DE69321169T2 - Temperaturkompensierter, Spannungsgesteuerter Oszillator mit geringer Verstärkung und Programmierbarem Bereich - Google Patents

Temperaturkompensierter, Spannungsgesteuerter Oszillator mit geringer Verstärkung und Programmierbarem Bereich

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DE69321169T2
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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen spannungsgesteuerten Oszillator in einem Phasenregelkreis und insbesondere einen bereichsprogrammierbaren spannungsgesteuerten Oszillator in einem Phasenregelkreis mit Bereichsautomatik.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Ein spannungsgesteuerter Oszillator (VCO) ist eine Vorrichtung, die eine beliebige Anzahl von Oszillatorsignalen über einen Frequenzbereich erzeugen kann, indem ein Eingangsspannungssignal variiert wird. In der Praxis ist der Frequenzbereich des VCO durch die erforderliche Stabilität des Oszillatorsignals begrenzt. Ein stabiles Oszillatorsignal ist ein Oszillatorsignal, dessen Frequenz innerhalb der Fehlertoleranzen der Schaltung, die das Oszillatorsignal empfangen soll, konstant bleibt.
  • Eine Anzahl von Faktoren können die Frequenz eines C> szillatorsignals beeinträchtigen. Erstens kann die Frequenz eines Oszillatorsignals durch Fluktuation des Eingangsspannungssignals beeinflußt werden. Die Wirkung der Fluktuationen des Eingangsspannungssignals zeigen einen Designkompromiß zwischen der Stabilität und der Frequenzabdeckung.
  • Beispielsweise kann ein VCO mit hohem Verstärkungsfaktor in einem Frequenzbereich von 300 MHz (Megahertz) arbeiten, indem das Eingangsspannungssignal von 1 bis 4 Volt variiert wird. Wenn eine Spannungsfluktuation von einem Zehntel Volt auftritt, kann das Oszillatorsignal temporär seine Frequenz um bis zu 10 MHz verschieben.
  • Ob eine derartige Verschiebung Designprobleme aufwirft, hängt von den Fehlertoleranzen der Schaltung ab, die das Oszillatorsignal empfängt. Für Schaltungen, die eine plötzliche Frequenzverschiebung von 10 MHz nicht tolerieren können, kann die Verschiebung nicht akzeptierbare Zeitschaltfehler erzeugen.
  • Andererseits arbeitet ein VCO mit niedrigem Verstärkungsfaktor in einem sehr viel kleineren Frequenzbereich, wodurch die Wirkungen jeglicher Fluktuationen des Eingangsspannungssignals minimiert werden. Ein VCO mit niedrigem Verstärkungsfaktor kann beispielsweise über einen Frequenzbereich von 75 MHz über den gleichen Eingangsspannungsbereich arbeiten. Mit einem VCO mit niedrigem Verstärkungsfaktor erzeugt jedes eine Zehntel Volt einer Spannungsfluktuation eine sehr viel kleinere Frequenzverschiebung von ungefähr 2,5 MHz.
  • Somit wird durch Reduzieren des Frequenzbereiches ein stabileres Oszillatorsignal erzeugt. Das Problem ist jedoch, daß ein derartig enger Frequenzbereich die Anwendungen des VCO mit niedrigem Verstärkungsfaktor ernsthaft begrenzt.
  • Herkömmlicherweise wird der VCO dazu verwendet, einem Referenzsignal zu folgen. Der VCO verfolgt die Referenz durch Verwendung eines Phasenregelkreises, der durch Vergleichen des laufend erzeugten Oszillatorsignals mit dem Referenzsignal das Eingangsspannungssignal für den VCO erzeugt. So lange zwischen dem laufenden Oszillatorsignal und dem Referenzsignal eine Differenz ist, fährt der Phasenregelkreis fort, die Eingangsspannung zu verändern, wodurch das laufende Oszillatorsignal geändert wird. Wenn das laufende Oszillatorsignal und das Referenzsignal übereinstimmen, stoppt der Phasenregelkreis das Ändern der Eingangsspannung, wodurch ein Oszillatorsignal aufrechterhalten wird, welches mit dem referenzierten Signal phasen-synchronisiert ist.
  • Variationen in der Umgebungstemperatur können bewirken, daß die Frequenz des Oszillatorsignals verschoben wird. Obwohl ein geschlossener Phasenregelkreis sich selbst bezüglich der Temperatur, der Versorgungsspannung und der Prozeßänderungen durch Selbstjustierung auf einen neuen Vorspannungspunkt einstellt, wird ein VCO mit niederem Verstärkungsfaktor, der wie bei dem vorstehend beschriebenen Beispiel auf einen Frequenzbereich von 75 MHz begrenzt ist, nicht in der Lage sein, kontinuierlich das Referenzsignal zu verfolgen, wenn das Oszillatorsignal aus dem 75 MHz-Bereich driftet. Dies tritt besonders gerne dann ein, wenn das Originalreferenzsignal in der Nähe des Endes des Frequenzbereiches liegt.
  • Zusätzlich erfordert das Vorhandensein eines derartigen engen Frequenzbereiches, daß das Referenzsignal an den VCO angepaßt ist. Anstatt daß ein VCO mit hohem Verstärkungsfaktor verwendet werden kann, der verschiedene Referenzsignale abdeckt, muß für jedes Referenzsignal, das außerhalb des Frequenzbereiches des VCO mit niederem Verstärkungsfaktor ist, ein unterschiedlicher VCO mit niedrigem Verstärkungsfaktor verwendet werden.
  • Somit besteht die Notwendigkeit für einen VCO, der Mehrfach-Frequenzbereiche mit niedrigem Verstärkungsfaktor hat und der Oszillatorsignale mit einer konstanten Frequenz bei Änderungen in der Umgebungstemperatur erzeugen kann.
  • Der Stand der Technik ist durch die US-A-4,876,519 repräsentiert, die einen Oszillator offenbart, der die Merkmale entsprechend des Oberbegriffes des unabhängigen Patentanspruches aufweist.
  • Die EP-A-0 249 665 offenbart eine Differentialstufe zur Verwendung in einem VCO, mit einem Satz variabler Kapazitäten, die für eine grobe Verzögerungswahl und in Abhängigkeit von einer variablen Vorspannung für Feinverzögerungseinstellung wählbar sind.
  • Die Erfindung liefert einen spannungsgesteuerten Oszillator, wie im Patentanspruch 1 definiert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • Es zeigt:
  • Fig. 1 ein Blockschaltbild zur Erläuterung eines Phasenregelschaltkreises mit Bereichsautomatik;
  • Fig. 2 eine graphische Darstellung von fünf Oszillatorbetriebsbereichen als Funktion einer Schleifenfilterspannung;
  • Fig. 3 ein Flußschaltbild zur Erläuterung des Betriebes des Phasenregelschaltkreises mit Bereichsautomatik gemäß Fig. 1;
  • Fig. 4A, 4B, 4C, 4D und 4E schematische Diagramme zur Erläuterung eines Teils des Phasenregelschaltkreises mit Bereichsautomatik gemäß Fig. 1;
  • Fig. 5 ein Blockschaltbild zur Erläuterung eines bereichsprogrammierbaren, spannungsgesteuerten Oszillators gemäß der vorliegenden Erfindung und der in dem Schaltkreis gemäß Fig. 1 verwendbar ist;
  • Fig. 6 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer Oszillatorstufe des bereichsprogrammierbaren, spannungsgesteuerten Oszillators gemäß Fig. 5;
  • Fig. 7 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer Oszillatorstufe des bereichsprogrammierbaren, spannungsgesteuerten Oszillators gemäß Fig. 5;
  • Fig. 8A, SB, 8C und 8D schematische Darstellungen zur Erläuterung eines Teils einer Ausführungsform von drei Oszillatorschaltungen gemäß Fig. 7;
  • Fig. 9 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer VGS- und VSW-Generatorschaltung, die in dem in der Fig. 5 gezeigten spannungsgesteuerten Oszillator verwendbar ist;
  • Fig. 10 eine schematische Darstellung zum Erläutern einer der drei VGS- und VSW-Generatorschaltungen gemäß Fig. 9;
  • Fig. 11 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer Temperaturkompensationsschaltung, die bei dem in der Fig. 5 gezeigten spannungsgesteuerten Oszillator verwendbar ist;
  • Fig. 12A und 12B schematische Darstellungen zur Erläuterung eines Teils der Spannungsumsetzerschaltung;
  • Fig. 12C und 12D schematische Darstellungen zur Erläuterung eines Teils der Spannungsumsetzerschaltung und der Temperaturkompensationsschaltung gemäß Fig. 11.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die Fig. 1 zeigt einen Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik, der eine Einrichtung zum Synchronisieren eines geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD eines spannungsgesteuerten Oszillators (VCO) 110 mit einem Referenzsignal REF hat, in dem die Frequenz des geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD solange erhöht oder gesenkt wird, bis die Frequenz des geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD mit der Frequenz des Referenzsignals REF übereinstimmt.
  • Der Phasenregelschaltkreis 112 hat einen bereichsprogrammierbaren spannungsgesteuerten Oszillator 110, der ein Oszillatorausgangssignal OSC erzeugt, das in einem der fünf Oszillatorbereiche in Abhängigkeit von einem der fünf entsprechenden Bereichswählsignale RSS0 - RSS4 eine vorausgesagte Frequenz von 250 MHz hat. Zusätzlich variiert der VCO 110 die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC in Abhängigkeit von einer Schleifenfilterspannung LFV.
  • Eine erste Teilerschaltung 130 empfängt das Oszillatorausgangssignal OSC und erzeugt ein durch zwei geteiltes Oszillatorausgangssignal OSC2, das eine vorausgesagte Frequenz von 125 MHz hat. Eine zweite Teilerschaltung 132 empfängt das durch zwei geteilte Oszillatorausgangssignal OSC2 und erzeugt das geteilte Oszillatorausgangssignal OSCD, das eine vorausgesagte Frequenz von 12,5 MHz hat.
  • Wie weiterhin in der Fig. 1 gezeigt ist, erzeugt ein Bereichswählzähler 118 ein erstes Freigabesignal EN1 eine vorgewählte Einstellzeit nach dem Empfangen eines verzögerten Rücksetzsignals RST und dann, wenn der Bereichswählzähler 118 nicht rückgesetzt worden ist, entfernt er das erste Freigabesignal EN1 und erzeugt ein zweites Freigabesignal EN2 in einer vorgewählten Abschaltzeit nach dem Erzeugen des ersten Freigabesignals EN1.
  • Ein Phasenfehlerdetektor 120 vergleicht das geteilte Oszillatorausgangssignal OSCD, das laufend vom VCO 110 erzeugt wird, mit einem 12,5-MHz-Referenzsignal REF in Abhängigkeit von dem ersten Freigabesignal EN1. Wenn ein Phasenfehler detektiert ist, dann erzeugt der Phasenfehlerdetektor 120 ein Schiebesignal und dann erzeugt er nach einer Verzögerungszeit ein verzögertes Rücksetzsignal RST. Der Phasen fehlerdetektor 120 setzt den Vergleich des geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD mit dem Referenzsignal REF aus, wenn das erste Freigabesignal EN1 weggenommen worden ist.
  • Ein Schieberegister 122 wählt einen nächsten Betriebsbereich in Abhängigkeit von dem Schiebesignal SHF durch Erzeugen eines nächsten Bereichswählsignals aus fünf Bereichswählsignalen RSS0-4.
  • Ein Phasenkomparator 114 vergleicht das laufende unterteilte Oszillatorausgangssignal OSCD mit dem Referenzsignal REF und erzeugt ein Differenzfrequenz DIF in Abhängigkeit davon.
  • Ein Schleifenfilter 116 antwortet auf das Differenzsignal DIF durch Erzeugen eines entsprechenden Schleifenfilterspannungssignals LFV zur Steuerung des VCO 110.
  • Wenn der Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik gespeist ist, empfängt der VCO 110 ein erstes Bereichswählsignal RSS2 und eine Schleifenfilterspannung LFV und erzeugt in Antwort darauf ein entsprechendes Oszillatorausgangssignal OSC.
  • Wie vorstehend angegeben, empfängt der Phasenkomparator 114 das geteilte Oszillatorausgangssignal OSCD und das 12,5- MHz-Referenzsignal REF, vergleicht die ansteigenden Kanten des geteilten Oszillatorsignals OSCD und des Referenzsignals REF und gibt dann das Differenzsignal DIF aus, welches die Differenz zwischen der Frequenz des geteilten Oszillatorsignals OSCD und der Frequenz des Referenzsignals REF repräsentiert.
  • Das Schleifenfilter 116 antwortet auf das Differenzsignal DIF entweder durch Erhöhen oder Senken der Schleifenfilterspannung LFV innerhalb des Bereiches der Schleifenfilter spannungen, die vom Schleifenfilter 116 erzeugt werden können. Die Schleifenfilterspannung LFV liegt im Bereich von 1 bis 4 Volt.
  • Der VCO 110 antwortet auf die erhöhte oder gesenkte Schleifenfilterspannung LFV durch jeweiliges Erhöhen oder Senken der Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC solange, bis die Frequenz des geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD mit der 12,5-MHz-Frequenz des Referenzsignals REF übereinstimmt.
  • Der VCO 110 ist mit dem Referenzsignal REF "synchronisiert", wenn beide, die Phase und die Frequenz des geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD und die Phase und Frequenz des Referenzsignals REF innerhalb der Fehlertoleranz des Phasenregelschaltkreises 112 mit Bereichsautomatik übereinstimmen. Andererseits wird davon gesprochen, daß der VCO 110 "nicht synchronisiert" ist, wenn die Schleifenfilterspannung LFV an die Grenzen des Schleifenfilters 116 erhöht oder gesenkt ist, wodurch die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC auf ihr vollständiges Maß erhöht oder gesenkt ist, und die Phase und Frequenz des geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD und die Phase und Frequenz des Referenzsignals REF nicht übereinstimmend bleiben.
  • Wenn der VCO 110 nach einer vorgewählten Einstellzeit (siehe unten) unsynchronisiert bleibt, befiehlt der Phasenregelschaltkreis 112 mit der Bereichsautomatik dem VCO 110, in einen neuen Betriebsbereich zu schreiten, in dem ein nächstes Bereichswählsignal RSS0-1 erzeugt wird. Wie im einzelnen weiter unten erörtert, kann der nächste Betriebsbereich eine Mittenfrequenz haben, die größer oder kleiner als die Mittenfrequenz des vorhandenen Bereichs ist.
  • Beim stufenweisen Einstellen von einem Betriebsbereich in einen weiteren Betriebsbereich mit einer konstanten Schlei fenfilterspannung LFV ändert sich die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC um einen 18,75-MHz-Schritt. Dies führt zu einem Frequenzbereich des Betriebes über den Schleifenfilterspannungsbereich, der gegenüber dem Originalbetriebsbereich um 18,75 MHz nach oben oder unten verschoben ist.
  • Wenn das Oszillatorausgangssignal OSC in dem nächsten Betriebsbereich erzeugt worden ist, versucht der Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik, das Oszillatorausgangssignal OSC mit dem Referenzsignal REF wiederum durch Variieren der Schleifenfilterspannung LFV in Abhängigkeit von dem Differenzsignal DIF zu synchronisieren. Wenn der VCO 110, nachdem die Einstellzeit für ein zweites Mal abgelaufen ist, unsynchronisiert bleibt, dann befiehlt der Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik wiederum dem VCO 110, in den nächsten Betriebsbereich zu gehen, in dem das nächste Bereichswählsignal RSS0-4 erzeugt wird. Dieser Vorgang wird, wie vorstehend beschrieben, solange wiederholt, bis der VCO 110 mit dem Referenzsignal REF synchronisiert. Wie vorstehend ausgeführt, kann in der bevorzugten Ausführungsform der VCO 110 in einem von fünf Betriebsbereichen in Abhängigkeit von einem von fünf Bereichswählsignalen RSS0 - RSS4 arbeiten.
  • Fig. 2 zeigt die fünf Betriebsbereiche FR0 - FR4 als eine Funktion der Schleifenfilterspannung LFV. Wie aus der Fig. 2 zu ersehen ist, reicht der Frequenzbereich RFO von 175,00 bis 250,00 MHz, der Frequenzbereich FR1 von 193,75 bis 268,75 MHz, der Frequenzbereich FR2 von 212,50 bis 287,50 MHz, der Frequenzbereich FR3 von 231,25 bis 306,25 MHz und der Frequenzbereich FR4 von 250,00 bis 325,00 MHz.
  • Jeder der fünf Frequenzbereiche FR0 - FR4 repräsentiert den Bereich der Frequenzen, bei welchen der VCO 110 mit einem kompatiblen Referenzsignal synchronisieren kann. Wenn bei spielsweise ein 250 MHz-Referenzsignal REF innerhalb des zweiten Frequenzbereiches FR2 (212,50 MHz bis 287,5 MHz) ist, dann kann der VCO 110 mit dem Referenzsignal REF synchronisieren, indem, wie vorstehend beschrieben, die Schleifenfilterspannung LFV variiert wird.
  • Wenn jedoch das Referenzsignal REF unterhalb des zweiten Frequenzbereiches FR2 liegt, beispielsweise bei 200 MHz, dann kann der VCO 110 nicht mit dem Referenzsignal REF synchronisieren, weil die Schleifenfilterspannung LFV keinen ausreichenden Bereich hat; das heißt, der VCO 110 wird bei 212,5 MHz aussteuern und der VCO 110 wird, nachdem die Einstellzeit abgelaufen ist, unsynchronisiert bleiben. Der Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik wird dann den VCO 110 in einen anderen Betriebsbereich in Übereinstimmung mit der besonderen durchgeführten Suchroutine schicken (wie im einzelnen vorstehend erörtert).
  • Da die Frequenz des nächsten Betriebsbereiches nun 18,75 MHz niedriger als der ursprüngliche Betriebsbereich ist (193,75 MHz bis 268,75 MHz), wird der VCO 110 nun die Phase und Frequenz des Referenzsignals REF durch Variieren der Schleifenfilterspannung LFV, wie vorstehend angegeben, in Übereinstimmung bringen.
  • Es wird nochmals auf die Fig. 1 Bezug genommen und, wie im Schritt A der Fig. 3 gezeigt, erzeugt der Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik einen ersten Befehl, um in einem Betriebsbereich zu arbeiten, in dem ein gezwungenes Rücksetzsignal RSTF erzeugt wird. Das gezwungene Rücksetzsignal RSTF wird ungefähr 6,6 ms (Millisekunden), nachdem der Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik hochgeschaltet worden ist, von der Hardware rückgesetzt ist oder von einer Testsuchroutine (siehe unten) freigegeben worden ist, erzeugt. Die 6,6-ms-Verzögerung ist durch einen 6,6-ms-Zeitschaltkreis 412 gebildet (siehe Fig. 4C und 4E).
  • Wie in der Fig'. 1 und im Schritt B der Fig. 2 gezeigt, empfängt ein Schieberegister 122 das gezwungene Rücksetzsignal RSTF und erzeugt in Antwort ein zweites Bereichsbildsignal RSS2.
  • Wie in der Fig. 1 und im Schritt C der Fig. 3 gezeigt, empfängt ein asynchroner 10-Bit-Bereichswählzähler 118 das gezwungene Rücksetzsignal RSTF und entfernt in Abhängigkeit davon ein drittes Ermöglichensignal EN3 (siehe unten) und beginnt mit dem Zeitschalten der Einstellzeit. Das gezwungene Rücksetzsignal RSTF setzt den Bereichswählzähler 118 um eine Verzögerungszeit zurück, nachdem das Schieberegister 122 das gezwungene Rücksetzsignal RSTF empfangen hat. Die Verzögerungszeit läßt zu, daß der VCO 110 damit anfängt, ein Oszillatorausgangssignal OSC zu erzeugen und im wesentlichen gleichzeitig der Zähler 118 mit dem Zeitschalten anfängt.
  • Die Einstellzeit, die bei der bevorzugten Ausführungsform ungefähr 61,44 us (Mikrosekunden) oder 768 Zählpunkte ist, ist vorgesehen, um zuzulassen, daß der VCO 110 eine ausreichende Zeit zum Synchronisieren mit dem Referenzsignal REF durch Variieren der Schleifenfilterspannung LFV, wie vorstehend beschrieben, hat. Nachdem die Einstellzeit abgelaufen ist, wird, wie in dem Schritt D der Fig. 3 gezeigt, der Bereichswählzähler 118 ein erstes Ermöglichensignal EN1 erzeugen.
  • Wie in der Fig. 1 und im Schritt E der Fig. 3 gezeigt, empfängt der Phasenfehlerdetektor 120 das erste Ermöglichensignal EN1, ein geteiltes Oszillatorausgangssignal OSCD und das Referenzsignal REF und beginnt als Antwort mit dem Vergleichen der Anstiegskanten des geteilten Oszillatoraus gangssignals OSCD und des Referenzsignals REF, um festzustellen, ob ein Phasenfehler vorhanden ist oder nicht. Wenn das geteilte Oszillatorausgangssignal OSCD gegenüber dem Referenzsignal REF um mehr als +/-4 Nanosekunden außer Phase ist, liegt ein Phasenfehler vor. Wie in dem Schritt F in der Fig. 3 gezeigt, erzeugt der Phasenfehlerdetektor 120 ein Schiebesignal SHF, wenn ein Phasenfehler existiert, welches das Nächster-Bereich-Wählsignal RSS0-4 durch Verschieben des Schieberegisters 122 in Übereinstimmung mit einer Wählroutine (unten erläutert) erzeugt und dann wird nach einer Verzögerungszeit ein verzögertes Rücksetzsignal RST erzeugt, welches den Zähler 118 wieder auf den Anfangszählwert rücksetzt.
  • Nachdem ein Zweit-Bereich-Wählsignal RSS2 erzeugt worden ist, gefolgt von einem gezwungenen Rücksetzsignal RSTF, wählt das Schieberegister 122 den nächsten Betriebsbereich unter Verwendung von einer von zwei Primärwählroutinen; einer Direktsuchroutine oder einer Volumenroutine (barrel routine). Wiederum bezugnehmend auf die Fig. 1, wird die Volumenroutine, die eine Volumenvergrößerungs-Subroutine und eine Volumenverringerungs-Subroutine enthält, gewählt, indem ein BAR/DIR-Signal als hoch bestätigt wird. Die direkte Suchroutine wird gewählt, indem das BAR/DIR-Signal als niedrig bestätigt wird. Die Volumenvergrößerungs-Subroutine wird gewählt, indem bestätigt wird, daß ein Volumenvergrößerungs-/Volumenverringerungs-Signal UP/DN hoch ist; die Volumenverringerungs-Subroutine wird gewählt, indem das Volumengergrößerungs-/Volumenverringerungs-Signal UP/DN als niedrig bestätigt wird.
  • Wenn die Volumenvergrößerungs-Subroutine gewählt worden ist, wählt das Schieberegister 122 sequentiell das Oszillatorausgangssignal, das die nächst höhere Frequenz hat. Bei der Volumenvergrößerungs-Annäherung befiehlt jedes folgende Bereichswählsignal dem VCO 110, die Frequenz des laufenden Oszillatorausgangssignals um 18,75 MHz solange zu erhöhen, bis die nächste 18,75-MHz-Erhöhung 325,00 MHz übersteigen würde. Wenn die nächste Erhöhung bei 125,00 MHz übersteigen würde, befiehlt das Nächster-Bereich-Wählsignal dem VCO 110, die Frequenz des laufenden Oszillatorausgangssignals um 75 MHz (18,75 MHz · 4) zu reduzieren, worauf die Darauffolgender-Bereich-Wählsignale dem VCO 110 befehlen, wieder die Frequenz des laufenden Oszillatorausgangssignals zusätzlich zu erhöhen.
  • Konzeptionell kann die Volumenvergrößerungs-Annäherung als sequentielles schrittweises Gehen vom Frequenzbereich FR2 zum Frequenzbereich FR3 zum Frequenzbereich FR4 zum Frequenzbereich FR0 zum Frequenzbereich FR1 zum Frequenzbereich FR2 gedacht werden.
  • Wenn die Volumenverringerungs-Subroutine gewählt worden ist, wählt ähnlich das Schieberegister 122 kontinuierlich das Oszillatorausgangssignal, welches die nächst niedrigere Frequenz hat. Bei der Volumenverringerungs-Annäherung befiehlt jedes darauffolgende Bereichswählsignal dem VCO 110, die Frequenz des laufenden Oszillatorausgangssignals um 18,75 MHz zu senken, bis die nächste 18,75-MHz-Senkung unter 175,00 MHz fallen würde. Wenn die nächste Senkung unter 175,00 MHz fallen würde, befiehlt das Nächster-Bereich- Wählsignal dem VCO 110, die Frequenz des laufenden Oszillatorausgangssignals um 75 MHz zu erhöhen (18,75 MHz · 4), worauf das Folgender-Bereich-Wählsignal dem VCO 110 befiehlt, die Frequenz des laufenden Oszillatorausgangssignals wiederum zusätzlich zu senken.
  • Konzeptuell kann die Volumenverringerungs-Annäherung als ein sequentielles schrittweises Gehen vom Frequenzbereich FR2 zum Frequenzbereich FR1 zum Frequenzbereich FR0 zum Frequenzbereich FR4 zum Frequenzbereich FR3 zum Frequenzbereich FR2 gedacht werden.
  • Wenn die direkte Wählroutine gewählt worden ist, empfängt das Schieberegister 122 vom Filterspannungskomparator 124 das Suche-nach oben-/Suche-nach-unten-Signal SUP/SDN. Wenn der Filterspannungskomparator 124 anzeigt, daß die Schleifenfilterspannung LFV einen Überschuß von 3,25 Volt hat, indem das Schiebesignal SHF bestätigt wird, dann wählt das Schieberegister 122 das Oszillatorausgangssignal, welches die nächst niedrigere Frequenz hat. Wenn der Filterspannungskomparator 124 anzeigt, daß die Schleifenfilterspannung LFV unter 1,75 Volt liegt, dann wählt das Schieberegister 122 das Oszillatorausgangssignal, welches die nächst höhere Frequenz hat.
  • Wie in der Fig. 1 gezeigt, spricht zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Wählroutinen der Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik auch auf ein 5-Bit-Testsignal TEST an, welches von einem Testschaltkreis 414 (siehe Fig. 4C und 4E) erzeugt wird, das dem Schieberegister 122 befiehlt, ein Bestimmter-Bereich-Wählsignal zu erzeugen, wodurch bewirkt wird, daß der VCO 110 in einen bestimmten Betriebsbereich geht.
  • Wie im Schritt G der Fig. 3 gezeigt, wird, nachdem eine Verifizierungszeit abgelaufen ist, in welcher der Bereichswählzähler 118 nicht rückgesetzt worden ist, der Bereichswählzähler 118 das erste Ermöglichensignal EN1 entfernen. Die Verifikationszeit, die bei der bevorzugten Ausführungsform ungefähr 20,48 us oder 256 Zählimpulse ist, ist vorgesehen, um zuzulassen, daß ein Phasenfehlerdetektor 120 Zeit zum Bestimmen hat, ob das Oszillatorausgangssignal OCS an das Referenzsignal REF sich innerhalb von +/-195 ppm (parts per million) synchronisiert hat oder nicht. Eine + /-4-Nanosekunden-Phasendifferenz während einer 20,48-us-Verifikationszeitspanne ist gleich einer Synchronisationsqualität von +/-195 ppm.
  • Bezugnehmend auf die Fig. 4A und 4B werden eine erste Verzögerungsschaltung 418 und eine zweite Verzögerungsschaltung 420 verwendet, um die +/-4-ns-Phasenfehlerdetektion zu erzielen, die für den Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik notwendig ist. Die erste Verzögerungsschaltung 418 und die zweite Verzögerungsschaltung 420 empfangen einen Verzögerungsstrom, der im wesentlichen unabhängig von den Änderungen in der Temperatur und der Versorgungsspannung ist. Der Verzögerungsstrom ist im wesentlichen unabhängig von Änderungen in der Temperatur und der Versorgungsspannung, weil Verzögerungsstrom auf eine Bandlückenspannung (siehe unten) bezogen ist.
  • Der Verzögerungsstrom wird in einen festgelegten Basis- Emitter-Kondensator getrieben, um eine gesteuerte erste Verzögerungsschaltung 418 und eine zweite Verzögerungsschaltung 420 zu erzielen. Die erste Verzögerungsschaltung 418 und die zweite Verzögerungsschaltung 420 werden dazu verwendet, die ansteigenden und abfallenden Kantenübergänge abzustimmen. Bezugnehmend auf Fig. 4D wird eine Parallelpfad-Abstimmung der CMOS-Gate-Verzögerungen so erzeugt, daß das Verzögerungsdelta zwischen AIN und AOUT und AIN bis ADLYOUT die 4-ns-Verzögerung ist. Die erste Verzögerungsschaltung 418 und die zweite Verzögerungsschaltung 420 werden dann an den Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik (Bereichswahl) verbunden, indem CLK PH an AIN, DATA PH an BIN, PH CLK an AOUTDLY und PH DATA an BOUT angelegt wird. Dies schafft eine gesteuerte Verzögerung für den Phasenfehlerdetektor 120 in dem Phasenregelschaltkreis 112 mit Bereichsautomatik.
  • Wie im Schritt H in der Fig. 3 gezeigt, erzeugt der Bereichswählzähler 118 ein zweites Ermöglichensignal EN2 für einen Zählwert, wenn das erste Ermöglichensignal EN1 ent fernt ist, bevor der Bereichswählzähler 118 rückgesetzt worden ist.
  • Bezugnehmend auf Fig. 1, empfängt der Filterspannungskomparator 124 das zweite Ermöglichensignal EN2, die Schleifenfilterspannung LFV und eine erste Referenzspannung VREF1, wenn der Bereichswählzähler 118 das zweite Ermöglichensignal EN2 für einen Zählwert erzeugt, und in Antwort darauf vergleicht er sofort den DC-Pegel der Schleifenfilterspannung LFV mit der ersten Referenzspannung VREF1. Wie im Schritt I in der Fig. 3 gezeigt, vergleicht der Filterspannungskomparator 124 die Schleifenfilterspannung LFV mit der ersten Referenzspannung VREF1, um zu bestimmen, ob der VCO 110 mit dem Referenzsignal REF in der Nähe des Endes des dynamischen Bereiches der Schleifenfilterspannung LFV synchronisiert ist.
  • Es wird wieder auf die Fig. 2 Bezug genommen, aus der zu ersehen ist, daß, wenn die Schleifenfilterspannung LFV zwischen 3,25 Volt und 4 Volt ist, eine Erhöhung der Schleifenfilterspannung LFV um mehr als 0,75 Volt infolge von Temperatur oder Netzversorgungsfluktuationen VCC dazuführen wird, daß der VCO 110 die Synchronisation bricht. Ähnlich wird, wenn die Schleifenfilterspannung LFV zwischen 1 Volt und 1,75 Volt ist, irgendeine Verminderung der Schleifenfilterspannung LFV, die bewirkt, daß die Spannung auf mehr als 0,75 Volt reduziert wird, verursachen, daß der VCO 110 die Synchronisation bricht.
  • Wie im Schritt I in der Fig. 3 gezeigt, wird, wenn die Schleifenfilterspannung LFV zwischen 1 Volt und 1,75 Volt oder 3,25 Volt und 4 Volt ist, der Filterspannungskomparator 124 das Shiftsignal SHF erzeugen und dann nach der Verzögerungszeit ein verzögertes Rücksetzsignal RST erzeugen. Wie vorstehend beschrieben, wird, wenn das verzögerte Rücksetzsignal RST erzeugt worden ist, der Bereichswählzähler 118 rückgesetzt und beginnt die Zeitschaltung der Einstellzeit. Wenn das Schiebesignal SHF erzeugt worden ist, erzeugt das Schieberegister 122 ein weiteres Bereichswählsignal in Übereinstimmung mit der gewählten Suchroutine.
  • Der Filterspannungskomparator 124 läßt zu, daß der VCO 110 mit dem Referenzsignal REF in der Mitte eines Frequenzbereiches synchronisiert, so daß kleine Ausflüge der Schleifenfilterspannung LFV nicht bewirken, daß das Oszillatorausgangssignal OSC die Synchronisation bricht.
  • Wie im Schritt J in der Fig. 3 gezeigt, erzeugt der Wählzähler 118 ein drittes Ermöglichensignal EN3 und stoppt das Zählen, wenn die Schleifenfilterspannung LFV zwischen 1,75 und 3,25 Volt ist. An diesem Punkt ist der VCO 110 erfolgreich an mit dem Referenzsignal REF in einem Frequenzbereich synchronisiert, der einen ausreichenden dynamischen Bereich schafft.
  • Es wird wieder auf die Fig. 1 Bezug genommen, aus der zu ersehen ist, daß ein Triple-Impulsdetektor 126 verwendet wird, um gegenüber einem katastrophenbedingten Ausfall der Schleife zu schützen. Der Triple-Impulsdetektor 126 empfängt das dritte Ermöglichensignal EN3 und beginnt in Antwort darauf die Anwesenheit des laufenden Oszillatorausgangssignals OSC und des Referenzsignals REF zu detektieren. Wie im Schritt K der Fig. 3 gezeigt, erzeugt der Triple-Impulsdetektor 126, wenn drei oder mehr ansteigende Kanten des geteilten Oszillatorausgangssignals OSCD auftreten, ohne daß eine ansteigende Kante des Referenzsignals REF auftritt, das gezwungene Rücksetzsignal RSTF. Das Schieberegister 122 empfängt das gezwungene Rücksetzsignal RSTF und erzeugt in Antwort darauf wieder das zweite Bereichswahlsignal RSS2. Zusätzlich empfängt der Bereichswahlzähler 118 das verzögerte Rücksetzsignal RST, um die Verzögerungszeit später, setzt den Zähler 118 zurück, sperrt das dritte Ermöglichensignal EN3 und beginnt wieder mit dem Zeitschalten.
  • Ähnlich wird, wenn drei oder mehr ansteigende Kanten des Referenzsignals auftreten, ohne daß eine ansteigende Kante des Oszillatorausgangssignals auftritt, der Triple-Pulsdetektor 126 ebenfalls das verzögerte Rücksetzsignal RST erzeugen.
  • Zusätzlich schaffen der Triple-Impulsdetektor 126 und der Phasenfehlerdetektor 120 Ausgänge von einer Testschaltung. Wenn der VCO 110 einmal mit dem Referenzsignal REF synchronisiert ist, wird der Phasenfehlerdetektor 120 damit fortfahren, das Schiebesignal SHF auszugeben. Ähnlich wird nach der Synchronisierung der Triple-Impulsdetektor 126, wie vorstehend beschrieben, das Schiebesignal SHF erzeugen. Diese Fähigkeit läßt eine Zweigtestausstattung oder automatische Testausstattung zu, um das Schiebesignal SHS der Probleme der Synchronisationsqualität und des Synchronisationsverlustes sowohl von der Vorrichtung als auch dem Monitor zu erfassen. Diese beiden Probleme sind üblicherweise sporadische Ereignisse, die durch Überwachung des laufenden Oszillatorsignals und des Referenzsignals von den automatischen Testern nicht lokalisiert werden können.
  • Der Phasenfehlerdetektor 120 wird auch einen einfachen Gehen-/nicht-Gehen-Digitaltest für die Synchronisation schaffen, der das mühseligere sich wiederholende AC-parametrische Testen, welches derzeit in Verwendung ist, ersetzt. Dies stellt sowohl ein schnelleres als auch billigeres und zuverlässigeres Testverfahren dar.
  • Der Filterspannungskomparator 124 schafft auch einen Testausgang. Wenn der VCO 110 einmal mit dem Referenzsignal REF synchronisiert ist, wird der Filterspannungskomparator 124 damit fortfahren, das Schiebesignal SHF auszugeben. Durch Erfassen des Schiebesignals SHF kann die automatische Testausrüstung den VCO-Verstärkungsfaktor gegenüber dem Frequenzbereichsverhalten abstimmen. Dadurch ist eine bessere Abstimmung der Vorrichtung gegenüber dem Betrieb möglich und es ist ein neues Werkzeug für die Ertragsanalyse und Verbesserung zur Verfügung gestellt. Wenn man in der Lage ist, die kritische Beziehung des VCO-Verstärkungsfaktors gegenüber dem Frequenzbereich auf einer automatischen Basis zu werten, erlaubt dies genauere Daten für die Zukunftsmodellierung.
  • Der Teil des Schieberegisters 122, der 6,6-ms-Zeitschaltkreis 412, die Testschaltung 414 und ein Mehrfachaktivbereichsdetektor 410 sind, wie in der Fig. 4C dargestellt, konfiguriert. Der Mehrfachaktivbereichsdetektor 410 überwacht die Bereichswahlsignale RSS0 - RSS4 und erzeugt das gezwungene Rücksetzsignal RSTF, wenn mehr als ein Bereichswahlsignal gleichzeitig aktiv ist. Der 6,6-ms-Zeitschaltkreis 412 verhindert, daß das gezwungene Rücksetzsignal RSTF ausgegeben wird, bevor nach dem Einschalten des VCO 110, Rücksetzen in der Hardware oder von einer Testsuche freigegeben eine 6,6-ms-Verzögerung abgelaufen ist.
  • Ein Teil des Zählers 118, der Phasenfehlerdetektor 120 und der Triple-Pulsdetektor 126 sind, wie in der Fig. 4D dargestellt, konfiguriert. Die erste Verzögerungsschaltung 418 und die zweite Verzögerungsschaltung 420 sind, wie in den Fig. 4A und Fig. 4B gezeigt, konfiguriert. Ein Teil des Schieberegisters 422, der 6,6-ms-Zeitschaltkreis 412, die Testschaltung 414 und ein Mehrfachaktivbereichsdetektor 410 sind, wie in der Fig. 4E dargestellt, konfiguriert. Ein Teil des Zählers 118, der Phasenfehlerdetektor 120 und das Schieberegister 122 sind, wie in der Fig. 4F gezeigt, konfiguriert.
  • Fig. 5 zeigt den VCO 110 gemäß der vorliegenden Erfindung. Wie aus der Fig. 5 zu ersehen, erzeugt ein VGS- und VSW-Generatorschaltkreis 310, der elektrisch an drei äquivalente Oszillatorstufen 318, 320, 322 gekoppelt ist, eine entsprechende Gate-zu-Source-Spannung VGS und eine Schaltspannung VSW in Abhängigkeit von den Bereichswahlsignalen RSS0 - RSS4.
  • Zusätzlich empfängt ein Schleifenfilter-Operationsverstärker 324 mit Verstärkungsfaktor 1 die Schleifenfilterspannung LFV, die auf Masse bezogen ist, und übersetzt die Schleifenfilterspannung LFV in eine übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT, die auf die Netzspannung VCC bezogen ist. Jede der drei Oszillatorstufen 318, 320, 322 empfängt dann die Gate-zu-Source-Spannung VGS, die Schaltspannung VSW und die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT und erzeugt in Antwort darauf jeweils ein entsprechendes Oszillatorsignal P1 - P3.
  • Die drei Oszillatorsignale P1 - P3 sind mit Ausnahme für eine Phasenverzögerung, die jeder folgenden Oszillatorstufe zugeordnet ist, äquivalent. Wie in der Fig. 5 gezeigt, wird das erste Oszillatorsignal P1, das an der ersten Oszillatorstufe 318 ausgegeben wird, in die zweite Oszillatorschaltung 320 eingegeben. Da jede der drei Oszillatorstufen äquivalent ist, ist zu ersehen, daß das zweite Oszillatorsignal P2, das an der zweiten Oszillatorstufen 320 ausgegeben wird, äquivalent dem ersten Oszillatorsignal P1 ist, mit Ausnahme der Zeit, die dafür erforderlich ist, das erste Oszillatorsignal P1 von der zweiten Oszillatorstufe 320 in das zweite Oszillatorsignal P2 zu transformieren. Ähnlich ist das dritte Oszillatorsignal P3 äquivalent dem zweiten Oszillatorsignal P2, mit Ausnahme der Zeit, die dafür erforderlich ist, zwei der Oszillatorsignale P2 durch die dritte Oszillatorstufe 321 in das dritte Oszillatorsignal P3 zu transformieren.
  • Fig. 6 zeigt eine der drei äquivalenten Oszillatorstufen 318, 320, 322, die als ein Differentialpaar 610 konfiguriert sind. Wie in der Figur ~6 gezeigt, hat das Differentialpaar 610 zwei Zweige 612 und 614, die alternierend einen Strompfad für einen festliegenden Strom ISW von einer Netzversorgung VCC zu einer ersten Stromquelle 616 schaffen. Jeder der Zweige 612 und 614 des Differentialpaares 610 hat jeweils einen Schalttransistor 618a, 618d mit Kollektoren 620a bzw. 620b, die erstens über Widerstände 625a bzw. 624b an eine Netzversorgung VCC angeschlossen sind und zweitens über variable Kapazitätselemente 626a bzw. 626b an die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT angeschlossen ist und mit Emittern 628a bzw. 628b, die an die erste Stromquelle 616 angeschlossen sind.
  • Die Ausgangsspannung jedes Zweiges 612 und 614 des Differentialpaares 610, die das Oszillatorausgangssignal schafft, wird an den Kollektorklemmen 620a und 620b der Schalttransistoren 618a bzw. 618b abgenommen. Der Eingang jedes Zweiges 612 und 614, der wie vorstehend angegeben, elektrisch an den Ausgang einer vorhergehenden Oszillatorstufe gekoppelt ist, ist an den Basen 630a bzw. 630b jedes der Schalttransistoren 618a bzw. 618b.
  • Im Betrieb wird der Basis-Emitter-Übergang jedes Schalttransistors 618a, 618b durch das Oszillatorsignal OSC und dessen Komplement, die durch die vorhergehende Oszillatorstufe geschaffen worden sind, alternierend nach vorwärts und nach rückwärts vorgespannt, so daß ein Schalttransistor 618a, 618b ein- und ausschaltet, während der andere Schalttransistor 618a, 618b jeweils aus- und einschaltet.
  • Was die Übergänge von einem Aus- in einen Ein-Zustand und von einem Ein-Zustand in einen Aus-Zustand jedes der Schalttransistoren 618a, 618b betrifft, wird die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC erstens definiert durch den Spannungsabfall an dessen entsprechendem Widerstand 624a, 624b, der äquivalent der Ausgangsspannung ist, die an den Kollektoren 620a und 620b des entsprechenden Schalttransistors 618a bzw. 618b gemessen ist, und zweitens definiert durch die Anstiegsgeschwindigkeit.
  • Der Spannungsabfall an den ersten Widerständen 624a und 624b ist eine Funktion einer Spitzenspannung, das heißt der Spannungsabfall am Widerstand, wenn der Transistor abgeschaltet oder nichtleitend ist, und eine niedrige Spannung, das heißt der Spannungsabfall an dem Widerstand, wenn der Schalttransistor eingeschaltet oder leitend ist.
  • Die Anstiegsgeschwindigkeit ist definiert als die Spannungsschwankung geteilt durch die Zeit, die der Schalttransistor für den Übergang vom ausgeschalteten Zustand in den eingeschalteten Zustand oder vom eingeschalteten Zustand in den ausgeschalteten Zustand benötigt, während er die variablen Kapazitätselemente 626a und 626b lädt bzw. entlädt.
  • Da, wie vorstehend angegeben, die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC eine Funktion des Spannungsabfalls an den Widerständen 624a und 624b und der Anstiegsgeschwindigkeit ist, folgt daher, daß die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC durch Ändern eines dieser zwei Parameter geändert werden kann.
  • Wie vorstehend angegeben, erzeugt jeder Zweig 612 und 614 des Differentialpaares 610 alternierend einen Strompfad für den feststehenden Strom ISW. Da ein konstanter Strom immer dann vorhanden ist, wenn ein Zweig 612, 614 leitend ist, kann die Frequenz des Oszillatorausgangssignals geändert werden, indem der Widerstand der Widerstände 624a und 624b geändert wird, weil bei der Anwesenheit eines konstanten Stroms der Spannungsabfall mit dem Widerstand variiert.
  • Zur Illustration würde, wenn der Spannungsabfall an den Widerständen 624a und 624b durch eine Spitzenspannung von 5 Volt und eine niedrige Spannung von 4 Volt definiert ist und für die Zwecke dieses Beispieles angenommen wird, daß die Anstiegsgeschwindigkeit äquivalent 0,5 Volt pro Nanosekunde ist, dann wird das laufende Oszillatorsignal 2 Nanosekunden benötigt, um von einer Spitzenspannung auf eine niedere Spannung überzugehen. Dies ist äquivalent einer Nanosekunde pro Zyklus oder 500 MHz.
  • Wenn der Spannungsabfall an den Widerständen 624a und 624b geändert ist, so daß die Spitzenspannung auf 5 Volt verbleibt, die niedrige Spannung jedoch auf 3 Volt gesenkt ist, dann wird es 4 Nanosekunden benötigen, damit das laufende Oszillatorsignal von der Spitzenspannung auf die niedere Spannung übergeht. Dies ist äquivalent 4 Nanosekunden pro Zyklus oder 250 MHz.
  • Somit kann durch Reduzieren des Spannungsabfalls an den Widerständen 624a und 624b die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC erhöht werden. Ähnlich kann durch Erhöhen des Spannungsabfalls an den Widerständen 624a und 624b die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC verringert werden.
  • Aus der Fig. 7, die die bevorzugten Implementierungen der Oszillatorstufen 318, 320 und 322 der Fig. 5 zeigt, ist zu ersehen, daß die Widerstände 624a und 624b jeweils unter Verwendung von ersten p-Kanal-FETs (Feldeffekttransistor) P1 und P2 implementiert sind. Wie allgemein bekannt ist, können Feldeffekttransistoren, wenn sie genau vorgespannt sind, in einem linearen oder Triodenbereich arbeiten, in welchem der Feldeffekttransistor sich als ein variabler Widerstand verhält. Somit können durch genaues Vorspannen der ersten FETs P1 und P2 unter Verwendung von fünf unter schiedlichen Vorspannungen fünf unterschiedliche Widerstandswerte und daher fünf unterschiedliche Spannungsabfälle und daher fünf unterschiedliche Oszillatorfrequenzen erzeugt werden.
  • Wie in der Fig. 7 dargestellt, ist die erste Stromquelle 616 als ein erster npn-Stromquellentransistor Q50 implementiert, dessen Kollektor an die Emitter der Schalttransistoren 618a und 618b angeschlossen ist, dessen Basis an eine Referenzspannung VREF angeschlossen ist und dessen Emitter über einen ersten Stromquellenwiderstand R50 an Masse angeschlossen ist.
  • Wie vorstehend angegeben, kann die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC auch geändert werden, indem die Anstiegsgeschwindigkeit geändert wird. Da die Anstiegsgeschwindigkeit definiert ist als das Maß der Zeit, die erforderlich ist, um die variablen Kapazitätselemente 626a und 626b zu entladen und zu laden, kann die Anstiegsgeschwindigkeit definiert werden durch:
  • dv/dt = ISW/C
  • Da, wie vorstehend angegeben, der feststehende Strom ISW, der von dem ersten Stromquellentransistor Q50 herrührt, konstant ist, kann die Anstiegsgeschwindigkeit durch Ändern der Kapazität an den variablen Kapazitätselementen 626a und 626b geändert werden.
  • Zur Illustration, angelehnt an das vorstehend beschriebene Beispiel, bei dem der Spannungsabfall an den Widerständen 624a und 624b durch eine Spitzenspannung von 5 Volt und eine niedrige Spannung von 4 Volt definiert war und die Anstiegsgeschwindigkeit 0,5 Volt pro Nanosekunde betrug, wird weiterhin angenommen, daß die Anstiegsgeschwindigkeit durch einen Strom von der ersten Stromquelle von 4 Milliampere und eine Kapazität von 0,8 Picofarad definiert ist. Wie vorstehend angegeben, würde es 2 Nanosekunden benötigen, um von der Spitzenspannung von 5 Volt auf die niedere Spannung von 4 Volt überzugehen. Nun wird angenommen, daß die Kapazität von 0,8 Picofarad auf 1,6 Picofarad erhöht wird. Das Ergebnis ist, daß die Anstiegsgeschwindigkeit 0,25 Volt pro Nanosekunde ist, übersetzt auf eine 250-MHz-Rate.
  • Somit kann durch Erhöhen der Kapazität die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC gesenkt werden. Ähnlich kann durch Senken der Kapazität die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC erhöht werden.
  • Wiederum bezugnehmend auf Fig. 6, wird die Kapazität an den variablen Kapazitätselementen 626a und 626b gesteuert durch die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT. Die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT spannt die variablen Kapazitätselemente 626a und 626b von 0,5 Volt auf 3,5 Volt umgekehrt vor. Daher und wie früher angegeben, kann die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC durch Variieren der Schleifenfilterspannung LFV geändert werden.
  • Wiederum bezugnehmend auf Fig. 7, sind in Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung die variablen Kapazitätselemente 626a und 626b aus Diodentransistoren Q12a und Q12b gebildet, deren Kollektoren und Basen so geschaltet sind, daß sie die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT empfangen und haben Emitter, die an die Kollektoren 620a und 620b der Schalttransistoren 618a bzw. 618b angeschlossen sind.
  • Wenn ein Schalttransistor 618a, 618b in einem bestimmten Zweig nichtleitend ist, wird die Spannung am Emitter des Diodentransistors Q12a, Q12b in diesem Zweig auf die Spitzenspannung ansteigen. Wenn somit die übersetzte Schleifen filterspannung LFVT ebenfalls hoch ist, wird der Emitter- Basis-Übergang des Diodentransistors Q12a, Q12b in diesem Zweig nur leicht umgekehrt vorgespannt sein. Ähnlich wird, wenn die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT im Vergleich mit der Spannung an dem Emitter des Diodentransistors Q12a, Q12b in diesem Zweig niedrig ist, der Emitter- Basis-Übergang stark umgekehrt vorgespannt sein. Umso mehr die Diodentransistoren Q12a und Q12b umgekehrt vorgespannt sind, umso weniger interne Kapazität ist an den Diodentransistoren Q12a und Q12b präsent.
  • Wenn beispielsweise die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT hoch ist, beispielsweise 4 Volt, und die Spannung am Emitter des Diodentransistors Q12a, Q12b ebenfalls hoch ist, beispielsweise 4,3 Volt, ist der Diodentransistor Q12a, Q12b nur leicht umgekehrt vorgespannt. Wenn andererseits die übersetzte Schleifenfilterspannung LFVT niedrig ist, beispielsweise 1 Volt, ist der Diodentransistor Q12a, Q12b stark umgekehrt vorgespannt. Eine Spannungsschwankung von vollen 3 Volt der Schleifenfilterspannung LFV und daher der übersetzten Schleifenfilterspannung LFVT entspricht einer Frequenzveränderung von +/-12% des Mittelwertes. So wird die Eigenschaft des niedrigen Verstärkungsfaktors des VCO 110 der vorliegenden Erfindung erzielt.
  • Wie weiterhin in der Fig. 7 gezeigt, sind, um eine volle Spannungsschwankung (eine exakte niedrige Spannung) ungeachtet irgendwelcher Prozeßänderungen zwischen dem ersten p-Kanal-FETs P1 und P2 zu garantieren, npn-Klemmtransistoren Q14a und Q14b in jedem Zweig 612 und 614 des Differentialpaares 610 verwendet. Jeder Klemmtransistor Q14a, Q14b ist so geschaltet, daß sein Kollektor an die Netzspannung VCC angeschlossen ist, seine Basis an die Schaltspannung VSW angeschlossen ist und sein Emitter an die Kollektoren 620a und 620b der Schalttransistoren 618a bzw. 618b angeschlossen ist. Die niedrigste Spannung an den Emittern der Diodentransistoren Q12a und Q12b ist äquivalent der Schaltspannung VSW minus der Spannung, die dem Basis-Emitter- Übergang der Klemmtransistoren Q14a bzw. Q14b zugeordnet ist. Dies ist deshalb notwendig, weil, wenn die Spannung einmal unter diesen Wert fällt, die Klemmtransistoren Q14a und Q14b vorwärts vorgespannt werden und anfangen, Strom zu speisen.
  • Die Klemmtransistoren Q14a und Q14b garantieren, daß eine volle Spannungsschwankung realisiert wird, indem die Gatezu-Source-Spannung der ersten p-Kanal-FETs P1 und P2 so gesetzt werden kann, daß die ersten p-Kanal-FETs P1 und P2 einen Strom erzeugen, der ungefähr 10% geringer als der Strom ist, welcher vom feststehenden Strom ISW gefordert ist. Somit wird, wenn der erste Stromquellentransistor Q50 versucht, den feststehenden Strom ISW von den ersten p-Kanal-FETs P1 und P2 zu senken, die Spannungen an den Kollektoren 620a ind 620b der Schalttransistoren 618a bzw. 618b fallen und die Klemmtransistoren Q14a und Q14b werden jeweils vorwärts vorgespannt, schalten ein, um den verbleibenden Strom dem ersten Stromquellentransistor Q50 zuzuführen.
  • Beispielsweise wird angenommen, daß die gewünschte Sourcezu-Drain-Spannung 0,3 Volt ist, und es wird weiterhin angenommen, daß der Widerstand, der erforderlich ist, um die 0,3 Source-zu-Drain-Spannung zu erzielen, 1.500 Ohm ist. In dieser Situation wird, um den Klemmtransistor Q14a, Q14b einzuschalten, der Widerstand der ersten p-Kanal-FETs P1 und P2 auf beispielsweise 1.700 Ohm eingestellt. Durch Einstellen des tatsächlichen Widerstandes etwas höher als dem benötigen Widerstand kann der Designer sicherstellen, daß selbst bei Prozeßänderungen eine volle Spannungsschwankung erzielt wird.
  • Wie in der Fig. 7 gezeigt, sind die Sourcen 730a und 730b der ersten FETs P1 und P2 an einen Spannungsschiebertransistor 732 angeschlossen, der als eine Diode konfiguriert ist. Der Spannungsschiebertransistor 732 erlaubt, daß der niedrigere Spannungsschwankungspegel, bezogen auf die Netzspannung VCC, gleich der Schaltspannung VSW plus dem Spannungsabfall ist, der den Basis-Emitter-Übergängen des Spannungsschiebertransistors 732 und der Klemmtransistoren Q14a, Q14b zugeordnet ist, so daß die Klemmtransistoren Q14a, Q14b einschalten können.
  • Schematische Schaltbilder eines Teils der Oszillatorstufen 318, 320 und 322 sind in den Fig. 8A, 8B, 8C und 8D gezeigt. Zusätzlich ist ein Vorspannschaltkreis 810 für die Emitterfolgerausgangsstufe der Oszillatorstufen 318, 320 und 322 in der Fig. 8B gezeigt. Weiterhin ist eine partielle Anlaufschaltung 812, die den VCO 110 solange ungespeist hält bis die Netzversorgung VCC ungefähr 4 Volt erreicht hat, in der Fig. 8C gezeigt.
  • Wie vorstehend angegeben, können durch genaues Vorspannen der ersten p-Kanal-FETs P1 und P2 fünf unterschiedliche Widerstandswerte und daher fünf unterschiedliche Spannungsabfälle und daher fünf unterschiedliche Oszillatorfrequenzen erzeugt werden. Die ersten p-Kanal-FETs P1 und P2 sind vorgespannt, indem die Source-zu-Drain-Spannung VSD und die Gate-zu-Source-Spannung VGS gesteuert werden. Die Sourcezu-Drain-Spannung VSD und die Gate-zu-Source-Spannung VGS werden durch die VGS- und VSW-Generatorschaltung 310 gesteuert.
  • Fig. 9 zeigt die VGS- und VSW-Generatorschaltung 310. Wie in der Fig. 9 gezeigt, ist das Gate eines zweiten p-Kanal- FET Q20 an das Gate der ersten FETs P1 und P2 über eine VGS-Übersetzerschaltung 822 angeschlossen. Zusätzlich ist der Drain des zweiten FET Q20 an den Drain der ersten FETs P1 und P2 über einen Operationsverstärker 816 und eine VSW- Übersetzerschaltung 836 angeschlossen.
  • Somit sind bei 40ºC die Gate-zu-Source-Spannung, die Source-zu-Drain-Spannung und ein zweiter Strom ISW2 durch den zweiten FET Q20 angezogen, wenn ein Delta-Temperatur- Strom ISWD gleich 0 ist (siehe unten), äquivalent der Gatezu-Source-Spannung, der Source-zu-Drain-Spannung und dem feststehenden Strom ISW, der durch die ersten FETs P1 und P2 angezogen ist, wenn der Delta-Temperatur-Strom ISWD gleich 0 ist. Daher kann durch Einstellen der Gate-zu- Source-Spannung die Source-zu-Drain-Spannung und der zweite Strom ISW2 des zweiten FET Q20, die Gate-zu-Source-Spannung, die Source-zu-Drain-Spannung und der feststehende Strom ISW der ersten FETs P1 und P2 eingestellt werden.
  • Die Source-zu-Drain-Spannung am zweiten FET Q20 ist durch die Schaltspannung VSW und den Betrieb des Operationsverstärkers 816 eingestellt. Die Schaltspannung VSW ist äquivalent dem Spannungsabfall an einem der fünf Oszillatorwähltransistoren TP1 - TP5 und dessen entsprechenden Schaltwiderständen R1 - R5.
  • Jeder Oszillatorwähltransistor TP1 - TP5, der mit einer Source an eine interne Netzversorgung VCCI, mit einem Drain mit dem entsprechenden Schaltwiderstand R1 - R5 und mit einem Gate mit dem Schieberegister 122 (siehe Fig. 1) verbunden ist, schafft einen Strompfad für einen dritten Strom ISW3, wenn der Oszillatorwähltransistor TP1 - TP5 gewählt ist.
  • Der dritte Strom ISW3 wird durch einen dritten npn-Stromquellentransistor Q24 erzeugt, der an den ersten Stromquellentransistor Q50 angepaßt ist, mit einem Kollektor an jeden Schaltwiderstand R1 - R5 angeschlossen ist, mit einer Basis an die Referenzspannung VREF angeschlossen ist und mit einem Emitter über einen dritten Stromwiderstand R6 an Masse angeschlossen ist.
  • Im Betrieb schaltet eines der fünf Bereichswahlsignale RSS0 - RSS4 auf einen entsprechenden Oszillatorwähltransistor TP1 - TP5, wodurch ein Strompfad für den dritten Strom ISW3 und ein Spannungsabfall an dem Oszillatorwähltransistor TP1 - TP5 und dessen zugehörigen Schaltwiderstand R1 - R5 erzeugt wird.
  • Der Operationsverstärker 816, der einen nicht invertierenden Eingang hat, welcher an die Schaltspannung VSW angeschlossen ist, und der einen invertierenden Eingang hat, der an den Drain des zweiten FET Q20 angeschlossen ist, zwingt die Source-zu-Drain-Spannung des zweiten FET Q20 dazu, die Schaltspannung VSW anzunehmen, durch eine Rückkopplungsoperation des Operationsverstärkers 816.
  • Indem die Source-zu-Drain-Spannung zwangsweise äquivalent der Schaltspannung VSW gemacht ist, ist die Schaltspannung VSW äquivalent der Source-zu-Drain-Spannung VSD am zweiten FET Q20.
  • Die Gate-zu-Source-Spannung am zweiten FET Q20, der mit einer Source an eine interne Netzversorgung VCCI angeschlossen ist, der mit einem Drain an den invertierenden Eingang eines Operationsverstärkers 816 und einen Kollektor eines zweiten Stromquellentransistors Q22 angeschlossen ist und der mit einem Gate an den Ausgang eines Operationsverstärkers 816 und eine Gate-Source-Übersetzerschaltung 822 angeschlossen ist, ist durch einen zweiten Strom ISW2 und den Betrieb des Operationsverstärkers 816 eingestellt.
  • Ein zweiter npn-Stromquellentransistor Q22, der mit einem Kollektor an den Drain des zweiten FET Q20 angeschlossen ist, der mit einer Basis an eine Referenzspannung VREF an geschlossen ist und der mit einem Emitter über einen zweiten Stromwiderstand R7 angeschlossen ist, erzeugt einen zweiten Strom ISW2, der im wesentlichen äquivalent 90% des festliegenden Stromes ISW ist, welcher vom ersten Stromquellentransistor Q50 erzeugt wird.
  • Der Operationsverstärker 816 zwingt die Gate-zu-Source- Spannung auf eine Spannung, die bei einer Source-zu-Drain- Spannung, die äquivalent der Schaltspannung VSW ist, auf eine Spannung, die einen zweiten Strom ISW2 erzeugt.
  • Die VGS- und VSW-Generatorschaltung 310 kann eine interne Netzversorgung VCCI von ungefähr 3 Volt verwenden, die gegenüber der Netzversorgung VCC unterschiedlich ist, um das Koppeln des Netzversorgungsrauschens in den Operationsverstärker 816 zu reduzieren. Die VGS-Übersetzerschaltung 822 und die VSW-Übersetzerschaltung 836 sind vorgesehen, um von auf die interne Netzversorgung VCCI bezogene Pegel auf die Netzversorgung VCC bezogene Pegel rückzusetzen, die diejenigen Pegel sind, welche von dem VCO 110 erfordert werden. Die VGS- und VSW-Generatorschaltung 310 ist in der Fig. 10 gezeigt.
  • Die vorstehende Beschreibung beschreibt den Betrieb des VCO bei +40ºC. Wenn sich die Temperatur ändert, werden sich jedoch die Anstiegsgeschwindigkeit und daher die Frequenz des Oszillatorausgangssignals OSC ebenfalls infolge einer linearen Änderung in der Kapazität aller Transistoren ändern. Wenn die Temperatur steigt und fällt, steigt bzw. fällt die Kapazität der variablen Kapazitätselemente Q12a und Q12b. Wenn die Kapazität steigt und fällt, sinkt und steigt die Schaltgeschwindigkeit der Oszillatorstufen 318, 320 und 322. Um eine konstante Schaltgeschwindigkeit aufrecht zu erhalten, muß der Strom, welcher durch die Schalttransisto ren fließt, in Abhängigkeit von der Temperaturverschiebung erhöht oder gesenkt werden.
  • Um eine nahezu konstante Anstiegsgeschwindigkeit über einen Änderungsbereich in der Umgebungstemperatur von -55ºC bis zu +125ºC zu erreichen, sind der feststehende, der zweite und der dritte Strom ISW, ISW2 und ISW3 im wesentlichen unabhängig von der Umgebungstemperatur gemacht und es wird ein Delta-Temperatur-Strom erzeugt, so daß durch die Schalttransistoren 618a und 618b mehr oder weniger Strom gezogen werden kann, wenn die Kapazität erhöht bzw. gesenkt ist.
  • Wiederum bezugnehmend auf Fig. 5 erzeugt der VCO 110 gemäß der vorliegenden Erfindung die feststehenden, zweiten und dritten Ströme ISW, ISW2 und ISW3 so, daß sie im wesentlichen unabhängig von Änderungen in der Umgebungstemperatur sind, indem eine Spannungsübersetzerschaltung 316 verwendet wird, um die Referenzspannung VREF zu erzeugen, die ihrerseits die feststehenden, zweiten und dritten Ströme ISW, ISw2 und ISW3 erzeugt. Zusätzlich erzeugt die Spannungsübersetzerschaltung 316 einen temperaturunabhängigen Strom IREF, der im wesentlichen temperaturunabhängig ist und nur von P+-Blatt-rho abhängt.
  • Die Spannungsübersetzerschaltung 316 erzeugt das Spannungsreferenzsignal VREF in Antwort auf eine temperaturunbhängige Spannung von 1,35 Volt und ändert sich in der Umgebungstemperatur. Das Spannungsreferenzsignal VREF wird erzeugt, so daß, wenn die Umgebungstemperatur steigt und fällt, das Spannungsreferenzsignal VREF sinkt bzw. steigt, und zwar um ein Kompensationsmaß, so daß die feststehenden, zweiten und dritten Ströme ISW, ISW2 und ISW3 konstant sein können.
  • Die feststehenden, zweiten und dritten Ströme ISW, ISW2 und ISW3 bleiben jedoch unabhängig von der linearen Änderung des P+-spezifischer elektrischer Flächenwiderstand (90 Ohm/sq). Da diese Abhängigkeit klein ist, sind die feststehenden, zweiten und dritten Ströme ISW, ISW2 und ISW3 in einer ersten Größenordnung unabhängig von Änderungen in der Umgebungstemperatur.
  • Bezugnehmend auf Fig. 11 zieht der VCO gemäß der vorliegenden Erfindung mehr oder weniger Strom durch die Schalttransistoren 618a und 618b, wenn die Kapazität erhöht bzw. gesenkt wird, indem eine Temperaturkompensationsschaltung 314 verwendet wird.
  • Die Temperaturkompensationsschaltung 314 hat eine Eingangsstufe 1102, die eine temperaturunabhängige und abhängige Spannung empfängt, eine temperaturabhängige Stufe 1104 zum Erzeugen der temperaturabhängigen Spannung, eine Entladestufe 1106 zum Variieren eines Entladestroms Id, wenn sich die Umgebungstemperatur ändert, und eine Ausgangsstufe 1108 zum Erzeugen eines Delta-Temperatur-Stroms ISWD.
  • Wie in der Fig. 11 gezeigt, ist in einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Eingangsstufe 1102 als ein kompensierendes Differentialpaar 1118 konfiguriert. Das kompensierende Differentialpaar 1118 enthält einen Ladezweig 1120 und einen Entladezweig 1122, die jeweils einen Strompfad für einen Teil eines festliegenden Stromes 0,17 ISW von einer Netzversorgung VCC zu einem Ladestromquellentransistor Q60 schaffen.
  • Der Ladezweig 1120 hat einen p-Kanal-Ladetransistor Q3, der mit einer Source an die Netzversorgung VCC angeschlossen ist, und einen npn-Ladeeingangstransistor Q4, der mit einem Kollektor an das Gate und den Drain des Ladetransistors Q3 angeschlossen ist, der mit einer Basis an eine temperatur unabhängige Bandlückenspannung VREF1 von ungefähr 2,5 Volt angeschlossen ist, und mit einem Emitter an den Kollektor des Ladestromquellentransistors Q60 über einen Ladeeingangswiderstand R1 angeschlossen ist.
  • Der Entladezweig 1118 hat einen p-Kanal-Entladetransistor Q5, der mit einer Source an eine Netzversorgung VCC angeschlossen ist, und einen Entladeeingangstransistor Q6, der mit einem Kollektor an das Gate und den Drain des Entladetransistors Q5 angeschlossen ist, der mit einer Basis an einen temperaturabhängigen Knoten B angeschlossen ist, und mit einem Emitter an den Kollektor des Ladestromquellentransistors Q60 über einen Entladeeingangswiderstand R2 angeschlossen ist.
  • Der Ladestromquellentransistor Q60 ist mit seiner Basis an die Referenzspannung VREF angeschlossen und ist mit seinem Emitter über den Ladewiderstand R60 an Masse angeschlossen, erzeugt den festliegenden Strom 0,17 ISW, der im wesentlichen temperaturunabhängig ist, der ungefähr 17% des festliegenden Stromes ISW ist, indem der Wert des Ladewiderstandes R60 in Relation zum Widerstand R50 der Fig. 7 erhöht wird.
  • Wie in der Fig. 11 gezeigt, liefern, wenn der ladende Eingangstransistor Q4 ungefähr 2,5 Volt an seiner Basis hat und der entladende Eingangstransistor Q6 ungefähr 2,5 Volt an seiner Basis hat, der ladende Eingangstransistor Q4 zusammen mit dem ladenden Transistor Q3 und dem entladenden Eingangstransistor Q6 zusammen mit dem entladenden Transistor Q5 ungefähr einen Äquivalentteil des festliegenden Stromes 0,17 ISW.
  • Wenn andererseits die Temperatur sich ändert, ändert sich die Spannung an der Basis des entladenden Eingangstransistors Q6, wodurch der Anteil des feststehenden Stromes 0,17 ISW geändert wird, der durch den ladenden Eingangstransistor Q4 und den entladenden Eingangstransistor Q6 geliefert wird.
  • Die temperaturabhängige Stufe 1104 variiert die Spannung am temperaturabhängigen Knoten B und die Basis des entladenden Eingangstransistors Q6, wenn die Temperatur variiert. Der temperaturabhängige Knoten B ist über eine Reihenschaltung eines abhängigen Widerstandes R3, einer ersten Diode D1 und einer zweiten Diode D2 an Masse und über eine unabhängige Stromquelle 1138 an die Netzversorgung VCC angeschlossen. Die unabhängige Stromquelle 1138 schafft den temperaturunabhängigen Strom IREF, der von der Spannungsübersetzerschaltung 316 abgeleitet wird.
  • Wenn die Temperatur variiert, werden der Spannungsabfall an der ersten Diode D1 und der zweiten Diode D2 variieren und bewirken, daß die Spannung am temperaturabhängigen Knoten B und die Basis des entladenden Eingangstransistors Q6 variieren. Wenn die Spannung an der Basis des entladenden Eingangstransistors Q6 variiert, ändert sich die Proportion des festliegenden Stromes 0,17 ISW, der durch den ladenden Eingangstransistor Q4 und den entladenden Eingangstransistor Q6 geliefert wird. Somit ändert sich mit der Änderung der Temperatur der Anteil des festliegenden Stromes 0,17 ISW, der von dem ladenden Eingangstransistor Q4 und dem entladenden Eingangstransistor Q6 herrührt.
  • Die Ausgangsstufe 1108 erzeugt den Delta-Temperatur-Strom Iswd als eine Summe aus einem Ladestrom Ic und einem Entladestrom Id. Der Ladestrom Ic wird durch einen p-Kanal-Ladeausgangstransistor Q1 erzeugt.
  • Der ladende Ausgangstransistor Q1 ist mit einer Source an die Netzversorgung VCC angeschlossen, ist mit einem Gate an das Gate und den Drain des Ladetransistors Q3 angeschlossen und ist mit einem Drain an einen Delta-Temperatur-Knoten A angeschlossen, erzeugt den Ladestrom Ic durch Verbinden seines Gates mit dem Gate des Ladetransistors Q3.
  • Durch Zusammenschalten der Gates haben der Ladetransistor Q3 und der Ladeausgangstransistor Q1 im wesentlichen äquivalente Gate-zu-Source-Spannungen. Wenn somit die Sourcezu-Drain-Spannung des Ladetransistors Q3 positiv wird und der Ladetransistor Q3 anfängt zu leiten, wird der Ladeausgangstransistor Q1 ebenfalls anfangen zu leiten.
  • Der n-Kanal-Entladeausgangstransistor Q2, der mit einem Drain an den Delta-Temperatur-Knoten A angeschlossen ist und mit einer Source an Masse angeschlossen ist, erzeugt den Entladestrom Id durch Spiegeln eines Zwischenstroms Im. Der Zwischenstrom Im wird durch die Entladestufe erzeugt. Der p-Kanal-Umwandlungstransistor Q7, der eine Source an die Netzversorgung VCC angeschlossen hat, der ein Gate an das Gate und den Drain des Entladetransistors Q5 angeschlossen hat, erzeugt den Zwischenstrom Im durch Verbinden seines Gates mit dem Gate des Entladetransistors Q5.
  • Wenn die Gates zusammengeschlossen werden, haben der Entladetransistor Q5 und der Umwandlungstransistor Q7 im wesentlichen äquivalente Gate-zu-Source-Spannungen. Wenn somit die Source-zu-Drain-Spannung des Entladetransistors Q5 positiv wird und der Entladetransistor Q5 anfängt zu leiten, wird der Umwandlungstransistor Q7 ebenfalls anfangen zu leiten.
  • Ein n-Kanal-Ausgangstransistor Q8, dessen Drain und Gate an den Drain des Umwandlungstransistors Q7 und das Gate des Entladeausgangstransistors Q2 angeschlossen sind und dessen Source an die Masse angeschlossen ist, leitet den Zwischenstrom Im.
  • Der Entladeausgangstransistor Q2 erzeugt den Entladestrom Id durch Verbinden seines Gates mit dem Gate des Ausgangstransistors Q8. Wenn die Gates zusammengeschaltet werden, haben der Ausgangstransistor Q8 und der Entladeausgangstransistor Q2 im wesentlichen äquivalente Gate-zu- Source-Spannungen. Wenn somit die Source-zu-Drain-Spannung des Ausgangstransistors Q3 positiv wird und der Ausgangstransistor Q3 anfängt zu leiten, wird der Entladeausgangstransistor Q2 ebenfalls anfangen zu leiten.
  • Im Betrieb bei +40ºC liefert der Ladeausgangstransistor Q1 einen Ladestrom Ic, der identisch mit dem Entladestrom Id ist, der von dem Entladeausgangstransistor Q2 geliefert wird. Somit entnimmt bei +40ºC der Entladeausgangstransistor Q2 den gesamten Strom, der von dem Ladeausgangstransistor Q1 erzeugt worden ist.
  • Wenn die Temperatur sich ändert, bewirkt jedoch das kompensierende Differentialpaar 118 indirekt, daß der Ladeausgangstransistor Q1 und der Entladeausgangstransistor Q2 unterschiedliche Größen von Ladestrom Ic bzw. Entladestrom Id liefern. Wenn der Entladestrom Id kleiner als der Ladestrom Ic ist, liefert der Delta-Temperatur-Knoten A wirksam einen Delta-Temperatur-Strom Iswd, der äquivalent der Differenz zwischen dem Ladestrom Ic und dem Entladestrom Id ist.
  • Ähnlich entnimmt, wenn der Entladestrom Id größer als der Ladestrom Ic ist, der Delta-Temperatur-Knoten A wirksam einen Delta-Temperatur-Strom Iswd durch Ziehen des benötigten Stroms von der VGS- und VSW-Generatorschaltung 310 und jeder Oszillatorstufe 318, 320, 322.
  • In der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind vier Ausgangsstufen elektrisch parallel geschal tet, um vier äquivalente Delta-Temperatur-Ströme ISWD1-4 zu erzeeugen (siehe Fig. 5).
  • Der festliegende Strom 0,17 ISW ist so gewählt, daß er ungefähr 17% des nahezu konstanten festliegenden Stromes ISW ist. Um die Änderungen der Kapazität mit der Temperatur über den Bereich von -55ºC bis +125ºC, zentriert um +40ºC, genau zu kompensieren, wurde bestimmt, daß die Temperaturkompensationsschaltung 314 die Gleichung:
  • Iswd = (ISW) (T-To) (1,7e-3) mit To = +40ºC implementiert.
  • Ein Teil der Spannungsübersetzerschaltung 316 und der Temperaturkompensationsschaltung 314 der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind in den Fig. 12A, 12B, 12C und 12D gezeigt.
  • Wiederum bezugnehmend auf Fig. 7 und wie vorstehend angegeben, entnimmt der erste Stromquellentransistor Q50 einen festliegenden Strom ISW über die Schalttransistoren 618a und 618b unabhängig von der Temperatur. Wenn die Temperatur und daher die Kapazität ansteigen, entnimmt der Delta-Temperatur-Strom einen zusätzlichen Strom, der, wenn er mit dem feststehenden Strom ISW kombiniert wird, einen größeren ersten Strom ISW1 bildet. Dieser größere Strom ist ausreichend, um die größere Kapazität zu kompensieren und erhält dadurch eine konstante Anstiegsgeschwindigkeit aufrecht. Bezugnehmend auf die Gleichung:
  • dv/dt = Isw1/C
  • wenn C mit der Temperatur linear ansteigt, dann muß, um dv/dt konstant zu halten, ISW1 ebenfalls auf die gleiche lineare Art und Weise mit der Temperatur ansteigen.
  • Durch Absenken des ersten Stromes ISW1 durch die Schalttransistoren 618a und 618b könnte ein potentiell größerer Source-zu-Drain-Spannungsabfall an den ersten p- Kanal-FETs P1 und P2 erzeugt werden. Bezugnehmend auf Fig. 9 ist jedoch das Produkt aus drittem Strom ISW3 und dem gewählten Schaltwiderstand R1 - R5 im wesentlichen unabhängig von der Temperatur. Dadurch wird die Schaltspannung auf im wesentlichen unabhängig von der Temperatur gesetzt und daher ist infolge der Rückkopplungsoperation des Operationsverstärkers 816 die Source-zu-Drain-Spannung auch im wesentlichen unabhängig von der Temperatur gesetzt.
  • Wie vorstehend angegeben, setzt der zweite Strom ISW2, der im wesentlichen ebenfalls unabhängig von der Temperatur ist, die Gate-zu-Source-Spannung des zweiten p-Kanal-FET Q20. Wenn die Temperatur ansteigt, entnimmt der Delta-Temperatur-Strom ISWD einen identischen zusätzlichen Strom, der, wenn er mit dem zweiten Strom ISW2 kombiniert wird, einen größeren fünften Strom ISW5 bildet.
  • Durch Ziehen eines größeren fünften Stroms ISW5 durch den zweiten FET Q20 ändert die Rückkopplungsaktion des Operationsverstärkers die Gate-zu-Source-Spannung des zweiten FET Q20. Wie vorstehend angegeben, ändert dies dann die Gatezu-Source-Spannung der ersten FETs P1 und P2, so daß der Spannungsabfall an den ersten FETs P1 und P2 konstant bleibt, während der erhöhte erste Strom ISW1 durch die ersten FETs P1 und P2 gezogen wird.
  • Ähnlich liefert, wenn die Temperatur sinkt, der Delta-Temperatur-Strom ISWD einen zusätzlichen Strom, was dazu führt, daß ein erster Strom ISW1 und ein fünfter Strom ISW5 verringert werden.
  • Es ist zu ersehen, daß verschiedene Alternativen zu den hier beschriebenen Strukturen bei der praktischen Durchführung der vorliegenden Erfindung angewendet werden können. Es ist die Intention, daß die folgenden Ansprüche die Erfindung definieren und daß die Struktur innerhalb des Schutzumfanges dieser Ansprüche dadurch abgedeckt ist.

Claims (3)

1. Spannungsgesteuerter Oszillator mit einer Vielzahl von Inverterstufen (318, 320, 322, 610), die in Reihe in einer Ringkonfiguration verbunden sind, so daß jede Inverterstufe ein Oszillationssignal erzeugt in Antwort auf ein Oszillationssignal, das durch die vorhergehende Inverterstufe in der Reihe vorgesehen wird, wobei jede Inverterstufe ein Paar (618) von emittergekoppelten Transistoren aufweist, deren Basis verbunden ist mit der vorhergehenden Stufe, so daß diese Transistoren alternierend leitfähig sind, und die Kollektoren verbunden sind mit der nächstfolgenden Inverterstufe; einem jeweiligen variablen Widerstandselement (624a, 624b) zwischen jedem der Kollektoren und einer elektrischen Versorgung (Vcc), die von einer ersten Vorspannung (VGS) abhängt; und einer festen Stromquelle (616), die mit den Emittern verbunden ist und abhängt von einer ersten Bezugsspannung (Vref);
dadurch gekennzeichnet, daß jede Inverterstufe aufweist ein entsprechendes variables Kapazitätselement (626a, 262b), welches mit jedem der Kollektoren verbunden ist;
und eine zweite temperaturabhängige Stromquelle (314), die mit den Emittern verbunden ist und abhängt von einer zweiten Bezugsspannung, die von einer temperaturabhängigen Bandlückenspannung abhängt, um den Strom durch den emittergekoppelten Transistor zu variieren und dadurch deren Schaltgeschwindigkeit im wesentlichen unabhängig von der Temperatur zu machen, und ferner gekennzeichnet durch ein Spannungserzeugungsmittel (116, 310) zum Erzeugen einer Schleifenfilterspannung (LFV) zum Variieren der Kapazitätselemente und zum Erzeugen der ersten Vorspannung (VGS) in Antwort auf eines einer Vielzahl von Bereichwahlsignalen (RSS1 bis RSS5).
2. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 1, wobei jedes variable Widerstandselement einen Transistor aufweist, der in einem linearen Bereich arbeitet.
3. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 1, wobei jedes variable Kapazitätselement einen Transistor mit Sperr-Vorspannung aufweist.
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