DE69510129T2 - Oberflächenemittierende lumineszente Halbleitervorrichtung - Google Patents

Oberflächenemittierende lumineszente Halbleitervorrichtung

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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine oberflächenemittierende Halbleiter- Lichtemissionsvorrichtung und insbesondere auf eine oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, wie beispielsweise einen Halbleiterlaser oder eine Leuchtdiode, die zu einer Oberflächenemission von Grün- oder Blau-Licht fähig sind.
    • Beschreibung des Standes der Technik
  • In jüngster Zeit wird der Bedarf für Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen größer und größer, die in der Lage sind, Grün- bis Blau-Licht zu emittieren, wobei immer höhere Aufzeichnungs- und Wiedergabedichten oder höhere Auflösungen von optischen Platten und magnetooptischen Platten angestrebt werden, und Anstrengungen wurden auf Entwicklungen von solchen Vorrichtungen gerichtet.
  • Das US-Patent Nr. 5,268,918 offenbart eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit Überzugschichten aus ZnMgSSe, das einer der II-VI-Verbindungshalbleiter ist.
  • Itoh et al. berichten in Electronics Letters, Band 29, Nr. 9, von einer Pulsoszillation eines Halbleiterlasers einer SCH-Struktur aus ZnCdSe/ZnSe/- ZnMgSSe bei Raumtemperatur.
  • Ren et. al. berichten in J. Vac. Sci. Technol. B 12(2), März/April 1994, Seiten 1262 bis 1265 über eine LED (Leuchtdiode) mit einer Doppelheterostruktur aus ZnSe/ZnCdSe auf einem ZnSe-Substrat.
  • Die GB-A-2 270 199 offenbart eine Leuchtdiode mit einem Halbleitersubstrat mit einer unteren Elektrode, einem pn-Übergang, einer ersten Lichtreflexionsschicht, die zwischen dem Substrat und dem pn-Übergang angeordnet ist, einer oberen Elektrode und einer zweiten Lichtreflexionsschicht, die zwischen dem pn-Übergang und der oberen Elektrode angeordnet ist, wobei die zweite Lichtreflexionsschicht das Licht gerichtet zu der oberen Elektrode reflektiert.
  • In der EP-A-0 632 554, die Stand der Technik gemäß Art. 54(3) EPÜ ist, ist eine Lichtemissionsvorrichtung offenbart, die eine erste Überzugschicht eines ersten Leitungstyps, gestapelt auf ein Verbindungshalbleitersubstrat und hergestellt aus einem ZnMgSSe-Verbindungshalbleiter, eine auf die erste Überzugschicht gestapelte erste aktive Schicht, eine zweite Überzugsschicht eines zweiten Leitungstyps, gestapelt auf die aktive Schicht und hergestellt aus einem ZnMgSSe-Verbindungshalbleiter, und ZnSSe-Verbindungshalbleiterschichten, die auf der zweiten Überzugschicht und/oder zwischen der Verbindungshalbleiterschicht und der ersten Überzugschicht vorgesehen sind, hat.
    • AUFGABEN UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine oberflächenemittierende Halbleiter- Lichtemissionsvorrichtung anzugeben, die fähig zu einer Oberflächenemission von Grün- bis Blau-Licht ist, wobei II-VI-Verbindungshalbleiter als Materialien von ihren Überzugschichten und einer aktiven Schicht verwendet werden.
  • Gemäß der Erfindung ist eine oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit den Merkmalen des beigefügten Patentanspruches 1 vorgesehen.
  • Da die Vorrichtung nicht in einer Richtung senkrecht zu der Ebene der aktiven Schicht emittiert, können derartige Lichtemissionsvorrichtungen einfacher integriert werden als Lichtemissionsvorrichtungen, die gestaltet sind, um Licht in einer Richtung senkrecht zu der Spaltungsebene zu emittieren.
  • Wenn eine ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht auf die zweite Überzugsschicht gestapelt wird und eine Gitterelektrode auf der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht vorgesehen ist, kann der Widerstand der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht stark verringert werden, indem ausreichend deren Ladungsträgerkonzentration durch Dotieren eines Fremdstoffes erhöht wird, und ein guter ohmscher Kontakt zwischen der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht und der gitterförmigen Elektrode wird gewährleistet. Dies erlaubt eine Verringerung der Betriebsspannung der oberflächenemittierenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung und verhindert damit ein Erwärmen bei dem Kontakt der Gitterelektrode mit der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht, was zu einer Verhinderung einer Abnahme in der Effizienz der Lichtemission oder einer Verschlechterung der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung beiträgt. Wenn die Dicke der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht in dem Bereich von 2 bis 100 nm liegt, verhält sich die ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht als eine transparente Elektrode und stört nicht eine Emission von Licht dort hindurch. Wenn die ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht ausreichend dick ist, wie beispielsweise 50 nm oder mehr, kann der durch die Gitterelektrode injizierte Strom in der Richtung parallel zu der Ebene der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht diffundiert werden. Es ist somit möglich, den Strom in eine weite Zone der aktiven Schicht einzuführen und eine hervorragend gleichmäßige Oberflächenemission von Licht zu realisieren.
  • Wenn die Gitterelektrode auf der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht hergestellt wird, ist der in die ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht injizierte Strom durch die Gitterelektrode gleichmäßiger verteilt als in einer Struktur, welche beispielsweise eine streifenförmige Elektrode verwendet. Daher kann die Gleichmäßigkeit der Oberflächenemission von Licht verbessert werden.
  • Wenn eine ZnSSe-Verbindungshalbleiterschicht zwischen der zweiten Überzugschicht und der ZnTe-Verbindungshalbleiterschicht vorgesehen wird, kann auch die ZnSSe-Verbindungshalbleiterschicht als eine Überzugschicht eines zweiten Leitungstyps verwendet werden, um hervorragende Eigenschaften hinsichtlich optischer Begrenzung und Ladungsträgerbegrenzung sicherzustellen. Wenn die Dicke der ZnSSe-Verbindungshalbleiterschicht um 0,5 um liegt, dann kann der durch die Gitterelektrode eingeführte Strom in einer weiten Zone in der Richtung parallel zu der ZnSSe-Verbindungshalbleiterschicht diffundiert oder zerstreut werden, und damit ist eine hervorragend gleichmäßige Oberflächenemission von Licht gewährleistet.
  • Wenn eine Lichtreflexionsschicht zwischen dem Substrat und der ersten Überzugsschicht vorgesehen wird, reflektiert die Lichtreflexionsschicht eine Komponente des in der aktiven Schicht erzeugten und zu dem Substrat zurück zu der Gitterelektrode laufenden Lichtes und verhindert, daß das Licht zu dem Substrat durch das Substrat absorbiert wird. Daher ist es mölgich, sogar das Licht zu dem Substrat für eine Oberflächenemission zu nutzen und damit die Lichtemissionwirksamkeit merklich zu verbessern. Licht wird so wirksam von dem Lichtaufnahmeteil herausgenommen.
  • Mit diesen Anordnungen kann eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung realisiert werden, die zu einer Oberflächenemission von Grün- bis Blau-Licht in der Lage ist, indem II-VI-Verbindungshalbleiter als Materialien ihrer Überzugschichten und aktiven Schicht verwendet werden.
  • Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden sofort aus der folgenden Detailbeschreibung hiervon offenbar, welche im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen zu lesen ist.
    • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist eine Draufsicht einer oberflächenemittierenden Leuchtdiode (LED) gemäß einem ersten Beispiel,
  • Fig. 2 ist eine Schnittdarstellung der oberflächenemittierenden LED gemäß dem ersten Beispiel,
  • Fig. 3 ist ein Energiebanddiagramm, das Valenzbänder vom p-Typ-ZnSe und p-Typ-ZnTe nahe von deren Zwischenfläche zeigt,
  • Fig. 4 ist ein Graph, der Änderungen in einem ersten Quantenpegel E 1 mit der Breite Lw einer Quantenwanne mit p-Typ-ZnTe zeigt,
  • Fig. 5 ist ein Energiebanddiagramm, das ein Design einer p-Typ-ZnSe/- ZnTe-MQW-Schicht in einer oberflächenemittierenden LED gemäß dem ersten Beispiel zeigt,
  • Fig. 6 ist eine Schnittdarstellung einer oberflächenemittierenden LED gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, und
  • Fig. 7 ist eine Schnittdarstellung, die eine oberflächenemittierende LED gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
    • DETAILBESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Einige Ausführungsbeispiele der Erfindung und ein die Erfindung veranschaulichendes Beispiel sind im folgenden anhand der Zeichnungen erläutert. In allen Zeichnungen der Ausführungsbeispiele oder des Beispiels sind gleiche oder gleichwertige Elemente mit den identischen Bezugszahlen versehen.
  • Fig. 1 ist eine Draufsicht einer oberflächenemittierenden Leuchtdiode (LED) gemäß einem ersten Beispiel, und Fig. 2 ist eine Schnittdarstellung einer lichtemittierenden Ebene in dem Beispiel von Fig. 1 in einem vergrößerten Maßstab.
  • Wie in den Fig. 1 und 2 gezeigt ist, ist die oberflächenemittierende LED gemäß dem ersten Beispiel hergestellt, indem auf einem (100)-orientierten n-Typ-GaAs- Substrat 1, das beispielsweise mit Si als einem Donatorfremdstoff dotiert ist, in einer Sequenz eine n-Typ-ZnSe-Pufferschicht 2, die mit beispielsweise Cl als einem Donatorfremdstoff dotiert ist, eine n-Typ-ZnSSe-Schicht 3, die mit beispielsweise Cl als einem Donatorfremdstoff dotiert ist, eine n-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 4, die mit beispielsweise C1 als einem Donatorfremdstoff dotiert ist, eine n-Typ- ZnSSe-Wellenleiterschicht 5, die mit beispielsweise Cl als einem Donatorfremdstoff dotiert ist, eine aktive Schicht 6, eine p-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 7, die mit beispielsweise N als einem Akzeptorfremdstoff dotiert ist, eine p-Typ-ZnMgSSe- Überzugschicht 8, die mit beispielsweise N als einem Akzeptorfremdstoff dotiert ist, eine p-Typ-ZnSSe-Schicht 9, die mit beispielsweise N als einem Akzeptorfremdstoff dotiert ist, eine p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10, die mit beispielsweise N als einem Akzeptorfremdstoff dotiert ist, eine p-Typ-ZnSe/ZnTe-Mehrfachquantenwannenschicht (MgW) 11 mit abwechselnd gestapelten p-Typ-2nSe-Barriereschichten und einer p-Typ-ZnTe-guantenwannenschicht und eine p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12, die mit beispielsweise N als einem Akzeptorfremdstoff dotiert ist, gestapelt werden. Eine gitterförmige p-Seitenelektrode 13 ist auf der p-Typ-ZnTe- Kontaktschicht 12 vorgesehen, und ein Au-Film 14 ist auf der gesamten Oberfläche angeordnet, wobei die p-Seitenelektrode 13 bedeckt wird. Auf der Rückfläche des n-Typ-GaAs-Substrates 1 ist eine n-Seitenelektrode 15 gebildet. Die p- Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 wird weiter unten in größerer Einzelheit erläutert.
  • In dem ersten Beispiel hat die aktive Schicht 6 eine Einzelquantenwannenstruktur oder eine Mehrfachquantenwannenstruktur einschließlich einer oder mehrerer Quantenwannenschichten, die aus ZnCdSe (beispielsweise Zn0,85Cd0,15Se) einer Gesamtdicke von 6 bis 12 nm hergestellt sind.
  • Verwendet als die n-Typ-ZnSSe-Schicht 3 und die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 werden beispielsweise ZnS0,06Sc0,94-Schichten. In ähnlicher Weise sind die n-Typ- ZnSSe-Wellenleiterschicht 5 und die p-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 7 beispielsweise ZnS0,06Se0,94. Die n-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 4 und die p-Typ- ZnMgSSe-Überzugschicht 8 sind beispielsweise Zn0,91Mg0,09S0,18Se0,82- Schichten. Die n-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 4 und die p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8 mit der Zusammensetzung von Zn0,91Mg0,09S0,18Se0,82 sind in Gitteranpassung mit GaAs, und die n-Typ-ZnSSe-Schicht 3, die p-Typ-ZnSSe- Schicht 9, die n-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 5 und die p-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 7 mit der Zusammensetzung von ZnS0,06Se0,94 sind in Gitteranpassung mit der n-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 4 und der p-Typ- ZnMgSSe-Überzugschicht mit der obigen Zusammensetzung.
  • Die n-Typ-ZnSSe-Schicht 3 ist beispielsweise 0,7 um dick, und ihre wirksame Donatorkonzentration ND-NA (ND ist die Donatoronzentration und NA ist die Akzeptorkonzentration) beträgt beispielsweise (2 ~ 5) · 10¹&sup7; cm&supmin;³. Die n-Typ- ZnMgSSe-Überzugschicht 4 ist beispielsweise 0,7 gm dick, und ihre ND-NA beträgt beispielsweise (2 ~ 5) · 10¹&sup7; cm&supmin;³. Die n-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 5 ist beispielsweise 100 nm dick und ihre ND-NA beträgt beispielsweise (2 ~ 5) · 10¹&sup7; cm³. Die p-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 7 ist beispielsweise 100 nm dick, und ihre effektive Akzeptorkonzentration NA-ND beträgt beispielsweise (2 ~ 5) · 10¹&sup7; cm³. Die p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8 ist beispielsweise 0,5 um dick und ihre NA-ND beträgt beispielsweise 1 · 10¹&sup7; cm&supmin;³. Die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 ist beispielsweise 0,5 gm dick, und ihre NA-ND beträgt beispielsweise (2 ~ 5) · 10¹&sup7; cm³. Die p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 ist beispielsweise 100 nm dick und ihre NA-ND beträgt beispielsweise (5 ~ 8) · 10¹&sup7; cm&supmin;³. Die p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 ist beispielsweise 2-100 dick und ihre NA-ND beträgt beispielsweise 1 · 10¹&sup9; cm&supmin;³.
  • Die Dicke der n-Typ-ZnSe-Pufferschicht 2 wird ausreichend kleiner bestimmt als die kritische Dicke von ZnSe (-100 nm), um die Erzeugung einer Versetzung während eines epitaxialen Wachstums der n-Typ-ZnSe-Pufferschicht 2 und anderer darüberliegender Schichten zu verhindern, welche aufgrund einer Gitterfehlanpassung, obwohl geringfügig, zwischen ZnSe und GaAs auftreten könnte. Im ersten Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der n-Typ-ZnSe-Pufferschicht 2 beispielsweise 33 nm.
  • Für die p-seitige bzw. Seitenelektrode 13 wird eine Au-Elektrode, eine Pd/Pt/Au- Elektrode oder dergleichen verwendet. Die n-seitige bzw. Seitenelektrode 15 ist beispielsweise eine In-Elektrode.
  • Die oberflächenemittierende LED gemäß dem ersten Beispiel hat eine quadratförmige Geometrie von 1 mm · 1 mm als Beispiel in ihrer Draufsicht.
  • In dem ersten Beispiel hat die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 verschiedene Funktionen, wie beispielsweise das Verhalten als eine zusätzliche zweite p-Typ-Überzugschicht, die von der p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8 verschieden ist, das Zerstreuen eines von der p-Seitenelektrode 13 und dem Au-Film 14 eingeführten Stromes in der Richtung parallel zu der Ebene der p-Typ-ZnSSe-Schicht 9, das Aufbauen einer Gitteranpassung mit der p-Typ-ZnMgSSe-Überzugsschicht 8 und das Verhalten als ein Abstandshalter zum Verhindern eines Kurzschlusses, der auftreten könnte, wenn Lot längs Endflächen der Diodenchips nach Befestigen solcher Chips auf einer Wärmesenke kriecht.
  • Die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9, die sich als eine zweite p-Typ-Überzugschicht verhält, kann zusammen mit der p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8 die optischen Begrenzungs- bzw. Beschränkungseigenschaften und Ladungsträger-Begrenzungs- bzw. Beschränkungseigenschaften verbessern. Da die Beweglichkeit von Löchern in ZnSSe größer ist als in ZnMgSSe, ist der Widerstand der p-Typ-Überzugschicht niedriger in der Struktur, in welcher die p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8 und die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 beide die p-Typ-Überzugschicht einer gegebenen Gesamtdicke bilden, als in der Struktur, in welcher lediglich das p-Typ-ZnMgSSe 8 die p-Typ-Überzugschicht der gleichen Gesamtdicke formt. Ein niedrigerer Widerstand der p-Typ-Überzugschicht vermindert den Spannungsabfall der p-Typ-Überzugschicht und trägt zu einer Reduktion der Betriebsspannung der oberflächenemittierenden LED bei.
  • Die Funktion des Zerstreuens eines von der p-Seitenelektrode 13 und dem Au-Film 14 in der Richtung parallel zu der Ebene der p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 eingeführten Stromes läßt den Strom zu einer größeren bzw. weiteren Fläche der aktiven Schicht injizieren und gewährleistet eine gleichmäßige Oberflächenemission von Licht.
  • Wenn die p-Typ-ZnSSe-Kontaktschicht 10 direkt auf die p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8 gestapelt ist, könnte eine Gitterfehlanpassung zwischen diesen deren kristalline Verschlechterung verursachen. Da jedoch die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 in Gitteranpassung mit der p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8 darauf gestapelt ist und die p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 auf die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 gestapelt ist, werden die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 und die p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 in einem guten kristallinen Zustand gehalten. Dies trägt zu einer Verbesserung im ohmschen Kontakt der p-Seitenelektrode 13 mit dem Au-Film 14 bei.
  • Zusätzlich zu diesen Vorteilen hat die Verwendung der p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 den folgenden Verdienst. Das heißt, die Verwendung der p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 als die zweite p-Typ-Überzugschicht erlaubt eine minimale Dicke der p-Typ-ZnMgSSe- Überzugschicht 8, deren epitaxiales Wachstum nicht so einfach wie dasjenige von binären oder tertiären 11-VI-Verbindungshalbleitern ist, und macht damit die Herstellung von oberflächenemittierenden LEDs so viel einfacher.
  • Die n-Typ-ZnSSe-Schicht 3 hat einige Funktionen, wie beispielsweise ein Symmetrischmachen der Brechungsindices an beiden Seiten der aktiven Schicht 6, ein Verhalten als eine zweite n-Typ-Überzugschicht zusätzlich zu der n-Typ- ZnMgSSe-Überzugschicht 4, ein Gitteranpassen mit der n-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 4 und ein Verhalten als ein Abstandshalter zum Verhindern eines Kurzschlusses, der auftreten könnte, wenn Lot längs Endflächen der Diodenschips nach Befestigen solcher Chips auf einer Wärmesenke aufkriecht.
  • Da die p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 so dünn wie 2 ~ 100 nm ist und ein beträchtlich hohes NA-ND mit einer Höhe von 1 · 10¹&sup9; cm&supmin;³ aufweist, wirkt sie als eine transparente Elektrode mit einem niedrigen Widerstand. Dies führt zu einem guten ohmschen Kontakt mit der p-Seitenelektrode 13 und dem Au-Film 14, gebildet auf der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12, während eine Emission von Licht ohne Störung selbst dann gewährleistet ist, wenn die p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 die gesamte Oberfläche bedeckt. Wenn die Dicke der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 um 50 nm beträgt, kann ein durch die p-Seitenelektrode 13 und den Au-Film 14 eingeführter Strom weit in der Richtung parallel zu der Ebene der p- Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 streuen, was zu einer Realisierung einer hervorragend gleichmäßigen Oberflächenemission von Licht beiträgt.
  • Wenn die p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 in direktem Kontakt mit der p-Typ-ZnTe- Kontaktschicht 12 ist, würde eine große Diskontinuität in Valenzbändern nahe deren Zwischenfläche erzeugt werden und würde sich als eine Barriere- bzw. Sperrschicht gegenüber Löchern verhalten, die von der p-Seitenelektrode 13 und dem Au-Film 14 in die p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 injiziert sind. Die Verwendung der p-Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 dient für ein wirksames Entfernen der Barriere.
  • Das heißt, obwohl die Ladungsträgerkonzentration in dem p-Typ-ZnSe insbesondere in der Größenordnung von 5 · 10¹&sup7; cm&supmin;³ ist, kann die Ladungsträgerkonzentration in dem p-Typ-ZnTe 10¹&sup9; cm&supmin;³ oder mehr sein. Zusätzlich beträgt die Größe der Diskontinuität in Valenzbändern an der Zwischenfläche zwischen dem p-Typ-ZnSe und dem p-Typ-ZnTe etwa 0, 5 eV. An dem Übergang zwischen dem p-Typ-ZnSe und dem p-Typ-ZnTe biegt sich, wenn es ein Stufenübergang ist, das Valenzband des p-Typ-ZnSe über der Breite
  • W = (2εφT/qNp)1/2 (1)
  • wobei ε die Dielektrizitätskonstante von ZnSe ist und φT die Dimension der Diskontinuität in Valenzbändern an der p-Typ-ZnSe/p-Typ-ZnTe-Zwischenfläche bedeutet (etwa 0,5 eV).
  • Eine Berechnung von W mittels Gleichung (1) führt zu W = 32 nm. Fig. 3 zeigt, wie sich die Oberseite des Valenzbandes in der Richtung senkrecht zu der Zwischenfläche zwischen dem p-Typ-ZnSe und der p-Typ-ZnTe-Zwischenfläche verändert. Es seit bemerkt, daß die Fermi-Niveaus von p-Typ-ZnSe und p-Typ-ZnTe ähnlich sind, wenn eine Übereinstimmung mit Oberseiten mit ihren Valenzbändern vorliegt. In diesem Fall biegt sich das Valenzband von p-Typ-ZnSe nach unten (zu niedrigeren Energien) zu p-seitigem ZnTe, wie dies in Fig. 3 gezeigt ist. Diese Änderung im Valenzband mit einer nach unten weisenden Darstellung verhält sich als eine Potentialbarriere gegenüber Löchern, die in den p-Seiten-ZnSe/p-Seiten ZnTe-Übergang injiziert sind.
  • Dieses Problem kann gelöst werden, indem die p-Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 zwischen der p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 und der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 vorgesehen wird. Ein spezifisches Design der p-Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 wird weiter unten erläutert.
  • Fig. 4 zeigt ein Ergebnis einer quantenmechanischen Berechnung eines Wannentyppotentials einer endlichen Barriere, um zu wissen, wie sich das erste Quanten niveau E1 mit der Breite Lw der Quantenwanne des p-Typ-ZnTe in einer Einzelquantenwannenstruktur verändert, in welcher die p-Typ-ZnTe-Quantenwannenschicht zwischen p-Typ-ZnSe-Barriereschichten von entgegengesetzten Seiten gelegt ist. Die Berechnung verwendet 0,6 m0 (m0: Ruhemasse des Elektrons in Vakuum) als die Masse eines Elektrons in der Quantenwannenschicht und der Barrieschicht, wobei diese gleich zu der effektiven Masse mh eines Loches in p-Typ- ZnSe und p-Typ-ZnTe gelassen ist, und nimmt die Tiefe der Wanne zu 0,5 eV an.
  • Es ist aus Fig. 4 bekannt, daß durch Vermindern der Breite Lw der Quantenwanne das in der Quantenwanne gebildete erste Quantenniveau E&sub1; anghoben werden kann. Die p-Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 ist mittels dieser Theorie ausgelegt.
  • In diesem Fall ist die Biegung in dem Band des p-Typ-ZnSe über der Breite W von der Zwischenfäche zwischen dem p-Typ-ZnSe und dem p-Typ-ZnTe durch die folgende quadratische Funktion des Abstandes x (Fig. 3) von der Zwischenfläche gegeben:
  • φ(x) = φT{1-(x/W)²} (2)
  • Daher kann die p-Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 aufgrund von Gleichung (2) durch stufenweises Ändern von Lw derart ausgelegt werden, daß erste Quantenniveaus E1, die in jeweiligen p-Typ-ZnTe-Quantenwannenschichten gebildet sind, mit oberen Energien von Valenzbändern von p-Typ-ZnSe und p-Typ-ZnTe zusammenfallen und gleich zueinander sind.
  • Fig. 5 zeigt ein Design der Breiten Lw der Quantenwannen der p-Typ-ZnSe/ZnTe- MQW-Schicht 11, wenn die Breite von deren jeder p-Typ-ZnSe-Barriereschicht 2 den Wert 2 nm hat. In diesem Fall beträgt NA-ND der p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 5 · 10¹&sup7; cm&supmin;³, und NA-ND der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 ist durch 1 · 10¹&sup9; cm&supmin;³ gegeben. Wie in Fig. 5 gezeigt ist, sind Breiten Lw von sieben Quantenwannen insgesamt so eingestellt, daß sie sich derart verändern, daß deren erste Quantenniveaus E&sub1; mit Fermi-Niveaus von p-Typ-ZnSe und p-Typ-ZnTe zusammenfallen, d. h., daß sie sich von der p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 zu der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 verändern mit Lw = 0,3 nm, 0,4 nm, 0,5 nm, 0,6 nm, 0,8 nm, 1,1 nm und 1,7 nm.
  • Nach Auslegen der Breiten Lw der Quantenwannen müssen in genauem Sinn Wechselwirkungen unter den Quantenwannen betrachtet werden, da deren Niveaus miteinander gekoppelt sind, und Effekte jeder möglichen Verzerrung aufgrund einer Gitterfehlanpassung zwischen guantenwannen und Barriereschichten müssen ebenfalls eingeschlossen werden. Theoretisch ist es jedoch ausreichend möglich, Quantenniveaus der Mehrfachquantenwannen flach zu machen, wie dies in Fig. 5 gezeigt ist.
  • Da in Fig. 5 in p-Typ-ZnTe injizierte Löcher mittels Resonanztunneln in p-Typ- ZnSe durch in jeweiligen guantenwannen in der p-Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 gebildete erste guantenniveaus E 1 fließen können, wird praktisch keine Potentialbarriere an der Zwischenfläche zwischen p-Typ-ZnSe und p-Typ-ZnTe erzeugt. Daher weist die oberflächenemittierende LED gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung gute Spannung/Stromkennlinien auf und ist mit einer niedrigeren Spannung betreibbar.
  • Um die oberflächenemittierende LED gemäß dem ersten Beispiel mit dem obigen Aufbau zu betreiben, wird ein Strom durch Anlegen einer notwendigen Spannung zwischen der p-Seitenelektrode 13 sowie dem Au-Film 14 und der n-Seitenelektrode 15 injiziert. In diesem Fall wird, da die p-Seitenelektrode 13 und der Au-Film 14 in Kontakt mit der gesamten Oberfläche der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 sind, der Strom gleichmäßig zu der gesamten Fläche oder Zone der p- Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 von der p-Seitenelektrode 13 und dem Au-Film 14 injiziert. Darüber hinaus wird, während er durch die p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 und die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9 verläuft, der Strom ausreichend in Richtungen parallel zu den Ebenen dieser Schichten verteilt. Daher wird der Strom zu der Gesamtheit der aktiven Schicht 6 mit gleichmäßiger Verteilung injiziert, was zu einer gleichmäßigen Emission von Licht durch Elektron-Loch-Rekombination in der Gesamtheit der aktiven Schicht 6 führt. Somit wird, wie durch den Pfeil in Fig. 2 gezeigt ist, Licht mit einem extensiven Durchmesser aus der Lichtemissionsoberfläche 16 nahe bzw. proximal zu der p-Seitenelektrode 13 herausgenommen, und es wird eine bemerkenswert gleichmäßige Oberflächenemission von Licht realisiert.
  • Die oberflächenemittierende LED gemäß dem ersten Beispiel wurde für einen Versuch mit dem injizierten Strom vom 200 mA bei Raumtemperatur betrieben, und es wurde eine Oberflächenemission von bläulichem Grün-Licht mit der Wellenlänge von 512 nm beobachtet. Die Leuchtstärke des Lichtes war beträchtlich hoch mit einer Höhe von etwa 4 cd. Die Lichtausgangsleistung betrug 1,14 mW, und die externe Quantenwirksamkeit betrug 2,35%. Die Breite beim halben Maximum der Emissionsspitze mit der Wellenlänge von 512 nm betrug 10 nm.
  • Im folgenden ist ein Verfahren zum Herstellen der oberflächenemittierenden LED gemäß dem ersten Beispiel mit dem oben erläuterten Aufbau angegeben.
  • Um die oberflächenemittierende LED gemäß dem ersten Beispiel herzustellen, werden zunächst epitaxial auf dem n-Typ-GaAs-Substrat 1 durch Molekularstrahlepitaxie (MBE), beispielsweise bei einer Temperatur in dem Bereich von beispielsweise 250 bis 300ºC, insbesondere bei 295ºC, zum Beispiel in einer Sequenz aufgewachsen: Die n-Typ-ZnSe-Pufferschicht 2, eine n-Typ-ZnSSe- Schicht 3, eine n-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 4, eine n-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 5, eine aktive Schicht 6 einschließlich ZnCdSe-Quantenwannenschichten, eine p-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 7, eine p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8, eine p-Typ-ZnSSe-Schicht 9, eine p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10, eine p-Typ- ZnMgSSe-Überzugschicht 8, eine p-Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 und eine p- Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12. Dieser Prozeß gewährleistet ein epitaxiales Wachstum dieser Schichten mit guten kristallinen Strukturen und vermindert damit eine Verschlechterung der oberflächenemittierenden LED, wie beispielsweise eine Abnahme in der Lichtausgangsleistung, und stellt eine hohe Zuverlässigkeit der Vorrichtung sicher.
  • Verwendet für das epitaxiale Wachstum mittels MBE werden Zn mit einer Reinheit von 99,9999% als das Material von Zn, Mg mit einer Reinheit von 99,9% oder mehr als das Material von Mg, ZnS mit der Reinheit von 99,9999% als das Material von S und Se mit der Reinheit von 99,9999% als das Material von Se. Ein Dotieren von Cl als ein Donatorfremdstoff der n-Typ-ZnSe-Pufferschicht 2, der n- Typ-ZnSSe-Schicht 3, der n-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 4 und der n-Typ- ZnSSe-Wellenleiterschicht 5 erfolgt mittels beispielsweise ZnCl&sub2; mit der Reinheit von 99,9999% als dem Dotierstoff. Andererseits erfolgt ein Dotieren von N als einem Akzeptorfremdstoff der p-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 7, der p-Typ- ZnMgSSe-Überzugschicht 8, der p-Typ-ZnSSe-Schicht 9, der p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10, der p-Typ-ZnSe/ZnTe-MgW-Schicht 11 und der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 durch beispielsweise Bestrahlen eines N&sub2;-Plasmas, daß durch Elektron-Zyklotronresonanz (ECR) erzeugt ist.
  • Danach wird ein (nicht gezeigtes) Resistmuster mit einer Geometrie entsprechend dem umgekehrten Muster der p-Seitenelektrode 13 auf der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 durch Lithographie gebildet, worauf sich eine Ablagerung eines Metallfilmes anschließt, um die p-Seitenelektrode auf der gesamten Oberfläche der Struktur durch beispielsweise Sputtern oder Vakuumverdampfung herzustellen. Dann wird das Resistmuster zusammen mit darüberliegenden Teilen des Metallfilmes entfernt (Abhebetechnik). Somit wird die gitterförmige p-Seitenelektrode 13 auf der p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 12 gebildet. Danach wird, falls erforderlich, ein Glühen vorgenommen, um die p-Seitenelektrode 13 und den Au-Film 14 in ohmschen Kontakt mit der p-Seiten-ZnTe-Kontaktschicht 12 zu bringen. Auf der Rückfläche des n-Typ-GaAs-Substrates 1 ist eine n-Seitenelektrode 15, wie beispielsweise eine In-Elektrode, gebildet.
  • Danach wird das die Diodenstruktur darauf tragende n-Typ-GaAs-Substrat 1 in Kuben der Größe von 1 mm · 1 mm aufgespaltet, um die erwarteten oberflächenemittierenden LEDs fertigzustellen.
  • Ein epitaxiales Wachstum jeweiliger Schichten der oberflächenemittierenden LED gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel kann anstelle von MBE eine metallorganische chemische Dampfabscheidung verwenden.
  • Wie oben beschrieben ist, kann das erste Ausführungsbeispiel eine oberflächenemittierende LED realisieren, die zu einer Oberflächenemission von bläulichem Grün-Licht mit einer hohen Leuchtdichte und einem hohen Betriebsverhalten unter Verwenden von II-VI-Verbindungshalbleitern in der Lage ist.
  • Fig. 6 zeigt eine oberflächenemittierende LED gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. Eine Draufsicht dieser oberflächenemittierenden LED scheint identisch zu Fig. 1 zu sein.
  • Wie in Fig. 6 gezeigt ist, hat die oberflächenemittierende LED gemäß dem Ausführungsbeispiel den gleichen Aufbau wie denjenigen der oberflächenemittierenden LED gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel mit der Ausnahme, daß ihre p- Typ-ZnSSe-Schicht 9 eine Dicke von einigen um aufweist, selektive Teile der p- Typ-ZnSe/ZnTe-MQW-Schicht 11 und der p-Seiten-ZnTe-Kontaktschicht 12, die von denjenigen verschieden sind, die unter der p-Seitenelektrode 13 liegen, teilweise entfernt sind, um die darunterliegende p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10 freizulegen, auf der ein Antireflexionsfilm 17 aus beispielsweise SiN gebildet ist, und daß kein Au-Film 14 verwendet wird.
  • Die oberflächenemittierende LED gemäß dem Ausführungsbeispiel kann durch im wesentlichen das gleiche Verfahren wie dasjenige gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel hergestellt werden, wobei im folgenden von einer Erläuterung abgesehen wird.
  • Da die oberflächenemittierende LED gemäß dem Ausführungsbeispiel keinen Au- Film 14 verwendet, wird der elektrische Strom lediglich durch die p-Seitenelektrode 13 eingeführt, was zu einer weniger gleichmäßigen Verteilung des Stroms nahe der p-Seitenelektrode 13 als diejenige der oberflächenemittierenden LED gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel führt. Da jedoch der Strom weiter und weiter in den Richtungen parallel zu der Ebene der p-Seiten-ZnSSe-Schicht 9 streuen kann, während er durch die Schicht 9 verläuft, die eine Dicke von einigen um aufweist, kann sich der Strom selbst bis zu dem zentralen Teil der aktiven Schicht 6 ausdehnen, welche von der p-Seitenelektrode 13 versetzt ist. In Fig. 6 ist dieser Aspekt schematisch durch Pfade der Löcher gezeigt. Auf diese Weise kann eine hervorragend gleichmäßige Oberflächenemission von Licht realisiert werden, obwohl der Strom lediglich durch die gitterförmige p-Seitenelektrode 13 injiziert wird.
  • Auch das Ausführungsbeispiel kann wie das erste Beispiel eine oberflächenemittierende LED realisieren, die zu einer Oberflächenemission von bläulichem Grün- Licht mit einer bemerkenswert hohen Leuchtdichte und einem hohen Betriebsverhalten durch Verwenden von II-VI-Verbindungshalbleitern in der Lage ist.
  • Fig. 7 zeigt eine oberflächenemittierende LED gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung. Eine Draufsicht dieser oberflächenemittierenden LED erscheint identisch zu Fig. 1.
  • Wie in Fig. 7 gezeigt ist, umfaßt die oberflächenemittierende LED gemäß dem weiteren Ausführungsbeispiel einen Bragg-Reflektor 18 mit einer ZnMgSSe/- ZnSSe-Supergitterschicht, die zwischen der n-Typ-ZnSSe-Schicht 3 und der n- Typ-ZnMgSSe-Überzugsschicht 4 vorgesehen ist. Um das Reflexionsvermögen des Bragg-Reflektors 18 zu maximieren, wird die Dicke jeder Schicht der den Bragg- Reflektor 18 bildenden ZnMgSSe/ZnSSe-Supergitterschicht so bestimmt, daß der optische Abstand, der durch Multiplizieren der Dicke mit dem Brechungsindex erhalten ist, 1/4 der Wellenlänge der Emission beträgt. Um weiter das Reflexionsvermögen des Bragg-Reflektors 18 zu steigern, wird empfohlen, die Wiederholungsperiode der den Bragg-Reflektor 18 bildenden ZnMgSSe/ZnSSe-Supergitterschicht zu steigern. In anderer Hinsicht ist die oberflächenemittierende LED gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel die gleiche wie die Anordnung der oberflächenemittierenden LED gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel.
  • Die oberflächenemittierende LED gemäß dem weiteren Ausführungsbeispiel kann durch im wesentlichen das gleiche Verfahren wie dasjenige gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel hergestellt werden, wobei im folgenden von einer Erläuterung abgesehen wird.
  • Gemäß der oberflächenemittierenden LED nach dem weiteren Ausführungsbeispiel wird, da eine Lichtkomponente, die in der aktiven Schicht erzeugt ist und zu dem n-Typ-GaAs-Substrat 1 läuft, durch den Bragg-Reflektor 18 zu der p-Seitenelektrode 13 reflektiert wird, verhindert, daß das Licht zu dem n-Typ-GaAs-Substrat 1 durch das n-Typ-GaAs-Substrat 1 absorbiert wird, und selbst das Licht zu dem n- Typ-GaAs-Substrat kann für eine Oberflächenemission ausgenutzt werden. Als ein Ergebnis wird die Emissionswirksamkeit nahezu im Vergleich mit einer Struktur, die keinen Bragg-Reflektor 18 verwendet, verdoppelt.
  • Das weitere Ausführungsbeispiel verwirklicht auch eine oberflächenemittierende LED, die in der Lage zu einer Oberflächenemission von bläulichem Grün-Licht mit einer höheren Leuchtdichte als diejenigen in dem ersten Beispiel und dem ersten Ausführungsbeispiel ist.
  • In einer Vorrichtung, die den Bragg-Reflektor 18 verwendet, kann eine Störung für eine Verringerung der Betriebsspannung aufgrund eines Spannungsabfalles infolge des Bragg-Reflektors 18 auftreten. Indem jedoch eine geeignete Maßname ergriffen wird, wie beispielsweise eine Neigung des Zusammensetzungsverhältnisses bei der Heterozwischenfläche der den Bragg-Reflektor 18 bildenden ZnMgSSe/- ZnSSe-Supergitterschicht, ein Dotieren einer hohen Konzentration des Fremdstoffes in die MgSSe/ZnSSe-Supergitterschicht oder ein Ausführen eines sogenannten Delta-Dotierens zum Erzeugen eines Mikrokondensators, kann ein durch den Bragg-Reflektor 18 während eines tatsächlichen Betriebes der oberflächenemittierenden LED verursachter Spannungsabfall vermindert werden. Dann kann die oberflächenemittierende LED vor einer Verschlechterung geschützt werden und für eine längere Lebensdauer im Betrieb sein.
  • Während spezifische bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der begleitenden Zeichnungen beschrieben wurden, ist zu verstehen, daß die Erfindung nicht auf diese genauen Ausführungsbeispiele begrenzt ist, und daß verschiedene Änderungen und Modifikationen darin durch den Fachmann bewirkt werden können, ohne von dem Bereich der Erfindung abzuweichen, wie dieser in den beigefügten Patentansprüchen definiert ist.
  • Beispielsweise kann ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit der gleichen Struktur wie diejenige der oberflächenemittierenden LED gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel realisiert werden. Das heißt, der Bragg-Reflektor 18 und Vakuum auf der Seite der p-Seitenelektrode 13 bilden eine vertikale Hohlraumstruktur, die zu einer Laseroszillation fähig ist.
  • Die n-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 5 und die p-Typ-ZnSSe-Wellenleiterschicht 7, die in dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel verwendet sind, können durch eine n-Typ-ZnSe-Wellenleiterschicht und eine p-Typ-ZnSe-Wellenleiterschicht ersetzt werden. Alternativ ist als das Substrat beispielsweise ein GaAs- Substrat, ein ZnSe-Substrat, ein GaP-Substrat oder dergleichen verwendbar.
  • Obwohl das erste bis dritte Ausführungsbeispiel eine Bestrahlung eines durch ECR erzeugten N&sub2;-Plasmas zum Dotieren von N als einem Akzeptor-Fremdstoff in die p-Typ-ZnSe-Wellenleiterschicht 7, die p-Typ-ZnMgSSe-Überzugschicht 8, die p-Typ-ZnSSe-Schicht 9, die p-Typ-ZnSe-Kontaktschicht 10, die p-Typ-ZnSe/ZnTe- MQW-Schicht 11 und die p-Typ-ZnTe-Kontaktschicht 16 verwenden, kann ein Dotieren von N beispielsweise durch Bestrahlen von N&sub2; erfolgen, das durch ein Hochfrequenzplasma angeregt ist.
  • Da die oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß der Erfindung Grün- bis Blau-Licht mit hoher Leuchtdichte emittieren kann, können drei Primärfarben erzeugt werden, indem diese Vorrichtung mit einer bestehenden Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung zum Emittieren von Rot-Licht kombiniert wird. Somit kann eine Farbanzeige oder ein anderes ähnliches System realisiert werden.
  • Wie oben beschrieben ist, kann die Erfindung eine oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung realisieren, die zu einer Oberflächenemission von Grün- bis Blau-Licht fähig ist, indem II-VI-Verbindungshalbleiter als Materialien ihrer Überzugschichten und ihrer aktiven Schicht verwendet werden.

Claims (10)

1. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, umfassend:
eine erste Überzugschicht (4) auf einem Substrat (1),
eine aktive Schicht (6) auf der ersten Überzugschicht (4),
eine zweite Überzugschicht (8) auf der aktiven Schicht (6),
eine erste Elektrode (15), die elektrisch mit der ersten Überzugschicht (4) verbunden ist, und
eine zweite Elektrode (13), die elektrisch mit der zweiten Überzugschicht (8) verbunden ist,
wobei die erste Überzugschicht (4), die aktive Schicht (6) und die zweite Überzugschicht (8) II-VI-Verbindungshalbleiter aufweisen und Licht in einer Richtung senkrecht zu der Ebene der aktiven Schicht von einer Seite der aktiven Schicht, die von dem Substrat (1) entfernt ist, emittiert wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine ZnSSe-Stromstreuschicht (9) zwischen der zweiten Überzugschicht (8) und der zweiten Elektrode (13) vorgesehen ist und eine Dicke d in dem Bereich von 2 um < d &le; 10 um hat.
2. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die erste Überzugsschicht (4) und die zweite Überzugschicht (8) ZnMgSSe aufweisen.
3. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die zweite Elektrode (13) in einem Bereich vorgesehen ist, der von einem Lichtemissionsbereich verschieden ist.
4. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 3, bei der die zweite Elektrode (13) eine Gitterelektrode ist.
5. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 3, bei der eine Dünnfilmelektrode (14) aus Gold, die dünn genug ist, damit Licht dort hindurchgehen kann, in dem Lichtemissionsbereich (16) vorgesehen ist.
6. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 3, bei der ein Antireflexionsfilm (17) in dem Lichtemissionsbereich (16) vorgesehen ist.
7. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der ein Bragg-Reflektor (18) zwischen dem Substrat (1) und der ersten Überzugschicht (4) vorgesehen ist.
8. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 7, bei der der Bragg-Reflektor (18) eine ZnMgSSe/ZnSSe-Supergitterschicht aufweist.
9. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der eine ZnTe-Kontaktschicht (12), die dünn genug ist, damit Licht dort hindurchgehen kann, zwischen der zweiten Überzugschicht (8) und der zweiten Elektrode (13) vorgesehen ist.
10. Oberflächenemittierende Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 9, bei der die Dicke der ZnTe-Kontaktschicht (12) in dem Bereich von 2 bis 100 nm ist.
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