DE69604212T2

DE69604212T2 - Plasmareaktor

Info

Publication number: DE69604212T2
Application number: DE69604212T
Authority: DE
Inventors: Hiroji Hanawa; Peter K. Loewenhardt; Diana Xiaobing Ma; Philip M. Salzman; Gerald Zheyao Yin; Allen Zhao
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1995-02-15
Filing date: 1996-01-23
Publication date: 2000-03-23
Anticipated expiration: 2016-01-24
Also published as: ATE184729T1; EP0727807B1; DE69604212D1; EP0727807A1; JPH08321490A; US5753044A; KR960032622A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf induktiv oder kapazitiv gekoppelte HF-Plasmareaktoren, die zum Bearbeiten von Halbleiterwafern verwendet werden, und insbesondere auf Verbesserungen zum Erhöhen der Plasma-Ionendichtengleichmäßigkeit über der Waferoberfläche.
Induktiv gekoppelte Plasmareaktoren werden derzeit zum Durchführen unterschiedlicher Verfahren an Halbleiterwafern, wie zum Beispiel Metallätzen, dielektrisches Ätzen und chemische Dampfabscheidung, verwendet. Bei einem Ätzverfahren ist ein Vorteil eines induktiv gekoppelten Plasmas, daß eine Hochdichtigkeits-Plasmaionendichte erzeugt wird, die eine hohe Ätzrate bei einer minimalen Gleichvorspannung erlaubt, wodurch über die Plasma-Gleichvorspannung eine bessere Kontrolle ausgeübt werden und dadurch der Schaden an den Vorrichtungen gering gehalten werden kann. Zu diesem Zweck sind die an die Antenne angelegte Quellenenergie und die an die Waferhalterung angelegte Gleichvorspannung getrennt gesteuerte HF-Quellen. Die Vorspann- und Quellenenergie zu trennen erleichtert nach bekannten Verfahren eine unabhängige Steuerung von Ionendichte und Ionenenergie.
Zum Erzeugen eines induktiv gekoppelten Plasmas ist die Antenne eine Spule an der Kammer, wobei der Spulenleiter an die HF-Energiequelle angeschlossen ist. Der Spulenleiter liefert die HF-Energie, die das Plasma zündet und aufrechterhält. Die Geometrie des Spulenleiters kann zum großen Teil die räumliche Verteilung des Plasma-Ionendichte in der Reaktorkammer bestimmen.
Ein Problem bei einem solchen Plasmareaktor ist, daß die räumliche Verteilung der Plasma-Ionendichte über die Waferoberfläche oft nicht gleichmäßig ist. Dies ist bei einem Metallätzverfahren ein Problem, zum Beispiel weil die Ätzrate durch die Plasma-Ionendichte beeinflußt wird und daher die Ätzrate nicht über den ganzen Wafer hinweg gleichmäßig ist. Der Ätzvorgang ist daher schwierig zu steuern, und an manchen Teilen werden Vorrichtungen überätzt und an anderen Teilen des Wafers werden Vorrichtungen unterätzt, was zu einer verringerten Ausbeute bei der Produktion führt.
Einer der Gründe für eine ungleichmäßige Plasma-Ionendichteverteilung ist die Spulengeometrie und -anordnung. Ein weiterer Grund ist die Form des Plasmas selbst, die zum großen Teil durch die Form der Reaktorkammer bestimmt wird, insbesondere der Decke der Reaktorkammer.
Allgemein ist die Induktionsspule eines induktiv gekoppelten Plasmareaktors um die Reaktorkammer gewickelt, auch wenn sie nicht mit der Form der Reaktorkammerwände konform gehen muß. Verschiedene Bereiche der Waferoberfläche sind notwendigerweise durch unterschiedliche Entfernungen von den nächsten Spulenwicklungen entfernt und erfahren daher unterschiedliche Plasma-Ionendichten.
Je nach der Form der Reaktorkammerdecke ist mehr Plasmavolumen über der Wafermitte und weniger über den Waferrändern, insbesondere zum Beispiel im Fall einer konischen oder halbkugelförmigen Decke. Es sind daher inhärente räumliche Unregelmäßigkeiten in der Ionenflußdichte vorhanden.
Eine andere Vorgehensweise ist im US-Patent Nr. 4,948,458 (James Ogle) offenbart, wo ein Plasmareaktor eine flache Decke hat und eine flache auf der Decke liegende Spulenantenne. Hierdurch wird jedoch erfahrungsgemäß allgemein die Ionendichtengleichmäßigkeit nicht verbessert, und außerdem leidet diese Möglichkeit unter einer relativ hohen kapazitiven Kopplung im Plasma, wodurch eine Steuerung der Plasma-Ionenenergie behindert wird. Eine Modifikation hiervon ist im US-Patent Nr. 5,368,710 (Chen et al.) offenbart, bei dem ein Versuch unternommen wird, die Plasmaeigenschaften, wie zum Beispiel die Dichte, durch Erhöhen der Dicke der dielektrischen Kammerabdeckung gegen die Mitte der Kammer hin zu steuern. Es wird jedoch durch dieses Verfahren keine flexible Möglichkeit der Einstellung von Plasmaeigenschaften erreicht.
In der EP-0596553 ist eine Plasmabearbeitungsvorrichtung zur Herstellung von IC-Schaltungen mit einer Kammer in der Form einer halbkugelförmigen Quarzkuppelglocke und einer Plattform zum Halten auf ihrer Oberfläche eines Substrats in der Kammer offenbart. Eine halbkugelförmig ausgebildete Induktionsspule mit mehreren helixförmigen Wicklungen erstreckt sich über die halbkugelförmige Kammer und ist zum Erzeugen eines Plasmas in der Kammer mit einer Niederfrequenz-Energiequelle verbunden. Es wird jedoch keine flexible Möglichkeit der Einstellung von Plasmaeigenschaften erreicht.
Die unter Art. 54(3) und (4) EPÜ zitierte EP-A-0685873 und EP-A-0641013 offenbaren weitere Plasmareaktoren mit Vakuumkammern mit um darum herum verlaufenden Antennen, die zum Erzeugen eines Plasmas durch Induktionskopplung HF-Energie in die Kammer strahlen können.
Es besteht daher ein Bedarf nach einem Plasmareaktor, der eine flexible Einstellung von Plasmaeigenschaften erlaubt, wodurch die Gleichmäßigkeit der Plasma-Ionendichteverteilung optimiert wird.
Erfindungsgemäß ist ein Plasmaätzreaktor vorgesehen mit einer Reaktorkammer mit einer allgemein bogenförmig gewölbten Decke, einer Waferhalterung zum Halten eines Wafers zur Bearbeitung, wobei die Decke in gegenüberliegender, beabstandeter und überlagernder Beziehung zur Halterung ist, einer Vorrichtung zum Einführen eines Prozeßgases in die Kammer, einer HF-Energiequelle und einem Leiter, der über und in Nachbarschaft zur Decke entlangführt und mit der HF-Energiequelle verbunden ist, wobei der Leiter in einer radialen Entfernung von der Mitte der Decke mindestens eine Zone hat, die einen größeren Abstand von der Decke hat als die anderen Zonen des Leiters.
In einer Ausführungsform ist der erfindungsgemäße Reaktor ein induktiv gekoppelter HF-Plasmareaktor zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers und weist eine Reaktorkammer mit einer Seitenwand und einer Decke, eine Waferhalterung zum Halten des Wafers in der Kammer, eine HF-Energiequelle, eine Vorrichtung zum Einlassen von Prozeßgas in die Reaktorkammer und eine Induktionsspule an der Reaktorkammer, die mit der HF-Energiequelle verbunden ist, auf, wobei die Induktionsspule die folgenden Elemente aufweist: (a) einen an einem Teil der Seitenwand liegenden Seitenteil, der eine untere Wicklung und eine obere Wicklung aufweist, wobei die obere Wicklung auf einer Höhe liegt, die mindestens ungefähr einer unteren Höhe der Decke entspricht, (b) einen oberen Teil, der sich von der oberen Wicklung des Seitenteils radial nach innen erstreckt, so daß er mindestens über einem beträchtlichen Teil der Decke liegt. Vorzugsweise hat die Decke eine Kuppelform, die eine Kuppelform mit mehreren Radien sein kann, mit einem minimalen Krümmungsradius in der Nähe eines äußeren Rands der Decke und einem maximalen Krümmungsradius nahe einem Scheitelpunkt der Decke. Vorzugsweise ist der obere Teil eine flache scheibenförmige Spule, während der Seitenteil entweder eine zylinderförmige Spule, eine Spule in der Form eines Kegelstumpfs, dessen Radius von unten nach oben kleiner wird, oder eine gekrümmte Wicklung, deren Radius von unten nach oben kleiner wird, ist. Bei einer Ausführungsform ist der Seitenteil und der obere Teil als ein durchgehender gewickelter Leiter ausgebildet. Bei einer anderen Ausführungsform sind der obere Teil und der Seitenteil getrennte Wicklungen, wobei die HF-Energiequelle zwei unabhängige HF-Energiequellen aufweist, wobei die unabhängigen Energiequellen jeweils entsprechend mit dem oberen Teil und dem Seitenteil verbunden sind, um so eine unabhängige Steuerung der HF-Energie jeweils im oberen Teil und im Seitenteil zu ermöglichen.
Es folgt eine Beschreibung einiger spezifischer Ausführungsformen der Erfindung anhand der Zeichnungen. Es zeigt:
Fig. 1 einen schematischen Schnitt durch ein Beispiel eines induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktors, der zum Verständnis der Erfindung beiträgt,
Fig. 2 einen schematischen Schnitt durch ein Beispiel eines induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktors, der zum Verständnis der Erfindung beiträgt,
Fig. 3 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer dritten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 4 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer vierten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 5 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer fünften Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 6 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer sechsten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 7 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer siebten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 8 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktors nach einer achten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 9 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer neunten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 10 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer zehnten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 11 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer elften Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 12 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer zwölften Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 13 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer dreizehnten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 14 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer vierzehnten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 15 einen schematischen Schnitt durch einen induktiv gekoppelten HF-Plasmareaktor nach einer fünfzehnten Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 16 eine Ausführungsform nach Fig. 1, bei der eine aus mehreren konzentrischen Spiralleitern bestehende Induktionsspule verwendet wird,
Fig. 17 eine Ausführungsform nach Fig. 5, bei der eine aus mehreren konzentrischen Spiralleitern bestehende Induktionsspule verwendet wird,
Fig. 18 eine Ausführungsform nach Fig. 11, bei der eine aus mehreren konzentrischen Spiralleitern bestehende Induktionsspule verwendet wird,
Fig. 19 eine Ausführungsform nach Fig. 14, bei der eine aus mehreren konzentrischen Spiralleitern bestehende Induktionsspule verwendet wird,
Fig. 20 eine Modifikation der Ausführungsform von Fig. 19, bei der unterschiedliche Teile der Induktionsspule unabhängig mit Energie versorgt werden, und
Fig. 21 eine Kurvendarstellung experimenteller Daten, wobei die räumlichen Verteilungen der Plasma-Ionenflußdichte bei einer mit der Kuppeldecke verlaufenden Induktionsspule und bei einer rechteckzylinderförmigen Induktionsspule verglichen werden.
Die hier beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich auf eine Plasma-Energiequelle, die einen Leiter verwendet, der an eine HF-Energiequelle angeschlossen ist und über der Plasmakammerdecke liegt, wobei der Leiter vorzugsweise eine Induktionsspule oder Antenne ist, zum Beispiel mit bestimmten Formen oder Formbereichen. Die Erfindung kann aber auch unter Verwendung einer Plasmaenergiequelle angewendet werden, wobei ein Leiter verwendet wird, der eine kapazitive Elektrode mit den gleichen bestimmten Formen oder Formbereichen ist, wobei die Spulenwicklungen durch einen einstückigen leitfähigen Film als die kapazitive Elektrode ersetzt werden. In jedem Fall definiert, oder geht mit dieser konform, der Leiter (d. h. die Spulenwicklungen oder der einstückige leitfähige Film) eine dreidimensionale Oberfläche oder Form einer noch zu beschreibenden Auswahl von Formen, wie zum Beispiel einem Kegelstumpf, einer Kuppel und einer Kuppel mit mehreren Radien.
Die vorliegende Erfindung ermöglicht das Formen oder Angleichen der Form der Plasmaionendichte durch Verändern der Form des Leiters oder der Decke oder von beidem. Die Form der Decke wird vorzugsweise dadurch verändert, daß eine Decke in der Form einer Mehrfachradiuskuppel vorgesehen wird, und durch individuelles Einstellen der verschiedenen Radien der Decke zum Erzielen einer erwünschten Deckenform. Die Mehrfachradiuskuppel-Ausführungsform der Decke hat einen größeren Plasmaenergiewirkungsgrad als jede andere Deckenform einschließlich der (halbkugelförmigen) Einradius-Kuppel. Die Form des Leiters wird nach Anspruch 1 jeweils der Form der Decke angeglichen.
Diese Einstellungen erlauben, daß die Plasmaionendichte über die Waferoberfläche annähernd gleichmäßig wird, wodurch eine optimale Bearbeitungsgleichmäßigkeit erzielt wird. Solche Einstellungen wirken sich auf die Plasmaionendichte aus, weil die Ionendichte durch drei Faktoren beeinflußt wird, nämlich die Ionendiffusion, die lokale Ionisierung in der Nähe der Induktionsspule und die lokale Rekombination in der Nähe von Oberflächen, wie zum Beispiel der Deckenoberfläche. In einem Reaktor, bei dem die Entfernungen zwischen dem Wafer und der Decke und zwischen dem Wafer und der Induktionsspule relativ klein sind (z. B. in der Größenordnung, jedoch nicht auf diese beschränkt, von weniger als 30 bzw. 32 cm), sind die letzteren beiden Faktoren (lokale Ionisierung in der Nähe der Induktionsspule und lokale Rekombination in der Nähe der Deckenoberfläche) beträchtlich, und die vorliegende Erfindung kann mit guter Wirkung eingesetzt werden. Eine Veränderung der Form der Induktionsspule verändert so das räumliche Profil der lokalen Ionisierung in der Nähe der Induktionsspule, während ein Verändern der Mehrfachradiusdeckenform das räumliche Profil der lokalen Rekombination an der Innenoberfläche der Decke verändert, wodurch die Plasmaionendichte neu geformt wird.
Gemäß Fig. 1, die als Beispiel zum besseren Verständnis der Erfindung angegeben ist, weist ein induktiv gekoppelter HF-Plasmareaktor eine Reaktorkammer mit einer geerdeten leitfähigen zylindrischen Seitenwand 10 und einer dielektrischen Decke 12 auf, wobei der Reaktor eine Waferhalterung 14 zum Halten eines Halbleiterwafers 16 in der Mitte der Kammer, eine einen oberen Teil der Kammer umgebende zylindrische Induktionsspule 18, die von der Ebene der Oberseite des Wafers oder der Waferhalterung 14 beginnt und sich von da nach oben zum oberen Ende der Kammer hin erstreckt, eine Prozeßgasquelle 22 und einen Gaseinlaß 24 zum Liefern eines Prozeßgases in das Innere der Kammer und eine Pumpe 26 zum Steuern des Kammerdrucks aufweist. Die Induktionsspule 18 wird durch eine Plasmaquellen-Energieversorgung oder einen HF-Generator 28 oder ein herkömmliches aktives HF-Anpassungsnetzwerk 30 mit Strom versorgt, wobei die oberste Wicklung der Induktionsspule 18 "heiß" und die unterste Wicklung geerdet ist. Die Waferhalterung 14 weist einen inneren leitfähigen Teil 32 auf, der an eine HF-Vorspannungs-Energiequelle oder einen Generator 34 angeschlossen ist, und einen (vom inneren leitfähigen Teil 32 isolierten) äußeren geerdeten Leiter 36 auf. Ein leitfähiger geerderter HF-Schild 40 umgibt die Induktionsspule 18.
Die Gleichmäßigkeit der räumlichen Plasmadichteverteilung über den Wafer hinweg wird (im Verhältnis zu konischen oder halbkugelförmigen Decken) durch eine Formung der Decke 12 als Mehrfachradiuskuppel und durch individuelles Bestimmen oder Einstellen eines jeden der vielen Radien der Decke 12 verbessert. Die Mehrfachradiusform im Beispiel von Fig. 1 flacht die Krümmung der Kuppeldecke 12 um die Mitte der Kuppel herum ab, wobei die Randbereiche der Kuppel eine stärkere Krümmung aufweisen. Die Mehrfachradiuskuppeldecke von Fig. 1 hat zwei Radien, nämlich einen Radius R mit 15 Zoll (37,5 cm) oben und einen Radius r von 3,5 Zoll (8,75 cm) an der Kante. Bei einem weiteren Beispiel ist der obere Radius R 13 Zoll (32,5 cm), während der Kantenradius r 4 Zoll (10 cm) beträgt.
In noch einem weiteren Beispiel ist ein Raum von ungefähr 10 cm (4 Zoll) bzw. ein horizontaler Abstand zwischen dem Rand des Wafers 16 und der Innenoberfläche der Kuppel 12, die durch die Ebene der Waferoberfläche durchschnitten wird. Hierdurch wird eine gleichmäßige Plasmabearbeitung des Wafers sichergestellt, die im wesentlichen frei von Randeffekten ist. Je nach dem Anwendungsgebiet kann dieser Raum in dem Bereich von 8 cm bis 15 cm liegen, ist aber nicht auf diesen Bereich beschränkt.
Wie in Fig. 2 veranschaulicht, die hier als zum Verständnis der Erfindung nützliches Beispiel angeführt ist, kann die Induktionsspule 18 an die HF-Energiequelle 28, 30 in einer Spiegel-Spulenkonfiguration angeschlossen sein, die in der EP- A-0 694 949 offenbart ist und Applied Materials, Inc. übertragen wurde. Bei der Spiegel-Spulenkonfiguration von Fig. 2 ist die HF-Quelle 28, 30 an die Mittelwicklung der Induktionsspule 18 angeschlossen, während das obere und das untere Ende der Induktionsspule beide geerdet sind. Wie in der EP-A-0 694 949 beschrieben, hat die Spiegel-Spulenkonfiguration den Vorteil, daß sie das Maximalpotential an der Spule verringert.
Die Plasmadichteverteilung kann von derjenigen abgewandelt werden, die im Beispiel von Fig. 1 erhalten wird, indem anstelle einer zylindrischen Induktionsspule eine teilweise konisch geformte Induktionsspule 40 vorgesehen wird, wie in Fig. 3 gezeigt. Die oberen Wicklungen der konischen Induktionsspule 40 von Fig. 3 sind dem Wafer 16 näher als die oberen Wicklungen der zylindrischen Induktionsspule 18 von Fig. 1. Wie in Fig. 4 veranschaulicht, kann die konische Induktionsspule 40 mit der Energiequelle 28, 30 in einer Spiegel-Spulenkonfiguration verbunden sein, die analog zu der oben anhand von Fig. 2 beschriebenen Konfiguration ist.
Fig. 4 zeigt, daß aufgrund der Nicht-Übereinstimmung zwischen der konischen Spulenform und der gebogenen Deckenform die Kegelstumpf-Induktionsspule 40 in der Nähe der unteren Ecke der Decke weiter von der Decke 12 entfernt ist als an anderen Orten entlang der Decken-Spulen-Schnittstelle. Dieses Merkmal unterdrückt vorteilhaft das Sputtern in der unteren Ecke der Decke 12. Aus diesem Grund wird bei vielen Anwendungsgebieten (Induktionsspule oder kapazitive Elektrode) ein Leiter bevorzugt, der nicht konform mit der Form der Decke verläuft.
Fig. 5 zeigt eine erste Ausführungsform der Hybrid-In duktionsspule 42 der Erfindung. Die Hybrid-Induktionsspule 42 ist vorzugsweise aus ein und demselben Leiter als einstückige Spule gewickelt, die einen zylinderförmigen Teil 44 aufweist und in einem flachen Oberteil 46 ausläuft. Der zylinderförmige Teil 44 ist allgemein in einer Weise konfiguriert, die dem Leiter 18 von Fig. 1 ähnelt. Die gesamte Induktionsspule 42 wird durch die gleiche Energiequelle 28, 30 versorgt. Die Ausführungsform von Fig. 5 ist auf die gleiche Weise an die Energiequelle 28, 30 angeschlossen wie das Beispiel von Fig. 1, bei dem die obere Wicklung 42a HF-"heiß" ist, während die untere Wicklung 42b geerdet ist. Außerdem ist die obere Wicklung 42a der Hybrid-Induktionsspule 42 sowohl die obere Wicklung 44a des zylindrischen Teils 44 als auch die äußerste Wicklung 46a des flachen Teils 46. Das Ende der innersten Wicklung 46b des oberen Teils 46 ist ebenfalls geerdet, wie in Fig. 5 gezeigt. Fig. 6 zeigt, wie die Ausführungsform von Fig. 5 verändert werden kann, indem der Anschluß der Energiequelle 28, 30 zu einer Wicklung verschoben wird, die nicht die oberste Wicklung 42a ist, wie zum Beispiel zur mittleren Wicklung 44c des zylindrischen Teils 44. Fig. 7 zeigt eine Modifikation, bei der der flache obere Teil 46 einen Freiraum oder eine Öffnung 48 eines Innenradius r aufweist. Diese Innenöffnung kann die Tendenz des oberen Teils 46, in der Wafermitte eine höhere Plasmaionendichte zu erzeugen, ausgleichen, so daß die Ausführungsform von Fig. 7 mit der Öffnung 48 eine gleichmäßigere Plasmaionendichte erzeugt als die Ausführungsformen von Fig. 5 oder 6 allgemein.
Fig. 8 zeigt eine zweite Ausführungsform des Hybridinduktors, der einen flachen oberen Teil 46 und eine konische Spule 50 auf der Seite aufweist, die der konischen Induktionsspule 40 von Fig. 3 anstelle des zylindrischen Teils 44 von Fig. 5 entspricht. Wie bei der Ausführungsform von Fig. 5 sind beide Teile 46, 50 der Spule aus einem durchgängigen Leiter gewickelt, und eine mit der oberen Wicklung 50a verbundene Energiequelle 28, 30 versorgt die gesamte Induktionsspule. Fig. 9 zeigt, wie die Energiequelle 28, 30 an eine Wicklung angeschlossen sein kann, die wie in Fig. 6 nicht die obere Wick lung 50a ist. Fig. 10 zeigt, wie eine Mittelöffnung 48 im oberen Teil 46 in Kombination mit der konischen Seitenspule 50 vorgesehen sein kann.
Fig. 11 zeigt eine dritte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Hybrid-Induktionsspule, bei der der zylindrische Seitenteil 44 oder die konische Seitenspule 50 durch eine gewölbt geformte (z. B. in Kuppelform) Spule 52 ersetzt ist, wobei die Energiequelle 28, 30 mit der äußersten Wicklung 46a des obersten Teils 46 verbunden ist. Wie in Fig. 5 sind beide Spulenteile 46, 52 durchgängig aus dem gleichen Leiter gewickelt und von einer Energiequlle 28, 30 versorgt. In Fig. 11 ist der mittlere oder obere Spulenteil 46 am flachsten, während der Seiten- oder untere Spulenteil 52 am steilsten ist, wobei der obere Spulenteil am engsten mit der flachen Form der Mitte der Multi-Radius-Kuppeldecke 12 konform verläuft und diese Konformität sich mit zunehmender Entfernung von der Mitte verringert. Bei einer alternativen Ausführungsform kann die gesamte Induktionsspule 46, 52 zur Erreichung einer vollständigen Konformität exakt die gleiche Form haben wie die Decke 12.
Fig. 12 zeigt, wie die Öffnung 48 im oberen Teil 46 mit der gewölbten Seitenspule 52 kombiniert sein kann. In Ausführungsformen wie derjenigen von Fig. 12, bei der der Leiter (Induktionsspule 52 oder kapazitiven Elektrode der gleichen Form) mindestens fast konform mit der Kuppeldecke ist, ist die Ionenstromdichte normalerweise in der Nähe der Wafermitte höher und daher in unerwünschter Weise ungleichmäßig, vorausgesetzt, der höchste Teil der Decke (die Mitte) ist mindestens 75 cm (30 Zoll) über dem Wafer. (Eine geringere Höhe, wie zum Beispiel 50 cm oder weniger, führt dazu, daß aufgrund von Rekombinationseffekten in der Nähe der Decke die Ionenstromdichte in der Wafermitte niedriger ist als an anderen Orten des Wafers.) Das Problem einer übergroßen Ionendichte in der Wafermitte wird durch die Öffnung 48 gelöst, weil die Öffnung 48 die Ionenstromdichte in der Wafermitte auf ein Maß verringert, das gleich der Ionenstromdichte über dem restlichen Wafer ist, je nach dem Radius der Öffnung 48. Vorzugs weise würde zum Beispiel eine Kammer mit einem Durchmesser von 50 cm zur Bearbeitung eines Wafer mit einem Durchmesser von 30 cm mit einem fast konformen Leiter (z. B. einer Induktionsspule), wie dem in Fig. 12 gezeigten, eine Öffnung 48 in einem Durchmesserbereich von 15 cm bis 25 cm erfordern, damit so über die Waferoberfläche eine gleichmäßige Ionenstromdichte erzeugt wird. Als weiteres Beispiel würde eine Kammer mit einem Durchmesser von 35 cm zur Bearbeitung eines Wafers mit einem Durchmesser von 20 cm eine Öffnung 48 erfordern, die in einem Bereich von ungefähr 10 cm bis 20 cm ist.
Anwendungen der Ausführungsform von Fig. 12, bei denen die Induktionsspule 52 mit der Decke 12 konform ist, gewähren ein leichtes Zünden des Plasmas. Auch wenn im Vergleich dazu die nichtkonformen Ausführungsformen, wie zum Beispiel die konische Induktionsspule von Fig. 4, ein Plasma nicht ganz so leicht zünden, unterdrücken sie ein Sputtern in der Nähe der unteren Deckenecke, wie oben erörtert, besser. Bei Plasmaquellenpegeln über 2000 Watt wird daher die Ausführungsform von Fig. 4 bevorzugt, während bei Plasmaquellenpegeln unter 2000 Watt die Ausführungsform von Fig. 12 (mit einer konform mit der Decke verlaufenden Spulenform und -öffnung) bevorzugt wird.
Fig. 13 veranschaulicht, wie die Ausführungsform von Fig. 5 modifiziert werden kann, indem die Teile 44, 46 der einstückigen Spule elektrisch voneinander getrennt werden und jeder Spulenteil 44, 46 mit getrennt steuerbaren unabhängigen HF-Energiequellen 28, 30 und 28', 30' versorgt wird. Dieses Merkmal hat den Vorteil, daß die Plasmaionendichte in der Wafermitte im Verhältnis zur Plasmaionendichte an einer anderen Stelle gesteuert werden kann, indem die Ausgangsleistung einer der Energiequellen 30, 30' im Verhältnis zur anderen verändert wird. Fig. 14 und 15 veranschaulichen, wie die gleiche Modifikation auch an den Ausführungsformen von Fig. 8 bzw. 11 vorgenommen werden kann.
Die Zweifach-Energieversorgungs-Ausführungsformen von Fig. 13 bis 15 können gegebenenfalls zum Verringern der Plasmaionendichte in der Wafermitte verwendet werden, indem die an den flachen oberen Teil der Spule von der HF-Quelle 28', 30' angelegte Energie erhöht wird oder indem sie im Falle einer unzureichenden Plasmaionendichte in der Wafermitte verringert wird. Weitere Einstellungen der Eingangsleistung sind möglich zum Vorspannen der Halterung und des Substrats im Verhältnis zu den Eingangsleistungen an die Spulenteile.
Wie in Fig. 16 zu sehen ist, kann die zylindrische Induktionsspule 18 von Fig. 1 durch einen Mehrfach-Spiralen-Spulen- Induktor 60 ersetzt werden, der aus mehreren (z. B. drei) konzentrischen Spiralleitern 62, 64, 66 besteht, die durch entsprechende gerade Leiter 62a, 64a, 66a an einen gemeinsamen Scheitelpunkt 68 angeschlossen sind. Das HF-Anpassungsnetzwerk 30 ist mit dem Scheitelpunkt 68 verbunden, während die Enden 62b, 64b, 66b der Spiralleiter 62, 64, 66 geerdet sind. Vorzugsweise sind die Spiralleiter 62, 64, 66 gleich lang, so daß die Enden 62b, 64b, 66b gleich beabstandet um einen Bogen herum angeordnet sind. Ein solcher Mehrfach-Spiral-Spulen- Induktor ist in der EP-A-0 710 055 offenbart und an Applied Materials, Inc. übertragen.
In Fig. 17 ist zu sehen, daß die Induktionsspule 42 in Form eines rechtwinkligen Zylinders von Fig. 5 auch durch einen Mehrfach-Spiral-Spulen-Induktor 60', wie den von Fig. 16, ersetzt werden kann. In Fig. 17 verlaufen die mehrfachen Spiralen vom Außendurchmesser des Mehrfach-Spiral-Spulen- Induktors 60' zum Scheitelpunkt 68.
Wie in Fig. 18 zu sehen ist, kann die kuppelförmige Induktionsspule von Fig. 11 auch durch einen kuppelförmigen Mehrfach-Spiral-Spulen-Induktor 60" ersetzt werden, der aus mehreren (z. B. drei) konzentrischen Spiralleitern 62", 64", 66" besteht, die an einem gemeinsamen Scheitelpunkt 68" miteinander verbunden sind. Bei einer Variation, die allgemein auf hier offenbarte Mehrfach-Spiral-Spulen-Induktoren anwendbar ist, sind der Scheitelpunkt 68" und die Enden aller der mehreren Spiralleiter 62", 64", 66" geerdet, während das HF-Anpassungsnetzwerk 30 (ähnlich zum Beispiel der Spiegel- Spulenkonfigurationen von Fig. 2, 4, 6, 8, 9 und 11) an Mittelpunkten entlang der jeweiligen mehreren Spiralleiter 62", 64", 66" angeschlossen ist. Hierbei werden die Spiralleiter 62", 64", 66" jeweils in zwei Abschnitte aufgeteilt, auch wann die Anzahl von Abschnitten größer als zwei sein kann. Bei zwei Abschnitten sind die Abschnitte Spiegelspulen. Zu diesem Zweck sind benachbarte Abschnitte entgegengesetzt gewickelt (in entgegengesetzten Richtungen gewickelt), so daß die Magnetfelder aller Abschnitte sich konstruktiv addieren, wie in den beiden oben angeführten Anmeldungen von Yen et al. und von Qian et al. beschrieben. Es wird veranschaulicht, wie eine Ausführungsform mit mehreren Spiral-Spulen-Induktoren durch eine Spiegel-Spulenkonfiguration zum Herstellen von mehreren Spulenabschnitten modifiziert werden kann, wie im einzelnen in der oben erwähnten Anmeldung EP-A-0 710 055 beschrieben.
Wie in Fig. 19 zu sehen ist, kann die kegelstumpfförmige Induktionsspule 46 von Fig. 14 durch einen Mehrfach-Spiral- Spulen-Induktor 80 der gleichen Form ersetzt werden, der aus mehreren (z. B. drei) konzentrischen Spiralleitern 82, 84, 86 besteht, die an einem gemeinsamen Scheitelpunkt 88 miteinander verbunden sind. Wie in Fig. 20 zu sehen ist, was eine weitere Modifikation ist, die allgemein auf hier offenbarte Mehrfach- Spiral-Spulen-Induktoren anwendbar ist, ist die Induktionsspule 80 in zwei getrennt getriebene Abschnitte aufgeteilt, einen oberen Teil 80a und einen unteren Teil 80b. Die beiden Abschnitte 80a, 80b werden unabhängig voneinander durch getrennt steuerbare HF-Generatoren 28, 28' bzw. HF-Abstimmnetze 30, 30' getrieben. Bei einer noch anderen Modifikation führt ein Ausschalten des oberen Teils 80a zu einem Induktor (80b) mit einer Mittelöffnung wie bei den Ausführungsformen von Fig. 10 und 12, die oben beschrieben sind. Auf diese Weise können beide Vorteile der optimierten Steuerung gegenüber vielen anderen Plasma-Faktoren gleichzeitig realisiert werden.
Zusammengefaßt weisen die in Fig. 1 und 2 gegebenen Beispiele sowie die Ausführungsformen von Fig. 3 bis 20 allgemein eine gewölbte, nicht leitfähige oder dielektrische Decke 12 auf, die eine Kuppel sein kann und vorzugsweise eine Multi-Radius-Kuppel ist, die zur Waferhalterung 32, 36 ein gegenüberliegendes, beabstandetes und überlappendes Verhältnis aufweist. Der Mittelteil der Decke 12 ist im Verhältnis zur Induktionsspule 18 und zur Waferhalterung 32, 36 zentriert und hat den größten Radius und der Rand- oder Umlauf-Teil der Decke 12 hat den kleinsten Radius, so daß der über der Waferhalterung 32, 36 liegende Mittelteil der flachste Teil ist und einen beträchtlichen Teil des Durchmessers der Decke 12 ausmacht, während der verbleibende Randteil am steilsten und gekrümmtesten ist. Vorzugsweise ist der Induktor 18 eine Spule, die vorzugsweise, wie in Fig. 11 oder 12, in einer Mehrfachradiusform gewickelt ist, die aber in dem Bereich zwischen der Rechtwinkelzylinderform von Fig. 1 und 2 bis zur planaren Form des oberen Teils 46 der Induktionsspulen von Fig. 5 bis 14 reichen kann, wobei die bevorzugten konischen und Mehrfachradius-Formen in diesem Bereich liegen. Die bevorzugten Multi-Radius-Spulen-Induktoren 52 von Fig. 11 und 12 sind entweder konform mit der Multi-Radius-Wölbung der Decke 12 (wie in Fig. 12) oder nicht konform (wie in Fig. 11). Alle diese Ausführungsformen außer der von Fig. 12 haben nämlich Induktionsspulen, deren Formen nicht mit der Decke 12 in Form einer Multi-Radius-Kuppel konform sind. Allgemein hat bei einer nicht konformen Induktionsspule der Induktor (z. B. der Mutli-Radius-Induktor 52 von Fig. 11) mindestens eine Zone eines Zwischenradius (von der Mitte des Induktors) die von der Decke 12 axial in einem größeren Maß beabstandet ist als andere Zonen (z. B. der Mittelteil 46) des Induktors, wie das bei den Ausführungsformen von Fig. 5 bis 9 und 12 der Fall ist. Im Fall des bevorzugten Multi-Radius-Induktors 52 ist der Mittelteil (z. H. der Mittelteil 46 von Fig. 11) des Induktors fast ganz flach und der Decke 12 am nächsten und hat in seiner Mitte (46) einen maximalen Krümmungsradius und an seinem Rand einen minimalen Krümmungsradius. Wenn es nur zwei Krümmungsradien des Multi-Radius-Induktors gibt, dann erstreckt sich der maximale Krümmungsradius zu einer Zwischenposition innerhalb des Rands, während sich der minimale Krümmungsradius vom Rand zum Zwischenteil erstreckt. Alternativ dazu ist es wünschenswert, wenn viele Radien monoton vom Maximum in der Mitte zum Minimum am Rand des Induktors hin fortschreiten. Bei bevorzugten Ausführungsformen, wie zum Beispiel den Ausführungsformen von Fig. 7, 10, 12 und 20 definiert der Induktor ein Mittelöffnung bzw. ein Mittelloch (z. B. das Loch 48 von Fig. 10), was den Vorteil hat, daß dadurch eine Möglichkeit geschaffen wird, die Plasmadichte zu formen, indem die in der Mitte des Induktors abgestrahlte HF-Energie verringert wird. Dieses Merkmal ist vor allem bei den Ausführungsformen von Fig. 5 bis 15 günstig, die in der Mitte flache Induktorteile 46 haben.
Von den genannten Merkmalen kann ein jedes in geeigneter Weise mit anderen dieser Merkmale kombiniert werden, und es kann jedes davon übertrieben oder untertrieben werden, um dadurch ein vielgesichtiges Formen der räumlichen Verteilung der Plasmadichte zu erreichen. Insbesondere können viele geeignete Spulenformen zum Optimieren der Plasmadichtenverteilung mit der Deckenform nicht konform sein, indem eine radial an einer Zwischenposition liegende Zone der Spulenform in der axialen Richtung von der Deckenoberfläche weiter entfernt ist als diejenigen Teile der Spule, die der Mitte der Decke am nächsten liegen (wie zum Beispiel in Fig. 11). Ein Vorteil ist, daß ein Sputtern der Decke verringert wird, wo dieser Abstand in der Nähe der unteren Ecke der Decke beträchtlich ist.
Die Kurvendarstellung von Fig. 21 veranschaulicht, wie ein Verändern der Form der Induktionsspule die räumliche Verteilung der Plasmaionendichte beeinflußt. Die vertikale Achse ist die Plasmaionendichte, während die horizontale Achse die radiale Entfernung von der Wafermitte darstellt. Die durch die leeren Kreise angegebenen Datenpunkte repräsentieren experimentell durch eine Induktionsspule erhaltene Daten, die mit der Multi-Radius-Kuppeldecke konform verläuft. Die durch gefüllte Rauten angegebenen Datenpunkte sind mit einer rechteckzylinderförmigen Induktionsspule experimentell erhaltene Datenpunkte. Die Kurve von Fig. 20 zeigt, daß die rechteckzylinderförmige Induktionsspule eine flachere Ionendichtenverteilung ergibt als die, die mit der konformen (kuppelförmigen) Induktionsspule erhalten wird.
Bei der Multi-Radius-Kuppeldecke kann der Kammerdruck zum Formen der Ionenstromverteilung über der Waferoberfläche verändert werden. Insbesondere zum Korrigieren einer übergroßen Ionenstromdichte in der Wafermitte kann der Druck erhöht werden, während der Druck zum Korrigieren einer unzureichenden Ionenstromdichte über der Wafermitte verringert werden kann. Im Fall einer konformen Spule, wie in Fig. 12, mit einer 10-cm-Quarz-Kuppeldecke und einer angelegten Plasmaquellenenergie von 1500 W ist zum Optimieren der Ionenstromverteilungsgleichmäßigkeit der ideale Kammerdruck zum Beispiel in der Größenordnung von ungefähr 1,3 Pa (10 mTorr).
In ähnlicher Weise kann zum Beispiel die angelegte Plasmaquellenenergie (z. B. von der HF-Quelle 28) zum Formen der Ionenstromverteilung über der Waferoberfläche verändert werden. Insbesondere zum Korrigieren einer übergroßen Ionendichte über der Wafermitte sollte die HF-Energie verringert werden, während die HF-Energie zum Korrigieren einer unzureichenden Ionenstromdichte über der Wafermitte erhöht werden sollte. Im Fall einer konformen Spule, wie in Fig. 12, ist bei einer 10- cm-Quarz-Kuppeldecke und einer angelegten Plasma-Quellenenergie von 1500 Watt zum Optimieren der Ionenstromverteilungsgleichmäßigkeit der ideale Energiepegel von der HF-Quelle 28 zum Beispiel in der Größenordnung von ungefähr 1500 Watt. Die Erfindung wurde zwar anhand der Anwendung auf Metall- Ätz-Plasmareaktoren offenbart, doch kann sie auch auf Plasmareaktoren zur Durchführung einer Halbleiterätzung (Silizium- Ätzung), dielektrischen (z. B. Siliziumdioxid) Ätzung, chemischen Dampfabscheidung, physischen Dampfabscheidung und dergleichen verwendet werden.
Jede der Fig. 1 bis 20 veranschaulicht, wie die Plasmareaktorkammer durch einen über die Kammerdecke führenden Leiter mit Plamaquellen-HF-Energie bestrahlt wird, wobei der Leiter eine bestimmte Form hat, die mit einer räumlichen Oberfläche, wie zum Beispiel einem Kegel, einem Zylinder oder einer Kuppel konform ist. Eine jede der Figuren zeigt zwar, wie dieser Leiter eine Induktionsspule sein kann, doch versteht es sich, daß der Leiter auch eine kapazitive Elektrode der gleichen Form (der gleichen räumlichen Oberfläche) sein kann. In jedem Fall ist die Halterung 36 nicht notwendigerweise an eine HF- Vorspannungsquelle angeschlossen, und ist für den Fall, daß der Leiter eine kapazitive Elektrode und nicht eine Induktionsspule ist, vorzugsweise nicht daran angeschlossen.
Die Erfindung wurde zwar spezifisch anhand bevorzugter Ausführungsformen eingehend beschrieben, doch versteht es sich, daß Variationen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne daß dadurch vom Umfang der Erfindung abgewichen wird.

Claims

1. Plasmaätzreaktor, mit:

einer Reaktorkammer (14) mit einer allgemein bogenförmig gewölbten Decke (12),

einer Waferhalterung (36) zum Halten eines Wafers zur Verarbeitung, wobei die Decke in gegenüberliegender, beabstandeter und überlagernder Beziehung zur Halterung ist,

einer Vorrichtung (24) zum Einführen eines Prozeßgases in die Kammer,

einer HF-Energiequelle (28, 30) und

einem Leiter (18), der über und in Nachbarschaft zur Decke entlangführt und mit der HF-Energiequelle verbunden ist,

dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter in einer radialen Entfernung von der Mitte der Decke mindestens eine Zone hat, die einen größeren Abstand von der Decke hat als die anderen Zonen des Leiters.

2. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Decke eine Kuppelform mit mehreren Radien hat, mit einem minimalen Krümmungsradius in der Nähe eines äußeren Rands der Decke und einem maximalen Krümmungsradius nahe einem Scheitelpunkt der Decke.

3. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter eine Induktionsspule ist.

4. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die HF-Energiequelle mehrere unabhängige HF-Energieversorgungen (30, 30') aufweist und die Induktionsspule mehrere unabhängige Spulenabschnitte aufweist, die getrennt an die jeweiligen der mehreren unabhängigen HF-Energieversorgungen angeschlossen sind.

5. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktionsspule mehrere konzentrische, in Spiralen verlaufende Leiter (62, 64, 66) aufweist.

6. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktionsspule mehrere gegenläufig gewickelte Abschnitte aufweist, die an die HF-Energiequelle angeschlossen sind.

7. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der Induktionsspule derart ist, daß die Induktionsspule einen flachen oberen Teil aufweist, der mindestens über der Kammer liegt, und einen steilen unteren Teil, der sich von dem oberen Teil nach unten erstreckt.

8. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der Induktionsspule mindestens teilweise in der Form einer Kuppel ist.

9. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der steile untere Teil ein Kegelstumpf ist.

10. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der steile untere Teil ein Zylinder ist.

11. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der steile untere Teil die Form einer Kuppel hat.

12. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter eine Induktionsspule aufweist, die um die allgemein als bogenförmige Kuppel ausgebildete Decke herum gewickelt ist und eine Öffnung in der Mitte definiert, die einen Durchmesser hat, der geringer ist als derjenige der Decke.

13. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktionsspule sich zur Mitte der Decke hin einer flachen Form annähert.

14. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktionsspule eine Form mit mehreren Radien hat.

15. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Decke sich über einen beträchtlichen Teil ihres Durchmessers über der Mitte der Halterung einer flachen Ausformung annähert.

16. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter an einer ersten radialen Position in der Nähe der Mitte der Decke einen maximalen Krümmungsradius hat, wobei der Leiter an einer zweiten radialen Position einen minimalen Krümmungsradius hat, die außerhalb der ersten radialen Position liegt.

17. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter eine Induktionsspule aufweist und die erste radiale Position in einem ersten Abstand von der Mitte liegt und die Induktionsspule so um die Decke herum gewickelt ist, daß sie bei der ersten Entfernung anfängt und sich davon nach außen hin erstreckt.

18. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite radiale Position der Induktionsspule radial innerhalb des äußeren Rands der Decke angeordnet ist.

19. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktionsspule an der ersten radialen Position nahe der Decke ist und an der zweiten radialen Position einen Abstand von der Decke hat.

20. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Induktionsspule die folgenden Elemente aufweist:

(a) einen Seitenteil am äußeren Rand der Decke, der eine untere Wicklung und eine obere Wicklung aufweist, wobei die obere Wicklung auf einer Höhe liegt, die mindestens ungefähr einer unteren Höhe der Decke entspricht,

(b) einen oberen Teil, der sich von der oberen Wicklung des Seitenteils radial nach innen erstreckt, so daß er mindestens über einem beträchtlichen Teil der Decke liegt.

21. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der obere Teil eine flache scheibenförmige Spule ist.

22. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Seitenteil eine zylinderförmige Spule ist.

23. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Seitenteil eine Spule in der Form eines Kegelstumpfs ist, dessen Radius von unten nach oben kleiner wird.

24. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Seitenteil eine gewölbte Wicklung ist, deren Radius von unten nach oben kleiner wird.

25. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Wicklung eine radial innerste Wicklung hat und der Seitenteil und der obere Teil als ein durchgehender gewickelter Leiter mit zwei Enden ausgebildet sind, wobei eines der Enden ein Ende der unteren Wicklung und das andere Ende ein Ende der radial innersten Wicklung des oberen Teils ist.

26. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die HF-Energiequelle mit einer Zwischenwicklung der Induktionsspule zwischen der innersten Wicklung des oberen Teils und der unteren Wicklung des Seitenteils verbunden ist, wobei die Enden der Induktionsspule jeweils geerdet sind.

27. Plasmaätzreaktorkammer nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die HF-Energiequelle mit der oberen Wicklung des Seitenteils verbunden ist, wobei die Enden der Induktionsspule jeweils geerdet sind.

28. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die radial innerste Wicklung des oberen Teils einen Radius hat, der einem beträchtlichen Teil des Radius des oberen Teils entspricht, wobei in der Mitte des oberen Teils eine leerer Raum entsteht.

29. Plasmaätzreaktor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Induktor in der Nähe des äußeren Rands der Decke eine Form hat, die einen Krümmungsradius aufweist, der größer als derjenige des äußeren Rands der Decke ist, der jedoch in der Nähe der Mitte im Krümmungsradius demjenigen der Mitte der Decke ähnlich wird.