DE69525685T2

DE69525685T2 - Optisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Anwendung

Info

Publication number: DE69525685T2
Application number: DE69525685T
Authority: DE
Inventors: Tetsuya Akiyama; Hidemi Isomura; Takeo Ohta; Kazumi Yoshioka
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-06-13
Filing date: 1995-06-08
Publication date: 2002-10-24
Anticipated expiration: 2015-06-09
Also published as: US5665520A; EP0688015B1; EP0688015A1; US5674649A; DE69525685D1

Description

Die Erfindung betrifft ein optisches Aufzeichnungsmedium (nachfolgend als Platte bezeichnet), welches das Aufzeichnen, die Wiedergabe und das Löschen von Informationen mit hoher Dichte und Leistung mittels eines Laserstrahls oder dergleichen ermöglicht, sowie ein Verfahren zur Anwendung des optischen Aufzeichnungsmediums.
Nachladbare Platten werden nach dem Stand der Technik für viele Zwecke benutzt. Normalerweise besteht eine Platte aus einem scheibenartigen transparenten Substrat und einer dünnen Aufzeichnungsschicht auf einer der Substratoberflächen. Daten werden wiederholt aufgezeichnet und gelöscht, indem die optische Dichte der dünnen Aufzeichnungsschicht reversibel verändert wird. Die dünne Aufzeichnungsschicht wird vorab kristallisiert und anschließend durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl von ca. 1 um und Verändern der Stärke des Strahls erwärmt, geschmolzen und gehärtet. Als Ergebnis wird die Schicht amorph und zeichnet Information auf. Darüberhinaus wird die amorphe dünne Aufzeichnungsschicht durch Erhöhen der Schichttemperatur innerhalb eines zwischen der Kristallisationstemperatur und dem Schmelzpunkt liegenden Bereichs kristallisiert und sodann entspannt, wodurch Information gelöscht wird.
Wird beispielsweise ein Harzsubstrat für das direkte Ausbilden der dünnen Aufzeichnungsschicht der Platte auf dem Substrat benutzt, so wird das Substrat innerhalb eines winzigen Querschnittbereichs von ca. 1 um durch Aufzeichnen und Löschen auf eine hohe Temperatur erhitzt und damit verformt. Aus diesem Grunde wird eine dielektrische Schicht als Wärmeisolierung zwischen dem Substrat und der dünnen Aufzeichnungsschicht sowie zwischen der dünnen Aufzeichnungsschicht und einer diese schützenden Schicht (Schutzschicht) vorgesehen, wodurch ein thermisches Verformen des Substrats verhindert wird. Da der Temperaturanstieg sowie die Abkühl- und Entspannungseigenschaften der dünnen Aufzeichnungsschicht aufgrund des Wärmeleitverhaltens der Schutzschicht veränderlich sind, werden die Aufzeichnungs- und Löschcharaktristiken der Platte durch Wahl bevorzugter Materialien und Schichtzusammensetzungen verbessert. Weitere Verbesserung erfahren die Aufzeichnungs- und Löschcharakteristiken der Platte durch Anordnen einer Reflexionsschicht auf der der Schutzschicht zugewandten Oberfläche der dielektrischen Schicht und Heranziehen der Mehrfachinterferenz eines Laserstrahls. Diese Vierschicht-Plattenstruktur ist allgemein bestens bekannt.
Für die nachladbare Vierschichtplatte wird eine schnellkühlende Struktur empfohlen. Bei dieser Struktur wird die dielektrische Schicht zwischen der dünnen Aufzeichnungs- und der Reflexionsschicht (nachfolgend bezeichnet als zweite dielektrische Schicht) so dickenreduziert, dass beim Aufzeichnen und Löschen in der dünnen Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme schnell an die Reflexionsschicht abgegeben wird. Die schnellkühlende Struktur bietet den Vorteil, dass die äußeren Grenzen von Löschrate und Leistung verbessert werden, da die Temperatur der dielektrischen Schichten beiderseits der dünnen Aufzeichnungsschicht durch eine breite Verteilung der Wärme aus der dünnen Aufzeichnungsschicht ansteigt. Auch ist es von Vorteil, dass die dünne Aufzeichnungsschicht amorph ist, da die Schicht in dieser Struktur schnell abkühlt. In der US-PS Nr. 5 234 737 wird ein phasenänderndes optisches Aufzeichnungsmedium mit einer Schutzschicht gegen einfallendes Licht und einer Aufzeichnungsschicht mit einer Dicke von weniger als 20 nm auf einem Substrat beschrieben, wobei die Schutzschicht einen Brechungsindex aufweist, der gleich demjenigen des Substrat oder kleiner ist. Da jedoch der Brechungsindex relativ klein ist (n = 1,6), wird eine verhältnismäßig dicke Schutzschicht benötigt, um den optischen Interferenzeffekt zu vergrößern. Die EP 0 463 413 bezieht sich auf ein phasenänderndes optisches Aufzeichnungsmedium mit einer ersten Schutzschicht (50- 110 nm) und einer zweiten Schutzschicht (30-100 nm), einer Aufzeichnungsschicht (30-100 nm) und einer Reflexionsschicht (20 nm oder darüber). Die Japanische Patentanmeldung Nr. Sho 63-207040 (veröffentlichte ungeprüfte Japanische Offenlegungsschrift Nr. Hei 02-056746) beschreibt eine schnellkühlende Plattenstruktur. In dieser Anmeldung ist die zweite dielektrische Schicht dünner als die dielektrische Schicht zwischen dem Plattensubstrat und der dünnen Aufzeichnungsschicht (nachfolgend bezeichnet als erste dielektrische Schicht), wobei ihre Dicke 30 nm oder darunter beträgt.
Liegt jedoch die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht bei 30 nm oder weniger, so fallen die Aufzeichnungs- und Löschempfindlichkeiten der Platte ab, so dass ein teurer Hochleistungs-Halbleiterlaser eingesetzt werden muss. Darüberhinaus stehen die erste und die zweite dielektrische Schicht unter thermischer Spannung, wobei Ausdehnungen und Schrumpfungen infolge schneller Erhitzung auf 400ºC, oder höher bzw. Abkühlung bei wiederholtem Aufzeichnen und Löschen zu verzeichnen sind. Obgleich die zweite dielektrische Schicht eine geringere Wärmebelastung hat als die erste, wird die Schicht wiederholt mit Wärmespannung beaufschlagt. Die Schicht sollte also die richtige Dicke aufweisen. Die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht ist in Anbetracht nicht nur der Wärmeleitung, sondern auch der optischen Eigenschaften zu wählen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, die vorbeschriebenen Probleme zu lösen, indem ein optisches Aufzeichnungsmedium, das eine hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit aufweist und in hervorragender Weise für wiederholtes Aufzeichnen und Löschen geeignet ist, und ein Verfahren zur Anwendung dieses Mediums, bereitgestellt werden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird mit den Merkmalen der Ansprüche gelöst.
Das optische Aufzeichnungsmedium besteht aus einem transparenten Substrat, einer auf einer der Oberflächen des transparenten Substrats ausgebildeten ersten dielektrischen Schicht, einer dünnen Aufzeichnungsschicht auf der ersten dielektrischen Schicht, einer auf der ersten ausgebildeten zweiten dielektrischen Schicht, und einer Reflexionsschicht auf der zweiten dielektrischen Schicht. Die dünne Aufzeichnungsschicht besitzt die Eigenschaft, nach Erhöhung ihrer Temperatur amorph zu werden, sodann zu schmelzen und abzukühlen, indem sie Energie aus einem Laserstrahl absorbiert, und bei Temperaturanstieg im amorphen Zustand zu kristallisieren. Die zweite dielektrische Schicht ist mit einer Dicke von 35-70 nm dünner als die erste und es beträgt die Dicke der Reflexionsschicht 70-120 nm.
Vorzugsweise sollte die dünne Aufzeichnungsschicht eine Dicke von 18-30 nm und die erste dielektrische Schicht von 140-210 nm aufweisen. Die erste und die zweite dielektrische Schicht sollten vorzugsweise 60-95 Mol% ZnS und 5-40 Mol% SiO&sub2; enthalten.
Die Reflexionsschicht enthält vorzugsweise Al als Hauptmaterial und wenigstens eines der Metalle Ti, Ni, Cr, Cu, Ag, Au, Pt, Mg, Si und Mo.
Die dünne Aufzeichnungsschicht enthält vorzugsweise Te, Ge und Sb, und vorzugsweise auch Stickstoff bzw. GeTe, Sb&sub2;Te&sub3;, Sb und Stickstoff.
Die dünne Aufzeichnungsschicht ist vorzugsweise so zusammengesetzt, dass 0,2 ≤ b ≤ 0,5, wobei b das Molverhältnis von Sb/Sb&sub2;Te&sub3; ist.
Das optische Aufzeichnungsmedium weist außerdem vorzugsweise eine 3-15 um dicke abdeckende Schutzschicht auf der Reflexionsschicht auf, wobei die Schutzschicht vorzugsweise Zugspannung erzeugt.
Vorzugsweise wird das Deckschichtharz zur Spannungsbeseitigung einer Temperbehandlung unterzogen.
Die erste dielektrische Schicht, die dünne Aufzeichnungsschicht, die zweite dielektrische Schicht und die Reflexionsschicht weisen vorzugsweise eine Gesamtdicke von 250-430 nm und eine Druckspannung von 0,5 · 10&sup9; dyn/cm² auf.
Das optische Aufzeichnungsmedium ist vorzugsweise zum Aufzeichnen auf einer seiner Oberflächen ausgelegt und es beträgt der Winkel, unter dem eine Tangente der Oberfläche und die horizontale Bezugsebene des Mediums sich schneiden, vorzugsweise 1-2 mrad, so dass die Oberfläche vorsteht.
Das transparente Substrat hat vorzugsweise eine konvexe Oberfläche. Der Winkel, in dem eine Tangente der konvexen Oberfläche und die horizontale Bezugsebene des Substrats sich schneiden, beträgt vorzugsweise 1-2 mrad, und es werden die erste dielektrische Schicht, die dünne Aufzeichnungsschicht, die zweite dielektrische Schicht und die Reflexionsschicht vorzugsweise kumulativ auf der konvexen Oberfläche ausgebildet.
Das Verfahren zur Anwendung des erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmediums bedient sich der modifizierten CAV- Aufzeichnungsmethode (MACV), bei der die Aufzeichnung durch Ändern der Aufzeichnungsfrequenzen entsprechend der Lineargeschwindigkeit erfolgt. Die Lineargeschwindigkeit beträgt 5-12 m/s. Die Aufzeichnungsimpulsbreite am Innenumfang ist größer als die am Außenumfang, wobei das Verhältnis der Aufzeichnungsimpulsbreiten Innen- zu Außenumfang 1,2 oder größer ist. Das optische Aufzeichnungsmedium weist ein transparentes Substrat, eine auf einer der Oberflächen des transparenten Substrats ausgebildete erste dielektrische Schicht, eine dünne Aufzeichnungschicht auf der ersten dielektrischen Schicht, eine zweite dielektrische Schicht auf der dünnen Aufzeichnungsschicht und eine auf der zweiten dielektrischen Schicht ausgebildete Reflexionsschicht auf. Die dünne Aufzeichnungsschicht besitzt die Eigenschaft, nach Erhöhung ihrer Temperatur amorph zu werden, sodann zu schmelzen und abzukühlen, indem sie Energie aus einem Laserstrahl absorbiert, und bei Temperaturanstieg im amorphen Zustand zu kristallisieren. Die zweite dielektrische Schicht ist mit einer Dicke von 35-70 nm dünner als die erste und es beträgt die Dicke der Reflexionsschicht 70-120 nm.
Die Aufzeichnungsimpulsbreite beträgt vorzugsweise 40-60 ns bei 5 m/s und 30-40 ns bei 12 m/s Lineargeschwindigkeit.
Das MCAV-Aufzeichnungsverfahren wird vorzugsweise so angewandt, dass Information durch Verändern des Aufzeichnungsstartpunktes mit maximal 7,75 um bei 5-12 m/s Lineargeschwindigkeit aufgezeichnet wird.
Das optische Aufzeichnungsmedium weist das transparente Substrat, die erste dielektrische Schicht, die dünne Aufzeichnungsschicht, die zweite dielektrische Schicht und die Reflexionsschicht auf. Die dünne Aufzeichnungsschicht hat die vorbeschriebenen Eigenschaften. Die zweite dielektrische Schicht ist mit einer Dicke von 35-70 nm dünner als die erste, während die Dicke der Reflexionsschicht 70-120 nm beträgt. Damit besitzt das optische Aufzeichnungsmedium eine hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit und exzellente Eigenschaften im Hinblick auf wiederholtes Aufzeichnen und Löschen.
Ein Mischmaterial aus ZnS und SiO&sub2; mit hervorragenden Wärmefestigkeitseigenschaften und relativ geringer Wärmeleitung wird für die erste und die zweite dielektrische Schicht verwendet. Die zweite dielektrische Schicht hat eine Dicke von 35-70 nm und weist nicht nur ausgezeichnete optische Eigenschaften auf, sondern auch mechanische Festigkeit. Die zweite dielektrische Schicht vergrößert den Abstand zwischen der dünnen Aufzeichnungs- und der Reflexionsschicht und verringert die Abkühlgeschwindikeit der dünnen Aufzeichnungsschicht. Hierdurch wird die Aufzeichnungsempfindlichkeit des optischen Aufzeichnungsmediums verbessert.
Die Dicke und die Wärmekapazität der Reflexionsschicht werden verringert, während die mechanische Festigkeit und die optischen Eigenschaften der Schicht erhalten bleiben, so dass die Aufzeichnungsempfindlichkeit eine Verbesserung erfährt. Anders ausgedrückt lassen sich die thermischen Eigenschaften und die Aufzeichnungsempfindlichkeit des optischen Aufzeichnungsmediums durch Wahl einer bevorzugten Schichtdicke steuern. Da die Reflexionsschicht die Mehrfachinterferenz eines Laserstrahls nutzt, kann bei der Schicht eine Qualitätsminderung sowie Kristallwachstum in einer Umgebung mit hoher Temperatur und Feuchtigkeit dadurch verhindert werden, dass diese zusätzlich zu Al mindestens eines der Elemente Ti, Ni, Cr, Cu, Ag, Au, Pt, Mg, Si und Mo enthält.
Die dünne Aufzeichnungsschicht enthält Te, Ge und Sb; Te, Ge, Sb und Stickstoff; GeTe, Sb&sub2;Te&sub3; und Sb; oder GeTe, Sb&sub2;Te&sub3;, Sb und Stickstoff. Die dünne Aufzeichnungsschicht ist so zusammengesetzt, dass 0,2 ≤ b ≤ 0,5, wobei b das Molverhältnis von Sb/Sb&sub2;Te&sub3; ist. Bevorzugterweise sollte b nicht größer sein als 0,5, da die Löschgeschwindigkeit durch die Abnahme der Kristallisationsgeschwindigkeit bedingt abfällt. Ist b kleiner als 0,2, so stellt sich das Problem, dass die Aufzeichnungsamplitude am Innenumfang mit niedriger Lineargeschwindigkeit reduziert wird. Durch Zugabe von Stickstoff zur dünnen Aufzeichnungsschicht wird die Wärmeleitfähigkeit der Schicht verringert. Auch lässt sich die Kristallistionsgeschwindigkeit der Schicht durch eine höhere Sb-Menge reduzieren. Das Ergebnis ist eine verbesserte Aufzeichnungsempfindlichkeit des optischen Aufzeichnungsmediums.
Bei dem MCAV-Aufzeichnungsverfahren wird die Aufzeichnungsimpulsbreite am Innenumfang größer als die am Außenumfang mit einer Lineargeschwindigkeit von 5-12 m/s gesetzt, so dass beim Aufzeichnen die Erwärmungstemperatur am Innen- und am Außenumfang gleich eingestellt ist. Damit werden Marken von praktisch gleicher Größe gebildet, wodurch der durch beim Überschreiben verursachte Überlappungsmarken bedingte Stoffübergang der dünnen Aufzeichnungsschicht verringert wird und die Überschreibzyklenkapazität verbessert werden.
Die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht, der dünnen Aufzeichnungsschicht, der zweiten dielektrischen Schicht und der Reflexionsschicht beträgt 250-430 nm. Die Zugspannung erzeugende 3-15 um dicke Harzdeckschicht wird auf der Reflexionsschicht hergestellt. Dies hat zur Folge, dass eine Neigung des optischen Aufzeichnungsmedium nahezu ausgeschlossen ist. Als Neigung wird ein Winkel bezeichnet, unter dem die horizontale Bezugsebene des Mediums und eine Tangente der Oberfläche des mit den Schichten versehenen Mediums sich schneiden. Darüberhinaus wird durch Verwendung eines transparenten Substrats mit konvexer Oberfläche die Neigung des optischen Aufzeichnungsmediums noch weiter verbessert.
Weiterhin erfolgt nach dem MCAV-Aufzeichnungsverfahren das Aufzeichnen von Information durch Verändern des Aufzeichnungsbeginnpunktes mit maximal 7,7 um innerhalb eines Lineargeschwindigkeitsbereichs von 5-12 m/s, so dass der Stoffübergang an der dünnen Aufzeichnungsschicht gleichförmig wird und die Überschreibezyklenkapazität verbessert wird.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines optischen Aufzeichnungsmediums in einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2(a) eine graphische Darstellung, aus welcher die Korrelation zwischen der Dicke der dünnen Aufzeichnungsschicht, der Amplitude und der Aufzeichnungsleistung ersichtlich ist;
Fig. 2(b) eine graphische Darstellung, welche die Korrelation zwischen der Dicke der zweiten dielektrischen Schicht und der Amplitude zeigt;
Fig. 2(c) eine graphische Darstellung, aus welcher die Korrelation zwischen der Dicke der Reflexionsschicht und der Aufzeichnungsleistung hervorgeht;
Fig. 3 eine graphische Darstellung, aus welcher die Neigung des optischen Aufzeichnungsmediums in einer Ausführungsform der Erfindung vor und nach einer Kurzzeitprüfung ersichtlich ist; und
Fig. 4 die Darstellung einer Wellenform des optischen Aufzeichnungsmediums in einer Ausführungsform der Erfindung nach 100000fachem Überschreiben.
Es folgt eine Beschreibung der Ausführungsformen mit Bezug auf die Zeichnungen. Wie aus Fig. 1 ersichtlich, besteht ein erfindungsgemäßes optisches Aufzeichnungsmedium aus einem transparenten Plattensubstrat 1, einer ersten dielektrischen Schicht 2, einer dünnen Aufzeichnungsschicht 3, einer zweiten dielektrischen Schicht 4, einer Reflexionsschicht 5 und einer abdeckenden Schutzschicht 6. Die zweite dielektrische Schicht ist dünner als die erste, wobei die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht und der Reflexionsschicht 35-70 nm bzw. 70- 120 nm beträgt, so dass die Aufzeichnungsempfindlichkeit und die Überschreibeigenschaften verbessert werden. Die dünne Aufzeichnungsschicht ist 18-30 nm dick und im übrigen so dünn, dass die Wärmekapazität minimiert und Information mit geringer Leistung aufgezeichnet werden kann. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Plattensubstrat 1 handelt es sich um ein transparentes Harzsubstrat, beispielsweise aus Polycarbonatharz, oder ein Glassubstrat. Die auf dem Plattensubstrat 1 angeordnete erste dielektrische Schicht 2 besteht beispielsweise aus einem hitzebeständigen Mischmaterial aus ZnS und SiO&sub2; und weist eine Dicke von 140-210 nm auf. Die dünne Aufzeichnungsschicht 3 auf der ersten dielektrischen Schicht 2 besteht aus einem Mischmaterial in Form von GeTe, Sb&sub2;Te&sub3; und Sb sowie Stickstoff. Die Dicke der Schicht beträgt 18-30 nm. Die dünne Aufzeichnungsschicht ist so zusammengesetzt, dass 0,2 ≤ b ≤ 0,5, wobei b das Molverhältnis von Sb/Sb&sub2;Te&sub3; ist. Sb steht in Korrelation zur Kristallisationsgeschwindigkeit. Bevorzugterweise sollte b nicht größer sein als 0,5, da mit einer Verringerung der Kristallisationsgeschwindigkeit auch die Löschrate abnimmt. Ist b geringer als 0,2, so stellt sich das Problem, dass die Aufzeichnungsamplitude am Innenumfang mit niedriger Lineargeschwindigkeit kleiner wird. Die zweite dielektrische Lage 4 auf der dünnen Aufzeichnungsschicht 3 besteht aus dem gleichen Material wie die erste dielektrische Schicht 2 und weist eine Dicke von 35-70 nm auf. Die Reflexionsschicht 5 auf der zweiten dielektrischen Schicht 4 nutzt die Mehrfachinterferenz eines Laserstrahls und ist hauptsächlich aus Al hergestellt. Die Dicke der Reflexionsschicht beträgt 70-120 nm. Bei Verwendung von Al allein für die Reflexionsschicht nimmt in einer Umgebung mit hoher Temperatur und Feuchtigkeit die Kristallkorngröße in der Schicht zu, so dass die Qualität der Schicht infolge interkristalliner Korrosion beeinträchtigt wird. Somit wird neben Al mindestens eines der Elemente Ti, Ni, Cr, Cu, Ag, Au, Pt, Mg, Si und Mo der Schicht zugesetzt, um das Kristallwachstum und eine Qualitätsverschlechterung unter diesen Umgebungsverhältnissen zu verhindern. Die auf der Reflexionsschicht 5 ausgebildete abdeckende Harzschutzschicht 6 härtet aus und schrumpft, so dass Zugspannung entsteht. Die Schicht wird aus UV-härtendem Harz und im Wege eines Spinnbeschichtungsverfahrens mit einer Dicke von 3-15 um ausgeführt. Die Herstellung der ersten dielektrischen Schicht 2, der zweiten dielektrischen Schicht 4, der dünnen Aufzeichnungsschicht 3 und der Relfexionsschicht 5 erfolgt nach einem Vakuumverdampfungs- bzw. Sputter-Verfahren.
Bei Einsatz eines 35 mW Halbleiterlasers zum Aufzeichnen auf einer phasenändernden optischen Platte beträgt die maximale Leistung der Platte 14 mW bei 40% Übertragungswirkungsgrad der optischen Aufnahme. Angesichts der Ungleichförmigkeit der optischen Aufnahme muss die Platte mit 12 mW oder darunter aufzeichnen. Zur Verbesserung der Nachladeeigenschaften durch Vergrößern der Aufzeichnungsempfindlichkeit der Platte sind nicht nur die optischen Eigenschaften zu berücksichtigen, sondern auch die thermischen Eigenschaften und die mechanische Festigkeit.
Die Gründe für die Spezifizierung des Schichtdickenbereichs sind nachstehend dargestellt.
(1) Es folgt eine Erläuterung der Dicke der ersten dieelektrischen Schicht. Die Dicken der dünnen Aufzeichnungsschicht 3, der zweiten dielektrischen Schicht 4 und der Reflexionsschicht 5 waren fest, während die Dicke der ersten dielektrischen Schicht 2 variiert wurde. Innerhalb des Dickenbereichs 140-210 nm blieben die Absorption Ad von Kristall mit optischer Charakteristik, die Absorption Aw im amorphen Zustand und die Reflexionsdifferenz (AR) eines Kristalls mit Signalgröße und amorphem Zustand nahezu gleich. Ebenfalls gleich war die Aufzeichnungsleistung (Träger-Rausch-Verhältnis > 50 dB Leistung). Bei außerhalb dieses Bereichs liegender Dicke bestand das Problem, dass (LR) und die Signalamplitude klein wurden.
(2) Die Dicke der dünnen Aufzeichnungsschicht 3 sei nunmehr erläutert. Fig. 2(a) ist eine graphische Darstellung, welche die Aufzeichnungsleistung bei einer festgelegten Dicke der ersten dielektrischen Schicht 2, der zweiten dielektrischen Schicht 4 und der Reflexionsschicht 5 von 170 nm, 40 nm bzw. 70 nm und bei einer variierten Dicke der dünnen Aufzeichnungsschicht zeigt. Dieser graphischen Darstellung zufolge beträgt die Dicke der dünnen Aufzeichnungsschicht 3 zwischen 18 und 30 nm, wenn die Aufzeichnungsleistung bei 12 mW oder darunter und die Amplitude innerhalb ±2 dB liegt. Bei einer Dicke von mehr als 30 nm wird die Wärmekapazität groß und nimmt die Empfindlichkeit ab. Die Amplitude wird klein und das Ergebnis inakzeptabel, wenn die Dicke niedriger als 18 nm liegt.
(3) Es folgt eine Erläuterung hinsichtlich der Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 4. Die Dicke dieser Schicht ist unter dem Aspekt der optischen Eigenschaften und der Abkühlgeschwindigkeit zu bestimmen. Fig. 2(b) ist eine graphische Darstellung, aus welcher die Korrelation zwischen Aufzeichnungsleistung und Signalamplitude ersichtlich ist, wenn die Dicken der ersten dielektrischen Schicht 2, der dünnen Aufzeichnungsschicht 3 und der Reflexionsschicht mit 170 nm, 23 nm bzw. 70 nm festgelegt sind und die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht 4 variiert wird. Die Signalamplituden bei angewandten Dicken von 70 nm oder weniger für die zweite dielektrische Schicht 4 liegen innerhalb von -3 dE der Amplitude bei 30 nm Dicke. Beträgt die Dicke mehr als 70 nm, so sind die Signalamplituden unerwünscht klein. Die Aufzeichnungsleistung beträgt bei einer Dicke von 30 nm oder darüber 12 mW oder weniger. Die dünne Aufzeichnungsschicht 3 kommt in die Nähe der Reflexionsschicht 5, wenn die Dicke der zweiten dielektrischen Schicht geringer als 30 nm ist. Damit besteht die Wahrscheinlichkeit, dass mehr Wärme verteilt wird und die Empfindlichkeit abfällt, so dass unerwünschte Ergebnisse gezeitigt werden.
(4) Es folgt eine Erklärung bezüglich der Dicke der Reflexionsschicht 5. Die Dicke dieser Schicht ist unter dem Aspekt der Wärmekapazität und mechanischen Festigkeit zu bestimmen. Fig. 2(c) ist eine graphische Darstellung, welche die Aufzeichnungsleistung bei festgelegten Dicken für die erste dielektrische Schicht 2, die dünne Aufzeichnungsschicht 3 und die zweite dielektrische Schicht 4 von 170 nm, 23 nm bzw. 40 nm und variierter Dicke für die Reflexionsschicht aufzeigt. Beträgt die Dicke der Reflexionsschicht 120 nm oder weniger, so wird Aufnahmeempfindlichkeit bei einer Aufzeichnungsleistung von 12 mW oder darunter erreicht. Die Aufnahmeleistung bei einer Dicke von 70 nm oder weniger beträgt 9 mW. Die Prüfung hinsichtlich der Überschreibzykluseigenschaften betraf Platten mit verschieden dicken Reflexionsschichten. In dem Versuch wurden durch PPM- Aufzeichnung (Pit Position Modulation Recording = Grübchenlagemodulationsaufzeichnung) auf "2-7" modulierte Zufallssignale benutzt. Bei 5 m/s Lineargeschwindikeit wurden 4,03 MHz und bei 12 m/s Lineargeschwindigkeit 8,87 MHz als maximale Aufzeichnungsfrequenz eingesetzt. Die Wellenlänge des Halbleiterlasers betrug 780 nm und die numerische Apertur (NA) 0,5. Jitter, d. h. Lücken zwischen aufzuzeichnenden und aufgezeichneten Signalen, wurde mit einem Zeitintervallanalysator gemessen. Bei einer Dicke von weniger als 60 nm wurde als Ergebnis festgestellt, dass die mechanische Festigkeit der Reflexionsschicht gering war. Bei einer Dicke von 60 nm oder mehr hatte die Schicht 100000 und mehr Überschreibungen. Aus diesem Grunde beträgt die Dicke der Reflexionsschicht vorzugsweise 70-100 nm.
Beträgt das Mischungsverhältnis von SiO&sub2; in dem die ersten und zweiten dielektrischen Schichten 2 und 4 bildenden ZnSiO&sub2; 5 Mol% oder weniger, so ist die Wirkung des Minimierens der Kristallkorngröße reduziert. Bei einem Verhältnis von 40 Mol% oder mehr wird die Festigkeit von SiO&sub2; unzureichend. Damit sollte der Stoffmengenanteil des SiO&sub2; vorzugsweise im Bereich von 5-40 Mol% liegen.
Darüberhinaus ist die Temperatur am Innen- und am Außenumfang gleich, weil die Aufzeichnungsimpulsbreite des Innenumfangs größer eingestellt ist. Damit werden die Größen der Aufzeichnungsmarken am Innen- und Außenumfang praktisch gleich mit dem Ergebnis, dass der durch überlappende Marken entstandene Stoffübergang und die Signalbeeinträchtigung minimiert werden. Vorzugsweise sollte die Impulsbreite am Innenumfang 40-60 ns und die am Außenumfang 30-40 ns betragen. Innerhalb dieser Impulsbreitenbereiche sowie innerhalb des Bereichs von 5-12 m/s für den Innen- und den Außenumfang wurde ein Überschreibversuch durchgeführt. Eine Jitterverschlechterung bei 100000 oder mehr Überschreibungen wurde nicht festgestellt. Deshalb beträgt das Verhältnis der Impulsbreite am Innen- relativ zum Außenumfang 1,2 oder darüber.
Erfindungsgemäß werden die ersten und zweiten dielektrischen Schichten 2 und 4 aus ZnS und SiO&sub2;, die Te, Ge, Sb sowie Stickstoff enthaltende dünne Aufzeichnungsschicht 3 und die hauptsächlich aus Al bestehende Reflexionsschicht 5 auf einem 1,2 mm dicken Substrat mit einem Plattendurchmesser von 120 mm ausgebildet. Die Gesamtdicke dieser vier Schichten beträgt 430 nm oder darunter. Werden die Schichten auf einer Signalisierungsoberfläche des Plattensubstrats hergestellt, so steht die Oberfläche vor, so dass Zugspannung und eine Neigung von ca. 3 mrad entstehen. Deshalb wird durch Ausbilden der abdeckenden Harzschutzschicht 6 von 3-15 um Dicke auf der Reflexionsschicht Zugspannung erzeugt, und die Druckspannung ausgeglichen. Damit wird eine optische Platte mit einer geringen Neigung von nur 1-2 mrad selbst auf dem Außenumfang bereitgestelt. Die abdeckende Harzschutzschicht 6 vermag Druckspannung jedoch nicht auszugleichen, wenn ihre Dicke weniger als 3 um beträgt, weil die Festigkeit der Schicht nicht ausreicht. Bei einer Dicke der Schicht andererseits von mehr als 15 um ist die Zugspannung der Schicht so groß, dass die die Schichten aufnehmende Oberfläche der optischen Platte konkav und die Neigung der Platte groß wird. Somit sollte die Dicke der abdeckenden Harzschutzschicht 6 vorzugsweise 3-15 um betragen. Ein Mischmaterial aus UV-härtendem Harz wie Urethanacrylat und Acrylestermonomer wird für die abdeckende Harzschutzschicht 6 verwendet. Für die Schicht kommt jedoch nicht ausschließlich dieses Material infrage. Die vorbeschriebenen Eigenschaften lassen sich beistellen, solange das Schichtmaterial eine Kontraktion von ca. 10% durch Aushärten aufweist.
Das Substrat wird vorher durch Formen mit einer konvexen Oberfläche mit einer Neigung von 1-2 mrad auf eine Bezugsebene am Innenumfang (Information aufzeichnende Oberfläche) versehen. Sodann werden die erste dielektrische Schicht 2, die dünne Aufzeichnungsschicht 3, die zweite dielektrische Schicht 4 und die Reflexionsschicht 5 auf dieser Oberfläche ausgebildet. Die Gesamtdicke der vier Schichten beträgt 430 nm oder weniger, und die Druckspannung der Schichten 0,5 · 10&sup9; dyn/cm² oder darunter. Das UV-härtende Harz wird als abdeckende Schutzschicht 6 zum Erzeugen von Zugspannung und damit zur Reduzierung der Neigung auf die Reflexionsschicht 5 mit einer Dicke von 3-15 um aufgebracht. Nach dem Ausbilden dieser abdeckenden Schutzschicht auf den vier Schichten werden das Substrat und die Schichten eine Stunde lang einer Temperbehandlung bei 100ºC unterzogen, so dass die Spannungen im Substrat, in den dünnen Schichten und in der abdeckenden Schutzschicht beseitigt werden. Weiter werden Substrat und Schichten nicht verformt. Als Ergebnis lassen sich durch Neigung verursachte negative Auswirkungen auf die Aufzeichnungseigenschaften, wie beispielsweise Schieflauf, minimieren. Das vorbeschriebene Substrat mit einer konkaven Oberfläche von 1-2 mrad auf eine Bezugsebene am Innenumfang (Information aufzeichnende Oberfläche) ist auf einfache Weise durch Verändern der Temperaturverteilung einer metallischen Form im Wege eines Injektionsverfahrens herstellbar. Nach dieser Technik lässt sich die Neigung der Platte auf weniger als 5 mrad einstellen. Die im Wege des vorbeschriebenen Verfahrens hergestellte Platte wurde auf die Dauer von 20 Stunden in einer Umgebung mit 80% Feuchtigkeit und 90ºC gehalten (Kurzzeitprüfung) und sodann herausgenommen. Die Platte wurde der Abkühlung bei Raumtemperatur überlassen und es wurde die Neigung der Platte gemessen. Die mit Schichten ausgebildete Platte war für mehrere Stunden nach dem Herausnehmen stark in eine konvexe Form verbogen. Nach 48 Stunden jedoch war die Neigung kleiner als 5 mrad, obgleich die Neigung am Außenumfang geringfügig größer war als die Neigung vor dem Kurzzeitversuch (Fig. 3). Die Neigung wurde mit einem Prüfgerät für optische Platten vom Typ LM-110 (Fabrikat Ono Sokki Co,. LTD., Japan) gemessen.
Bei der Lineargeschwindigkeit 5-12 m/s des MCAV-Aufzeichnungsverfahrens, bei dem die Aufzeichnung durch Änderung der Aufzeichnungsfrequenzen entsprechend der lineare Geschwindigkeit erfolgt, wird Information in einem Bereich aufgezeichnet, wo diese in einem Sektor durch Verändern eines Aufzeichnungsstartpunkts gespeichert und gleichförmig in dem Sektor überschrieben wird. Damit wird der Stoffübergang, der durch Aufzeichnen neuer Marken über früher aufgezeichneten Marken bewirkt wird, gleichmäßig. Dies hat zur Folge, dass bei dem erfindungsgemäßen optischen Aufzeichnungsmedium das Phänomen verhindert wird, dass Aufzeichnungsschichten in einen Abschnitt verlagert werden und da akkumulieren, wo immer gleiche Signale aufgezeichnet werden, beispielsweise in einem Resynchronisationsabschnitt, wodurch die Aufzeichungsempfindlichkeit verringert wird. Diese Wirkung der Erfindung ist auf der Seite niedriger Leistung, wo die Markenüberlappung gering ist, signifikant, so dass die Leistungsgrenzen beim Überschreiben größer werden. Bei einer Änderung des Aufzeichnungsstartpunktes bei maximal 7,75 um und Verschiebung desselben um 0,484 um wurde keinerlei Verschlechterung nach 100000fachem Überschreiben festgestellt, wie dies Fig. 4 zeigt, und war die Wirkung beträchtlich.
Es folgt eine weitergehende Erläuterung der Erfindung anhand der folgenden Beispiele:

Beispiel 1

Auf einer Oberfläche eines Polycarbonat-Substrats von 1,2 mm Dicke und 120 mm Durchmesser wurde eine 170 nm dicke dielektrische Schicht aus einem SiO&sub2; in einer Menge von 20 Mol% enthaltenden Mischmaterial aus ZnS und SiO&sub2; hergestellt. Eine 26 nm dicke Aufzeichnungsschicht aus Te53,0Ge22,6Sb24,4 (Te: 53,0 Atom%, Ge: 22,6 Atom% und Sb: 24,4 Atom%) gemischt mit Stickstoff wurde auf der ersten dielektrischen Schicht ausgebildet. Auf die Aufzeichnungsschicht wurde eine 44 nm dicke zweite dielektrische Schicht aus dem gleichen Material wie für die erste dielektrische Schicht verwendet aufgebracht. Nach dem Sputter-Verfahren wurde auf der zweiten dielektrischen Schicht eine 95 nm dicke Reflexionsschicht aus Al hergestellt. Das Hochfrequnz-Sputter-Verfahren wurde zum Ausbilden der ersten und der zweiten dielektrischen Schichten mit einem Zerstäubungsdruck von 2 mTorr sowie unter Einsatz von Ar-Gas (30SCCM) angewandt. Die Herstellung der Aufzeichnungsschicht erfolgte nach dem Gleichstrom-Sputter-Verfahren mit 1 mTorr Zerstäubungsdruck und unter Einsatz eines Mischgases aus Ar (15SCCM) und N&sub2; (0,8SCCM) und der Reflexionsschicht mit 2 mTorr und Ar- Gas (15SCCM). Zum Schutze der vier Schichten wurde ein UV-härtendes Acrylharz, beispielsweise vom Typ SD101 (Fabrikat DAINIPPON INK & CHEMICALS, Japan) in Form eines Mischmatrials aus Urethanacrylat und Acrylestermonomer, auf die Reflexionsschicht in einer Dicke von 5 um nach dem Spinnwellenverfahren niedergebracht, wodurch eine Einplattenstruktur entstand. Die Neigung der Platte wurde mit einem Prüfgerät für optische Platten (Typ LM110 Fabrikat Ono Sokki Co., LTD., Japan) gemessen und mit 3 mrad festgestellt. Die Aufzeichnungs- und Löscheigenschaften der Platte wurden mittels eines optischen Plattenlaufwerks mit 2026 Upm und eines Halbleiterlasers mit 780 nm Wellenlänge und 0,5 NA gemessen. Am äußersten Umfang mit 12 m/s Lineargeschwindigkeit wurden Signale bei 8187 MHz Aufzeichnungsfrequenz mit 32 ns Impulsbreite aufgezeichnet. Das Träger-Rausch-Verhältnis wurde mit einem Spektrumanalysator gemessen und mit 50 dB bzw. darüber ermittelt. Die Aufbauleistung für das Träger-Rausch-Verhältnis betrug 12 mW. Signale von 3,32 MHz wurden nach erfolgtem Aufzeichnen von Signalen mit 8,87 MHz überschrieben, so dass das Löschverhältnis durch Subtraktion des Spektrums beim Überschreiben von 3,32 MHz Signalen von dem Spektrum beim Aufzeichnen von 8,87 MHz Signalen ermittelt wurde; dieses betrug 25 dB.
Die Überschreibzyklenkapazität wurde getestet. Auf durch PPM-Aufzeichnung zu "2-7" modulierte Zufallssignale wurden für den Überschreibtest eingesetzt.
Es wurde das Aufzeichnungsverfahren durch Ändern des Aufzeichnungsstartpunkts innerhalb eines Bereichs für das Vorhalten von Aufzeichnungsinformation in einem Sektor angewandt. Der Aufzeichnungsstartpunkt wurde um maximal 7,75 um verändert und ziellos mit einem Intervall von 0,484 gm innerhalb eines Bereichs verschoben.
Am Innenumfang mit 5 m/s Lineargeschwindigkeit wurden 4 MHz als höchste Aufzeichnungsfrequenz beaufschlagt. 8,87 MHz wurden als höchste Frequenz am Außenumfang mit 12 m/s Lineargeschwindigkeit benutzt. Jitter wurde mit einem Zeitintervallanalysator gemessen. Nach dem Meßergebnis war vom Anfang bis zu 100000 Überschreibungen oder mehr bei 5 m/s und 12 m/s keinerlei Verschlechterung feststellbar.

Beispiel 2:

Die nachfolgende Tabelle zeigt die Änderung der Aufzeichnungsempfindlichkeit und Überschreibeigenschaften der Platte bei sich ändernden Dicken der ersten und zweiten dielektrischen Schichten sowie der Reflexionsschicht. Die Schichten wurden nach den in Beispiel 1 beschriebenen Verfahren hergestellt. Tabelle 1
*1: Dicke der ersten dielektrischen Schicht
*2: Dicke der zweiten dielektrischen Schicht
*3: Dicke der Reflexionsschicht
*4: o = Gut (unter 12,2 mW)
Δ = Ziemlich Gut (12,2-13,0 mW)
x = Mangelhaft (über 13,0 mw)
*5: o = Gut (mehr als 100000 Überschreibungen)
Δ = Ziemlich Gut (70000-80000 Überschreibungen)
x = Mangelhaft (40000-50000 Überschreibungen)
Wie vorstehend dargelegt werden konnte, weist das optische Aufzeichnungsmedium eine hohe Aufzeichnungsempfindlichkeit und hervorragende Eigenschaften im Hinblick auf wiederholtes Aufzeichnen und Löschen auf.

Claims

1. Optisches Aufzeichnungsmedium mit einem transparenten Substrat (1), einer auf einer der Oberflächen des transparenten Substrats (1) ausgebildeten ersten dielektrischen Schicht (2), einer auf der ersten dielektrischen Schicht (2) ausgebildeten Aufzeichnungsschicht (3), einer zweiten dielektrischen Schicht (4) auf der Aufzeichnungsschicht (3) und einer auf der zweiten dielektrischen Schicht (4) ausgebildeten Reflexionsschicht (5), wobei:

(i) die Aufzeichnungsschicht (3) die Eigenschaft aufweist, nach Erhöhung ihrer Temperatur amorph zu werden, sodann durch Absorption von Energie eines Laserstrahls zu schmelzen und zu härten, und in ihrem amorphen Zustand bei Temperaturanstieg zu kristallieren;

(ii) die Reflexionsschicht (5) eine Dicke von 70-120 nm aufweist;

dadurch gekennzeichnet, dass

(iii) die erste dielektrische Schicht (2) eine Dicke von 140-210 nm und die zweite dielektrische Schicht (4) eine Dicke von 35-70 nm aufweist,

(iv) die erste dielektrische Schicht (2) und die zweite dielektrische Schicht (4) jeweils ein Mischmaterial mit 5-40 Mol% SiO&sub2; und 60-95 Mol% ZnS aufweisen;

(v) die Gesamtdicke der ersten dielektrischen Schicht (2), der Aufzeichnungsschicht (3), der zweiten dielektrischen Schicht (4) und der Reflexionsschicht (5) 250-430 nm beträgt.

2. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) eine Dicke von 18-30 nm aufweist.

3. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Reflexionsschicht (5) Al als Hauptmaterial sowie mindestens ein Metall aus der Gruppe mit Ti, Ni, Cr, Cu, Ag, Au, Pt, Mg, Si und Mo aufweist.

4. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) Te, Ge und Sb aufweist.

5. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 4, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) desweiteren Stickstoff aufweist.

6. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) GeTe, Sb&sub2;Te&sub3;, Sb und Stickstoff aufweist.

7. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 6, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) so zusammengesetzt ist, dass 0,2 ≤ b ≤ 0,5, wobei b das Molverhältnis von Sb/Sb&sub2;Te&sub3; ist.

8. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter mit einer abdeckenden Harzschutzschicht (6) von 3-15 um Dicke auf der Reflexionsschicht (5), wobei die abdeckende Harzschutzschicht (6) Zugspannung erzeugt.

9. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 8, wobei das Abdeckharz zur Spannungsbeseitigung einer Temperbehandlung unterzogen wird.

10. Optisches Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, wobei die Druckspannung der ersten dielektrischen Schicht (2), der Aufzeichnungsschicht (3), der zweiten dielektrischen Schicht (4) und der Reflexionsschicht (5) 0,5 · 10&sup9; dyn/cm² oder weniger beträgt.

11. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei auf einer der Oberflächen des optischen Aufzeichnungsmediums Information aufgezeichnet wird und wobei ein Winkel, unter dem eine Tangente dieser Oberfläche und die horizontale Bezugsebene des optischen Aufzeichnungsmediums sich schneiden, 1-2 mrad beträgt und damit von der Oberfläche vorsteht.

12. Optisches Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das transparente Substrat (1) eine konvexe Oberfläche aufweist, wobei ein Winkel, unter dem eine Tangente der konvexen Oberfläche und die horizontale Bezugsebene des transparenten Substrats (1) sich schneiden, 1-2 mrad beträgt, und wobei die erste dielektrische Schicht (2), die Aufzeichnungsschicht (3), die zweite dielektrische Schicht (4) und die Reflexionsschicht (5) kumulativ auf der konvexen Oberfläche ausgebildet werden.

13. Verfahren zur Anwendung des optischen Aufzeichnungsmediums nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die modifizierte CAV-Aufzeichnungsmethode (MCAV = Modified Constant Angular Velocity Method) Anwendung findet, nach welcher die Aufzeichnung von Information dadurch erfolgt, dass die Aufzeichnungsfrequenzen in Übereinstimmung mit der Lineargeschwindigkeit verändert werden, wobei die Lineargeschwindigkeit im Bereich 5-12 m/s liegt, wobei die Aufzeichungsimpulsbreite am Innenumfang größer ist als diejenige am Außenumfang, und wobei das Verhältnis zwischen der Aufzeichnungsimpulsbreite am Innenumfang zur Aufzeichnungsimpulsbreite am Außenumfang 1,2 oder mehr beträgt.

14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Aufzeichnungsimpulsbreite 40-60 ns bei 5 m/s Lineargeschwindigkeit und 30-40 ns bei 12 m/s Lineargeschwindigkeit beträgt.

15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei die MCAV- Aufzeichnungsmethode Anwendung findet, nach welcher Information durch Veränderung des Aufzeichnungsstartpunkts mit maximal 7,75 um innerhalb einer Lineargeschwindigkeit von 5-12 m/s aufgezeichnet wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die dünne Aufzeichnungsschicht (3) eine Dicke von 18-30 nm aufweist.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei die erste dielektrische Schicht (2) eine Dicke von 140-210 nm aufweist.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei die erste dielektrische Schicht (2) ein Mischmaterial aus ZnS und SiO&sub2; aufweist, die zweite dielektrische Schicht (4) ein Mischmaterial aus ZnS und SiO&sub2; aufweist und wobei das Mischmaterial SiO&sub2; in einer Menge von 5-40 Mol% und ZnS in einer Menge von 60-95 Mol% aufweist.

19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, wobei die Reflexionsschicht (5) Al als Hauptmaterial sowie mindestens ein Metall aus der Gruppe mit Ti, Ni, Cr, Cu, Ag, Au, Pt, Mg, Si und Mo aufweist.

20. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) Te, Ge und Sb aufweist.

21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei die Aufzeichnungsschicht außerdem Stickstoff aufweist.

22. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) GeTe, Sb&sub2;Te&sub3;, Sb und Stickstoff aufweist.

23. Verfahren nach Anspruch 22, wobei die Aufzeichnungsschicht (3) so zusammengesetzt ist, dass 0,2 ≤ b ≤ 0,5, wobei b das Molverhältnis von Sb/Sb&sub2;Te&sub3; ist.

24. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 23, wobei das optische Aufzeichnungsmedium weiter eine abdeckende Harzschutzschicht (6) von 3-15 um Dicke auf der Reflexionsschicht (5) aufweist und wobei die Harzschutzschicht (6) Zugspannung erzeugt.