DE69327071D1 - Steuerschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit zwei Steuereingängen - Google Patents

Steuerschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit zwei Steuereingängen

Info

Publication number
DE69327071D1
DE69327071D1 DE69327071T DE69327071T DE69327071D1 DE 69327071 D1 DE69327071 D1 DE 69327071D1 DE 69327071 T DE69327071 T DE 69327071T DE 69327071 T DE69327071 T DE 69327071T DE 69327071 D1 DE69327071 D1 DE 69327071D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor device
control
control circuit
inputs
control inputs
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69327071T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69327071T2 (de
Inventor
Noriho Terasawa
Tadashi Miyasaka
Akira Nishiura
Masaharu Nishiura
Kenya Sakurai
Masahito Otsuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of DE69327071D1 publication Critical patent/DE69327071D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69327071T2 publication Critical patent/DE69327071T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08128Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in composite switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K2017/6878Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors using multi-gate field-effect transistors
DE1993627071 1992-05-01 1993-04-28 Steuerschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit zwei Steuereingängen Expired - Fee Related DE69327071T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11276392 1992-05-01
JP22679392 1992-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69327071D1 true DE69327071D1 (de) 1999-12-30
DE69327071T2 DE69327071T2 (de) 2000-05-25

Family

ID=26451853

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1993632443 Expired - Fee Related DE69332443T2 (de) 1992-05-01 1993-04-28 Steuervorrichtung für Halbleitervorrichtung mit doppeltem Gate
DE1993632388 Expired - Fee Related DE69332388T2 (de) 1992-05-01 1993-04-28 Steuerungsvorrichtung für Halbleitervorrichtung mit doppeltem Gate
DE1993627071 Expired - Fee Related DE69327071T2 (de) 1992-05-01 1993-04-28 Steuerschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit zwei Steuereingängen

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1993632443 Expired - Fee Related DE69332443T2 (de) 1992-05-01 1993-04-28 Steuervorrichtung für Halbleitervorrichtung mit doppeltem Gate
DE1993632388 Expired - Fee Related DE69332388T2 (de) 1992-05-01 1993-04-28 Steuerungsvorrichtung für Halbleitervorrichtung mit doppeltem Gate

Country Status (2)

Country Link
EP (3) EP0568353B1 (de)
DE (3) DE69332443T2 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5561393A (en) * 1992-02-03 1996-10-01 Fuji Electric Co., Ltd. Control device of semiconductor power device
JP3070360B2 (ja) * 1993-10-28 2000-07-31 富士電機株式会社 ダブルゲ−ト型半導体装置の制御装置
GB9610098D0 (en) * 1996-05-15 1996-07-17 Palmer Patrick R Insulated gate bipolar transistor control
WO2014181450A1 (ja) 2013-05-10 2014-11-13 株式会社 日立製作所 絶縁ゲート型半導体素子の制御装置およびそれを用いた電力変換装置
JP7002431B2 (ja) * 2018-10-09 2022-01-20 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126260A (ja) * 1984-07-16 1986-02-05 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Gtoサイリスタ
US4821083A (en) * 1986-09-30 1989-04-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Thyristor drive system
DE3855922T2 (de) * 1987-02-26 1998-01-02 Toshiba Kawasaki Kk An-Steuertechnik für Thyristor mit isolierter Steuerelektrode
JPH01270352A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Toshiba Corp ゲートターンオフサイリスタおよびその駆動方法
JPH0421211A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Toshiba Corp 半導体素子の駆動方法およびその駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0848497A2 (de) 1998-06-17
DE69332388T2 (de) 2003-06-12
EP0568353A1 (de) 1993-11-03
DE69332443D1 (de) 2002-11-28
DE69332443T2 (de) 2003-06-26
EP0854575A2 (de) 1998-07-22
EP0848497B1 (de) 2002-10-23
DE69327071T2 (de) 2000-05-25
EP0848497A3 (de) 1998-12-09
DE69332388D1 (de) 2002-11-14
EP0854575A3 (de) 1998-12-09
EP0568353B1 (de) 1999-11-24
EP0854575B1 (de) 2002-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69001596D1 (de) Selbstblockierende abseilvorrichtung mit zwei blockierstellungen.
DE69230359D1 (de) Halbleiteranordnung mit Schmelzsicherung
DE68928573D1 (de) Treiberschaltung für eine spannungsgesteuerte Halbleitervorrichtung
DE69321266T2 (de) Halbleiteranordnung mit Überchipanschlüssen
DE69318239D1 (de) Halbleiterbauelement mit planarer Grenzfläche
DE59205881D1 (de) Integrierter halbleiterspeicher mit redundanzeinrichtung
DE69326284T2 (de) Halbleiteranordnung mit anschlusswählender Schaltung
DE69111022T2 (de) Eine Halbleiteranordnung mit zwei integrierten Schaltungspackungen.
KR950701143A (ko) 더블 게이트를 갖는 반도체소자(semiconductor devices with a double gate)
DE69318937T2 (de) Mehrschicht Leiterrahmen für eine Halbleiteranordnung
DE69308998D1 (de) Steuerungsschaltung für eine Anzeigevorrichtung
DE69327071D1 (de) Steuerschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit zwei Steuereingängen
DE69416341T2 (de) Mehrschicht-Leiterahmen für eine Halbleiteranordnung
DE69033794T2 (de) Halbleiteranordnung
DE69034088D1 (de) Halbleiteranordnung
DE3676443D1 (de) Steuerverfahren und einrichtung fuer eine integrierte schaltung mit einer gemeinsamen schaltelektrode fuer mindestens zwei gegeneinander geschaltete transistoren.
DE69327858D1 (de) Halbleiterspeichergerät mit einer Prüfschaltung
DE69021909D1 (de) Schaltungseinheit für eine Wiedergabeanordnung und Wiedergabeanordnung mit einer derartigen Schaltungseinheit.
DE68917653T2 (de) Eingangsschutzschaltung für eine Halbleitervorrichtung.
DE69122435T2 (de) Halbleiteranordnung mit Metallschichten
DE69310559T2 (de) Schaltungs-Halbleiterbauteil mit Gate
DE3875473T2 (de) Supraleitende schaltungseinrichtung.
DE69121612D1 (de) Halbleiterintegrierte Schaltungsvorrichtung mit einer Prüfschaltung
DE69419965D1 (de) Hyperfrequenz-Halbleiteranordnung mit Stabilisierungsmitteln
DE59108420D1 (de) Elektronisches, vorzugsweise berührungslos arbeitendes Schaltgerät

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee