DE69507345T2 - Chemisch-mechanisches Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Chemisch-mechanisches Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 title 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 126
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 59
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 20
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims description 17
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 4
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 2
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- -1 salt ammonium nitrate Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 4
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 4
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K boron phosphate Chemical compound [B+3].[O-]P([O-])([O-])=O YZYDPPZYDIRSJT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000149 boron phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Polieren eines Films durch Zuführen einer Flüssigkeit auf eine Oberfläche einer Polierscheibe und eine Vorrichtung zum Polieren des Films und insbesondere auf ein Verfahren zum Hinzufügen einer Polierflüssigkeit auf eine Oberfläche der Polierscheibe.
- Die Ausbildung der dreidimensionalen Verbindungen mit mehreren Ebenen erfordert es, die Oberfläche des Zwischenschicht-Isolators, wie z. B. des Siliziumoxidfilms, eben zu machen. Es wird eine Aluminium-Verdrahtungsschicht als eine erste Bodenschicht ausgebildet, danach wird ein Siliziumoxidfilm durch eine chemische Bedampfung auf der ersten Schicht abgelagert. Folglich weist der Siliziumoxidfilm aufgrund der Aluminium-Verdrahtungsschicht eine Unregelmäßigkeit auf. Bei der Ausbildung einer zweiten Aluminium-Verdrahtungsschicht auf der unregelmäßigen Oberfläche des Siliziumoxidfilms durch Photolithographie- und Trockenätz-Verfahren ergeben sich Probleme hinsichtlich der Schwierigkeit bei der Konzentration für eine für ein lichtunempfindliches Muster zu verwendende Belichtung und hinsichtlich der Schwierigkeit bei der Entfernung eines unnötigen Teils der Aluminiumschicht durch Trockenätzen zur Ausbildung der zweiten Aluminium-Verdrahtungsschicht. Zur Lösung dieses Problems wurde es vorgeschlagen, das Polieren einer Oberfläche des Siliziumoxidfilms durchzuführen, bevor die Aluminium-Verdrahtungsschicht auf dieser ausgebildet wird. Dies ist in der japanischen Patentanmeldung Nr. 4-94677 offenbart. Das Polieren des Siliziumoxidfilms wird durch eine chemische Ätzfunktion und eine mechanische Reibfunktion von Polierteilchen ausgeführt. Wie es in der japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr. 4-75338 offenbart ist, wird eine Polierflüssigkeit verwendet, bei der Silikateilchen mit einem Durchmesser von 20 Nanometer in eine Ammoniumlösung zu 10 bis 30 Gew.-% dispergiert sind.
- Eine Verkürzung der Polierzeit erfordert eine hohe Poliergeschwindigkeit, die weiterhin ein großes Silikateilchen erfordert. Die Verwendung der großen Silikateilchen kann dazu führen, daß der Oberfläche des polierten Films ein Schaden zugefügt wird. Wie es in Fig. 1 gezeigt ist, bringt das große Silikateilchen weiterhin das Problem seiner schnellen Ausfällung mit sich, wodurch ein ständiges Rühren der Flüssigkeit erforderlich ist. Das ständige Rühren der Flüssigkeit macht es erforderlich, daß die Poliervorrichtung mit einem Rührsystem versehen ist, was zu einem komplizierten Aufbau der Poliervorrichtung führt.
- Andererseits ist es möglich, wie es in der japanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr. 51-28295 offenbart ist, bei der Verwendung feiner Silikateilchen zum Polieren, jegliche Beschädigung der Polieroberfläche zu verhindern, aber dies führt zu einem Problem hinsichtlich einer niedrigen Poliergeschwindigkeit.
- Ein Verfahren zur Erhöhung einer Poliergeschwindigkeit ohne Verwendung eines großen Polierteilchens wurde vorgeschlagen, bei dem ein Aggregationsmittel eines elektrolytischen Salzes einer Aufschlämmung zugefügt wird, um eine Aggregation von Silikateilchen zur Ausbildung großer aggregierter Teilchen zu bewirken, die zum Polieren verwendet werden sollen, wie es in Fig. 2 gezeigt ist. Dieses Verfahren bringt jedoch die Nachteile mit sich, daß die Durchführung eines ständigen Rührens der Polierflüssigkeit notwendig ist.
- Dementsprechend ist es eine allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges Verfahren zum Polieren eines Films durch Zuführen einer Polierflüssigkeit zu schaffen, das keines/keinen der oben beschriebenen Probleme oder Nachteile aufweist.
- Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges Verfahren zum Polieren eines Films bei einer hohen Geschwindigkeit zu schaffen.
- Es ist weiterhin eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges Verfahren zum Polieren eines Films ohne das Rühren einer Polierflüssigkeit zu schaffen.
- Es ist darüber hinaus eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein neuartiges Verfahren zum Polieren eines Films, ohne daß dem Film irgendein Schaden zugefügt wird, zu schaffen.
- Es ist noch eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine neuartige Vorrichtung zum Polieren eines Films durch Zuführen einer Polierflüssigkeit zu schaffen, die keines/keinen der oben beschriebenen Probleme oder Nachteile aufweist.
- Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine neuartige Vorrichtung zum Polieren eines Films bei einer hohen Geschwindigkeit zu schaffen.
- Es ist weiterhin eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine neuartige Vorrichtung zum Polieren eines Films ohne das Rühren einer Polierflüssigkeit zu schaffen.
- Es ist darüber hinaus eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine neuartige Vorrichtung zum Polieren eines Films, ohne daß dem Film irgendein Schaden zugefügt wird, zu schaffen.
- Diese Aufgaben können durch ein Verfahren und eine Vorrichtung gemäß den Ansprüchen 1, 12 bzw. 23 gelöst werden.
- Die Erfindung schafft ein neuartiges Verfahren zum Zuführen einer Polierflüssigkeit auf eine Oberfläche einer Polierscheibe, durch die eine Oberfläche eines Films poliert werden soll, wobei eine Lösung, die ein Aggregationsmittel aufweist, und eine Aufschlämmung, in die bereits feine Polierteilchen dispergiert wurde, der Polieroberfläche getrennt zugeführt werden, so daß die Aufschlämmung mit der Lösung vermischt wird, um dadurch eine Aggregation der feinen Polierteilchen zur Ausbildung aggregierter Teilchen zu bewirken, die zum Polieren verwendet werden sollen.
- Die vorliegende Erfindung schafft auch eine neuartige Vorrichtung zum Polieren eines Films, wobei die Vorrichtung eine Poliereinheit mit einer Platte, auf der eine Polierscheibe vorgesehen ist, auf der der Film poliert wird, ein Aufschlämmungs-Zufuhrsystem zur Lagerung und Zuführung einer Aufschlämmung, in die feine Polierteilchen dispergiert sind, auf eine Oberfläche der Polierscheibe und ein Zufuhrsystem für eine Aggregationsmittel-Lösung zur Lagerung und Zuführung einer Lösung, die ein Aggregationsmittel aufweist, auf die Oberfläche der Polierscheibe aufweist, so daß die Aufschlämmung mit der Lösung vermischt wird, um dadurch eine Aggregation der feinen Polierteilchen zur Ausbildung aggregierter Teilchen zu bewirken, die zum Polieren verwendet werden sollen.
- Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend vollständig detailliert unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
- Es zeigt:
- Fig. 1 eine veranschaulichende Ansicht des herkömmlichen Polierverfahrens unter Verwendung von großen Silikateilchen;
- Fig. 2 eine Ansicht, die das andere herkömmliche Polierverfahren unter Verwendung der aggregierten Silika teilchen veranschaulicht;
- Fig. 3 eine Ansicht, die ein neuartiges Verfahren und eine neuartige Vorrichtung zum Polieren eines Films in einer bevorzugten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht; und
- Fig. 4 ein Diagramm, das Poliergeschwindigkeiten bei den herkömmlichen und dem neuartigen Verfahren veranschaulicht.
- Die Erfindung schafft ein neuartiges Verfahren zum Zuführen einer Polierflüssigkeit auf eine Oberfläche eines Films, der durch eine Poliervorrichtung poliert werden soll, wobei eine Lösung, die ein Aggregationsmittel aufweist, und eine Aufschlämmung, in die bereits feine Silikateilchen dispergiert wurde, der Polieroberfläche getrennt zugeführt werden, so daß die Aufschlämmung mit der Lösung vermischt wird, um dadurch eine Aggregation der feinen Silikateilchen zur Ausbildung aggregierter Teilchen zu bewirken, die zum Polieren verwendet werden sollen.
- Die vorliegende Erfindung schafft auch eine neuartige Vorrichtung zum Polieren eines Films, wobei die Vorrichtung eine Poliereinheit mit einer Platte, auf der eine Polierscheibe vorgesehen ist, auf der der Film poliert wird, ein Aufschlämmungs-Zufuhrsystem zur Lagerung und Zuführung einer Aufschlämmung, in die feine Polierteilchen dispergiert sind, auf eine Oberfläche der Polierscheibe und ein Zufuhrsystem für eine Aggregationsmittel-Lösung zur Lagerung und Zuführung einer Lösung, die ein Aggregationsmittel aufweist, auf die Oberfläche der Polierscheibe aufweist, so daß die Aufschlämmung mit der Lösung vermischt wird, um dadurch eine Aggregation der feinen Polierteilchen zur Ausbildung aggregierter Teilchen zu bewirken, die zum Polieren verwendet werden sollen.
- Die Aufschlämmung, in die die feinen Silikateilchen dispergiert sind, wird in einem Aufschlämmungsbehälter gelagert. Die feinen Silikateilchen werden aufgrund ihrer geringen Größe nicht ausgefällt. Dies führt dazu, daß keine Notwendigkeit besteht, die Aufschlämmung im Behälter umzurühren. Die Aufschlämmung wird getrennt von der Lösung, die das Aggregationsmittel aufweist, auf die Oberfläche der Polierscheibe übertragen und dann wird die Aufschlämmung auf der Polierscheibenoberfläche mit der Lösung, die das Aggregationsmittel aufweist, vermischt, um dadurch eine Aggregation der in der Aufschlämmung vorhandenen feinen Silikateilchen zu bewirken, und anschließend werden aggregierte Silikateilchen ausgebildet, um als ein Polierteilchen zum Polieren des Films zu dienen. Die aggregierten Silikateilchen weisen einen ausreichend großen Durchmesser auf, um ein schnelles Polieren zu erreichen, aber auch eine Flexibilität, die in der Lage ist, jegliche Beschädigung einer Oberfläche des zu polierenden Films zu verhindern. Die Flexibilität wird durch eine elektrische Kraft bewirkt, die die feinen Silikateilchen kombiniert. Im Gegensatz dazu fügt die Verwendung des großen Silikateilchens, das beim herkömmlichen Verfahren verwendet wird, der Oberfläche des zu polierenden Films einen Schaden zu.
- Wie es in Fig. 3 gezeigt ist, ist die neuartige Poliervorrichtung mit einem Aufschlämmungsbehälter 1 zur Lagerung einer Aufschlämmung 3 und einem Behälter 2 für eine Aggregationsmittel-Lösung zur Lagerung einer elektrolytischen Lösung 4 versehen. Die Aufschlämmung 3 und die elektrolytische Lösung 4 werden durch eine Pumpe getrennt einer Oberfläche einer Polierscheibe 6 zugeführt, die auf einer Polierplatte 5 ausgebildet ist. Ein Siliziumoxidfilm, der auf einem Halbleitersubstrat 9 ausgebildet ist, das auf einem Substratzipper 10 fein bearbeitet wird, wird auf der Oberfläche der Polierscheibe 6 poliert.
- Im Aufschlämmungsbehälter 1 wird eine Aufschlämmung als eine Suspensionsflüssigkeit gelagert, wobei 10 bis 40 Gew.-% feine Silikateilchen 7 in reines Wasser oder eine alkalische Lösung mit einem pH-Wert von 8 bis 9 dispergiert ist. Die Silikateilchen weisen einen Durchmesser im Bereich von 10 bis 100 Nanometer auf, um eine Ausfällung der Teilchen in der Aufschlämmung 3 zu verhindern. Unter Berücksichtigung der Alkalimetall-Verschmutzung der Halbleiter-Verarbeitungsstraße ist es nicht zu bevorzugen, Alkalimetalle, wie z. B. NaOH oder KOH, zu verwenden, die zur Vorbereitung der alkalischen Lösung mit dem pH-Wert von 8 bis 9 in reinem Wasser gelöst sind. Wenn überhaupt, ist die Verwendung von Nicht-Alkalimetallen, wie z. B. Ammoniak oder Amin, vorzuziehen.
- Im Behälter 2 für die Aggregationsmittel-Lösung wird eine Lösung gelagert, die 0,3 mol/l Ammoniumazetat aufweist. Es ist vorzuziehen, als ein elektrolytisches Salz Ammoniumsalze, wie z. B. Ammoniumnitrat oder Ammoniumchlorid, zu verwenden. NaCl oder KCl stehen ebenfalls zur Verfügung.
- Aus dem Behälter 2 für die Aggregationsmittel-Lösung wird die Lösung, die 0,3 mol/l Ammoniumazetat aufweist, geholt, um mit einer Tropfgeschwindigkeit von 20 ml/min auf die Oberfläche der Polierscheibe 6 getropft zu werden. Die Aufschlämmung, die 30 Gew.-% feine Silikateilchen aufweist, wird dann unter Hinzufügen von Ammoniak auf einen pH-Wert von 9 bis 10 eingestellt und anschließend geholt und mit einer Tropfgeschwindigkeit von 40 ml/min auf die Oberfläche der Polierscheibe 6 getropft. Infolgedessen wird die aufgetropfte Aufschlämmung auf der Oberfläche der Polierscheibe 6 mit der Aggregationsmittel-Lösung vermischt, um dadurch eine Aggregation feiner in der Aufschlämmung vorhandener Silikateilchen zu bewirken, und dann werden aggregierte Silikateilchen 11 ausgebildet, um als Polierteilchen mit einem großen Durchmesser zur Ermöglichung eines schnelleren Polierens und einer Flexibilität zu wirken, die es ermöglicht, daß die Oberfläche des Films beim Polieren dieser keine Beschädigung aufweist. Auf der Oberfläche der Polierscheibe 6 beträgt eine Silikakonzentration 20 Gew.-% und eine Konzentration von Ammoniumazetat beträgt 0,1 mol/l, wodurch 10 bis 50 der feinen Silikateilchen mit einem Durchmesser von etwa 20 Nanometer aggregiert werden, wobei ein aggregiertes Teilchen 11 einen Durchmesser von 200 bis 1000 Nanometer aufweist.
- Fig. 4 zeigt eine Poliergeschwindigkeit oder eine Poliermenge gegenüber einer Polierzeit unter der Bedingung eines Polierdrucks von 0,4 kg/cm² und einer Umdrehungsgeschwindigkeit von 35 Umdrehungen pro Minute. Wenn nur die Aufschlämmung aufgetropft wird, dann beträgt eine Poliergeschwindigkeit 300 A/min. Im Gegensatz dazu wird dann, wenn die Aufschlämmung zusammen mit der Lösung, die Ammoniumazetat aufweist, aufgetropft wird, die Poliergeschwindigkeit bis auf 900 A/min erhöht.
- Zur Überprüfung jeglicher Schadensbildung wird eine polierte Oberfläche durch Verwendung einer Laserteilchen-Prüfvorrichtung auf einen Mikrokratzer geprüft. Die verwendete Prüfvorrichtung ist in der Lage, einen Mikrokratzer mit einer Breite von nicht weniger als 0,3 um zu erfassen. Obgleich der Mikrokratzer, falls er vorhanden ist, als eine kratzerähnliche Linie erfaßt werden kann, wurde kein Mikrokratzer erfaßt.
- Obgleich bei der vorhergehenden Ausführungsform das Silikateilchen als das Polierteilchen verwendet wird, stehen auch Aluminiumoxidteilchen oder Zeroxidteilchen zur Verfügung. Wenn die Aluminiumoxidteilchen durch Dispergieren derselben in eine Aufschlämmung verwendet werden, liegt der bevorzugte pH-Wert im Bereich von 3 bis 5. Jedenfalls muß der pH-Wert gesteuert werden, um jegliche Aggregation der feinen Teilchen in der Aufschlämmung im Aufschlämmungsbehälter zu verhindern.
- Das oben genannte neuartige Verfahren kann selbstverständlich nicht nur zum Polieren des Siliziumoxidfilms, sondern auch anderer Filme, wie z. B. eines Siliziumnitridfilms, eines Borphosphat-Silikatglasfilms, eines Aluminiumfilms, eines Kupferfilms und eines Wolframfilms, verwendet werden.
- Aus den obigen Beschreibungen versteht es sich, daß die vorliegende Erfindung ein schnelles Polieren, ohne der Polieroberfläche des Films einen Schaden zuzufügen, und eine Verkürzung der Polierzeit sowie eine Reduzierung der Herstellungskosten ermöglicht.
- Während Abänderungen der vorliegenden Erfindung für eine Person mit gewöhnlichen Kenntnissen der Technik, zu der die Erfindung gehört, zweifellos offensichtlich sind, soll es sich verstehen, daß durch Darstellung gezeigte und beschriebene Ausführungsformen keinesfalls in einem einschränkenden Sinn betrachtet werden sollen. Dementsprechend soll es beabsichtigt sein, durch die beigefügten Ansprüche alle Abänderungen der vorliegenden Erfindung, die in den Umfang der Erfindung fallen, abzudecken.
Claims (33)
1. Ein Verfahren zum Zuführen einer Polierflüssigkeit auf eine
Oberfläche einer Polierscheibe (6), durch die eine Oberfläche
eines Films (9) poliert wird, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Lösung (4), die ein
Aggregationsmittel aufweist, und eine Aufschlämmung (3), in die bereits
feine Polierteilchen (7) dispergiert wurde, der
Polierscheibenoberfläche getrennt zugeführt werden, so daß die
Aufschlämmung mit der Lösung vermischt wird, um dadurch eine
Aggregation der feinen Polierteilchen zur Ausbildung aggregierter
Teilchen (11) zu bewirken, die zum Polieren verwendet werden
sollen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein
pH-Wert der Aufschlämmung gesteuert wird, um jegliche
Aggregationsbildung der feinen Polierteilchen zu unterdrücken, bis
die Aufschlämmung mit der Lösung auf der
Polierscheibenoberfläche vermischt ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Aufschlämmung eine Suspensionsflüssigkeit mit einer Nicht-
Alkali-Metallverbindung und feinen Polierteilchen aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Nicht-Alkali-Metallverbindung Ammoniak aufweist.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Nicht-Alkali-Metallverbindung Amin aufweist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Polierteilchen ein Silikateilchen aufweist.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Polierteilchen ein Aluminiumoxidteilchen aufweist.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Polierteilchen ein Zeroxidteilchen aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Aggregationsmittel ein elektrolytisches Salz aufweist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das
elektrolytische Salz Ammoniumnitrat aufweist.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das
elektrolytische Salz Ammoniumchlorid aufweist.
12. Ein Verfahren zum Polieren eines Films (9) mit Zuführen
einer Polierflüssigkeit auf eine Oberfläche einer
Polierscheibe (6), durch die eine Oberfläche eines Films (9) poliert
wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung (4), die ein
Aggregationsmittel aufweist, und eine Aufschlämmung (3), in
die bereits feine Polierteilchen (7) dispergiert wurde, der
Polierscheibenoberfläche getrennt zugeführt werden, so daß die
Aufschlämmung mit der Lösung vermischt wird, um dadurch eine
Aggregation der feinen Polierteilchen zur Ausbildung
aggregierter Teilchen (11) zu bewirken, die zum Polieren verwendet
werden sollen.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
ein pH-Wert der Aufschlämmung gesteuert wird, um jegliche
Aggregationsbildung der feinen Polierteilchen zu unterdrücken,
bis die Aufschlämmung mit der Lösung auf der
Polierscheibenoberfläche vermischt ist.
14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die Aufschlämmung eine Suspensionsflüssigkeit mit einer Nicht-
Alkali-Metallverbindung und feinen Polierteilchen aufweist.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
die Nicht-Alkali-Metallverbindung Ammoniak aufweist.
16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
die Nicht-Alkali-Metallverbindung Amin aufweist.
17. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
das Polierteilchen ein Silikateilchen aufweist.
18. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
das Polierteilchen ein Aluminiumoxidteilchen aufweist.
19. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
das Polierteilchen ein Zeroxidteilchen aufweist.
20. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
das Aggregationsmittel ein elektrolytisches Salz aufweist.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß
das elektrolytische Salz Ammoniumnitrat aufweist.
22. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß
das elektrolytische Salz Ammoniumchlorid aufweist. ·
23. Eine Vorrichtung zum Polieren eines Films (9), die
folgendes aufweist:
eine Poliereinheit mit einer Platte (5), auf der eine
Polierscheibe (6) vorgesehen ist, auf der der Film poliert wird,
ein Aufschlämmungs-Zufuhrsystem (1) zum Lagern und Zuführen
einer Aufschlämmung (3), in die feine Polierteilchen (7)
dispergiert sind, auf eine Oberfläche der Polierscheibe (6);
und
ein Zufuhrsystem (2) für eine Aggregationsmittel-Lösung zum
Lagern und Zuführen einer Lösung (4), die ein
Aggregationsmittel aufweist, auf die Oberfläche der Polierscheibe (6), so
daß die Aufschlämmung mit der Lösung vermischt wird, um
dadurch eine Aggregation der feinen Polierteilchen zur
Ausbildung aggregierter Teilchen (11) zu bewirken, die zum Polieren
verwendet werden sollen.
24. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß
ein pH-Wert der Aufschlämmung gesteuert wird, um jegliche
Aggregationsbildung der feinen Polierteilchen zu unterdrücken,
bis die Aufschlämmung mit der Lösung auf der
Polierscheibenoberfläche vermischt ist.
25. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß
die Aufschlämmung eine Suspensionsflüssigkeit mit einer Nicht-
Alkali-Metallverbindung und feinen Polierteilchen aufweist.
26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß
die Nicht-Alkali-Metallverbindung Ammoniak aufweist.
27. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß
die Nicht-Alkali-Metallverbindung Amin aufweist.
28. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß
das Polierteilchen ein Silikateilchen aufweist.
29. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß
das Polierteilchen ein Aluminiumoxidteilchen aufweist.
30. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß
das Polierteilchen ein Zeroxidteilchen aufweist.
31. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß
das Aggregationsmittel ein elektrolytisches Salz aufweist.
32. Vorrichtung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß
das elektrolytische Salz Ammoniumnitrat aufweist.
33. Vorrichtung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß
das elektrolytische Salz Ammoniumchlorid aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1708994A JP2738291B2 (ja) | 1994-02-14 | 1994-02-14 | 機械・化学研磨方法および研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69507345D1 DE69507345D1 (de) | 1999-03-04 |
DE69507345T2 true DE69507345T2 (de) | 1999-09-02 |
Family
ID=11934266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69507345T Expired - Lifetime DE69507345T2 (de) | 1994-02-14 | 1995-02-14 | Chemisch-mechanisches Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5603654A (de) |
EP (1) | EP0667211B1 (de) |
JP (1) | JP2738291B2 (de) |
KR (1) | KR0174106B1 (de) |
DE (1) | DE69507345T2 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798302A (en) * | 1996-02-28 | 1998-08-25 | Micron Technology, Inc. | Low friction polish-stop stratum for endpointing chemical-mechanical planarization processing of semiconductor wafers |
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JP5843036B1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-01-13 | コニカミノルタ株式会社 | 再生研磨材スラリーの調製方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-02-14 JP JP1708994A patent/JP2738291B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-13 US US08/387,167 patent/US5603654A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-14 KR KR1019950002708A patent/KR0174106B1/ko active IP Right Grant
- 1995-02-14 EP EP95101984A patent/EP0667211B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-14 DE DE69507345T patent/DE69507345T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5603654A (en) | 1997-02-18 |
EP0667211B1 (de) | 1999-01-20 |
JP2738291B2 (ja) | 1998-04-08 |
EP0667211A1 (de) | 1995-08-16 |
DE69507345D1 (de) | 1999-03-04 |
JPH07226388A (ja) | 1995-08-22 |
KR0174106B1 (ko) | 1999-04-01 |
KR950025903A (ko) | 1995-09-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |