JPH05174425A - 書き換え可能な光情報記録媒体 - Google Patents
書き換え可能な光情報記録媒体Info
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- JPH05174425A JPH05174425A JP3357656A JP35765691A JPH05174425A JP H05174425 A JPH05174425 A JP H05174425A JP 3357656 A JP3357656 A JP 3357656A JP 35765691 A JP35765691 A JP 35765691A JP H05174425 A JPH05174425 A JP H05174425A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 再生時に高反射率が実現できると共に小さな
光エネルギーにより記録・消去及び再生を可能とする書
き換え可能な光情報記録媒体を提供すること。 【構成】 書き換え可能な光情報記録媒体１０は、基板
１上に透明な屈折率の異なる下層保護膜を構成する下層
保護膜(I) ２ａ及び下層保護膜(II)２ｂを単位とする４
層構造から成る多層下層保護膜２、記録膜３、上層保護
膜４及び反射膜５が順次形成されている。多層下層保護
膜２の各膜厚は、記録・消去のための長波長側の光のと
き記録膜３の非晶質部分及び結晶質部分に対応する両部
分の反射率が低く、再生のための短波長側の光のとき記
録膜３の結晶質部分に対応する部分の反射率が高く、非
晶質部分に対応する部分は低くなるように設定される。
これにより、本発明品は記録・消去のときの光吸収率が
大きく、再生のときの反射率が高くなり、その際の必要
な光エネルギーは小さなもので済むことになる。
光エネルギーにより記録・消去及び再生を可能とする書
き換え可能な光情報記録媒体を提供すること。 【構成】 書き換え可能な光情報記録媒体１０は、基板
１上に透明な屈折率の異なる下層保護膜を構成する下層
保護膜(I) ２ａ及び下層保護膜(II)２ｂを単位とする４
層構造から成る多層下層保護膜２、記録膜３、上層保護
膜４及び反射膜５が順次形成されている。多層下層保護
膜２の各膜厚は、記録・消去のための長波長側の光のと
き記録膜３の非晶質部分及び結晶質部分に対応する両部
分の反射率が低く、再生のための短波長側の光のとき記
録膜３の結晶質部分に対応する部分の反射率が高く、非
晶質部分に対応する部分は低くなるように設定される。
これにより、本発明品は記録・消去のときの光吸収率が
大きく、再生のときの反射率が高くなり、その際の必要
な光エネルギーは小さなもので済むことになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録・消去及び再生を
行うことができる書き換え可能な光情報記録媒体に関す
る。
行うことができる書き換え可能な光情報記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、再生専用の光情報記録媒体である光
ディスクとしてコンパクトディスク（以下、ＣＤとい
う）やビデオディスク（レーザディスク：ＬＤ）が広く
普及している。そして、再生専用の光ディスクの次世代
の製品としては、より高密度型のものが提案されてい
る。この提案されている高密度型のものは、記録ピット
のピッチ幅を現在のＣＤよりも狭くされる。これに対応
するため、再生レーザ光の波長をＣＤなどにおける 780
nmよりも短波長で光の裾広がりのない 670nmを用いて高
密度記録されたものを再生しようとするものである。こ
こで、書き換え可能な光情報記録媒体として、特開平２
−１６５４４４号公報「書換え可能型光ディスク」にて
開示されたものが知られている。このものは、光照射に
より結晶状態を可逆的変化、つまり、非晶質−結晶質間
で相転移させ、それに伴って生じる反射率の変化を利用
する相変化型の光ディスクである。非晶質部分（例え
ば、記録状態部分）を得るには、記録膜（光記録層）に
大きな光エネルギー（高レーザパワー）を短い時間照射
し高温溶融状態から急冷することにより達成される。
又、結晶質部分（例えば、消去状態部分）を得るには、
記録膜（光記録層）に中程度の光エネルギー（中程度の
レーザパワー）を照射し非晶質状態を加熱徐冷すること
により達成される。
ディスクとしてコンパクトディスク（以下、ＣＤとい
う）やビデオディスク（レーザディスク：ＬＤ）が広く
普及している。そして、再生専用の光ディスクの次世代
の製品としては、より高密度型のものが提案されてい
る。この提案されている高密度型のものは、記録ピット
のピッチ幅を現在のＣＤよりも狭くされる。これに対応
するため、再生レーザ光の波長をＣＤなどにおける 780
nmよりも短波長で光の裾広がりのない 670nmを用いて高
密度記録されたものを再生しようとするものである。こ
こで、書き換え可能な光情報記録媒体として、特開平２
−１６５４４４号公報「書換え可能型光ディスク」にて
開示されたものが知られている。このものは、光照射に
より結晶状態を可逆的変化、つまり、非晶質−結晶質間
で相転移させ、それに伴って生じる反射率の変化を利用
する相変化型の光ディスクである。非晶質部分（例え
ば、記録状態部分）を得るには、記録膜（光記録層）に
大きな光エネルギー（高レーザパワー）を短い時間照射
し高温溶融状態から急冷することにより達成される。
又、結晶質部分（例えば、消去状態部分）を得るには、
記録膜（光記録層）に中程度の光エネルギー（中程度の
レーザパワー）を照射し非晶質状態を加熱徐冷すること
により達成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、相変化型書
き換え可能な光情報記録媒体の記録膜の結晶質部分（例
えば、消去状態部分）に対応した部分の反射率はせいぜ
い40％程度で、ＣＤ規格の65％と比べるとかなり低い。
又、高反射率状態では、当然、光吸収率が小さいため記
録・消去のときの光エネルギーは非常に大きなものとな
ってしまうという問題があった。又、結晶質部分と非晶
質部分との光吸収率の差が大きい状態では、記録又は消
去に必要な光エネルギーが結晶質部分と非晶質部分とで
大きく異なることから、上記記録状態を一旦消去状態と
しないでその上から再記録する所謂オーバライトが困難
であるという問題があった。
き換え可能な光情報記録媒体の記録膜の結晶質部分（例
えば、消去状態部分）に対応した部分の反射率はせいぜ
い40％程度で、ＣＤ規格の65％と比べるとかなり低い。
又、高反射率状態では、当然、光吸収率が小さいため記
録・消去のときの光エネルギーは非常に大きなものとな
ってしまうという問題があった。又、結晶質部分と非晶
質部分との光吸収率の差が大きい状態では、記録又は消
去に必要な光エネルギーが結晶質部分と非晶質部分とで
大きく異なることから、上記記録状態を一旦消去状態と
しないでその上から再記録する所謂オーバライトが困難
であるという問題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、書き換え
可能な光情報記録媒体において、再生時に記録膜の結晶
質部分に対応した部分の高反射率が実現できると共に小
さな光エネルギーにより記録・消去及び再生を可能とす
ることである。
されたものであり、その目的とするところは、書き換え
可能な光情報記録媒体において、再生時に記録膜の結晶
質部分に対応した部分の高反射率が実現できると共に小
さな光エネルギーにより記録・消去及び再生を可能とす
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保
護膜及び反射膜を順次形成した書き換え可能な光情報記
録媒体であって、前記下層保護膜は波長の異なる２つの
光に対して透明で屈折率の異なる少なくとも２つの膜を
単位とする多層構造から成り、前記２つの光のうち記録
・消去のための長波長側の光のとき前記記録膜の非晶質
部分及び結晶質部分に対応する両部分の反射率が共に低
く、前記２つの光のうち再生のための短波長側の光のと
き前記記録膜の結晶質部分に対応する部分の反射率が高
く、前記記録膜の非晶質部分に対応する部分の反射率が
低くなるようにそれらの膜厚を設定することを特徴とす
る。
の発明の構成は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保
護膜及び反射膜を順次形成した書き換え可能な光情報記
録媒体であって、前記下層保護膜は波長の異なる２つの
光に対して透明で屈折率の異なる少なくとも２つの膜を
単位とする多層構造から成り、前記２つの光のうち記録
・消去のための長波長側の光のとき前記記録膜の非晶質
部分及び結晶質部分に対応する両部分の反射率が共に低
く、前記２つの光のうち再生のための短波長側の光のと
き前記記録膜の結晶質部分に対応する部分の反射率が高
く、前記記録膜の非晶質部分に対応する部分の反射率が
低くなるようにそれらの膜厚を設定することを特徴とす
る。
【０００６】
【作用及び効果】本発明の書き換え可能な光情報記録媒
体は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保護膜及び反
射膜が順次形成されている。上記下層保護膜は波長の異
なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる２つ以上の
膜を単位とする多層構造から成る。多層構造から成る上
記下層保護膜の各膜厚は、上記２つの光のうち記録・消
去のための長波長側の光のとき上記記録膜の非晶質部分
及び結晶質部分に対応する両部分の反射率が共に低くな
り、上記２つの光のうち再生のための短波長側の光のと
き上記記録膜の結晶質部分に対応する部分の反射率が高
く、上記記録膜の非晶質部分に対応する部分の反射率が
低くなるように設定される。そして、上記光情報記録媒
体は、上記２つの波長が異なる光を用い、長波長側の光
で記録・消去、短波長側の光で再生される。これによ
り、本発明の書き換え可能な光情報記録媒体は、記録・
消去のときの光吸収率が大きくなりその必要な光エネル
ギーは小さなもので済むことになる。又、このものは、
記録膜の非晶質部分及び結晶質部分に対応する両部分の
反射率が共に低くく、光吸収率の差が小さいためオーバ
ライトが容易である。更に、このものは、再生のとき記
録膜の結晶質部分に対応する部分が対振動性に強い高反
射率状態となるため、光エネルギーが小さくても再生可
能となる。
体は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保護膜及び反
射膜が順次形成されている。上記下層保護膜は波長の異
なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる２つ以上の
膜を単位とする多層構造から成る。多層構造から成る上
記下層保護膜の各膜厚は、上記２つの光のうち記録・消
去のための長波長側の光のとき上記記録膜の非晶質部分
及び結晶質部分に対応する両部分の反射率が共に低くな
り、上記２つの光のうち再生のための短波長側の光のと
き上記記録膜の結晶質部分に対応する部分の反射率が高
く、上記記録膜の非晶質部分に対応する部分の反射率が
低くなるように設定される。そして、上記光情報記録媒
体は、上記２つの波長が異なる光を用い、長波長側の光
で記録・消去、短波長側の光で再生される。これによ
り、本発明の書き換え可能な光情報記録媒体は、記録・
消去のときの光吸収率が大きくなりその必要な光エネル
ギーは小さなもので済むことになる。又、このものは、
記録膜の非晶質部分及び結晶質部分に対応する両部分の
反射率が共に低くく、光吸収率の差が小さいためオーバ
ライトが容易である。更に、このものは、再生のとき記
録膜の結晶質部分に対応する部分が対振動性に強い高反
射率状態となるため、光エネルギーが小さくても再生可
能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る書き換え可能な光情報記録
媒体の断面構造を示した模式図である。書き換え可能な
光情報記録媒体１０は、例えば、円盤状の透明なガラス
又はプラスチックから成る基板１上に順次、以下の膜が
積層され形成されている。先ず、基板１上に２つの膜を
単位とする多層構造から成る下層保護膜である多層下層
保護膜２を形成した。この多層下層保護膜２は、後述の
波長(670nm,830nm) の異なる２つの光に対して透明で屈
折率の異なる２層の膜である下層保護膜(I) ２ａ及び下
層保護膜(II)２ｂを単位とする多層構造となるように交
互に４層積層した。上記下層保護膜(I) ２ａはＴiＯ
2（屈折率2.5)にて厚さ 190nm、上記下層保護膜(II)２
ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)にて厚さ 100nmと成るよ
うにそれぞれ成膜した。次に、上記下層保護膜(II)２ｂ
上に ＧeＳbＴeから成る記録膜３を成膜した。その上
に、ＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)から成る上層保護膜４を
厚さ 100nmにて成膜した。更に、Ａu から成る反射膜５
を厚さ 100nmにて成膜した。尚、上述の各膜はスパッタ
リングにより形成した。又、この上にオーバコートとし
て更に、無機物や有機物の膜を形成しても良い。
明する。図１は本発明に係る書き換え可能な光情報記録
媒体の断面構造を示した模式図である。書き換え可能な
光情報記録媒体１０は、例えば、円盤状の透明なガラス
又はプラスチックから成る基板１上に順次、以下の膜が
積層され形成されている。先ず、基板１上に２つの膜を
単位とする多層構造から成る下層保護膜である多層下層
保護膜２を形成した。この多層下層保護膜２は、後述の
波長(670nm,830nm) の異なる２つの光に対して透明で屈
折率の異なる２層の膜である下層保護膜(I) ２ａ及び下
層保護膜(II)２ｂを単位とする多層構造となるように交
互に４層積層した。上記下層保護膜(I) ２ａはＴiＯ
2（屈折率2.5)にて厚さ 190nm、上記下層保護膜(II)２
ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)にて厚さ 100nmと成るよ
うにそれぞれ成膜した。次に、上記下層保護膜(II)２ｂ
上に ＧeＳbＴeから成る記録膜３を成膜した。その上
に、ＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)から成る上層保護膜４を
厚さ 100nmにて成膜した。更に、Ａu から成る反射膜５
を厚さ 100nmにて成膜した。尚、上述の各膜はスパッタ
リングにより形成した。又、この上にオーバコートとし
て更に、無機物や有機物の膜を形成しても良い。
【０００８】図２は、上述の構造から成る光情報記録媒
体１０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図２(a) は光の波長λが
再生のための 670nmのときであり、図２(b) は光の波長
λが記録・消去のための 830nmのときである。図２(a)
に示したように、光の波長が再生のための短波長側の 6
70nmのとき、記録膜３の膜厚が65nmで結晶質部分の反射
率が74％となり、非晶質部分の反射率が45％となった。
又、図２(b) に示したように、光の波長が記録・消去の
ための長波長側の 830nmのとき、記録膜３の膜厚が65nm
で結晶質部分の反射率が28％となり、非晶質部分の反射
率が30％となった。
体１０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図２(a) は光の波長λが
再生のための 670nmのときであり、図２(b) は光の波長
λが記録・消去のための 830nmのときである。図２(a)
に示したように、光の波長が再生のための短波長側の 6
70nmのとき、記録膜３の膜厚が65nmで結晶質部分の反射
率が74％となり、非晶質部分の反射率が45％となった。
又、図２(b) に示したように、光の波長が記録・消去の
ための長波長側の 830nmのとき、記録膜３の膜厚が65nm
で結晶質部分の反射率が28％となり、非晶質部分の反射
率が30％となった。
【０００９】以上のような反射率変化となり、光の波長
を記録・消去のための長波長側である 830nmとしたとき
の光吸収率は結晶質部分が72％、非晶質部分が70％であ
る。即ち、本実施例の光情報記録媒体１０は結晶質部分
及び非晶質部分の光吸収率が共に大きいので、記録・消
去が小さな光エネルギーにより容易にできる。又、結晶
質部分及び非晶質部分の光吸収率の差が小さいことから
オーバライトも容易となる。これにより、光情報記録媒
体１０は録再などをする際の振動に対して強くなるとい
う効果もある。
を記録・消去のための長波長側である 830nmとしたとき
の光吸収率は結晶質部分が72％、非晶質部分が70％であ
る。即ち、本実施例の光情報記録媒体１０は結晶質部分
及び非晶質部分の光吸収率が共に大きいので、記録・消
去が小さな光エネルギーにより容易にできる。又、結晶
質部分及び非晶質部分の光吸収率の差が小さいことから
オーバライトも容易となる。これにより、光情報記録媒
体１０は録再などをする際の振動に対して強くなるとい
う効果もある。
【００１０】通常、記録・消去及び再生においては、ガ
ウス分布（正規分布）を有する光ビームが使用される。
このうち再生では、反射してくる全ての光を利用するた
め高密度記録されたものではトラック間の読み取りミス
を無くすため特に、光ビームの裾広がりがない程良い。
このため、高密度記録再生のための光の波長は短波長側
である 670nmとしている。又、高密度記録・消去では、
ガウス分布曲線の頂上付近の光エネルギーが高い部分の
みが使用されるので光ビームの裾広がりは再生時ほど問
題にはならないため光の波長は長波長側である 830nmと
している。
ウス分布（正規分布）を有する光ビームが使用される。
このうち再生では、反射してくる全ての光を利用するた
め高密度記録されたものではトラック間の読み取りミス
を無くすため特に、光ビームの裾広がりがない程良い。
このため、高密度記録再生のための光の波長は短波長側
である 670nmとしている。又、高密度記録・消去では、
ガウス分布曲線の頂上付近の光エネルギーが高い部分の
みが使用されるので光ビームの裾広がりは再生時ほど問
題にはならないため光の波長は長波長側である 830nmと
している。
【００１１】光の波長を再生のための短波長側の 670nm
にすると結晶質部分の反射率が大きくなり、高密度記録
再生用の光エネルギーが小さくても、容易にフォーカス
サーボ又はトラッキングサーボなどが可能となる。即
ち、高密度記録型ＣＤ再生機やハイビジョン用高密度記
録ビデオディスク再生機と互換性のある書き換え可能な
光情報記録媒体を得ることができる。尚、上記フォーカ
スサーボとは、光情報記録媒体に対するピックアップ光
学系において、焦点が光情報記録媒体の上下動に対し正
確に位置するように対物レンズを上下させる制御であ
る。又、上記トラッキングサーボとは、光情報記録媒体
に対するピックアップ光学系において、光情報記録媒体
が回転する際に半径方向に生じるトラック振れにビーム
を追従させる制御である。
にすると結晶質部分の反射率が大きくなり、高密度記録
再生用の光エネルギーが小さくても、容易にフォーカス
サーボ又はトラッキングサーボなどが可能となる。即
ち、高密度記録型ＣＤ再生機やハイビジョン用高密度記
録ビデオディスク再生機と互換性のある書き換え可能な
光情報記録媒体を得ることができる。尚、上記フォーカ
スサーボとは、光情報記録媒体に対するピックアップ光
学系において、焦点が光情報記録媒体の上下動に対し正
確に位置するように対物レンズを上下させる制御であ
る。又、上記トラッキングサーボとは、光情報記録媒体
に対するピックアップ光学系において、光情報記録媒体
が回転する際に半径方向に生じるトラック振れにビーム
を追従させる制御である。
【００１２】図３は本発明に係る書き換え可能な光情報
記録媒体の他の実施例の断面構造を示した模式図であ
る。書き換え可能な光情報記録媒体３０は、基板３１と
記録膜３３との間の下層保護膜を多層下層保護膜３２と
した。この多層下層保護膜３２は、波長(670nm,830nm)
の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる２層の
膜である下層保護膜(I) ３２ａ及び下層保護膜(II)３２
ｂの多層構造から成る。上記下層保護膜(I) ３２ａはＴ
iＯ2（屈折率 2.5）にて厚さ 190nm、上記下層保護膜(I
I)３２ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率 2.0）にて厚さ 100nm
にそれぞれ成膜した。尚、上記基板３１、記録膜３３及
び上層保護膜３４、反射膜３５の材質、膜厚及び成膜法
などは上述の実施例におけるものと同様であり説明を省
略する。
記録媒体の他の実施例の断面構造を示した模式図であ
る。書き換え可能な光情報記録媒体３０は、基板３１と
記録膜３３との間の下層保護膜を多層下層保護膜３２と
した。この多層下層保護膜３２は、波長(670nm,830nm)
の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる２層の
膜である下層保護膜(I) ３２ａ及び下層保護膜(II)３２
ｂの多層構造から成る。上記下層保護膜(I) ３２ａはＴ
iＯ2（屈折率 2.5）にて厚さ 190nm、上記下層保護膜(I
I)３２ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率 2.0）にて厚さ 100nm
にそれぞれ成膜した。尚、上記基板３１、記録膜３３及
び上層保護膜３４、反射膜３５の材質、膜厚及び成膜法
などは上述の実施例におけるものと同様であり説明を省
略する。
【００１３】図４は、上述の構造から成る光情報記録媒
体３０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図４(a) は光の波長λが
再生のための 670nmのときであり、図４(b) は光の波長
λが記録・消去のための 830nmのときである。図４(a)
に示したように、光の波長が再生のための短波長側の 6
70nmのとき、記録膜３３の膜厚が70nmで結晶質部分の反
射率が63％となり、非晶質部分の反射率が32％となっ
た。又、図４(b) に示したように、光の波長が記録・消
去のための短波長側の 830nmのとき、記録膜３３の膜厚
が70nmで結晶質部分の反射率が38％となり、非晶質部分
の反射率が37％となった。
体３０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図４(a) は光の波長λが
再生のための 670nmのときであり、図４(b) は光の波長
λが記録・消去のための 830nmのときである。図４(a)
に示したように、光の波長が再生のための短波長側の 6
70nmのとき、記録膜３３の膜厚が70nmで結晶質部分の反
射率が63％となり、非晶質部分の反射率が32％となっ
た。又、図４(b) に示したように、光の波長が記録・消
去のための短波長側の 830nmのとき、記録膜３３の膜厚
が70nmで結晶質部分の反射率が38％となり、非晶質部分
の反射率が37％となった。
【００１４】以上のような反射率変化となり、光の波長
を記録・消去のための長波長側である 830nmとしたとき
の光吸収率は結晶質部分が62％、非晶質部分が63％であ
る。即ち、本実施例の光情報記録媒体３０においても、
結晶質部分及び非晶質部分の光吸収率が共に大きいの
で、記録・消去が小さな光エネルギーにより容易にでき
る。又、結晶質部分及び非晶質部分の光吸収率の差が小
さいことからオーバライトも容易となる。又、同様に、
光の波長を 670nmにすると結晶質部分の反射率が大きく
なり、高密度記録再生用の光エネルギーが小さくても、
容易にフォーカスサーボ又はトラッキングサーボなどが
可能となる。
を記録・消去のための長波長側である 830nmとしたとき
の光吸収率は結晶質部分が62％、非晶質部分が63％であ
る。即ち、本実施例の光情報記録媒体３０においても、
結晶質部分及び非晶質部分の光吸収率が共に大きいの
で、記録・消去が小さな光エネルギーにより容易にでき
る。又、結晶質部分及び非晶質部分の光吸収率の差が小
さいことからオーバライトも容易となる。又、同様に、
光の波長を 670nmにすると結晶質部分の反射率が大きく
なり、高密度記録再生用の光エネルギーが小さくても、
容易にフォーカスサーボ又はトラッキングサーボなどが
可能となる。
【００１５】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒
体における記録膜の材質としては、上述の ＧeＳbＴe系
以外に ＩnＳbＴe系やＩnＳe系などの相変化膜でも良
い。又、下層保護膜(I) と下層保護膜(II)とは波長の異
なる２つの光に対して透明で屈折率に差のある（屈折率
の異なる）膜であれば良い。又、本発明に係る書き換え
可能な光情報記録媒体にオーバコートを施した上に保護
板又はもう１つの同様の光情報記録媒体を接着剤などで
張り合わせても良い。
体における記録膜の材質としては、上述の ＧeＳbＴe系
以外に ＩnＳbＴe系やＩnＳe系などの相変化膜でも良
い。又、下層保護膜(I) と下層保護膜(II)とは波長の異
なる２つの光に対して透明で屈折率に差のある（屈折率
の異なる）膜であれば良い。又、本発明に係る書き換え
可能な光情報記録媒体にオーバコートを施した上に保護
板又はもう１つの同様の光情報記録媒体を接着剤などで
張り合わせても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る書き換え可能
な光情報記録媒体の断面構造を示した模式図である。
な光情報記録媒体の断面構造を示した模式図である。
【図２】同実施例に係る書き換え可能な光情報記録媒体
における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚に対す
る反射率の依存性のシミュレーション結果を示した特性
図である。
における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚に対す
る反射率の依存性のシミュレーション結果を示した特性
図である。
【図３】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
他の実施例の断面構造を示した模式図である。
他の実施例の断面構造を示した模式図である。
【図４】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
他の実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
他の実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
１−基板 ２−多層下層保護膜（下層保護膜） ２
ａ−下層保護膜(I) ２ｂ−下層保護膜(II) ３−記録膜 ４−上層保護
膜 ５−反射膜 １０−書き換え可能な光情報記録媒体
ａ−下層保護膜(I) ２ｂ−下層保護膜(II) ３−記録膜 ４−上層保護
膜 ５−反射膜 １０−書き換え可能な光情報記録媒体
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に下層保護膜、記録膜、上層保護
膜及び反射膜を順次形成した書き換え可能な光情報記録
媒体であって、 前記下層保護膜は波長の異なる２つの光に対して透明で
屈折率の異なる少なくとも２つの膜を単位とする多層構
造から成り、前記２つの光のうち記録・消去のための長
波長側の光のとき前記記録膜の非晶質部分及び結晶質部
分に対応する両部分の反射率が共に低く、前記２つの光
のうち再生のための短波長側の光のとき前記記録膜の結
晶質部分に対応する部分の反射率が高く、前記記録膜の
非晶質部分に対応する部分の反射率が低くなるようにそ
れらの膜厚を設定することを特徴とする光情報記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357656A JPH05174425A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3357656A JPH05174425A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05174425A true JPH05174425A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18455239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3357656A Pending JPH05174425A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05174425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665520A (en) * | 1994-06-13 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP3357656A patent/JPH05174425A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665520A (en) * | 1994-06-13 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5674649A (en) * | 1994-06-13 | 1997-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of recording information |
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