der diskreten Speicherelemente in die Lage zu versetzen,
dass es gelesen und beschrieben werden kann, ohne dass es zu einer
Störung
der in angrenzenden oder entfernten Speicherelementen der Matrix
gespeicherten Informationen kommt.
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In 4 wird ein Teilstück eines
Einkristallhalbleitersubstrats 50 mit einer darauf gebildeten
Matrix von Speicherelementen 51 der vorliegenden Erfindung
graphisch dargestellt. Auf demselben Substrat 50 wird auch eine
Adressierungsmatrix 52 gebildet, die in geeigneter Weise
durch integrierte Schaltungsverbindungen 53 mit der Speichermatrix 51 verbunden
ist. Die Adressierungsmatrix 52 umfasst signalerzeugende
Mittel, welche die Setz- und Leseimpulse definieren und steuern,
die auf die Speichermatrix 51 angewandt werden. Natürlich kann
die Adressierungsmatrix 52 in die Festkörperspeichermatrix 51 integriert
und gleichzeitig mit ihr gebildet werden.
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In
Halbleiterspeichern des Standes der Technik, welche die relativ
hohen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigen Schaltenergien aufweisen,
die für
die meisten Anwendungen davon als notwenig erachtet werden, ist
mindestens ein Transistor und ein Kondensator für den Betrieb jedes Speicherelements
erforderlich. Die Bildung solcher Speicher in integrierter Schaltungsform
erfordert mindestens drei Verbindungen zusammen mit anderen komplexen
Strukturen, die eine bestimmte Mindestsubstratfläche belegen, ungeachtet dessen
wie die integrierte Schaltung ausgelegt ist. Die integrierte Schaltungskonfiguration
des elektrisch löschbaren
Speichers der vorliegenden Erfindung erfordert nur zwei Verbindungen
zu jedem Speicherelement, und diese können vertikal hergestellt werden.
Außerdem
ist jedes Speicherelement, komplett mit der Trenndiode und dem Kontaktpaar
für das
Element, selbst vollständig
vertikal integriert, so dass eine beträchtlich höhere Bitdichte in Bezug auf
jene möglich
ist, die bei integrierten Schaltungen des Standes der Technik, die
dieselben oder ähnliche
Funktionen ausführen,
möglich
ist. In der Tat stellt der Speicher der vorliegenden Erfindung eine
Bitdichte bereit, die größer ist
als die, die in dynamischen Festkörperdirektzugriffsspeichern
(DRAMS) erreichbar ist, die flüchtig
sind und denen deshalb die weiteren Vorteile fehlen, welche die
Nichtflüchtigkeit
bietet, die mit der vorliegenden Erfindung erreichbar ist. Der Zuwachs
an Bitdichte, der mit der vorliegenden Erfindung erzielt werden
kann, wndelt sich wegen der kleineren Waferflächen, die pro Bit der integrierten
Schaltungskonfiguration belegt werden, in eine entsprechende Senkung
der Herstellungskosten um. Das gestattet dem Speicher der vorliegenden
Erfindung, andere verfügbare
Speicher für
einen breiteren Anwendungsbereich zu übertreffen, nicht nur in bezug
auf die elektrische Leistung und die Speicherkapazität, sondern
auch in bezug auf die Kosten. Durch Vergleich mit Halbleiterspeichern
des Standes der Technik, die aus mindestens einem Transistor und
einem Kondensator für
jedes Bit gebildet werden, können
die integrierten Schaltkreiskonfigurationen der vorliegenden Erfindung,
wie in 1 gezeigt, mit
größerer Bitdichte
im Vergleich zu Konfigurationen des Standes der Technik, die dieselbe
Lithographieauflösung
verwenden, auf einem Chip gebildet werden. Zusätzlich zu den Kostenvorteilen,
welche die höhere
Bitdichte gewährt,
sind die Leistungsparameter des Speichers in der integrierten Schaltungskonfiguration
der vorliegenden Erfindung folglich sogar noch weiter verbessert,
in sofern als dass die Elemente enger zusammen positioniert sind,
und Leitungslängen,
Kapazitäten
und andere diesbezügliche
Parameter weiter minimiert werden, wodurch die Leistung verbessert
wird. Durch die Verwendung der neuartigen Halbleitermaterialien
der vorliegenden Erfindung wurde die Energie, die erforderlich ist, um
eine Änderung
der Fermi-Niveauposition und eine entsprechende Änderung der elektrischen Leitfähigkeit zu
bewirken, um Größenordnungen
verringert. Außerdem
wurde im Labor demonstriert, dass sogar die Picojoule-Energien der vorliegenden
Erfindung durch Verringerung der Materialdicke weiter verringert
werden könnten.
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Mit
dem folgenden Abschnitt der ausführlichen
Beschreibung wird beabsichtigt, die Art und Weise zu erläutern, wie
sich das Verständnis
des Umfangs und der Verzweigungen der offenbarten Erfindung entwickelt hat.
Die Geschichte ihrer Entwicklung ist bedeutsam, wenn eine vollen
Darlegung der befähigenden
Ausführungsform
dieser Erfindung, insbesondere in Bezug auf den Einfluss der Chalkogenidmaterialien
auf die allgemeine Klasse von elektronischen Elementen neben und
zusätzlich
zu Speicherelementen, gegeben wird. Obwohl die neuartigen Halbleitermaterialien
der vorliegenden Erfindung auf eine breite Klasse von Elementen und
Zusammensetzungen zutreffen können,
wird sich die nachfolgende Erörterung
zum Zwecke der Erläuterung
mit einem spezifischen Beispiel, d. h. einem Ge-Sb-Te-System befassen.
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Kristallines
GeTe, aus der Schmelze gezüchtet,
hat bei Raumtemperatur eine rhomboedrisch verzogene (88,2 Grad statt
90 Grad NaCl (d. h. kubisch flächenzentrierte))
Struktur. Diese Struktur verändert
sich bei über
400 Grad C in eine kubisch flächenzentrierte
Struktur. Der Ursprung des rhomboedrischen Verzugs und insbesondere
die Beziehung dieses Verzugs zur Konzentration von Ge-Leerstellen im gut
leitenden p-GeTe ist noch nicht klar. In diesem rhomboedrisch verzogenen
kristallinen Zustand weist GeTe eine metallische Leitfähigkeit
von ≈ 103 bis 104 (Ohm-cm)–1 auf.
In Dünnschichtform
kann GeTe in der amorphen Phase gezüchtet werden und kristallisiert
bei etwa 200 Grad C in die kubisch flächenzentrierte Struktur aus.
Diese metastabile kubisch flächenzentrierte
Phase ist bei Raumtemperatur wegen der mikrokristallinen Struktur
der Schichten stabil. Bei Ausheilungstemperaturen von über 400
Grad C jedoch wechselt die kubisch flächenzentrierte Struktur abhängig vom
Sb-Gehalt in die stabile hexagonale oder rhomboedrische Struktur.
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In
dem ternären
Ge-Sb-Te-System führt
der Ersatz von Ge durch Sb in GeTe zu Eigenschaften, die denen eines
reinen GeTe-Kristalls ähneln.
Die stabile Raumtemperaturphase ist in Massenform die hexagonale
Phase, aber es wird angenommen, dass sie bei höheren Temperaturen in die kubisch
flächenzentrierte
Phase wechselt. Bei der Ausheilung kristallisieren Dünnschichten
des amorphen Zustands bei Temperaturen von etwa 200 Grad C zuerst
in die kubisch flächenzentrierte
Phase; bei der Ausheilung auf höhere
Temperatur wechseln sie jedoch in die hexagonale Phase. Dieser Strukturübergang
erfolgt bei einer Temperatur, die von der spezifischen Zusammensetzung
der Schicht abhängig
ist. Die elektrischen Eigenschaften von Dünnschichten aus amorphem und
kristallinem Ge-Sb-Te-Material wurden charakterisiert. Im amorphen
Zustand hat sich die optische Bandlücke in den optischen Absorptionsmessungen
als unempfindlich gegenüber
Konzentrationen von Sb von 0 bis 35 Atom-% erwiesen und wurde mit
etwa 0,7 eV gemessen. Die elektrische Aktivierungsenergie des Materials
sinkt geringfügig
von etwa 0,4 eV im amorphen GeTe-System auf etwa 0,35 eV im Ge22Sb22Te56-System.
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Beim
Ausheilen kristallisieren amorphe Schichten ungeachtet der Zusammensetzung
in die kubisch flächenzentrierte
Phase. Die elektrische Leitfähigkeit
dieser Schichten steigt von etwa 10–3 (Ohm-cm)–1 in
der amorphen Phase auf etwa 1 (Ohm-cm)–1 in
der kubisch flächenzentrierten
Phase. Dieser Übergang
erfolgt bei etwa 180 Grad C. Die Fermi-Niveauposition für dieses
kubisch flächenzentrierte
Gitter ist etwa 0,18 eV, was etwa der Hälfte der gemessenen optischen
Bandlücke
von etwa 0,4 eV entspricht. Weiteres Ausheilen im Bereich von etwa
180 Grad bis etwa 300 Grad ändert
weder die elektrische Leitfähigkeit
noch die optische Übertragung
des Materials. Die im Bereich von 1 bis 50 Mikrometer gemessene
Infrarotabsorption ist zu vernachlässigen, was auf eine relativ
niedrige Konzentration von freien Ladungsträgern in der kubisch flächenzentrierten
Struktur hindeutet. Thermisches Ausheilen bei 350 Grad C führt zu einem
weiteren Phasenübergang
zu der hexagonalen kristallinen Gitterstruktur. In diesem Zustand
des Gitters steigt die elektrische Leitfähigkeit weiter auf etwa 100
(Ohm-cm)–1 und
eine starke Absorption durch freie Ladungsträger tritt auf, die der bekannten
Relation a Alpha = Aλ2 folgt, wobei Alpha der Absorptionskoeffizient
ist, λ die
Wellenlänge
von einfallendem Licht ist und A eine Konstante proportional zur
Anzahl der freien Ladungsträger
ist. In Übereinstimmung
mit unseren Messungen ändert
sich die optische Bandlücke
des Materials nicht wesentlich, nachdem die Phasenumwandlung zwischen
dem kubisch flächenzentrierten
und dem hexagonalen Zustand erfolgt ist. Es wurde jedoch ein starker
(annähernd
oder gleich 25%) Anstieg des Reflexionsvermögens gemessen.
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Um
das neuartige Speicherelement dieser Erfindung zyklisch zu betätigen, ist
ein Prozess erforderlich, bei dem ein relativ hohes Energieniveau
vor seiner anfänglichen
Nutzung auf das Material angewandt wird, um das Material in einen
ersten kristallinen Zustand umzuwandeln. Die Fermi-Niveauposition
für diesen
kristallinen Zustand ist auf der Ordnung von etwa 0,18 eV, was der
Fermi-Niveauposition
entspricht, die vorstehend für
die kubisch flächenzentrierte
Struktur angegeben wurde, was für
die Schlussfolgerung sorgt, dass das Material eine Phasenumwandlung
aus der amorphen in eine kubisch flächenzentrierte kristalline
Gittestruktur durchgemacht hat. Auch bei der Anwendung von zusätzlichen,
geringeren Energiemengen wurde die Fermi-Niveauposition gesenkt,
was darauf hindeutet, dass das Material eine weitere kristalline
Phasenumwandlung in die vorstehend beschriebene hexagonale kristalline
Gitterphase durchgemacht hat. Folglich wurde festgestellt, dass
die stabile Modulation der Kristallite des mikrokristallinen Halbleitermaterials
der vorliegenden Erfindung in und durch einen Bereich von verschiedenen
Fermi-Niveaupositionen erreicht wird, indem die kristalline Gitterstruktur
der Körner
dieses Materials geändert
und zyklisch wiederholt wird.
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Die
reversible Änderung
der elektrischen Leitfähigkeit,
die dieses mikrokristalline Halbleitermaterial zeigt, wird mindestens
in einer kristallinen Phase des Materials vorgesehen. Diese Änderung
des Wertes der elektrischen Leitfähigkeit beträgt etwa
zwei Größenordnungen,
was annähernd
der Differenz im dynamischen Bereich des Widerstands der elektrischen
Speicherelemente der vorliegenden Erfindung entspricht, wie sie
im Labor für
das Massenmaterial gemessen wurde.
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Uni
das Material aus einem kristallinen Zustand wie etwa dem kubisch
flächenzentrierten
Zustand in einen Zustand abweichenden Widerstands umzuwandeln, ist
es erforderlich, einen kürzeren,
energiereicheren elektrischen Impuls anzuwenden. Es wird angenommen,
dass dies der Mechanismus zum elektrischen Schalten in einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung ist. In dieser Auslegung zum Beispiel
ist ein 30 Nanosekunden-Impuls in der Lage, die hexagonale Gitterstruktur
in einer Dünnschicht
aus mikrokristallinem Chalkogenidmaterial in die kubisch flächenzentrierte
Gitterstruktur umzuwandeln. Durch Messen der Dichte freier Ladungen
vor und nach dem Ausheilen wurde festgestellt, dass keine wesentliche
Absorption durch freie Ladungsträger
stattfindet. Das lässt
vermuten, dass kristalline Schichten in der kubisch flächenzentrierten
Struktur eine niedrigere Konzentration von thermisch angeregten
freien Ladungen (Löchern)
im Gegensatz zu den Schichten in der hexagonalen Phase haben, was
als p-leitendes stark degeneriertes Halbleitermaterial vorstellbar
ist (weil das Fermi-Niveau
neben das oder die ganze Strecke in das Valenzband hinein bewegt
wurde).
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Es
wird bemerkt, dass die Endpunkte des dynamischen Bereichs von elektrischen
Leitfähigkeiten
(bestimmt durch die Fermi-Niveaupositionen), die in der vorliegenden
Erfindung dargelegt werden, nicht notwendigerweise einem Wechsel
von kristallinen Zuständen
zwischen der kubisch flächenzentrierten
und der hexagonalen Gitterstruktur entsprechen. Was eigentlich bedeutsamer
ist, ist die Tatsache, dass das Material der vorliegenden Erfindung
niemals in die amorphe Struktur zurückkehren muss, und folglich
können
sich die Endpunkte des dynamischen Bereichs von elektrischen Leitfähigkeiten
beide aus eine oder mehreren kristallinen Gitterstrukturen ergeben
und können
deshalb mit relativ wenig zugeführter
Energie und bei sehr hohen Geschwindigkeiten erreicht werden.
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Wird
bedacht, dass die Konzentration freier Ladung und die Struktur des
kristallinen Gitters bis zu einem gewissen Grade ungekoppelt sind,
gibt es einen möglichen
Mechanismus, der angewandt werden könnte, um Informationen bereitzustellen,
die für
das Verständnis
der Vorhandenseins der mehreren stabilen Zwischenzustände hilfreich
sind. Es ist bekannt, dass das Vorhandensein eines externen elektrischen
Feldes Ladung zur Drift veranlasst und dadurch das Gitter beansprucht.
Die zwei Reaktionen sind unabhängig.
Um die Leerstellenanzahl in der Tellur-Antimonmatrix zu ändern, müssen Germanium-
und oder Antimonatome bewegt werden. Es ist möglich, dass die Reaktion des
beanspruchten Gitters während
der Anwendung eines externen Feldes entweder darin besteht, einige
Bindungen zu lösen
und zusätzliche
Akzeptorniveaus (höhere Konzentration
von Löchern
innerhalb des Gitters) zu schaffen oder einfach nichtbindende einsame
Elektronenpaare in ihrer lokalen Umgebung zu bewegen und/oder dieses
einsame Paar miteinander in Wechselwirkung treten zu lassen, um
Zustände
in der Energielücke
zu schaffen oder aufzulösen.
In jedem Fall ist das Endergebnis unabhängig vom vorherigen amorphen
oder kristallinen Zustand des Materials.
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Durch
Versuche hat der Erfinder gezeigt, dass Faktoren wie etwa Porenabmessungen
(Durchmesser, Dicke und Volumen), Chalkogenidzusammensetzung, thermische
Vorbereitung (Ausheilen nach dem Aufbringen), Signalimpulsdauer,
Störstellen
wie etwa in der Zusammensetzung anwesender Sauerstoff, Kristallitgröße und Signalimpulswellenformgestalt
einen Einfluss auf die Größe des dynamischen
Bereichs von Widerständen,
die absoluten Endpunktwiderstände
des dynamischen Bereichs und die Spannungen, die zum Setzen des
Elements bei diesen Widerständen
erforderlich ist, haben. Zum Beispiel führen relativ dicke Chalkogenidschichten
(d. h. etwa 4.000 Å)
zu einem höheren
Setzspannungsbedarf (und deshalb höheren Stromdichten), während relativ
dünne Chalkogenidschichten
(d. h. etwa 250 Å)
zu einem niedrigeren Setzspannungs- (und Stromdichte)-Bedarf führen. Natürlich wurde
die mögliche
Bedeutung von Kristallitgröße und daher
des Verhältnisses
der Anzahl von Oberflächenatomen
zur Anzahl von Massenatomen zuvor beschrieben.
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Die
Signalimpulsdauer, die erforderlich ist, um das Speicherelement
auf das gewünschte
Widerstandsniveau zu setzen, ist gleichermaßen von allen vorangehenden
Faktoren ebenso wie von der Signalspannung abhängig. Typischerweise werden
die Signalimpulsdauern zum Setzen des Speicherelements auf einen
niedrigen Widerstandswert weniger als 400 Nanosekunden und zum Setzen
des Materials auf einen hohen Widerstandswert weniger als 40 Nanosekunden
betragen. Es wird angenommen, dass die Impulsdauern bedeutend verringert
werden können,
ohne den Betrieb des Speicherschalters zu stören. In der Tat kann die Zykluslebensdauer
der Elemente mit der Zuführung
von geringeren Energiemengen nur zunehmen.
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Eine
Rückkopplungsschleife,
die den Widerstand eines gegebenen Speicherelements liest und, wenn erforderlich,
regelt, kann in die Speichersysteme der vorliegenden Erfindung einbezogen
werden. Zum Beispiel kann ein Speicherelement anfänglich auf
einen gewünschten
Widerstand gesetzt werden; im Laufe der Zeit jedoch kann der Widerstand
des Elements geringfügig
von dem Wert, auf den er ursprünglich
gesetzt wurde, weg driften. Die Rückkopplungsschleife würde in diesem
Fall einen Auffrischsignalimpuls der erforderlichen Spannung und
Dauer berechnen und an das Speicherelement abgeben, um es auf einen
vorgewählten
Widerstandswert zurückzubringen.
Es können
auch Umstände
bestehen, wo der an ein Speicherelement abgegebene Setzimpuls, nicht
zum Setzen des Elements auf den gewünschten Widerstandswert führt. In
diesem Fall würde
die Rückkopplungsschleife
zusätzliche
Signalimpulse an das Element abgeben, bis das gewünschte Widerstandsniveau
erreicht ist. Die Gesamtdauer dieser Serie von Setz-/Regelzyklen beträgt weniger
als etwa 1.000 Nanosekunden und vorzugsweise weniger als etwa 500
Nanosekunden. Der Erfinder der vorliegenden Erfindung vermutet,
dass die Materialien eigentlich an den äußersten Enden der hexagonalen
Gitterstruktur arbeiten, so ist es nicht überraschend, dass eine sehr
geringe zugeführte
Energie bedeutende Änderungen
der Fermi-Niveauposition und der Widerstandswerte bewirken kann.
Außerdem
vermutet der Erfinder, dass ein Wechsel in die hexagonale/rhomboedrische
Phase aus der kubisch flächenzentrierten
Phase durch Bewegung durch nicht mehr als 2% der Germanium- und/oder Antimonatome
aus dem Kristallit in ihrem Versuch, ein bevorzugtes Zusammensetzungsverhältnis (Te52Ge48 wird in der
binären
Zusammensetzung bevorzugt) anzunehmen, erklärt werden kann. Da der Verlust
jedes Atoms den Kristallit mit einem zusätzlichen Loch versieht, würde die
Konzentration freier Ladungen pro Kubikzentimeter auf der Ordnung
von 1021 zunehmen, ein Wert, der nicht durch
thermische Erzeugung in diesem Material mit schmaler Bandlücke verdeckt
würde.
Es ist diese Art der Zunahme der Konzentration freier Ladung, auf
die hierin als "Selbstdotierung" oder "Selbstkompensation" Bezug genommen wird.
Es ist außerdem
bemerkenswert, dass die Bandlücke
dieser Halbleiterzusammensetzungen durch Legierung mit anderen Halbleitermaterialien
wie etwa Silizium oder Schwefel oder Kohlenstoff verbreitert oder
weiter verschmälert
werden kann. Darüber
hinaus könnten
auch Senkungen der Setzstromstärke
auch durch Legierung der Zusammensetzung mit anderen Halbleitermaterialien
wie etwa Selen erzielt werden.
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Wie
vorstehend hierin angegeben, ist
5 ein
ternäres
Diagramm des Ge-Te-Sb-Halbleiterlegierungssystems.
Zusätzlich
zu den Informationen über
die zuvor erörterten
zehn Phasen, von denen die binäre und
die ternäre
Phase durch Quadrate (
)
angegeben werden, stellt dieses Diagramm Informationen über die Entmischung
anderer Legierungen bereit. Diese anderen Legierungen werden durch
Dreiecke (
),
Rhomben (♦)
und Kreise (
)
angegeben, und Phasen, in welche sich die Legierungen bei schneller
Erstarrung aus der Schmelze entmischen, werden durch die Linien
angegeben (durchgehend oder gestrichelt), die davon ausgehen. Die
Ausgangszusammensetzungen von zwei Te-reichen Schmelzen werden durch
kreisförmige
Symbole im ternären
Diagramm angegeben. Bei schneller Erstarrung erfolgt eine Phasenentmischung
dieser Gemische in elementares Te plus die Phasen B, C und D.
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Schmelzen
mit Zusammensetzungen rechts von der pseudobinären Linie, die durch Rhombus-Symbole
angegeben werden, erstarren in die Phasen, die durch die Linien
im Diagramm angegeben werden. Andere Gemische, die durch Dreiecke
im Phasendiagramm angegeben werden, erstarren in elementares Ge
und Sb und in die Phase A. Eine Legierung von besonderem Interesse
für die
Nutzung in den verbesserten Speicherelementen der vorliegenden Erfindung
ist Ge22Sb22Te56, das auch als Ge2Sb2Te5 oder 2-2-5 bezeichnet wird.
Bei schneller Erstarrung erfolgt eine Phasenentmischung dieser 2-2-5-Legierung
in ein Gemisch von zwei verschiedenen Phasen der Zusammensetzungen
B (Ge26Sb18Te56) und C (Ge18Sb26Te56), die im Phasendiagramm
von 5 angegeben werden.
Eine weitere Legierung von besonderem Interesse ist Ge14Sb29Te57 (auch als
GeSb2Te4 oder 1-2-4
bezeichnet), was der Zusammensetzung D auf der pseudobinären Linie
GeTe-Sb2Te3 entspricht.
Die 2-2-5- und die 1-2-4-Legierung sind für die Bildung des Speichermaterialvolumens
in zusammensetzungsmäßig abgestufter,
geschichteter oder kombinierter abgestufter/geschichteter Form,
wie vorstehend erörtert,
von Interesse.
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6 zeigt die Atomstruktur
von drei ternären
Legierungen des Ge-Sb-Te-Systems
sowie die Atomstruktur der binären
Ge-Te-Legierung. Zwei der drei ternären Legierungen sind die hier
vorstehend beschriebenen 1-2-4-(Zusammensetzung
D im ternären
Diagramm von 5) und
die 2-2-5-Zusammensetzung.
Die dritte ternäre
Legierung ist Ge8Sb33Te59, die auch als GeSb4Te7 oder 1-4-7 bezeichnet wird. Diese 1-4-7-Legierung
entspricht der Zusammensetzung E im ternären Phasendiagramm von 6. In den Darstellungen
der Atomstruktur dieser Legierungen stellen die leeren Kreise Ge-Atome
dar, die gestreiften Kreise stellen Sb-Atome dar, und die gepunkteten
Kreise stellen Te-Atome
dar. Wie in 6 gezeigt,
wird die Atomkonfiguration jeder dieser Legierungen, wenn sie in
der kubisch flächenzentrierten
kristallinen Struktur vorliegt, aus geordneten, wiederholten Schichten
von Atomen gebildet. Die fcc-Konfiguration bildet drei verschiedene
Arten von Schichten, die mit A, B und C in 6 gekennzeichnet sind. Schichten der
Art B und C sind Drei-Atom-Schichten, während Schichten der Art A 7-Atom-Schichten
sind.
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Die
in 6 dargestellten 1-4-7-,
1-2-4- und 2-2-5-Legierungen sind als Grundmaterialien zur Verwendung
in den elementar modifizierten Speichermaterialien der vorliegenden
Erfindung von Interesse. Die Übergangsmetalle,
zusammen mit Se, wenn vorhanden, werden relativ gleichmäßig überall in
der Te-Ge-Sb-Matrix inkorporiert und verbessern die Elektronen-/Atomstruktur, um
einen geringeren Schaltstrombedarf und eine höhere thermische Stabilität der Datenerhaltung
bewirken. Die Stromanalyse zeigt, dass das Se das Te in der Struktur
ersetzt, und obwohl die genaue Positionierung des Übergangsmetalls
nicht bekannt ist, scheint das Übergangsmetall
eine Bindung mit dem Chalkogenelement einzugehen.
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Wenn
die Ge-Sb-Te-Legierungsmaterialien durch Aufdampfen auf ein erhitztes
Substrat aufgebracht werden, werden die Materialien in anisotroper
Form aufgebracht, wie auch hier vorstehend erwähnt. Das heißt, beim
Aufbringen in dieser Form werden die Kristallite der Legierungsmaterialien
so orientiert, dass die Schichten von atomaren Bestandteilen im
wesentlichen parallel zur Substratoberfläche ausgerichtet sind. Das
führt natürlich zu
einem anisotrophen Stromfluss, macht aber eine solche Anordnung
der Atome des Materials möglich,
dass Setz- und Rücksetzimpulse
in der Durchlassrichtung angewandt werden können und dadurch noch geringere
Setz- und Rücksetzströme, -spannungen
und/oder -energien erzielt werden.
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7 ist eine grafische Darstellung
von Daten, die für
ein Speicherelement mit der nominellen chemischen Zusammensetzung
von (Te56Ge22Sb22)90Ni5Se5 aufgenommen wurden, und speziell den Elementwiderstand,
der auf der Ordinate dargestellt ist, gegenüber der Anzahl der Schreib-/Löschzyklen,
die auf der Abszisse dargestellt ist, zeigen. Das Element wurde
unter Anwendung von Impulsen mit einer Dauer von 40 Nanosekunden
bei 3,1 Volt und 2 Milliampere Strom, um das Element auf den hohen
Widerstandswert zu setzen, und von Impulsen mit einer Dauer von
400 Nanosekunden bei 1,9 Volt und 1 Milliampere Strom, um das Element
auf den niedrigen Widerstandswert zu setzen, geschaltet. Diese grafische
Darstellung zeigt ein sehr stabiles Schalten zwischen zwei nachweisbaren
Widerstandswerten bei Anwendung von Schaltimpulsen von relativ geringerer
Stromstärke
und eine Lebensdauer von mehr als 105 Schreib-/Löschzyklen.
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Durchschnittlich
können
die Speicherelemente der vorliegenden Erfindung durch eine gewählte Impulsdauer
von zwischen etwa 100 und etwa 500 Nanosekunden unter Verwendung
einer Impulsspannung von zwischen etwa 1 und etwa 2 Volt und einer
Impulsstromstärke
von zwischen etwa 0,5 und etwa 1 Milliampere auf einen niedrigen
Widerstandswert gesetzt werden und können durch eine gewählte Impulsdauer
von zwischen etwa 30 und etwa 50 Nanosekunden unter Verwendung einer
Impulsspannung von zwischen etwa 2 und etwa 3 Volt und einer Impulsstromstärke zwischen
etwa 0,75 und etwa 5 Milliampere auf einen hohen Widerstandswert
gesetzt werden. Diese Schaltströme
sind bedeutend geringer als jene von Speicherelementen, die dem
Stand der Technik entsprechen, und bieten beträchtliche Energieeinsparungen
im Vergleich zum Leistungsverbrauch des gegenwärtigen mechanischen Festplattenspeichers.
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8 ist eine grafische Darstellung
von Daten, die für
ein Speicherelement mit einer nominellen chemischen Zusammensetzung
von (Te56Ge22Sb22)90Ni5Se5 (d. h. das modifizierte Material) und ein
Speicherelement mit einer nominellen chemischen Zusammensetzung
von Te56Ge22Sb22 (d. h. das Standardmaterial) aufgenommen
wurden, und speziell die Datenhaltezeit, die auf der Ordinate dargestellt
ist, gegenüber
der Elementtemperatur (oder einer Funktion davon) auf der Abszisse
zeigen. Der Datenhalteversuch umfasst das Erwärmen des Elements auf eine
gewünschte
Versuchstemperatur und dann das Anwenden eines elektrischen Impulses
darauf, um das Element in einen hohen Widerstandszustand zu schalten.
Unmittelbar danach wird der Widerstand des Elements mehrere Male
abgelesen, um die Wirkung der erhöhten Temperatur darauf zu bewerten.
Typischerweise erhöht
sich der Widerstand für
eine kurze Zeit und beginnt dann zu fallen. Das Kriterium, welches
zum Bestimmen von Datenverlust angewandt wird, ist der Zeitpunkt,
zu dem der Elementwiderstand auf einen Wert fällt, welcher unter jenem liegt,
der unmittelbar nach Anwendung des elektrisches Impulses gemessen
wurde.
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Eine
genaue Durchsicht von 8 zeigt,
dass Elemente, die das Standardspeichermaterial aufweisen, ihre
Daten für
etwa 10 Jahre bei einer konstanten Temperatur von etwa 90 Grad C
speichern, während die
Speicherelemente der vorliegenden Erfindung, die das modifizierte
Speichermaterial aufweisen, ihre Daten für etwa 10 Jahre bei einer Temperatur
von etwa 110 Grad C speichern werden. Das stellt eine wesentliche Zunahme
gegenüber
dem Standardspeichermaterial dar und macht die Speicherelemente,
die das modifizierte Speichermaterial aufweisen, viel zuverlässiger in
Hochtemperaturanwendungen.
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Durch
die Anwendung der geschützten
Materialien und Elementkonfigurationen, die hierin offenbart werden,
wurde ein elektrisch löschbares,
direkt überschreibbares
Speicherelement entwickelt, das schnelle Les- und Schreibgeschwindigkeiten,
die denen von SRAM-Elementen nahe kommen; Nichtflüchtigkeit
und Wiederprogrammierungspotential für wahlfreien Zugriff eines
EEPROM; und einen Preis pro Megabyte Speicherung, der dem eines
Festplattenspeichers nahe kommt, bietet. Die Fähigkeiten des Materials der
vorliegenden Erfindung zur Modulation der Konzentration freier Ladungen
wird einen bedeutenden Einfluss auf dem Gebiet von Halbleiterelementen
haben. Wie im vorstehenden Hintergrundabschnitt ausführlich beschrieben,
stellt die hierin offenbarte Ladungsträgermodulation eine fünfte Art
von Ladungsträgermodulation
dar, eine, welche eine grundlegende Abkehr vom Stand der Technik
darstellt. Einfach gesagt bleiben in den Materialien der vorliegenden
Erfindung selbst nach Entfernen des Feldes die Fermi-Niveauposition,
die elektrische Leitfähigkeit und
die Konzentration freier Ladungen fest. Folglich wird es möglich, eine
neue Klasse von Halbleiterelementen zu bauen, in denen drei Anschlüsse oder
zwei Anschlüsse verwendet
werden können
und das Element auf vorgewählte
spezifische elektrische Widerstandswerte vorprogrammiert wird. Die
Programmierungsspannungen und/oder -stromstärken sind bemerkenswert gering,
und die Reaktionsgeschwindigkeiten sind bemerkenswert schnell, weil
die Halbleitermaterialien der vorliegenden Erfindung inhärente Geschwindigkeits-
und Energiefähigkeiten
aufweisen, die aus der Modulation resultieren, die in einer oder
mehreren verschiedenen kristallinen Phasen erfolgt.
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Es
gibt ein Schwellwertschaltereignis in Verbindung mit der Programmierung
des Ovonic-EEPROM, und deshalb weist die Ovonic-EEPROM-Programmierungsspannung
eine Abhängigkeit
von der Chalkogenidlegierungsschichtdicke auf. In der Tat dient
im Ovonic-EEPROM eine Schwellwertschaltspannung zum Trennen von
Leseereignissen und Programmierungsereignissen, wodurch Lesestörung ausgeschaltet
und ein guter Arbeitsspielraum während
des Lesens von Daten bereitgestellt wird. Unsere Elemente weisen
charakteristische lineare Widerstandsmerkmale auf, wenn das angewandte
Feld gering ist, gefolgt von einer allmählichen Widerstandsabnahme
mit zunehmendem Feld bis zu einer Schwellwertspannung. Sobald die
Schwellwertspannung überschritten
wird, weist das Element einen negativen Widerstandsübergang
zu einem gut leitfähigen "Dynamik Ein"-Zustand auf. Wenn
das angewandte Feld entfernt wird, kehrt das Element in einen nichtflüchtigen
programmierten Widerstandszustand zurück, dessen Wert von dem Stromstärke-/Energieprofil abhängig ist,
mit dem das Element während
seiner "Speichergleichgewichtszeit" als es im Dynamik-Ein-Zustand war,
konfrontiert wurde. Obwohl die Schwellwertspannung vom Widerstand
des Elements abhängig
ist, ist die Elementstromstärke
bei der Schwellwertspannung relativ konstant für alle Elementwiderstände. Eine
lineare Annäherung
an die Dicke, weist die Schwellwertspannungsbeziehung einen Proportionalitätsfaktor
von kleiner als eins auf, was zu einem breiten Betriebsspielraum
in Elementen mit derselben nominellen Dicke beiträgt.
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So
wie die Elementdicke verringert wird, wird der absolute Widerstand
des Elements um denselben Bruchteil abnehmen. Bei einigen Dicken
jedoch kann erwartet werden, dass Kontaktwiderstände die kleineren Widerstandswerte
des Speichermaterials dominieren. Mit den amorphen Kohlenstoffelektroden,
die wir gegenwärtig
verwenden, wird dieser Kontaktwiderstandseffekt weniger bedeutsam
sein, als mit den Silicidelektrodenmaterialien mit geringerer Leitfähigkeit
wie etwa Palladiumsilicid oder Wolframsilicid, die herkömmlicherweise
in Einrichtungen zur Wafer-Herstellung verwendet werden. Wie hierin
vorstehend erwähnt,
wurde Kohlenstoff ursprünglich
wegen seiner Fähigkeit,
Zwischendiffusion zu verhindern, gewählt; bei der Verwendung eines
Kontakts wie etwa Wolframsilicid jedoch würde die Diffusion von Wolfram
in das Chalkogenid zusätzliche p-Orbitale
bereitstellen und dadurch das hierin dargestellte elektronische
Schalten verbessern.
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Die
hierin dargelegte Offenbarung wird in Form detaillierter Ausführungsformen
dargestellt, die zum Zweck einer umfassenden und vollständigen Offenbarung
der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, und diese Details
sind nicht dahingehend auszulegen, dass sie den waren Schutzumfang
dieser Erfindung, wie er in den beigefügten Ansprüchen dargelegt und definiert
wird, beschränken.