DE69621770T2 - Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz - Google Patents

Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz

Info

Publication number
DE69621770T2
DE69621770T2 DE69621770T DE69621770T DE69621770T2 DE 69621770 T2 DE69621770 T2 DE 69621770T2 DE 69621770 T DE69621770 T DE 69621770T DE 69621770 T DE69621770 T DE 69621770T DE 69621770 T2 DE69621770 T2 DE 69621770T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sectorized
redundancy
storage device
volatile storage
electrically erasable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69621770T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69621770D1 (de
Inventor
Corrado Villa
Marco Dallabora
Caser Fabio Tassan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69621770D1 publication Critical patent/DE69621770D1/de
Publication of DE69621770T2 publication Critical patent/DE69621770T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/816—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout
    • G11C29/82—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout for EEPROMs
DE69621770T 1996-03-22 1996-03-22 Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz Expired - Fee Related DE69621770T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP96830144A EP0797145B1 (de) 1996-03-22 1996-03-22 Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69621770D1 DE69621770D1 (de) 2002-07-18
DE69621770T2 true DE69621770T2 (de) 2003-03-06

Family

ID=8225844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69621770T Expired - Fee Related DE69621770T2 (de) 1996-03-22 1996-03-22 Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5854764A (de)
EP (1) EP0797145B1 (de)
JP (1) JP3974680B2 (de)
DE (1) DE69621770T2 (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0911747B1 (de) 1997-10-20 2004-01-02 STMicroelectronics S.r.l. CAD für redundante Speichervorrichtungen
DE19843470B4 (de) * 1998-09-22 2005-03-10 Infineon Technologies Ag Integrierter Speicher mit Selbstreparaturfunktion
KR100506188B1 (ko) * 1998-10-27 2005-10-07 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 장치의 센싱 회로
JP2000268598A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Toshiba Corp 半導体メモリのリダンダンシイ回路
US6397313B1 (en) 1999-10-19 2002-05-28 Advanced Micro Devices, Inc. Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory
KR100317492B1 (ko) * 1999-12-28 2001-12-24 박종섭 플래쉬 메모리 소자의 코드저장 셀
KR100399435B1 (ko) * 2001-02-27 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치와 그의 리페어 해석 방법
KR100399922B1 (ko) * 2001-09-17 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 코드 저장 메모리 셀 선택 회로
DE60212332T2 (de) 2002-04-26 2007-06-06 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher
DE60230592D1 (de) 2002-05-21 2009-02-12 St Microelectronics Srl Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür
DE60220278D1 (de) 2002-09-30 2007-07-05 St Microelectronics Srl Verfahren zum Detektieren eines widerstandsbehafteten Weges oder eines bestimmten Potentials in nicht-flüchtigen elektronischen Speichervorrichtungen
EP1403879B1 (de) 2002-09-30 2010-11-03 STMicroelectronics Srl Verfahren zur Ersetzung von ausgefallenen nichtflüchtigen Speicherzellen und dementsprechende Speicheranordnung
US20040123181A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Moon Nathan I. Self-repair of memory arrays using preallocated redundancy (PAR) architecture
US7286380B2 (en) * 2005-09-29 2007-10-23 Intel Corporation Reconfigurable memory block redundancy to repair defective input/output lines
US7379330B2 (en) * 2005-11-08 2008-05-27 Sandisk Corporation Retargetable memory cell redundancy methods
US7414891B2 (en) 2007-01-04 2008-08-19 Atmel Corporation Erase verify method for NAND-type flash memories
US7882405B2 (en) * 2007-02-16 2011-02-01 Atmel Corporation Embedded architecture with serial interface for testing flash memories
US20080232169A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Atmel Corporation Nand-like memory array employing high-density nor-like memory devices
CN112379843B (zh) * 2020-11-23 2022-09-23 上海儒竞智控技术有限公司 Eeprom数据处理方法、系统、存储介质及终端

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5347484A (en) * 1992-06-19 1994-09-13 Intel Corporation Nonvolatile memory with blocked redundant columns and corresponding content addressable memory sets
DE69319886T2 (de) * 1993-03-31 1999-03-18 Sgs Thomson Microelectronics Halbleiterspeicher mit Speichermatrix, der mit einem einzigen Sektor assoziierte Redundantezellenspalte enthält
US5349558A (en) * 1993-08-26 1994-09-20 Advanced Micro Devices, Inc. Sector-based redundancy architecture
DE69412230T2 (de) * 1994-02-17 1999-04-08 Sgs Thomson Microelectronics Verfahren zur Programmierung von Redundanzregistern in einer Spaltenredundanzschaltung für einen Halbleiterspeicherbaustein

Also Published As

Publication number Publication date
US5854764A (en) 1998-12-29
EP0797145B1 (de) 2002-06-12
EP0797145A1 (de) 1997-09-24
JPH1027499A (ja) 1998-01-27
DE69621770D1 (de) 2002-07-18
JP3974680B2 (ja) 2007-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69621770T2 (de) Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz
DE69524645T2 (de) Speicherzelle mit programmierbarer Antischmelzsicherungstechnologie
DE69517978D1 (de) Nichtflüchtige speicheranordnung mit schutzanordnung
DE69720614D1 (de) Verschlüsselungseinheit mit Kontaktpunktlogik
DE59915200D1 (de) Elektrisch programmierbare, nichtflüchtige Speicherzellenanordnung
DE69842139D1 (de) Speichergerät, Speichersteuerverfahren und Speichermedium
DE69434679D1 (de) Elektrisch programmierbare Festwertspeicheranordnung
DE69528380D1 (de) Zusammenlegbarer unterstand mit flexibler, zusammenlegbarer überdachung
DE69227584T2 (de) Nicht-fluechtige loeschbare und programmierbare verbindungszelle
DE69825278D1 (de) Spiralkompressor mit kapazitätsregelung
DE69825270D1 (de) Spiralkompressor mit kapazitätsregelung
NO974372D0 (no) Brönnstyringssystemer med nettverk nede i brönnen
DE69718896T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit Redundanz
DE69739435D1 (de) Lagerwerkstoff
DE69733191D1 (de) Zweisenderschaltung mit sicherungsfunktion
FR2771839B1 (fr) Memoire non volatile programmable et effacable electriquement
DE69618928D1 (de) Halbleiterspeichergerät mit Zeilenredundanz
DE69522545D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit eingebauten Redundanzspeicherzellen
DE59703299D1 (de) Redundanzspeichervorrichtung mit rom-speicherzellen
DE69909969D1 (de) Unflüchtiger Speicher mit Zeilenredundanz
DE69509581T2 (de) Elektrisch programmierbare Speicherzelle
DE69905418D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit Redundanz
DE69803215T2 (de) Programmierbare speicherzelle
DE69502400D1 (de) Feuerdetektor mit nichtflüchtigem speicher
DE59711356D1 (de) Aprotinin-Variante mit verbesserten Eigenschaften

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee