DE69510741T2 - Verfahren zur Herstellung eines Markierungszeichens auf einer Halbleiterscheibe mit einer vergrabenen Struktur - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Markierungszeichens auf einer Halbleiterscheibe mit einer vergrabenen StrukturInfo
- Publication number
- DE69510741T2 DE69510741T2 DE69510741T DE69510741T DE69510741T2 DE 69510741 T2 DE69510741 T2 DE 69510741T2 DE 69510741 T DE69510741 T DE 69510741T DE 69510741 T DE69510741 T DE 69510741T DE 69510741 T2 DE69510741 T2 DE 69510741T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- producing
- semiconductor wafer
- buried structure
- marking mark
- marking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/975—Substrate or mask aligning feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9410326A FR2724057B1 (fr) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | Procede de realisation d'un repere sur une plaquette notamment semiconductrice incluant une structure enterree |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69510741D1 DE69510741D1 (de) | 1999-08-19 |
DE69510741T2 true DE69510741T2 (de) | 1999-12-16 |
Family
ID=9466511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69510741T Expired - Fee Related DE69510741T2 (de) | 1994-08-26 | 1995-08-22 | Verfahren zur Herstellung eines Markierungszeichens auf einer Halbleiterscheibe mit einer vergrabenen Struktur |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5616522A (de) |
EP (1) | EP0703616B1 (de) |
DE (1) | DE69510741T2 (de) |
FR (1) | FR2724057B1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5790737A (en) * | 1995-11-21 | 1998-08-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
DE19611907A1 (de) * | 1996-03-26 | 1997-10-02 | Sel Alcatel Ag | Optisches Bauelement mit Justiermarke und Verfahren zur Herstellung |
DE60225815T2 (de) * | 2001-04-07 | 2009-02-05 | Glaukos Corp., Laguna Hills | Glaukom-stent für die glaukom-behandlung |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4563765A (en) * | 1982-01-29 | 1986-01-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Intra-cavity loss-modulated diode laser |
JPS61100928A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の位置合せマ−ク形成方法 |
FR2661516B1 (fr) * | 1990-04-27 | 1992-06-12 | Alcatel Fibres Optiques | Composant d'optique integree et procede de fabrication. |
JP2831847B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1998-12-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
DE69229708T2 (de) * | 1991-05-20 | 1999-12-23 | Furukawa Electric Co Ltd | Verfahren zum verbinden eines optischen lichtwellenleiters mit einer optischen faser |
US5300797A (en) * | 1992-03-31 | 1994-04-05 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Coplanar twin-well integrated circuit structure |
JP3054278B2 (ja) * | 1992-11-16 | 2000-06-19 | 日本碍子株式会社 | 光集積回路の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-26 FR FR9410326A patent/FR2724057B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-22 EP EP95401928A patent/EP0703616B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-22 DE DE69510741T patent/DE69510741T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-23 US US08/518,274 patent/US5616522A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0703616B1 (de) | 1999-07-14 |
FR2724057A1 (fr) | 1996-03-01 |
FR2724057B1 (fr) | 1996-10-18 |
EP0703616A1 (de) | 1996-03-27 |
DE69510741D1 (de) | 1999-08-19 |
US5616522A (en) | 1997-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69528611T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates | |
DE69418302D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit ebener Oberfläche | |
DE69332511T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats | |
DE69333282D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats | |
DE69306110T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines bohrloches in einer untergrundformation | |
DE69836401D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE69700945T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer gesinterten struktur auf einem substrat | |
DE69001411D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines substrats fuer halbleiteranordnungen. | |
DE3688042T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer submikron-grabenstruktur auf einem halbleitenden substrat. | |
DE69730940D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
DE69941652D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-auf-Isolator-Substrats | |
DE69422265D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer strahlungsgeschützten Silizium-auf-Isolator Halbleiteranordnung | |
DE69434695D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE59308969D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer definiert geschliffenen, rotationssymmetrischen Krümmung | |
DE69621385D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit kristalldefekten | |
DE69940737D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
DE69527827T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtelektrode eines Halbleiterbauteils | |
DE69410137D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer chalkopyrit-Halbleiterschicht | |
DE69415500T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit vergrabenem Übergang | |
DE69028397T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
DE69803377D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines mikrosensors mit mikrogefertigtem silizium | |
DE69722661D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung | |
DE69942186D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
DE69705534T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines formkörpers mit einer farbigen markierung | |
DE69510741T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Markierungszeichens auf einer Halbleiterscheibe mit einer vergrabenen Struktur |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |