DE69111239T2 - Dielektrische zusammensetzung. - Google Patents
Dielektrische zusammensetzung.Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 78
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 30
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 27
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 15
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 up to 0.10 wt.% Chemical compound 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- LSQZJLSUYDQPKJ-NJBDSQKTSA-N amoxicillin Chemical compound C1([C@@H](N)C(=O)N[C@H]2[C@H]3SC([C@@H](N3C2=O)C(O)=O)(C)C)=CC=C(O)C=C1 LSQZJLSUYDQPKJ-NJBDSQKTSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N malic acid Chemical compound OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOXWVAXWPZWIOO-UHFFFAOYSA-N 7-bromo-1-chloronaphthalene Chemical compound C1=C(Br)C=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 LOXWVAXWPZWIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N Butylbenzyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 IRIAEXORFWYRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical group [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 235000012970 cakes Nutrition 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000021463 dry cake Nutrition 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011872 intimate mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNFDGXZLMLFIJV-UHFFFAOYSA-L manganese(II) chloride tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Mn+2] CNFDGXZLMLFIJV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L nickel chloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Ni+2] LAIZPRYFQUWUBN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004841 transmission electron microscopy energy-dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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-
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Description
- Die Erfindung betrifft eine dielektrische keramische Pulverzusammensetzung zur Bildung von Mehrlagen-Keramikvorrichtungen, die dünne dielektrische Schichten von geringer Porosität aufweisen, und insbesondere eine gesinterte dielektrische Zusammensetzung mit niedrigem Verlustfaktor, die den X7R-Spezifikationen entspricht oder sie übertrifft und im wesentlichen aus einem Gemisch eines keramischen Pulverteilchens als Hauptkomponente und Zusatzstoffen als Nebenkomponente, deren Mengen innerhalb bestimmter vorbestimmter Verhältnisse kontrolliert werden, besteht.
- Mehrlagige keramische (MLC) Kondensatoren sind aufgrund ihres hohen volumetrischen Wirkungsgrades und ihrer kleinen Größe die am häufigsten verwendete Form von keramischen Kondensatoren. Es besteht Bedarf nach einer dielektrischen Zusammensetzung, die geeignet ist zur Herstellung von MLC-Kondensatoren mit dünnen Schichten, z.B. 15 um oder weniger, die für den Betrieb mit dem Typ X7R die Anforderung der EIA erfüllen, d.h. diejenige der Elektronic Industries Association. Unter den Eigenschaften, die dielektrische Materialien von Typ X7R besitzen müssen, sind ein geringer Verlustfaktor (df) von 2,5 % oder weniger, ein Isolationswiderstand (IR) von wenigstens 1000 Ohm-Farad bei 25 ºC und von wenigstens 100 Ohm-Farad bei 125 ºC mit einer Schwankung der Dielektrizitätskonstante von nicht mehr als ± 15 %, d.h. mit einem Temperaturkoeffizienten der Kapazität (TCC), der über den Temperaturbereich von -55 ºC bis +125 ºC weniger als ± 15 % Schwankung zeigt. Außerdem sollte die dielektrische Zusammensetzung eine hohe Dielektrizitätskonstante (K) von 3500 oder darüber besitzen und muß zu einer im wesentlichen völligen Dichte sintern, wobei sich ein mechanisch starker Körper mit einem guten Isolationswiderstand, einer guten Wärmeschockbeständigkeit und Feuchtigkeitsbeständigkeit, z.B. mit geringer Porosität, ergibt.
- Dielektrische Materialien für den Betrieb des Typs X7R finden ausgedehnte Verwendung in elektronischen Geräten zur Datenverarbeitung, für militärische Anwendungen, Kraftfahrzeuganwendungen, bei Nachrichtenübertragungen und weiteren Anwendungen, bei denen das Material beträchtlichen Änderungen in Temperatur, Frequenz und Spannung unterworfen ist.
- Die Einarbeitung von bestimmten Zusatzstoffen in Formulierungen auf Bariumtitanat-Basis zur Kontrolle bestimmter Eigenschaften, die für die Leistung eines Kondensators wichtig sind, sind in der Technik bekannt. Beispielsweise beschreibt die japanische Patentschrift 61-9921 einen dielektrischen keramischen Werkstoff auf der Basis von Bariumtitanat, der Oxid(e) von Praeseodym, Neodym, Samarium, Dysprosium, Niob und/oder Magnesium enthält und bei dem das Molverhältnis von Nioboxid zu Magnesiumoxid 1:0,4 bis 1:2,2 beträgt.
- Die europäische Patentanmeldung 0 205 137 beschreibt eine Zusammensetzung, die im wesentlichen besteht aus (a) BaTiO&sub3;, einem Metalloxid, ausgewählt aus Nb&sub2;O&sub5;, Ta&sub2;O&sub5; und Gemischen davon, und einem Seltenen-Erden-Oxid und (b) einem Gemisch von Übergangsmetalloxiden, bestehend im wesentlichen aus MnO&sub2; und dem Oxid von wenigstens einem anderen solchen Übergangsmetall.
- Es wurde erfindungsgemäß gefunden, daß die Verringerung von dt durch Kontrolle eines zuvor bestimmten Verhältnisses von Nebenkomponenten-Zusatzstoffen, d.h. von Dopanten oder Metalloxiden in Atomprozent, erreicht werden kann. Die erfindungsgemäße Zusammensetzung wird zur Herstellung von MLC-Kondensatoren mit geringer Porosität verwendet, die dünne dielektrische Schichten, z.B. 15 um oder weniger, mit einem df von 2,5 % oder weniger aufweisen, während die anderen Eigenschaften der X7R-Spezifikationen beibehalten werden.
- Die Erfindung betrifft eine dielektrische keramische Pulverzusammensetzung zur Bildung von Mehrlagen-Keramikvorrichtungen, die dünne dielektrische Schichten mit geringer Porosität aufweisen, und eine gesinterte dielektrische Zusammensetzung, die einen Verlustfaktor von 2,5 % oder weniger, eine Isolationsbeständigkeit von 100 Ohm-Farad oder mehr bei 25 ºC und von 100 Ohm-Farad oder mehr bei 125 ºC, und einen Temperaturkoeffizienten der Kapazität innerhalb eines Temperaturbereiches von -55 ºC bis +125 ºC mit einer Schwankung ± 15 % oder weniger aufweist, und im wesentlichen besteht aus einem Gemisch von
- (a) 97 bis 99 Gew.-% einer keramischen Pulverteilchen- Hauptkomponente der Formel ABO&sub3;, worin A überwiegend ein Erdalkalimetall oder Gemische davon darstellt und B überwiegend für Titan, Zirkonium oder Gemische davon steht und worin das Molverhältnis von A/B zwischen 0,995 und 1,005 liegt; und
- (b) 1 bis 3 Gew.-% von Zusatzstoffen als Nebenbestandteil, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend im wesentlichen aus den Oxiden von Cer, Neodym, Samarium, Lanthan, Niob, Tantal, Mangan, Kobalt, Nickel, Magnesium oder Gemischen davon, mit der Maßgabe, daß ein primäres Kationenverhältnis, CR, A/B entspricht und im Bereich von über 0 bis 0,30 liegt, worin
- A eine Summe von Atom-% für ein Kation darstellt, ausgewählt aus Ce, Nd, Sm, La oder Gemischen davon; und
- B eine Summe von Atom-% für ein Kation darstellt, ausgewählt aus Nb, Ta, Mn, Co, Ni, Mg oder Gemischen davon,
- und außerdem mit der Maßgabe, daß ein sekundäres Kationenverhältnis, BR, B1/(B2 + 0,5 (Atom-% Mn)) entspricht und im Bereich von 1,9 bis 2,2 liegt, worin
- B1 eine Summe von Atom-% eines Elektronendonors darstellt, ausgewählt aus Nb, Ta oder Gemischen davon; und
- B2 eine Summe von Atom-% für einen Elektronenakzeptor darstellt, ausgewählt aus Co, Ni, Mg oder Gemischen davon.
- Das Mn-Ion kann als variabler Elektronenakzeptor in Abhängigkeit von seinem Wertigkeitszustand, den es in der Perovskit- Struktur annimmt, fungieren und wird im allgemeinen zwischen 2 und 10 Atom-%, typischerweise bei etwa 5 Atom-% der gesamten Nebenkomponenten-Zusatzstoffe gehalten.
- Das keramische Hauptkomponenten-Pulverteilchen, das in der Praxis der Erfindung geeignet ist, besitzt eine Perovskit- Struktur und kann die Formel ABO&sub3; aufweisen, worin A überwiegend für ein Erdalkalimetall oder für Gemische davon steht, und B überwiegend Titan, Zirconium oder Gemische davon bedeutet. Die besten Ergebnisse werden mit einem hochreinen Bariumtitanat als Hauptkomponente erhalten, da, falls die Verunreinigungen etwa 0,1 Gew.-% übersteigen, es schwierig wird, die Zusammensetzung zu sintern und sich die Dielektrizitätskonstante verringert. Hohe Reinheit bezieht sich hier auf ein Bariumtitanat, das nicht mehr als 0,1 Gew.-% Verunreinigungen außer Strontium aufweist.
- Die Menge der Nebenkomponenten-Zusatzstoffe sind in der Zusammensetzung innerhalb zuvor festgelegter Verhältnisse vorhanden, die zu einer Abnahme in dem df-Wert um bis zu 20 % beitragen und können in MLC-Kondensatoren vom X7R-Typ mit geringer Porosität und dünnen dielektrischen Schichten, z.B. 15 um oder weniger, vorzugsweise 10 um oder weniger verwendet werden. Gegebenenfalls kann eine kleine Menge Siliciumdioxid, d.h. bis zu 0,10 Gew.-%, als Sinterhilfe zur Verringerung der Brenntemperatur vorhanden sein, so daß sich beim Sintern der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen ein mechanisch starker Körper von im wesentlichen der theoretischen Dichte ergibt. Der gesinterte Körper ist beständig gegenüber einem Wärmeschock und gegenüber Feuchtigkeit und besitzt die elektrischen Eigenschaften, die die X7R-Spezifikationen erfüllen oder darüber hinausgehen.
- Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung besteht in einer verbesserten Mehrlagen-Keramikvorrichtung, die mit den erfindungsgemäßen Zusammensetzungen hergestellt wird.
- FIG. 1 ist eine grapHische Darstellung von df als Funktion der dielektrischen Schichtdicke.
- FIG. 2 ist eine grapHische Darstellung der Abhängigkeit von df von dem zuvor festgelegten Kationen-Verhältnis.
- Die Erfindung betrifft eine dielektrische keramische Pulverzusammensetzung zum Bilden von Mehrlagen-Keramikvorrichtungen, die dünne dielektrische Schichten mit geringer Porosität aufweisen, und eine gesinterte dielektrische Zusammensetzung mit einem geringen Verlustfaktor, die die X7R-Spezifikationen erfüllt oder sie übertrifft und im wesentlichen aus einem Gemisch eines keramischen Pulverteilchens als Hauptkomponente und Zusatzstoffen als Nebenkomponente, deren Mengen innerhalb bestimmter vorbestimmter Verhältnisse kontrolliert werden, besteht.
- Das keramische dielektrische Hauptkomponenten-Pulverteilchen, das die Erfindung betrifft, besitzt die Perovskit-Struktur und kann die Formel ABO&sub3; besitzen, worin A überwiegend ein Erdalkalimetall oder Gemische davon darstellt und B überwiegend Titan, Zirconium oder Gemische davon darstellt, und das Hauptkomponentenverhältnis A/B liegt vorzugsweise in der Nähe von 1,00 oder ist kleiner. Geeignete keramische Pulver als Hauptkomponente sind beispielsweise, jedoch nicht einschränkend, Titanate von Mg, Sr, Ba und Gemische davon. Beispielsweise steht A für Barium, das 0 bis 0,5 % Sr enthält, und B steht für Titan, mit einem Molverhältnis von (Ba + Sr)/Ti zwischen 0,995 und 1,005, wie ausführlicher beschrieben in der U.S.-Patentschrift 4 640 905 und in der U.S.-Patentanmeldung Nr. 07/366 286, deren Lehren hier als Referenz angegeben sind. Die durchschnittliche Teilchengröße beträgt 0,10 bis 10 um, typischerweise 0,5 bis 2,0 um, und die spezifische Oberfläche liegt im Bereich von 1 bis 10 m²/g. Die Dielektrizitätskonstante liegt über 3500, typischerweise über 4000. Die besten Ergebnisse werden mit einer Teilchengröße von nicht mehr als 1,0 um und einem hochreinen Bariumtitanat als Hauptkomponente erhalten, da, falls die Verunreinigungen etwa 0,1 Gew.-% übersteigen, es schwierig wird, die Masse zu sintern und sich die Dielektrizitätskonstante verringert. Hochrein bezieht sich hier auf ein Bariumtitanat, das, abgesehen von Strontium, nicht mehr als 0,1 Gew.-% Verunreinigungen enthält.
- Die Nebenkomponenten-Zusatzstoffe, d.h. Dopanten oder Metalloxide, die in der Praxis der Erfindung geeignet sind, werden ausgewählt aus der Gruppe, bestehend im wesentlichen aus den Oxiden von Cer, Samarium, Neodym, Lanthan, Niob, Tantal, Mangan, Kobalt, Nickel, Magnesium oder Gemischen davon. Die Menge der Nebenkomponenten-Zusatzstoffe liegt zwischen 1 bis 3 Gew.-%. Eine kritische Eigenschaft der Erfindung besteht darin, daß die relativen Mengen der Nebenkomponenten-Zusatzstoffe innerhalb bestimmter, zuvor festgelegter Verhältnisse kontrolliert werden, um eine wünschenswerte Kombination von elektrischen Eigenschaften, insbesondere von df, für die MLC-Kondensatoren, die dünne dielektrische Schichten und eine niedrige Porosität aufweisen, zu erhalten.
- Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen stellt FIG. 1 eine grapHische Darstellung von df bei 1 Volt als Funktion der dielektrischen Schichtdicke dar. df nimmt zu, wenn die aktiven Schichten in einem Kondensator dünner werden, falls sämtliche anderen Parameter konstant bleiben.
- Die zuvor festgelegten Verhältnisse werden bezüglich eines primären Kationen-Verhältnisses und eines sekundären Kationen-Verhältnisse beschrieben. Atom-% ist hier definiert als Gew.-% des Kations in den Nebenkomponenten-Zusatzstoffen, dividiert durch sein Atomgewicht und anschließend normiert auf die Summe der gesamten Nebenkomponenten-Zusatzstoffe. Ein primäres Kationen-Verhältnis, d.h. CR, definiert die relativen Mengen an Zusatzstoffen in der Zusammensetzung und entspricht A/B und liegt im Bereich von mehr als 0 bis etwa 0,30, worin A eine Summe von Atom-% für ein Kation darstellt, ausgewählt aus Ce, Nd, Sm, La oder Gemischen davon, und B die Summe von Atom-% für ein Kation bedeutet, ausgewählt aus Nb, Ta, Mn, Co, Ni, Mg oder Gemischen davon. Das bevorzugte primäre Kationen-Verhältnis liegt zwischen 0,1 und 0,2. Eine Abnahme in df von bis zu 20 % wurde beobachtet, indem das primäre Kationen-Verhältnis kontrolliert wurde. Von den Fachleuten wird es geschätzt, daß, wenn der CR-Wert zu gering ist, z.B. 0, TCC groß wird, d.h. sich den Spezifikationsgrenzen für X7R nähert. Darum sollte CR über 0, vorzugsweise von 0,03 bis 0,05 gehalten werden. Wird nun wiederum auf die Zeichnungen Bezug genommen, so stellt FIG. 2 eine grapHische Darstellung der df-Abhängigkeit von dem zuvor festgelegten Kationen-Verhältnis, d.h. von CR, dar. Die df-Werte wurden durch Abschätzen auf diejenigen eines 12-um-Teils normiert.
- Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung stellt ein sekundäres Kationenverhältnis BR dar, das B1/(B2 + 0,5 Mn) entspricht und im Bereich von 1,9 bis 2,2 liegt, worin B1 für eine Summe von Atom-% für einen Elektronendonor steht, ausgewählt aus Nb, Ta oder Gemischen davon, und B2 für eine Summe von Atom-% für einen Elektronenakzeptor steht, ausgewählt aus Co, Ni, Mg oder aus Gemischen davon. Br beeinflußt hauptsächlich den Porositätsgrad des gesinterten MLC-Kondensators. Ein hoher Porositätsgrad kann unterschieden werden anhand einer helleren Farbe bei der Absorption von Tinte in einem Tintenfleckentest oder durch das Versagen einer frakturierten Oberfläche des Kondensators bei einer visuellen Prüfung auf der Grundlage eines Rasterelektronenmikroskops (SEM) von hoher Vergrößerung. Das bevorzugte sekundäre Kationenverhältnis liegt zwischen 1,9 bis 2,1 und besteht typischerweise sowohl den Tintenfleck-Test als auch die visuelle Prüfung auf SEM-Grundlage. Eine möglichst kleine Menge an Porosität wird unter einem SEM beobachtet, wenn BR 2,0 ist. Fachleute schätzen es, daß die Porosität auch durch die Brenntemperatur des Kondensators beeinflußt wird. Die obige Beschreibung bezieht sich auf einen Standardbereich der Brenntemperaturen von 1240 ºC bis 1320 ºC. Das Mn-Ion kann insofern als variabler Elektronenakzeptor in Abhängigkeit seines Wertigkeitszustandes fungieren, da es die Perovskit- Struktur annimmt und im allgemeinen zwischen 2 und 10 Atom-%, typischerweise bei etwa 5 Atom-% der Gesamtzusatzstoffe als Nebenbestandteil gehalten wird. Gegebenenfalls kann Siliciumdioxid bis zu 0,10 Gew.-% der Gesamtzusammensetzung vorhanden sein, um die Sintereigenschaften des Pulvers zu verbessern.
- Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen können durch irgendeines der in der Technik allgemein bekannten Verfahren hergestellt werden. Beispielsweise ist ein Verfahren, das in der Praxis der Erfindung geeignet ist, das traditionelle Mischverfahren, das ausführlicher beschrieben ist beispielsweise bei Adair et al., "A Review of the Processing of Electronic Ceramics with an EmpHasis on Multilayer Capacitor Fabrication", Journal of Materials Education, 55. 75-118 (1987). Es wird ein inniges Gemisch aus dem keramischen dielektrischen Pulver und den Zusatzstoffen in den gewünschten Anteilen hergestellt. Gegebenenfalls kann kolloidale Kieselsäure zugesetzt werden, so daß sich etwa 0,10 Gew.-% Kieselsäure in der fertigen Zusammensetzung ergibt. Das vorgemischte Pulver wird sodann mehrere Stunden lang in einer Kugelmühle gemahlen. Typischerweise werden Wasser oder ein flüchtiges organisches Lösungsmittel zugesetzt, die eine gemahlene Paste bilden. Die gemahlene Paste wird von dem Mahlmedium durch grobes Sieben abgetrennt, und die Paste wird sodann unter Bildung eines Kuchens getrocknet. Der trockene Kuchen wird pulverisiert und durch ein feines Sieb passiert, um das keramische Pulver zu gewinnen. Typischerweise ist jedoch das gewonnene keramische Pulver von Natur aus nicht gleichmäßig, da jede Komponente des Gemisches eine unterschiedliche Teilchengrößeverteilung, Teilchen-MorpHologie und Oberflächeneigenschaft besitzt. Als Ergebnis ist das keramische Pulver beim Brennen chemisch nicht homogen, enthält Poren und Hohlräume, ist jedoch für MLC-Kondensatoren mit dicken Schichten, z.B. 20 um, annehmbar. Dieses Verfahren führt zu einer Menge der Nebenkomponenten-Zusatzstoffe zwischen 1 bis 3 Gew.-% der Gesamtzusammensetzung.
- Vorzugsweise wird ein zweites Verfahren zur Herstellung der Zusammensetzungen ausführlicher in der U.S.-Patentschrift 5 082 811 beschrieben. Es wird eine wäßrige oder wäßrige/organische Aufschlämmung der feinen Teilchen des keramischen Pulvers hergestellt. Das Lösungsmittel kann ausgewählt werden aus deionisiertem Wasser oder aus Gemischen von deionisiertem Wasser und wassermischbaren organischen Lösungsmitteln. Eine kleine Menge, 0,05 bis 0,1%, jedoch nicht mehr als 0,25 % kolloidales Kieselsäuresol, bezogen auf das Gewicht der ersten keramischen Komponente, kann der Aufschlämmung zugesetzt werden. Kolloidale Kieselsäure kann zugesetzt werden, um durch die Erniedrigung der Brenntemperatur als Fluß oder Sinterhilfe der fertigen Zusammensetzung zu dienen. Als nächstes wird der Aufschlämmung die Lösung der Metallchelate unter Rühren zugesetzt. Nach Zugabe der Lösung der Metallchelate wird der pH-Wert durch Zugabe einer starken Base, z.B. KOH und NaOH, über 8,5, typischerweise über 10 erhöht. Das Gemisch wird auf eine Temperatur im Bereich zwischen 50 ºC und der Rückflußtemperatur für bis zu 8 Stunden, typischerweise für wenigstens 4 Stunden erhitzt, um die Metallchelate zu zersetzen und um einen chemisch homogenen Überzug der zweiten Komponenten auf der Oberfläche der ersten keramischen Komponente abzuscheiden. Die Zusammensetzungen werden durch Filtration oder Zentrifugation gewonnen, mehrmals mit deionisiertem Wasser gewaschen und an Luft oder in einem Vakuumofen getrocknet. Eine Kalzinierungsstufe vor dem Sintern des Pulvers ist freigestellt. Als Ergebnis dieses Verfahrens belaufen sich die Nebenkomponenten-Zusatzstoffe auf 1 bis 2 Gew.-% der Gesamtzusammensetzung. Im allgemeinen sind die durch dieses Verfahren hergestellten Pulver im mikroskopischen Maßstab gleichmäßiger, und es ist eine kleinere Menge von Zusatzstoffen erforderlich, um das gewünschte Verhalten der MLC-Kondensatoren zu erzielen.
- Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung besteht in einer verbesserten keramischen Mehrlagen-Vorrichtung, die mit den erfindungsgemäßen Zusammensetzungen hergestellt wird.
- Ein nachgeschaltetes Verfahren zur Herstellung von MLC-Kondensatoren ist ausführlicher beschrieben in der U.S.-Patentschrift 4 640 905, deren Lehren hiermit als Referenz angegeben sind, und umfaßt die Stufen der Bildung von ungebrannten Lagen aus einem dielektrischen keramischen Werkstoff, d.h. von einem Rohband, das aus den fein zerteilten dielektrischen erfindungsgemäßen Zusammensetzungen besteht, die durch ein organisches Polymermaterial miteinander verbunden sind. Beispielsweise kann ein Rohband hergestellt werden durch Schlickergießen einer Aufschlämmung der dielektrischen Zusammensetzungen, die in einer Lösung von Polymer, Weichmacher und Lösungsmittel dispergiert sind, auf eine Trägeroberfläche, wie Polypropylen, "Mylar"-Polyester folie oder Edelstahl. Die Dicke der Gießfolie wird kontrolliert, indem die gegossene Aufschlämmung unter einer Rakel hindurchgeführt wird.
- Ein weiteres Verfahren für die nachgeschalteten Verarbeitungsstufen bei der Herstellung von MLC-Kondensatoren ist das "Naßverfahren", das das mehrmalige Hindurchführen eines flachen Substrates durch eine fallenden Lage aus dielektrischem Schlicker umfassen kann, um eine dielektrische Schicht aufzubauen, wie ausführlicher beschrieben in der U.S.-Patentschrift 3 717 487, deren Lehren hiermit als Referenz angegeben sind, oder indem eine Reihe von dünnen Schichten aus dielektrischem Gleitmittel auf ein Substrat aufgestrichen wird, um eine dielektrische Schicht einer gewünschten Dicke, wie ausführlicher beschrieben in der U.S.-Patentschrift 4 283 753, deren Lehren hiermit als Referenz angegeben sind, aufzubauen.
- Eine letzte Technik, die für die nachgeschalteten Verarbeitungsstufen zur Herstellung von MLC-Kondensatoren verfügbar ist, wird ausführlicher beschrieben in der U.S.-Patentschrift 4 640 905, deren Lehren hiermit als Referenz angegeben sind, und umfaßt die Bildung einer Paste von dielektrischem Material und sodann das abwechselnde Siebdrucken der dielektrischen und metallischen Schichten mit dazwischen eingeschobenen Trocknungsstufen, bis die aufgebaute Struktur vollständig ist. Eine zweite Elektrodenschicht wird sodann auf die dielektrischen Schichten aufgedruckt, und die gesamte Anordnung wird zusammen gebrannt.
- Die erfindungsgemäße Zusammensetzung, das Verfahren zur Herstellung derselben und die nachgeschalteten Verarbeitungsstufen werden in dem folgenden Beispiel und in den Tabellen erläutert, sie sollen jedoch nicht den Umfang der Erfindung einschränken.
- Dieses Beispiel beschreibt die Herstellung von Bariumtitanat, das beschichtet ist mit 0,95 Gew.-% Nb&sub2;O&sub5;, 0,45 Gew.-% Nd&sub2;O&sub3;, 0,23 Gew.-% NiO und 0,06 Gew.-% MnO, entsprechend einem Metalloxid-Nebenkomponenten-Gesamtgehalt von 1,69 Gew.-%, einem primären Kationenverhältnis CR von 0,24 und einem sekundären Kationenverhältnis BR von 2,04. Ein Mehrschichtenkondensator wurde aus diesem Pulver hergestellt und bewertet.
- Deionisiertes Wasser (180 ml) und 34,9 g (0,2573 mol) D,L-Äpfelsäure wurden in einem 600-ml-Becherglas unter Stickstoffatmosphäre vorgelegt. Niobpentachlorid-Pulver (11,6 g, 0,04289 mol) wurde zu der klaren gerührten Lösung bei ungefähr 18-30 ºC zugegeben, und die weiße Aufschlämmung wurde bei Umgebungstemperatur ungefähr 15 min lang gerührt. Mittels einer Spritzenpumpe wurde wäßrige Natriumhydroxid-Lösung (96,5 g, 30 %, 0,7238 mol) bei ungefähr 25 ºC während eines Zeitraums von 70 min zu der Aufschlämmung zugegeben. Zu der resultierenden klaren farblosen Lösung, pH 8,55, wurde Neodymchlorid-Hexahydrat (5,76 g, 0,01605 mol) zugegeben, und die klare leicht blauviolette Lösung wurde ungefähr 10 min lang gerührt. Nickel(II)-chlorid-Hexahydrat (4,39 g, 0,01847 mol) wurde zugegeben, und die klare leicht grünblaue Lösung wurde ungefähr 5 min lang gerührt. Manganchlorid- Tetrahydrat (1,00 g, 0,005075 mol) wurde zu der Lösung gegeben, und das Gemisch wurde ungefähr 15 min lang gerührt. Zu dem Gemisch, das eine kleine Menge eines leicht graugrünen Niederschlages enthielt, wurde D,L-Äpfelsäure (1,00 g, 0,007383 mol) hinzugegeben, und das Gemisch wurde bei ungefähr 25 ºC etwa 10 min lang gerührt. Die klare grünblaue Metallchelat-Lösung, pH 6,1, wurde durch Zugabe von deionisiertem Wasser (pH = 6,21, Leitfähigkeit = 66475 mhos) auf 600 g verdünnt. Die Lösung wurde über ein Millipore-Filter (0,2 um) filtriert.
- In einem separaten Behälter von einer Gallone (3,8 l) wurden 200 ml deionisiertes Wasser und 491,1 g Bariumtitanat und 1,25 g kolloidale Kieselsäure in Form von Ludox , AS 40, erhältlich von E.I. du Pont de Nemours und Company, Willmington, Delaware, vorgelegt. Das Bariumtitanat für dieses Experiment wurde hergestellt durch das Alkoxid-Verfahren, das beschrieben ist in der U.S.-Patentanmeldung 07/265 295, deren Lehren hiermit als Referenz angegeben sind. Das Bariumtitanat wurde bei 1060 ºC 4 Stunden lang kalziiert, und das Hauptkomponenten-Verhältnis A/B, durch Röntgenstrahlfluoreszenzanalyse bestimmt, betrug 1,004. Die durchschnittliche Teilchengröße betrug 0,68 um und die spezifische Oberfläche 2,3 m²/g. Das Gemisch wurde 15 min lang gerührt. Zu der Aufschlämmung wurde die Metallchelat-Lösung (500 g) bei ungefähr 25 ºC gegeben und das Gemisch 1,5 Stunden lang rühren gelassen. Die Aufschlämmung wurde über Nacht bei ungefähr 25 ºC (pH 7,5) belassen. Mittels einer Spritzenpumpe wurde wäßrige Natriumhydroxid-Lösung (12,9 g, 50 %, 0,1613 mol) während ungefähr 110 min bei 25 ºC zugegeben. Die cremefarbene Aufschlämmung, pH 12,0, wurde bei ungefähr 25 ºC etwa 30 min lang gerührt. Die Aufschlämmung wurde unter Rückfluß, 103 ºC, 4,5 Stunden lang erhitzt. Nach dem Abkühlen auf ungefähr 25 ºC wurde die cremefarbene Aufschlämmung, pH 11,9, filtriert. Der Filterkuchen wurde mit 14 l deionisiertem Wasser gewaschen und getrocknet, so daß sich 492,7 g (98,5 %) Ausbeute eines hellbraunen Feststoffes ergaben, der eine spezifische Oberfläche von 6,7 m²/g besaß.
- Das Produkt wurde unter Anwendung von Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und Energiedispersiver Röntgenspektroskopie (EDS) geprüft. Es wurden getrennt von den Bariumtitanat-Teilchen keine ausgefällten Oxide beobachtet. Sie waren alle in dem Überzug vorhanden. Die verschiedenen Überzugselemente waren in dem Überzug homogen verteilt, da sämtliche Bereiche des Überzugs, die anhand von EDS geprüft wurden, sämtliche Überzugselemente in den relativen Mengen enthielten, die sich den Verhältnissen annäherten, die bei der Herstellung verwendet wurden. Es war ersichtlich, daß der Überzug amorph und/oder sehr feinmikrokristallin ist. Er war nicht gleichmäßig auf der Bariumtitanat-Teilchenoberfläche verteilt. Bereiche mit und ohne Überzug wurden in den TEM-Bildern leicht erkannt. Der größte Teil, jedoch nicht alle Bariumtitanat-Teilchen wiesen etwas Überzug auf.
- Durch Röntgenstrahlfluoreszenzanalyse wurde gezeigt, daß das Produkt ein Molverhältnis (Ba + Sr)/Ti von 1, 001 besaß.
- Anhand von ICP-Analyse wurde gefunden, daß die Komponenten außer (Ba + Sr)TiO&sub3; 1,019 % Nb&sub2;O&sub5;, 0,423 % Nd&sub2;O&sub3;, 0,284 % NiO, 0,065 % MnO, 0,098 % SiO&sub2; und 0,015 % Na&sub2;O waren.
- Fünfzig Gramm dieses Pulvers wurden mit 1,1 g Elvacite , erhältlich von E.I. du Pont de Nemours und Company, Willmington, Delaware, und 18,9 g 1,1,1-Trichlorethan vermischt und in einer Kugelmühle mit Zirkonoxid-Medien 3 Stunden lang gemahlen. 11,9 g Bindemittel 5200 und 1,1 g Santicizer 160, erhältlich von Monsanto Company, St. Louis, Missouri, wurden sodann zu diesem Schlicker gegeben, und er wurde noch 3 Stunden lang in der Kugelmühle gemahlen. Der resultierende Schlicker wurde sodann unter Verwendung einer Rakel von 4 mil als Rohband auf ein Polypropylenband gegossen. Das Rohband wurde sodann geschnitten und mit einer 100-%-Pd- Metz-Elektrode unter Verwendung eines 400-mesh- Gitters für die MLC-Größe 1209 bedruckt. Der rohe MLC-Kondensatorblock wurde sodann bei 8 Tonnen 2 min lang laminiert und sodann in einzelne MLC-Kondensatoren geschnitten. Diese Teile wurden ausgetrocknet und sodann auf einem Zirconiumoxid- Schlitten mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 5 ºC/min bis auf 1320 ºC mit einem Ruheintervall von 1,5 Stunden und einer Abkühlgeschwindigkeit von 5 ºC/min bis auf 800 ºC vor dem Abschalten des Ofens gebrannt. Die gebrannten Teile wurden anschließend mit einer Silber/Palladium-Abschlußpaste als letzer Überzug überzogen und bei 800 ºC 5 min lang gebrannt. Die Teile wurden dann verbleit und bei 1 KHz und 1 V auf die Kapazität-, df- und TCC-Daten und bei 100 V auf die IR- Eigenschaften getestet.
- Kondensatoren mit 5 aktiven Schichten, die jeweils im Durchschnitt 16 um dick waren, besaßen die folgenden durchschnittlichen Eigenschaften: Dielektrizitätskonstante 3700, df 2,1 %, IR bei 25 ºC 6070 Ohm-Farad, IR bei 125 ºC 470 Ohm-Farad und eine maximale Abweichung in der TCC von +5 % bei -55 ºC und -8 % bei +85 ºC.
- Die Tabellen 1 und 2 erläutern die verschiedenen Beispiele der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen, hergestellt durch das traditionelle Mischverfahren, außer Band 9, das durch das Überzugsverfahren hergestellt worden war. Die Zusatzstoffe der Spalten A, B1, B2a, B2b sind als Oxide von Cer, Neodym, Lanthan, Niob, Mangan, Kobalt, Nickel, Magnesium und als Gemische davon vorhanden. Die Bänder 5, 6, 7, 10, 12 und 14 sind Vergleichsbeispiele. Für die Bänder 14 bis 16 sind die keramischen Hauptkomponenten-Pulverteilchen Bariumtitanat, erhältlich von Fuji, hergestellt durch das Oxalatverfahren. TABELLE 1 Zusatzstoffe SUMOX Band Gew.-% TABELLE 1 Fortsetzung Band Brennen TABELLE 2 Band TABELLE 2 Fortsetzung Band TCC % max. Schwankung Porosität mäßig groß Spur
- Die Tabellen 3 und 4 erläutern die erfindungsgemäßen zusammensetzungen, die durch das Überzugsverfahren hergestellt werden. Die Bänder 1 bis 3, 5, 7 und 8 sind Vergleichsbeispiele. TABELLE 3 Zusatzstoffe SUMOX Band Gew.-% TABELLE 3 Fortsetzung Band Brennen zu porös TABELLE 4 Band TABELLE 4 Fortsetzung Band TCC % max.schwankung Porosität Spur gering mäßig keine hoch extrem
Claims (6)
1. Zusammensetzung zum Bilden einer keramischen
Mehrschichtenvorrichtung, die eine dünne dielektrische Schicht mit
geringer Porosität und einen Verlustfaktor von 2,5 % oder
weniger, einen Isolationswiderstand von 1000 Ohm-Farad
oder mehr bei 25 ºC und von 100 Ohm-Farad oder mehr bei
125 ºC und einen Temperaturkoeffizienten der Kapazität
einer Abweichung von ± 15 % oder weniger innerhalb eines
Temperaturbereiches von -55 ºC bis 125 ºC besitzt, die im
wesentlichen aus einem Gemisch von folgendem besteht:
(a) 97 bis 99 Gew.-% einer keramischen Pulverteilchen-
Hauptkomponente der Formel ABO&sub3;, worin A überwiegend
ein Erdalkalimetall oder Gemische davon darstellt,
und B überwiegend für Titan, Zirkonium oder Gemische
davon steht und worin das Molverhältnis von A/B
zwischen 0,995 und 1,005 liegt; und
(b) 1 bis 3 Gew.-% von Additiven als Nebenbestandteil,
ausgewählt aus der Gruppe, bestehend im wesentlichen
aus den Oxiden von Cer, Neodym, Samarium, Lanthan,
Niob, Tantal, Mangan, Kobalt, Nickel, Magnesium oder
Gemischen davon, mit der Maßgabe, daß ein primäres
Kationenverhältnis; CR, A/B entspricht und im Bereich
von über 0 bis 0,30 liegt, worin
A eine Summe von Atom-% für ein Kation darstellt,
ausgewählt aus Ce, Nd, 5m, La oder Gemischen davon;
und
B eine Summe von Atom-% für ein Kation darstellt,
ausgewählt aus Nb, Ta, Mn, Co, Ni, Mg oder
Gemischen davon,
und außerdem mit der Maßgabe, daß ein sekundäres
Kationenverhältnis, BR, B1/(B2 + 0,5 (Atom-% Mn))
entspricht und im Bereich von 1,9 bis 2,2 liegt,
worin
B1 eine Summe von Atom-% eines Elektronendonors
darstellt, ausgewählt aus Nb, Ta oder Gemischen
davon; und
B2 eine Summe von Atom-% für einen Elektronenakzeptor
darstellt, ausgewählt aus Co, Ni, Mg oder
Gemischen davon.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, worin die keramische
Pulverteilchen-Hauptkomponente ein hochreines
Bariumtitanat mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 2,0 um
oder weniger ist.
3. Zusammensetzung zum Bilden eines gesinterten
dielektrischen Körpers in einer dünnen dielektrischen Schicht
mit niedriger Porosität, der einen Verlustfaktor von 2,5
oder weniger, einen Isolationswiderstand von 1000 Ohm-
Farad oder mehr bei 25 ºC und von 100 Ohm-Farad bei
125 ºC und einen Temperaturkoeffizienten der Kapazität
von ± 15 % oder weniger innerhalb eines
Temperaturbereiches von -55 ºC bis +125 ºC besitzt und im wesentlichen
aus folgendem besteht:
(a) 98 bis 99 Gew.-% hochreinem Bariumtitanat;
(b) 1 bis 2 Gew.-% Additiven als Nebenbestandteil,
ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus den Oxiden von
Cer, Neodym, Niob, Mangan, Nickel und Gemischen
davon, mit der Maßgabe, daß ein primäres
Kationenverhältnis, CR, A/B entspricht und im Bereich von 0,1
bis 0,2 liegt, worin
A für das Ce-Kation oder das Nb-Kation in Atom-%
steht; und
B für ein Nb-, Mn- oder Ni-Kationen in Atom-% steht,
und außerdem mit der Maßgabe, daß ein sekundäres
Kationenverhältnis, BR, B1/(B2 + 0,5 (Atom-% Mn))
entspricht und im Bereich von 1,9 bis 2,1 liegt,
worin B1 für ein Nb-Kation in Atom-% steht und B2 ein
Ni-Kation in Atom-% bedeutet.
4. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder Anspruch 3, die
außerdem bis zu 0,10 Gew.-% Siliciumdioxid in der
Gesamtzusammensetzung enthält.
5. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 3, worin das Mn-
Kation zwischen 2 bis 10 Atom-% der gesamten
Nebenkomponenten-Additive ausmacht.
6. Verbesserte Mehrschichtenvorrichtung, umfassend eine
Anordnung von Schichten von einem leitenden
Elektrodenmaterial und einer gesinterten Zusammensetzung nach
Anspruch 1 oder Anspruch 3 mit niedrigen
Flammtemperaturen, wobei die genannten Schichten weniger als 15 um
betragen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/545,249 US5086021A (en) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | Dielectric composition |
PCT/US1991/004099 WO1992000254A1 (en) | 1990-06-28 | 1991-06-17 | Improved dielectric composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69111239D1 DE69111239D1 (de) | 1995-08-17 |
DE69111239T2 true DE69111239T2 (de) | 1996-03-14 |
Family
ID=24175470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69111239T Expired - Fee Related DE69111239T2 (de) | 1990-06-28 | 1991-06-17 | Dielektrische zusammensetzung. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5086021A (de) |
EP (1) | EP0536332B1 (de) |
JP (1) | JPH05508145A (de) |
KR (1) | KR930701362A (de) |
DE (1) | DE69111239T2 (de) |
WO (1) | WO1992000254A1 (de) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2821705B2 (ja) * | 1990-04-27 | 1998-11-05 | 京セラ株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
JP3067815B2 (ja) * | 1991-01-26 | 2000-07-24 | 日本特殊陶業株式会社 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
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Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE3366166D1 (en) * | 1982-02-04 | 1986-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ceramic composition of high dielectric constant |
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1990
- 1990-06-28 US US07/545,249 patent/US5086021A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-17 WO PCT/US1991/004099 patent/WO1992000254A1/en active IP Right Grant
- 1991-06-17 KR KR1019920703356A patent/KR930701362A/ko not_active Application Discontinuation
- 1991-06-17 EP EP91915406A patent/EP0536332B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-17 DE DE69111239T patent/DE69111239T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-17 JP JP91514427A patent/JPH05508145A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5086021A (en) | 1992-02-04 |
EP0536332B1 (de) | 1995-07-12 |
WO1992000254A1 (en) | 1992-01-09 |
EP0536332A1 (de) | 1993-04-14 |
JPH05508145A (ja) | 1993-11-18 |
KR930701362A (ko) | 1993-06-11 |
DE69111239D1 (de) | 1995-08-17 |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |