DE69403538T2 - Vorrichtung zur reaktiven Plasmagasphasenabscheidung eines elektrisch nichtleitenden Materials unter Verwendung einer abgeschirmten Sekundäranode - Google Patents
Vorrichtung zur reaktiven Plasmagasphasenabscheidung eines elektrisch nichtleitenden Materials unter Verwendung einer abgeschirmten SekundäranodeInfo
- Publication number
- DE69403538T2 DE69403538T2 DE69403538T DE69403538T DE69403538T2 DE 69403538 T2 DE69403538 T2 DE 69403538T2 DE 69403538 T DE69403538 T DE 69403538T DE 69403538 T DE69403538 T DE 69403538T DE 69403538 T2 DE69403538 T2 DE 69403538T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sputtering
- anode
- plasma
- target
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 7
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 title 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 abstract description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3438—Electrodes other than cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
- Der Erfindung zugrundeliegender allgemeiner Stand der Technik
- Diese Erfindung betrifft die Plasmadampfabscheidung einer Schicht eines elektrisch isolierenden Materials auf ein Substrat durch reaktives Sputtern. Insbesondere ermöglichen es das Verfahren und die Vorrichtung der Erfindung, daß das Beschichten mittels Sputtern unter Verwendung einer Gleichstromplasmaentladung ausgeführt werden kann.
- Das Beschichten mittels Sputtern ist eine häufig verwendete Technik zum Abscheiden einer dünnen Materialschicht auf ein Substrat. Bei einer Form dieser Technik, die als Gleichstrom-Sputtern bekannt ist, werden positive Ionen von einer Plasmaentladung, die zwischen einer Anode und einer Target-Kathode ausgebildet ist, zum Target hin angezogen und treffen dort auf, wobei sie Atome von der Targetoberfläche entfernen oder davon absputtern. Einige der entfernten Atome fallen auf die Oberfläche des Substrats und bilden eine Beschichtung.
- Beim reaktiven Sputtern ist ebenfalls eine gasförmige Spezies an der Substratoberfläche vorhanden und reagiert mit den Atomen der Targetoberfläche und bei einigen Ausführungsbeispielen bildet die Spezies mit den Atomen der Targetoberfläche eine Verbindung, um das gewünschte Beschichtungsmaterial auszubilden. Dieses Material wird ebenfalls auf jeder anderen Oberfläche, die den abgesputterten Atomen ausgesetzt ist, abgeschieden. Gemäß dem Stand der Technik wurde erkannt, daß, wenn die Beschichtung eine elektrisch isolierendes Material ist, wie z. B. ein Metalloxid, das Ansammeln des Materials an anderen Teilen der Sputter-Vorrichtung Probleme verursachen kann. Besonders der Aufbau einer isolierenden Beschichtung auf der Anode stört die Fähigkeit der Anode Elektronen aus dem Plasma zu entfernen, wie dies erforderlich ist, um das Plasmaladungsgleichgewicht aufrechtzuerhalten. Dies destabilisiert das Plasma und stört die gesteuerte Abscheidung. Folglich ist es üblich eine andere Sputtertechnik, das Hochfrequenz-Sputtern, zu verwenden, um Schichten isolierenden Materials abzuscheiden. Jedoch ist das Hochfrequenz-Sputtern ein weniger effizienter, weniger steuerbarer und teurer Prozeß als Gleichstrom-Sputtern.
- Pinarbasi ist auf dieses Problem gestoßen, als er versuchte, Schichten von wasserstoffhaltigem, amorphem Silicium abzuscheiden. Seine Arbeit wurde 1989 als Doktorarbeit an der Universität von Illinois in Urbana- Champaign mit dem Titel "Growth, Properties and Electrical Stability of DC Magnetron Reactive Sputtered Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films" und in Thin Solid Films, 171 (1989) S. 217-233 veröffentlicht. Zur Verringerung dieses Effekts, schirmte Pinarbasi die Anode mit einer Anodenabschirmung auf positiver Vorspannung ab, um den Elektronenstrom vom Plasma zu transportieren. Dies reduzierte das Problem soweit, daß es das Abscheiden der experimentellen Schichten ermöglichte. (Siehe Besonderes Seite 220). Aber ein kaum verstandener Einschwingvorgang, von dem Pinarbasi berichtet, zeigt an, daß das Problem nicht vollständig unter Kontrolle war. Dieses Problem könnte einen Langzeiteinsatz dieses Prozesses ernsthaft beeinflussen, wie z. B. bei einer Produktionseinstellung.
- In EP-A-0 534 066 wird eine Vorrichtung offenbart, bei der eine zusätzliche Anode verwendet wird, wobei die Anode auf einem Nebenpotential gehalten wird, das positiver ist als das erste Potential des Verdampfers. Bei dieser Vorrichtung ist keine effiziente Vermeidung von unerwünschter Abscheidung vorgesehen.
- Bei der vorliegenden Erfindung ist eine Nebenanodenelektrode in der Sputter-Kammer eingeschlossen und so plaziert, daß sie vom Strom der gesputterten Atome abgeschirmt ist. Diese Nebenanode wird nicht wesentlich mit elektrisch isolierendem Material beschichtet und behält ihre Fähigkeit, genug Elektroden aus dem Plasma anzuziehen, bei, um das Plasmaladungsgleichgewicht aufrechtzuerhalten. Dies ermöglicht den effizienten Einsatz des Gleichstrom-Sputtern zum Abscheiden von isolierenden Materialien und vermeidet den allgemein als notwendig betrachteten Einsatz der weniger effizienten und weniger steuerbaren Hochfrequenz-Sputter-Technik.
- Bei einer Gleichstrom-Sputter-Vorrichtung wird ein elektrisches Feld zwischen einer Hauptanode und einem Targethalter, der ein Target des zu sputternden Materials hält, erzeugt. Das Target und der Targethalter bilden die Kathode aus. Das Feld ionisiert das Sputter-Gas, das in der Sputter-Kammer auf einem Druck weit unterhalb Atmosphärendruck gehalten wird und eine Plasmaentladung bildet. Positive Ionen aus dem Plasma werden zum Target angezogen, treffen auf das Target und entfernen Atome aus der Targetoberfläche Die Atome werden von der Targetoberfläche in alle Richtungen emittiert. Da diese Atome beinahe vollständig ladungsneutral sind, sind ihre Bahnen geradlinig und werden durch elektrische oder magnetische Felder nicht beeinflußt. Sie schlagen sich auf jeder Oberfläche, auf die sie auftreffen, nieder und beschichten diese. Sie treffen auf das zu beschichtende Substrat, auf die Wände der Sputter-Kammer und auf die Hauptanode auf. Falls das abgeschiedene Material elektrisch isolierend ist, z. B. wenn sich die gesputterten Atome mit den reaktiven Gasspezies, die ebenfalls in der Kammer und auf der Hauptanode vorhanden sind, chemisch verbinden, stört eine isolierende Beschichtung auf der Hauptanode dessen Fähigkeit Elektronen aus dem Plasma anzusaugen. Die erfindungsgemäße Plazierung einer Nebenanode, die gegen den Strom der gesputterten Atome abgeschirmt ist, verhindert das Abscheiden dieser Beschichtungen oder verringert die Abscheidung unter eine Menge, die ein wesentliches Problem darstellt. Die Nebenanode kann z. B. hinter einem Abschirmelement, in einer Aussparung oder hinter einer Schulter plaziert sein, solange sie außerhalb der geometrischen Sichtlinie der Targetoberfläche ist. Die Wirksamkeit dieser Nebenanode beim Anziehen von Elektronen aus dem Plasma kann durch elektrisches Isolieren der Anode gegen die Hauptanode und durch Anlegen einer positiven Vorspannung bezüglich der Hauptanode verbessert werden.
- Kurze Beschreibung der Abbildungen
- Fig. 1 ist eine Seitenansicht im Querschnitt einer Sputter-Vorrichtung der Erfindung, die eine Nebenanode darstellt, die von der Targetoberfläche durch ein Abschirmelement abgeschirmt ist.
- Fig. 2 ist eine Seitenansicht im Querschnitt eines Teils einer Sputter-Vorrichtung der Erfindung, die die Nebenanode in einer Aussparung gelegen darstellt.
- Die Vorrichtung der Erfindung zur Plasmadampfabscheidung von Schichten eines isolierenden Materials auf ein Substrat verwendet die Gleichstrom-Sputter-Technik. Diese Technik ermöglicht den Einsatz einer einfachen Kammer und eines günstigeren Netzteus gegenüber der allgemein verwendeten Hochfrequenz-Sputter-Technik. Zusätzlich ermöglicht das Gleichstrom-Sputtern eine schnellere und steuerbarere Abscheidung. Bei dieser Technik wird ein elektrisches Feld zwischen einer Anodenelektrode auf positiver Vorspannung und einer gegenüber dazu negativ vorgespannten Kathodenelektrode erzeugt. Die Elektroden liegen in einer evakuierbaren Kammer, innerhalb derer sich ein Gas (normalerweise ein Edelgas, wie z. B. Argon) auf einem Druck weit unterhalb des Atmosphärendrucks gehalten wird. Das elektrische Feld ist stark genug, um die lonisierung eines Teils der Gasatome, die Beschleunigung der Ionen im Feld, Stöße mit anderen Atomen und schließlich eine anhaltende Plasmaentladung zu erzeugen. Der Entladungsbereich, der sowohl Elektronen als auch positive Ionen enthält, ist ungefähr ladungsneutral und behält diese Neutralität bei, da positive Ionen auf der Kathode, die auf negativer Vorspannung liegt, auftreffen und neutralisiert werden und Elektroden durch die positive Anode angesaugt werden. Das Hinzufügen eines magnetischen Felds von geeigneter Geometrie und Stärke in den Plasmabereich hilft dabei, das Plasma auf den gewünschten Bereich zu beschränken. Dieses ist aus dem Stand der Technik als die Magnetrontechnik bekannt
- Das Sputtern, dies ist sozusagen die Emission von Atomen von einem Target, findet statt, wenn das Target in der Bahn der positiven Plasmaionen angeordnet ist, da diese in Richtung der Kathodenelektrode beschleunigt werden. Falls das Target metallisch ist, kann es selbst die Kathode oder einen Teil davon bilden. Die energiereichen, positiven Ionen des Sputtergases kollidieren mit der Targetoberfläche und schlagen Atome aus der Oberfläche heraus, wie getroffene Billardkugeln. Sie werden von der Targetoberfläche in alle Richtungen emittiert. Die abgesputterten Atome des Targetmaterials haften auf allem worauf sie auftreffen, wie z. B. einem zu beschichtenden Substrat. Sie haften ebenfalls auf der Anodenelektrode, anderen Aufbauten in der Kammer und den Kammerwänden.
- Eine abgeschiedene Schicht aus einer Verbindung des Targetmaterials mit einer anderen chemischen Spezies kann ausgebildet werden, indem die andere Spezies in gasförmiger Form in die Sputter-Kammer eingeführt wird. Dies ist als reaktives Sputtern bekannt. Die chemische Verbindung der Targetspezies mit der reaktiven, gasförmigen Spezies kann in der Kammer oder an der Substratoberfläche stattfinden. Z. B. kann das ferroelektrische Material, das als PZT (Blei-Zirkonat- Titanat) bekannt ist, abgeschieden werden, indem ein Blei, Zirkon und Titan enthaltendes Target bei Anwesenheit von Sauerstoff in der Sputter-Kammer verwendet wird, um das Oxid der gewünschten Zusammensetzung auszubilden. Solche Oxidschichten wurden in der Vergangenheit durch die weniger wünschenswerte Hochfrequenz-Sputter-Technik hergestellt, weil sich die isolierende Oxydbeschichtung ebenfalls auf der Anodenelektrode ausbildet, was zur Plasmainstabilität führt. Die Hochfrequenz-Technik erfordert eine Quelle mit hoher Leistung (z. B. einige hundert Watt) und hoher Frequenz (z. B. 15 MHz) und eine Kammer, die sorgfältig entworfen ist, um elektrisch an das Stromversorgungsteil (Quelle) angepaßt zu sein. Zusätzlich werden bei der Hochfrequenz-Technik häufig toxische, gasförmige Metallverbindungen als Quelle der metallischen Komponenten der Schicht verwendet.
- Bei der hier offenbarten Vorrichtung wird eine Nebenanode gegen die abgesputterten Atome abgeschirmt, was die Ausbildung einer isolierenden Beschichtung unterdrückt.
- Dann behält die Nebenanode ihre Fähigkeit, Elektronen aus dem Plasma aufzunehmen und das Ladungsgleichgewicht des Plasmas aufrechtzuerhalten, bei. Diese Nebenanode kann gegen die Hauptanode elektrisch isoliert sein und bezüglich der Hauptanode auf positiver Vorspannung liegen, um ihre Fähigkeit, Elektronen anzuziehen, zu erhöhen.
- Eine beispielhafte Vorrichtung der Erfindung ist schematisch in Fig. 1 dargestellt. Sie ist mit einer zylindrischen Symmetrie um die vertikale Achse dargestellt. Die Gleichstrom-Sputter-Kammer 10 ist hermetisch abgedichtet, so daß sie mittels einer Pumpe 11 evakuiert werden kann. Von einer Sputtergasquelle 12 kann dann ein Sputtergas in die Kammer 10 eingeführt werden. Das Sputtergas ist normalerweise ein Edelgas, wie z. B. Argon. Falls dies gewünscht ist, kann ebenfalls von einer Reaktionsgasquelle 13 ein Reaktionsgas in die Kammer 10 eingeführt werden. Normalerweise wird die Kammer 10 als das elektrische Massebezugsnormal der Vorrichtung betrachtet
- Der Bereich 14, innerhalb dessen die Plasmaentladung stattfindet, wird durch die Hauptanode 15, die typischerweise auf dem elektrischen Potential der Kammer gehalten wird, die Kathode 16, die ein Target 17 des zu sputternden Materials hält, und den Substratträger 18 begrenzt, der ein Substrat 19 hält. Eine elektrisch isolierende Dichtung 20 hält die Luftdichtigkeit der Vorrichtung aufrecht und ein Gleichstromnetzteil 21 hält die Kathode 16 auf einem negativen Potential bezüglich der Hauptanode 15. Die Höhe des negativen Potentials, das zum Aufrechterhalten einer Plasmaentladung in einem Gas einer speziellen Spezies bei einem speziellen Druck in einem Plasmabereich von bestimmten Abmessungen benötigt wird, und wie diese Eigenschaften miteinander in Zusammenhang stehen, ist nach dem Stand der Technik gut bekannt. Potentiale im Bereich von 300 Volt bis 400 Volt bei (z. B.) Argon mit einem Druck im Bereich von 2,66 10&supmin;³ mbar (2 mtorr) bis 2,66 10 &supmin;²mbar (20 mtorr) mit einem Abstand Anode-Kathode im Bereich von einem bis zehn Zentimetern sind beispielhaft für solche Größen.
- Die Vorrichtung weist ebenfalls eine Nebenanode 22 auf. Eine elektrische Verbindung zur Nebenanode 22 wird über ein hermetisch abdichtendes Mittel 23 für die Vorspannung hergestellt. Die Variabilität einer Vorspannungsversorgung 24 ist dargestellt, um anzudeuten, daß die Nebenanode 22 auf dem Potential der Hauptanode 15 oder auf einem positiven Potential bezüglich der Hauptanode 15 gehalten werden kann, um ihre Fähigkeit, Elektronen aus der Plasmaentladung herauszuziehen, zu verbessern. Eine positive Vorspannung im Bereich von 10 Volt bis 200 Volt kann wirkungsvoll sein, bei einem anderen System können es 25 Volt bis 100 Volt sein.
- Die Nebenanode 22 ist durch ein Abschirmungselement 25 gegen den vom Target 17 kommenden Strom von abgesputterten Atomen abgeschirmt. Das Abschirmelement 25 muß mindestens weit genug herabhängen bzw heruntergezogen sein, daß alle Teile der Nebenanode 22 bezüglich aller Teile des Targets 17 außerhalb der geradlinigen Bestrahlung liegen. Da die gesputterten Atome durch Stöße mit Atomen des Sputtergases etwas gestreut werden, kann es notwendig sein, daß das Abschirmelement etwas weiter als dieses Minimummaß herabhängt. Wenn es jedoch etwas zu weit herabhängt, stört das Abschirmelement 25 den Strom der Elektronen von der Plasmaentladung zur Nebenanode 22 Das Aufheizen der Nebenanode durch Elektronenbeschuß hilft ebenfalls dabei, die Abscheidung des gesputterten Materials zu vermindern, weil es bewirkt, daß das Material verdampft, wenn es abgeschieden wird. Die Nebenanode kann ebenfalls ein Widerstandselement zum Heizen aufweisen. Viele verschiedene konstruktive Anordnungen zum Abschirmen der Nebenanode 22 gegen den Strom von gesputterten Atomen wären für einen Apparateentwickler offensichtlich. Z. B. zeigt Fig. 2, wie die Nebenanode 30 innerhalb einer Rille 31 im Element 32, das den Targethalter 33 trägt, angeordnet ist.
Claims (4)
1. Eine Sputter-Vorrichtung, die aufweist:
eine Sputter-Kammer (10), in die ein Gas zum Sputtern
eingefüllt werden kann;
einen Substrathalter (18), der zum Halten eines
Substrats (19) in der Kammer (10) angeordnet ist;
ein Sputter-Target (17), das in der Kammer (10)
angeordnet ist und das auf einer Vorspannung eines ersten
Potentials liegt;
eine Hauptanode (15), die in der Kammer (10)
angeordnet ist und auf einer Vorspannung eines zweiten
Potentials liegt, das positiver als das erste Potential
ist, wodurch sich ein Plasma zwischen dem Sputter-Target
(17) und der Hauptanode (15) entlädt und wodurch sich vom
Sputter-Target (17) abgesputterte Teilchen auf dem Substrat
(19) abscheiden
gekennzeichnet durch
eine Nebenanode (22; 30), die innerhalb der Kammer (10) an
einer Stelle, die zum Target (17) keine Sichtlinie
aufweist, angeordnet ist und die auf einer Vorspannung
eines Potentials liegt, das positiver als das zweite
Potential ist.
2. Eine Sputter-Vorrichtung, nach Anspruch 1,
die weiterhin ein Abschirmelement (25) aufweist, das
zwischen der Nebenanode (22) und dem Target (17) angeordnet
ist.
3. Eine Sputter-Vorrichtung nach Anspruch 2,
bei der das Abschirmelement (25) auf einer Vorspannung des
zweiten Potentials liegt.
4. Eine Sputter-Vorrichtung nach irgendeinem der
Ansprüche 1 bis 3,
die weiterhin eine Quelle (13) eines Reaktionsgases in die
Kammer (10) hinein aufweist, wobei das Reaktionsgas mit den
Partikeln reagiert, um ein elektrisch isolierendes Material
auf dem Substrat (19) abzuscheiden.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/042,035 US6296743B1 (en) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | Apparatus for DC reactive plasma vapor deposition of an electrically insulating material using a shielded secondary anode |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69403538D1 DE69403538D1 (de) | 1997-07-10 |
DE69403538T2 true DE69403538T2 (de) | 1998-01-29 |
Family
ID=21919699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69403538T Expired - Fee Related DE69403538T2 (de) | 1993-04-02 | 1994-03-25 | Vorrichtung zur reaktiven Plasmagasphasenabscheidung eines elektrisch nichtleitenden Materials unter Verwendung einer abgeschirmten Sekundäranode |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6296743B1 (de) |
EP (1) | EP0618606B1 (de) |
JP (1) | JPH06346236A (de) |
KR (1) | KR100326503B1 (de) |
AT (1) | ATE154162T1 (de) |
DE (1) | DE69403538T2 (de) |
ES (1) | ES2105386T3 (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH691686A5 (de) * | 1995-11-16 | 2001-09-14 | Unaxis Balzers Ag | Vakuumbehandlungskammer. |
EP0845151A1 (de) * | 1996-05-09 | 1998-06-03 | Applied Materials, Inc. | Versenkte spule zur plasmaerzeugung |
US6254746B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Recessed coil for generating a plasma |
DE19757353C1 (de) * | 1997-12-22 | 1999-07-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zum Betreiben einer Niederdruckentladung |
JP4717186B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2011-07-06 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
JP4703828B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-06-15 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 |
US6495000B1 (en) * | 2001-07-16 | 2002-12-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for DC sputtering oxide films with a finned anode |
JP2004018896A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ膜の成膜方法 |
US8038850B2 (en) * | 2006-06-23 | 2011-10-18 | Qimonda Ag | Sputter deposition method for forming integrated circuit |
CA2975153A1 (en) * | 2015-03-18 | 2016-09-22 | Vision Ease, Lp | Anode shield |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4038171A (en) * | 1976-03-31 | 1977-07-26 | Battelle Memorial Institute | Supported plasma sputtering apparatus for high deposition rate over large area |
DE3427587A1 (de) * | 1984-07-26 | 1986-02-06 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Zerstaeubungseinrichtung fuer katodenzerstaeubungsanlagen |
DE3611492A1 (de) * | 1986-04-05 | 1987-10-22 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von werkzeugen fuer die zerspanungs- und umformtechnik mit hartstoffschichten |
DE3612721C3 (de) | 1986-04-16 | 1994-07-14 | Ver Glaswerke Gmbh | Durchlauf-Kathodenzerstäubungsanlage |
DE4042289A1 (de) * | 1990-12-31 | 1992-07-02 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum reaktiven beschichten eines substrats |
DE4125365C1 (de) | 1991-07-31 | 1992-05-21 | Multi-Arc Oberflaechentechnik Gmbh, 5060 Bergisch Gladbach, De |
-
1993
- 1993-04-02 US US08/042,035 patent/US6296743B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-25 EP EP94104782A patent/EP0618606B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-25 DE DE69403538T patent/DE69403538T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-25 AT AT94104782T patent/ATE154162T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-03-25 ES ES94104782T patent/ES2105386T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-01 KR KR1019940006868A patent/KR100326503B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-04-04 JP JP6066101A patent/JPH06346236A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE154162T1 (de) | 1997-06-15 |
ES2105386T3 (es) | 1997-10-16 |
EP0618606B1 (de) | 1997-06-04 |
US6296743B1 (en) | 2001-10-02 |
KR100326503B1 (ko) | 2002-06-20 |
EP0618606A1 (de) | 1994-10-05 |
JPH06346236A (ja) | 1994-12-20 |
DE69403538D1 (de) | 1997-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0205028B1 (de) | Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat | |
DE69935321T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur ionisierten physikalischen dampfabscheidung | |
EP0755461B1 (de) | Verfahren und einrichtung für die ionengestützte vakuumbeschichtung | |
DE69801106T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur niederdruckzerstäubung | |
EP0803587B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Sputterbeschichtung | |
EP0502242A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrates | |
EP2585622B1 (de) | Arc-verdampfungsquelle mit definiertem elektrischem feld | |
DE1521327A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von zaehen Ueberzuegen auf einer Obernaeche | |
DE2513216A1 (de) | Verfahren zur beschichtung eines substrats | |
DE3802852C2 (de) | ||
EP0275018A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Glimmentladung | |
EP0285745A1 (de) | Verfahren und Vorrichtungen zum Vakuumbeschichten mittels einer elektrischen Bogenentladung | |
DE69403538T2 (de) | Vorrichtung zur reaktiven Plasmagasphasenabscheidung eines elektrisch nichtleitenden Materials unter Verwendung einer abgeschirmten Sekundäranode | |
DE3920834A1 (de) | Mikrowellen-kathodenzerstaeubungseinrichtung | |
DE2148933A1 (de) | HF-Zerstaeubungsvorrichtung | |
DE3706698C2 (de) | Verfahren und Anordnung zum Zerstäuben eines Materials mittels Hochfrequenz | |
DE10196150B4 (de) | Magnetron-Sputtervorrichtung und Verfahren zum Steuern einer solchen Vorrichtung | |
DE3880275T2 (de) | Anlage und Verfahren zur Ablagerung einer dünnen Schicht auf ein durchsichtiges Substrat, insbesondere zur Herstellung von Glasscheiben. | |
EP0776987B1 (de) | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material | |
EP2425445B1 (de) | Verfahren zur erzeugung eines plasmastrahls sowie plasmaquelle | |
EP0607787A2 (de) | Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten | |
DE2624005A1 (de) | Verfahren zum aufbringen von duennen schichten nach dem ion-plating- verfahren und vorrichtung dazu | |
DE102015104433B3 (de) | Verfahren zum Betreiben einer Kaltkathoden-Elektronenstrahlquelle | |
DE69808267T2 (de) | Verfahren und vorrichtung für pvd beschichtung | |
DE2800852C2 (de) | Einrichtung zum Ionenplasma-Beschichten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |