DE69508713T2 - Verfahren zur Kennzeichnung von integrierten Schaltungen mit einem Laser - Google Patents

Verfahren zur Kennzeichnung von integrierten Schaltungen mit einem Laser

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10321403A1 (de) * 2002-05-15 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Markierung von Schlechtteilen

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8178435B2 (en) 1998-12-21 2012-05-15 Megica Corporation High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US6303423B1 (en) * 1998-12-21 2001-10-16 Megic Corporation Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process
US8421158B2 (en) * 1998-12-21 2013-04-16 Megica Corporation Chip structure with a passive device and method for forming the same
US6965165B2 (en) 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's
US7531417B2 (en) * 1998-12-21 2009-05-12 Megica Corporation High performance system-on-chip passive device using post passivation process
US7943026B2 (en) * 1999-06-08 2011-05-17 Broadley Technologies Corporation Reference electrode having a flowing liquid junction and filter members
JP2003501656A (ja) * 1999-06-08 2003-01-14 ブロードレイ テクノロジーズ コーポレイション 微小流体の液絡部を有する基準電極
US7344627B2 (en) * 1999-06-08 2008-03-18 Broadley-James Corporation Reference electrode having a flowing liquid junction and filter members
US6759275B1 (en) 2001-09-04 2004-07-06 Megic Corporation Method for making high-performance RF integrated circuits
US8008775B2 (en) 2004-09-09 2011-08-30 Megica Corporation Post passivation interconnection structures
US7355282B2 (en) 2004-09-09 2008-04-08 Megica Corporation Post passivation interconnection process and structures
US8384189B2 (en) 2005-03-29 2013-02-26 Megica Corporation High performance system-on-chip using post passivation process
US7960269B2 (en) 2005-07-22 2011-06-14 Megica Corporation Method for forming a double embossing structure
DE102006002573A1 (de) * 2006-01-18 2007-07-19 Murrplastik Systemtechnik Gmbh Vorrichtung zur Beschriftung von Kennzeichnungsschildern
US8749021B2 (en) 2006-12-26 2014-06-10 Megit Acquisition Corp. Voltage regulator integrated with semiconductor chip
US7931849B2 (en) * 2008-06-25 2011-04-26 Applied Micro Circuits Corporation Non-destructive laser optical integrated circuit package marking
CN102265716B (zh) 2008-12-26 2015-04-01 高通股份有限公司 具有功率管理集成电路的芯片封装和相关技术
MX384812B (es) * 2015-06-19 2025-03-14 Ipg Photonics Corp Cabezal de corte laser con colimador controlable que tiene lentes moviles para controlar el diametro de haz y/o ubicacion de punto focal.
CN107631708A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 四川伟图智能科技有限公司 激光标识自动定位检测器
CN107350632A (zh) * 2017-09-14 2017-11-17 四川伟图智能科技有限公司 基于视觉检测技术的激光打码打标检测机

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1584343A (en) * 1977-06-07 1981-02-11 Tokyo Shibaura Electric Co Apparatus for marking identification symbols on wafer
US4344064A (en) * 1979-12-06 1982-08-10 Western Electric Co., Inc. Article carrying a distinctive mark
JPS57102038A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Nec Corp Marking device and marking method of semiconductor wafer
JPS5945190A (ja) * 1982-09-07 1984-03-13 Toppan Printing Co Ltd 黒色発色性熱現像ジアゾ型記録体
JPS59110129A (ja) * 1982-12-16 1984-06-26 Toshiba Corp 半導体プロ−ビングテストにおけるマ−ク装置
JPS59172622A (ja) * 1983-03-23 1984-09-29 Nec Corp レ−ザ−マ−キング装置およびレ−ザ−マ−キング方法
US4510673A (en) * 1983-06-23 1985-04-16 International Business Machines Corporation Laser written chip identification method
DE3324551A1 (de) 1983-07-07 1985-01-17 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur kennzeichnung von halbleiteroberflaechen durch laserstrahlung
JPS6031246A (ja) * 1983-08-01 1985-02-18 Nec Corp マ−キング方法およびその装置
US4585931A (en) * 1983-11-21 1986-04-29 At&T Technologies, Inc. Method for automatically identifying semiconductor wafers
JPS6243140A (ja) * 1985-08-20 1987-02-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS6373535A (ja) * 1986-09-16 1988-04-04 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH0715921B2 (ja) * 1987-03-25 1995-02-22 山形日本電気株式会社 多チツプ同時測定用マ−キング装置
US5175425A (en) * 1987-06-15 1992-12-29 Leuze Electronic Gmbh & Co. Process for marking semiconductor surfaces
JPH02133185A (ja) * 1988-11-10 1990-05-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のレーザマーキング方法
JPH02158144A (ja) * 1988-12-12 1990-06-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2667275B2 (ja) * 1990-02-14 1997-10-27 松下電子工業株式会社 半導体装置の解析用試料製作方法および解析用試料の記号付け装置
JPH0439947A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体チップのマーキング方法
JPH07123101B2 (ja) * 1990-09-14 1995-12-25 株式会社東芝 半導体装置
JP2872792B2 (ja) * 1990-09-28 1999-03-24 ホーヤ株式会社 レーザマーキング装置
US5256578A (en) * 1991-12-23 1993-10-26 Motorola, Inc. Integral semiconductor wafer map recording
JP2917700B2 (ja) * 1992-09-24 1999-07-12 日本電気株式会社 マーキングプローバ
US5329090A (en) * 1993-04-09 1994-07-12 A B Lasers, Inc. Writing on silicon wafers
JP3237738B2 (ja) 1995-01-20 2001-12-10 古河機械金属株式会社 水平型リール装置
JPH0998847A (ja) * 1995-10-08 1997-04-15 Tokyo Seat Kk ダンパーの取付構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10321403A1 (de) * 2002-05-15 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Markierung von Schlechtteilen

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Publication number Publication date
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DE69508713D1 (de) 1999-05-06
US6559409B1 (en) 2003-05-06
EP0716448B1 (fr) 1999-03-31
FR2728104A1 (fr) 1996-06-14

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