DE69421266T2 - Lesetaktsteuerungsverfahren und Schaltung für nichtflüchtige Speicher - Google Patents

Lesetaktsteuerungsverfahren und Schaltung für nichtflüchtige Speicher

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717642A (en) * 1994-02-18 1998-02-10 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Load signal generating method and circuit for nonvolatile memories
KR100233283B1 (ko) * 1996-12-24 1999-12-01 김영환 플래쉬 메모리 셀을 이용한 리페어 퓨즈 초기화 회로
US5959935A (en) * 1997-05-30 1999-09-28 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Synchronization signal generation circuit and method
US6111796A (en) * 1999-03-01 2000-08-29 Motorola, Inc. Programmable delay control for sense amplifiers in a memory
ITMI20021185A1 (it) * 2002-05-31 2003-12-01 St Microelectronics Srl Dispositivo e metodo di lettura per memorie non volatili dotate di almeno un'interfaccia di comunicazione pseudo parallela
DE102006011059A1 (de) * 2006-03-08 2007-09-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren und System zum Übertragen von in einem Signal codierten Daten

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381551A (ja) * 1986-09-25 1988-04-12 Sony Corp メモリ装置
US4959816A (en) * 1987-12-28 1990-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit
EP0560623B1 (de) * 1992-03-12 1999-12-01 Sharp Kabushiki Kaisha Halbleiterspeicher
JP2697568B2 (ja) * 1993-08-26 1998-01-14 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US5432747A (en) * 1994-09-14 1995-07-11 Unisys Corporation Self-timing clock generator for precharged synchronous SRAM

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