DE69224903T2 - Feldeffekttransistor vom Metall-Oxyd-Halbleitertyp (MOSFET) - Google Patents

Feldeffekttransistor vom Metall-Oxyd-Halbleitertyp (MOSFET)

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    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/811—Combinations of field-effect devices and one or more diodes, capacitors or resistors
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Description

    Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Feldeffekttransistoren vom Metall-Oxid-Halbleitertyp (MOS), insbesondere einen Feldeffekttransistor vom MOS-Typ, der bei einer integrierten Schaltung zur Signalintegration wirksam ist.
    • Hintergrund der Erfindung
  • Herkömmlicher Weise ist eine Einrichtung notwendig gewesen, die mehrere Eingange umfaßt, um eine Signalintegration auszuführen, und auch verschiedene Einrichtungen in der gleichen Anzahl wie die Eingange waren notwendig.
  • Wenn die gleiche Schaltung als integrierte Schaltung ausgeführt wird, sind viele Bibliotheken der integrierten Schaltung notwendig gewesen. Eine solche Bibliothek ist ineffizient.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegenden Erfindung ist erfunden, daß sie die obigen Schwierigkeiten löst, und hat als Zielsetzung, einen MOSFET zu schaffen, um leicht die Integration mehrerer Eingange auszuführen.
  • Eine elektrische Summierschaltung gemaß der vorliegenden Erfindung ist im Anspruch 1 angegeben.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 zeigt eine MOSFET-Schaltung.
  • Fig. 2 zeigt das Blockdiagramm des Aufbaus einer Schaltung zur Signalintegration, wobei die Ausführungsform der Fig. 1 verwendet wird.
  • Fig. 3 zeigt ein Blockdiagramm des Aufbaus einer Schaltung zur hierarchischen Signalintegration, wobei die Ausführungsform der Fig. 1 verwendet wird.
  • "T" gibt einen MOSFET an, dd, dd1, dd2 und ddn geben Eingangsspannungen an, Vcc gibt eine Stromquelle an, "D" gibt eine Drain an, "G" gibt ein Gate an, "S" gibt eine Souran, "R" gibt einen hohen Widerstand an, "C" gibt eine Kapazität an, "DD" gibt einen Ausgang einer Kapazität an, T1, T2, Tn und To geben Transistoren an, DD, DD2 und DDn geben die Ausgänge von Transistoren an, DDcom gibt einen gemeinsamen Ausgang an, ddein gibt einen Eingang des Transistors To an, und ddaus gibt einen Ausgang des Transistors To an.
    • Bevorzugte Ausfuhrungsform der Erfindung
  • Eine Ausführungsform des MOSFET gemaß der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • In Fig. 1 ist in bezug auf den MOSFET "T" das Gate "G" mit der Eingangsspannung "dd" verbunden, die Drain "D" ist mit der Stromquelle "Vcc" verbunden und die Source "S" liegt über einem hohen Widerstand "R" an Masse. Die Ausgangskapazitat "C" ist mit der Source "S" verbunden, und der Ausgang "DD" der Kapazität "C" ist mit dem Ausgang des MOSFET "T" verbunden.
  • Fig. 2 zeigt einen Aufbau der Schaltung zur Integration von Signalen. Die Ausgänge von mehreren Transistoren von T1 bis Tn sind mit dem gemeinsamen Ausgang verbunden (die Spannung von ihm ist ("DDcom"). Gibt man den Wert der Ausgangskapazität für die Transistoren von T1 bis Tn mit C1 bis Cn jeweils an und die Ladung der Kondensatoren mit Q1 bis Qn jeweils an, werden die Gleichungen (1) gebildet.
  • Die Gesamtsumme beider Glieder wird ausgedrückt durch
  • Die Formel (2) wird, da Σ Ck und Σ Q&sub1; Konstanten sind, zu der Gleichung (3) für DDcom abgeandert, wobei sie durch "Ct" bzw. "Qt" wiedergegeben werden.
  • Wie aus der Formel (3) klar ist, ist Ddcom eine lineare Funktion der gewichteten Summierung (das Gewicht ist "Ci") der Eingangsspannung ddi. Wenn die elektrische Ladung von jedem Kondensator "Qi" gleich 0 ist, ist "Qt" auch null. Unter solcher Bedingung kann die Versetzung in (3) entfernt und die Gleichung (4) erhalten werden.
  • Wie es gezeigt ist, ist es eine einfache Summierung der elektrischen Ladung.
  • Die Signalintegration kann ohne weiteres ohne Verwendung mehrerer Eingangseinrichtungen und eines Schaltungsmoduls ausgeführt werden.
  • Fig. 3 zeigt einen Aufbau zur Eingabe einer solchen Integration zu dem ähnlichen Transistor To. Der gemeinsame Ausgang der Transistoren von TI bis Tn ist mit "ddein" des Eingangs des Transistors To verbunden. Es ist möglich, nicht nur den Transistor durch den durch ihn integrierten Ausgang anzusteuern, sondern auch den Ausgang von To mit dem Ausgang des Transistors zu integrieren. Das heißt, eine hierarchische Integration von Informationen ist möglich.
  • Wie es erwähnt worden ist, ist es möglich, ohne weiteres die Integration mehrerer Eingänge durch den MOSFET gemaß der vorliegenden Erfindung auszuführen, weil die Ausgangskapazitat mit der Source verbunden ist.

Claims (1)

1. Eine elektrische Summierschaltung zum Summieren einer Vielzahl von Eingangsspannungen, die an entsprechende Eingangsspannungsanschlüsse angelegt werden, wobei die genannte Schaltung eine Mehrzahl MOSFET-Schaltungen umfaßt,
jede MOSFET-Schaltung schließt einen MOSFET ein, der aufweist einen Drainanschluß, der elektrisch mit einem Quellenspannungsanschluß verbunden ist, einen Gateanschluß, der elektrisch mit einem der genannten Eingangsspannungsanschlüsse verbunden ist, und einen Sourceanschluß, der elektrisch über einen hohen Widerstand mit einem Masseanschluß und elektrisch über eine Kapazität mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist,
worin alle Ausgangsanschlüsse der genannten Mehrzahl von MOSFET-Schaltungen elektrisch zusammen verbunden sind, um einen kombinierten Ausgangsanschluß zu bilden, um eine Ausgangsspannung (DDcam) zu liefern, die eine gewichtete Summierung der Mehrzahl von Eingangsspannungen (dd&sub1;, dd&sub2; ...ddn) darstellt, und worin das Gewicht von jeder MOSFET-Schaltung durch die entsprechende Kapazität bestimmt ist.
DE69224903T 1992-09-01 1992-12-11 Feldeffekttransistor vom Metall-Oxyd-Halbleitertyp (MOSFET) Expired - Fee Related DE69224903T2 (de)

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