DE69103072T2

DE69103072T2 - Verfahren zur Herstellung eines funktionellen Dünnfilms.

Info

Publication number: DE69103072T2
Application number: DE69103072T
Authority: DE
Inventors: Yoshiharu Maezawa; Norimoto Nouchi
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 1990-04-23
Filing date: 1991-04-22
Publication date: 1995-03-16
Anticipated expiration: 2011-04-23
Also published as: JPH046627A; EP0454009A1; EP0454009B1; DE69103072D1; US5186977A

Description

1. GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines funktionellen bzw. zweckmäßigen dünnen Films unter Verwendung einer Vakuumaufdampfung, das eine verbesserte Orientierung, d.h. eine verbesserte gleichmäßige Orientierung oder Ausrichtung von Bestandteile bildenden Partikeln, z. B. Kristallen, des Films, und eine Ausbildung des Films mit hoher Geschwindigkeit ermöglicht.

2. BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK

Der funktionelle dünne Film wird für ein magnetisches Aufzeichnungsmedium vom Typ des dünnen Metallfilms mit einer hohen Aufzeichnungsdichte oder für einen orientierten Film einer Flüssigkristallanzeige verwendet. Das magnetische Aufzeichnungsmedium vom Typ des dünnen Metallfilms ist für eine hochdichte magnetische Aufnahme geeignet, und der orientierte Film für einen Flüssigkristall ist eines der wichtigsten Teile in dem Flüssigkristall. Sie werden in verschiedenen Gebieten eines breiten Bereiches, wie z. B. einer Bildvorrichtung und Informationseinrichtung bzw. Informationsmaschine verwendet.
Mit der Entwicklung einer informationsgeführten Gesellschaft wurde eine bemerkenswerte Entwicklung von magnetischen Aufzeichnungsmedien, z. B. höherer Dichten der Aufzeichnung, durchgeführt. Ein als Beschichtung bzw. Überzug aufgetragenes magnetisches Aufzeichnungsmedium ist ein Beispiel der konventionellen Aufzeichnungsmedien. Das aufgetragene magnetische Aufzeichnungsmedium besteht aus einer aufgetragenen magnetischen Schicht, die pulverförmige ferromagnetische Materialien, z. B. γ-Fe&sub2;O&sub3;, CrO oder reines Eisen und ein Bindemittel auf einem hochpolymeren Film aufweist, und es wird als ein Audioband oder ein Videoband verwendet.
Ein Aufzeichnungsmedium vom Typ des dünnen Metallfilms wurde entwickelt, um die Koerzivkraft, Aufzeichnungsdichte und die elektromagnetischen Übertragungseigenschaften zu verbessern. Das Aufzeichnungsmedium vom Typ des dünnen metallischen Films wird durch Ablagerung von magnetischem Metall, z. B. Fe, Ni, Co, Cr oder dergleichen oder einer Legierung von diesen auf einem hochpolymeren Film unter Verwendung eines Abscheidungsverfahrens (z. B. einer Vakuumaufdampfung, einem Überzugs- bzw. Beschichtungsverfahren, einem Ionenbeschichtungsverfahren oder einem Aufstäub- bzw. Sputterverfahren) ausgebildet. Und ein Audioband und ein Videoband als Aufzeichnungsmedien vom Typ eines dünnen Films auf einem ferromagnetischen Metall werden unter Verwendung eines Verfahrens einer Vakuumaufdampfung hergestellt, wobei ein schräger Einfallswinkel verwendet wird (es wird im folgenden als ein Vakuum-Schrägaufdampfverfahren abgekürzt).
Ein konventionelles Aufzeichnungsmedium vom Typ des dünnen Metallfilms wird durch durch Aufdampfung (Evaporation) abgeschiedenes Co-Ni-O auf einem nichtmagnetischen Substrat von Polyethylenterephthalat (im folgenden abgekürzt als PET) unter Verwendung eines Vakuum-Schrägaufdampfverfahrens ausgebildet, wobei ein Einfallswinkel des verdampften Metallatoms in dem Bereich von etwa 90º bis etwa 40º liegt. Im folgenden wird der Einfallswinkel des verdampften Metallatoms durch Messen von der Normallinie zu der Fläche des Objektfilms, auf den aufgedampft werden soll, definiert. Das oben genannte Vakuum- Schrägaufdampfverfahren hat folgende Probleme: eine Aufdampfrate des magnetischen Metalls ist sehr klein, wie z. B. 10% oder weniger, die Abscheiderate des metallischen dünnen Films ist klein und die Produktivität des magnetischen Aufzeichnungsmediums ist schlecht.
Weiterhin gibt es keine Möglichkeit, eine Orientierung des Kristalls während der Abscheidung des Vakuum-Schrägaufdampfverfahrens zu kontrollieren bzw. steuern. So war es schwierig, ein Aufzeichnungsmedium vom Typ des metallischen dünnen Films zu gewinnen, das sowohl in seinen magnetischen Eigenschaften (z. B. Koerzitivfeldstärke) als auch elektromagnetischen Übertragungseigenschaften ein gut ausgeglichenes Verhalten aufwies.
Ein Medium mit senkrechter magnetischer Aufzeichnung vom Typ des metallischen dünnen Films, dem in den letzten Jahren Aufmerksamkeit geschenkt wurde, wird durch Ablagerung von Co-Cr auf einem Polyimidfilm (der im folgenden als PI abgekürzt wird) unter Verwendung einer Vakuumaufdampfung für ein Medium zur senkrechten magnetischen Aufzeichnung ausgebildet, wobei ein Einfallswinkel des verdampften Metallatoms etwa 0º ist. Somit ist die Verdampfungsrate relativ größer als diejenige des oben genannten Vakuum-Schrägaufdampfverfahrens. Es ist notwendig, einen kleinen Bereich des Einfallswinkels, wie z. B. 0º ± 5º einzuhalten, der durch einen Zwischenraum zwischen Abschirmeinrichtungen (Masken) festgelegt wird, da ein verdampftes Metallatom, das einen schrägeren Einfallswinkel hat, einen schlechten Einfluß auf die magnetischen Eigenschaften hat. Das heißt, es ist unmöglich, den Zwischenraum zwischen Abschirmeinrichtungen (Masken) aufzuweiten, die den Einfallswinkel festlegen, um die Abscheidungsrate zu vergrößern.
Somit hat die Vakuumaufdampfung für ein magnetisches Medium zur senkrechten Aufzeichnung das folgende Problem, ähnlich wie das Vakuum-Schrägaufdampfverfahren. Eine Verdampfungsrate des magnetischen Metalls ist klein und die Produktivität des magnetischen Aufzeichnungsmediums ist klein. Und weiterhin gibt es keine Möglichkeit, eine Orientierung des Kristalls während der Abscheidung zu kontrollieren bzw. steuern.
Auf der anderen Seite war es erforderlich, einen orientierten Film mit einer verbesserten Orientierung zur Verwendung in einer Flüssigkristallzelle zu entwickeln, da eine in letzter Zeit verwendete Farb-Flüssigkristallanzeigevorrichtung sie stärker benötigte als eine monochrome. Der orientierte Film ist aus einem ferroelektrischen Material, das auf einem Substrat, z. B. einer Glasplatte, ausgebildet wird. Ein konventioneller ferroelektrischer orientierter Film für einen Flüssigkristall wird auf einer Verlängerung eines TN (gedrehten nematischen)-Flüssigkristalls entwickelt. Der konventionelle ferroelektrische orientierte Film wird überwiegend durch Reiben bzw. Polieren eines Films, der mit Polyimid versehen ist, ausgebildet. Aber der konventionelle Film hat eine unzureichende Orientierung, da eine hinreichend gleichmäßige Orientierung (Ausrichtung) der Bestandteile bildenden Partikel (Kristalle) des Films nicht erreicht wurde.
In letzter Zeit wurde ein orientierter Film entwikkelt, der unter Verwendung eines konventionellen Vakuum- Schrägaufdampfverfahrens von Siliziumoxid (SiO oder SiO&sub2;) ausgebildet wird, und ein elektrisches Widerstandsheizen wird bei der Vakuum-Schrägaufdampfung verwendet. Wenn der orientierte Film als ein orientierter Film für einen Flüssigkristall verwendet wird, ist es notwendig, einen Einfallswinkel des verdampften Atoms (von Siliziumoxid) nur in dem engen Bereich von etwa 90º bis etwa 85º zu verwenden, um die Auflösung der Flüssigkristallanzeige zu verbessern. Der Bereich des Einfallswinkels ist kleiner als derjenige des oben genannten Vakuum- Schrägaufdampfungsverfahrens (d. i. 90º bis 40º). Somit hat das Vakuum-Schrägaufdampfverfahren von Siliziumoxid Probleme ähnlich wie das oben genannte Vakuum-Schrägaufdampfverfahren. Das heißt, die Verdampfungsrate von Siliziumoxid ist klein, die Abscheiderate des Siliziumoxidfilms ist klein und die Produktivität des orientierten Films ist klein. Und weiterhin besteht keine Möglichkeit, eine Orientierung der Bestandteile bildenden Partikel (Kristalle) während der Ablagerung zu kontrollieren bzw. steuern.

AUFGABE UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung ist darauf ausgerichtet, der oben genannten Probleme Herr zu werden, und ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines funktionellen dünnen Films mit einer hohen Produktivität zu schaffen, der eine ausgezeichnete Eigenschaft einer Orientierung (Ausrichtung) der Partikel (Kristalle), die die Bestandteile bilden, hat.
Das Verfahren zum Herstellen eines funktionellen dünnen Films gemäß der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Film auf dem Substrat aufgedampft ist mit einer Orientierung der Partikel des Materials unter einer Regulierung durch einen Gasfluß auf eine Weise, daß die Richtung des Dampfflusses bei einer Gasabgabedüse im wesentlichen die Richtung des Gasflusses des Materials auf das Substrat schneidet.
Durch das Verfahren zum Herstellen des funktionellen dünnen Films steuert der Gasfluß die Orientierung, und der funktionelle dünne Film mit einer verbesserten Orientierung der Materialpartikel und verbesserten Eigenschaften (z. B. magnetischen Eigenschaften und elektromagnetischen Übertragungseigenschaften oder Auflösung und Orientierungsverteilungsfaktor) wird mit hoher Produktivität hergestellt.
Ein magnetisches Aufzeichnungsmedium vom Typ des dünnen metallischen Films als einer der dünnen funktionellen Filme kann mit einer hohen Produktivität hergestellt werden, die etwa doppelt so hoch ist wie diejenige durch ein konventionelles Schrägauftragungsverfahren ohne eine unerwünschte Verschlechterung der magnetischen Eigenschaften und der elektromagnetischen Übertragungseigenschaften. Das heißt, bei dem konventionellen Schrägabscheideverfahren ist es notwendig, einen engen Bereich des Einfallswinkels, z. B. von 90º bis 40º, zu verwenden, um eine hinreichende elektromagnetische Übertragungseigenschaft für ein Band, auf dem ein metallischer dünner Film abgeschieden ist, für ein Video zu erreichen. Im Gegensatz dazu wird gemäß der vorliegenden Erfindung, wenn ein solcher breiter Bereich des Einfallswinkels z. B. von 90º bis 20º zum Erreichen einer hohen Produktivität verwendet wird, eine Abscheiderate, die größer ist als diejenige des konventionellen Schrägabscheideverfahrens, gewonnen. Und es ist weiterhin möglich, eine hinreichende elektromagnetische Übertragungseigenschaft beizubehalten, die gleich oder höher ist als diejenige des konventionellen Schrägverfahrens, unter Verwendung des Gasflusses, der den Fluß des Dampfes des magnetischen Teils im wesentlichen schneidet. Wenn weiterhin der oben genannte breite Bereich des Einfallswinkels bei der gleichen Abscheiderate wie diejenige des konventionellen Schrägabscheideverfahrens verwendet wird, werden signifikant verbesserte magnetische Eigenschaften und elektromagnetische Übertragungseigenschaften gewonnen.
Mit Bezug auf einen orientierten Film für einen Flüssigkristall als einen der funktionellen dünnen Filme wird eine verbesserte Orientierung der Materialpartikel und eine hohe Produktivität unter Verwendung des Gasflusses, der den Fluß von Dampf des Materials während der Abscheidung im wesentlichen schneidet, erreicht. Bei dem Vergleich des orientierten Films mit einem konventionellen, der durch Reiben bzw. Schleifen des Polyimidfilms hergestellt wird, wird eine unerwünschte umgekehrte bzw. anders ausgerichtete Domäne (die ein Bereich ist, wo die Orientierung nicht gleichmäßig ist) an einem Randteil des konventionellen orientierten Films festgestellt, so daß der konventionelle orientierte Film 80% eines Orientierungsverteilungsfaktors (der als ein Verhältnis des Bereiches zu einem Gesamtbereich definiert wird) zeigt. Im Gegensatz dazu zeigt der durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung gewonnene orientierte Film 100% des Orientierungsverteilungsfaktors, da eine gleichmäßige Orientierung auch an dem Randteil des Films gewonnen wird.
In diesem Fall wird die Auflösung der Flüssigkristallanzeige, die durch Verwendung des orientierten Films der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, auf dem gleichem Wert gehalten wie diejenige der Flüssigkristallanzeige, die durch Verwendung eines konventionellen orientierten Films aufgebaut ist, der unter Verwendung des konventionellen Vakuum- Schrägaufdampfverfahrens ausgebildet ist, obwohl die Abscheiderate um zwei Stellen größer ist als diejenige des konventionellen Schrägabscheideverfahrens.
Um den Vorteil der vorliegenden Erfindung zu verbessern, liegt ein am meisten geeigneter Druck in einer Kammer für die Verwendung in dem Bereich von 1 x 10&supmin;³ Torr bis 1 x 10&supmin;&sup5; Torr. In dem Fall, daß das Innere der Kammer bei einem niedrigeren Vakuum als 1 x 10&supmin;³ Torr gehalten wird, wird ein Schmelzen des Verdampfungsmaterials, z. B. Metall oder Siliziumoxid (Verbindung) unstabil. in dem Fall, daß das innere der Kammer bei einem höheren Vakuum als 1 x 10&supmin;&sup5; Torr gehalten wird, wird der erreichte Effekt der vorliegenden Erfindung nicht mehr geändert.
Um den Effekt der vorliegenden Erfindung zu verstärken, liegt eine geeignete Dicke des abgeschiedenen dünnen (magnetischen) Metallfilms oberhalb 300 Å. Wenn die Dicke zu groß wird, besteht die Neigung, daß ein Riß bzw. Bruch oder dergleichen auf dem Film auftritt. Somit liegt die geeignete Dicke unterhalb 5000 Å. Vorzugsweise werden mehr als zwei Düsen für den Gasfluß verwendet, um den Effekt der vorliegenden Erfindung zu vergrößern.
Während die neuen Merkmale der Erfindung im folgenden insbesondere in den beiliegenden Ansprüchen dargelegt werden, wird die Erfindung sowohl in ihrem Aufbau als auch in ihrem Inhalt zusammen mit anderen Zielen und Merkmalen besser verstanden und angenommen werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung im Zusammenhang mit den Zeichnungen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine Seitenansicht einer ersten Ausführungsform einer Vakuumaufdampfvorrichtung zum Ausbilden eines länglichen magnetischen Films auf dem Substrat.
Fig. 2 ist eine Seitenansicht einer zweiten Ausführungsform einer Vakuumaufdampfvorrichtung zum Ausbilden eines senkrechten magnetischen Films auf dem Substrat.
Fig. 3 ist eine Seitenansicht einer dritten Ausführungsform einer Vakuumaufdampfvorrichtung zum Ausbilden eines länglichen magnetischen Films auf dem Substrat.
Fig. 4 ist eine Seitenansicht einer vierten Ausführungsform einer Vakuumaufdampfvorrichtung zum Ausbilden eines orientierten Films für einen Flüssigkristall auf einem Substrat.
Dabei ist zu verstehen, daß einige oder alle der Zeichnungen schematische Darstellungen zum Zwecke der Veranschaulichung sind und nicht notwendigerweise die tatsächlichen relativen Größen oder Anordnungen der gezeigten Elemente wiedergeben.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen gezeigt.

1. Erste Ausführungsform

Fig. 1 ist eine Seitenansicht einer ersten Ausführungsform der Vakuumverdampfvorrichtung zum Ausbilden- eines länglichen magnetischen Films auf dem Substrat.
Eine konventionelle Vakuumpumpe 10 wird zum Erreichen einer verringerten Atmosphäre in einer Vakuumkammer 11 verwendet. Magnetisches Material 6 in einem Schmelzgefäß 5 aus Keramik bzw. Porzellan (MgO) wird durch Bestrahlung aus einer bekannten Elektronenkanone vom 270º-Ablenkungstyp (in Fig. 1 nicht gezeigt) geschmolzen. Über dem Schmelzgefäß 5 wird ein aus einem hochpolymeren Film bestehendes Substrat 1 aus einer Zuführungstrommel 2 zugeführt und auf den Umfang einer zylindrischen Kühlrolle 3 übertragen, wobei verdampftes magnetisches Material auf dem Substrat 1 bei der Beförderung abgeschieden wird. Und das Substrat 1 wird auf einer Wickeltrommel 4 aufgewickelt.
Unnötiger Fluß von Dampf des verdampften magnetischen Materials wird durch eine Abschirmeinrichtung 7 verhindert. In Fig. 1 ist die Abschirmeinrichtung 7 auf eine Weise angeordnet, daß sie den Fluß von Dampf innerhalb eines Bereiches eines Einfallswinkels von 90º bis 0º ermöglicht.
Eine Düse 8 ist auf der Abschirmeinrichtung 7 auf eine Weise befestigt daß ein Gasfluß von der Düse 8 den Dampffluß schneidet. Der Gasfluß ist durch einen Pfeil G in Fig. 1 gezeigt. Die Richtung der Achse der Düse 8 ist im wesentlichen parallel zu der Oberfläche des magnetischen Materials 6 in dem Schmelzgefäß 5. Die Richtung der Achse der Düse 8 kann zum Substrat 1 hin geneigt werden, und der Grad einer solchen Neigung hängt von dem Aufbau der Vakuumaufdampfvorrichtung ab. Letztendlich ist es notwendig, daß der Gasfluß von der Düse 8 den Dampffluß schneidet.
In dieser Erfindung bedeutet "schneiden", daß die Richtung des Gasflusses unmittelbar nach dem Verlassen der Düse senkrecht zu der Richtung des Dampfflusses des verdampften Materials verläuft.
Das Gas wird aus einem Gaszylinder 12 in eine Vakuumkammer 11 eingeführt. Ein inertes Gas (z. B. Stickstoff) alleine oder eine Mischung von einem inerten Gas mit Sauerstoff wird als das Gas verwendet. Vorzugsweise ist eine Düse 8 zu verwenden, die eine Reihe von mehreren Löchern von kleinen Durchmessern hat, die auf eine Weise angeordnet sind, daß die Reihe der Löcher in der Richtung senkrecht zu dem Blatt von Fig. 1 verläuft, um eine gleichmäßige Orientierung von Kristallen des magnetischen Materials (Metall) über die ganze Breite des Films zu erreichen.
Der in der in Fig. 1 gezeigten ersten Ausführungsform verwendete hochpolymere Film kann durch Auswählen aus folgenden Materialien gewählt werden: PET, Polyethylennaphthalat (im folgenden abgekürzt als PEN), PI, Polyamid (z. B. Aramid) und dergleichen. Das magnetische Material zur Verwendung in der ersten Ausführungsform schließt Metalle wie z. B. Co, Ni, Cr und Fe ein, und diese Metalle können alleine oder in Kombination mit zwei oder mehr von ihnen als eine Legierung geschmolzen werden. Das magnetische Material wird auf einem hochpolymeren Film in einem Zustand eines Metalls, einer Legierung oder einer Verbindung eines Metalls (z. B. oxidiertes Metall) abgeschieden.
Um Eigenschaften hinreichender elektromagnetischer Übertragung und dergleichen zu erreichen, muß die Dicke des abgeschiedenen magnetischen Films oberhalb 300 Å liegen. Wenn die Dicke jedoch größer als 5000 Å wird, besteht die Neigung, daß ein Riß bzw. Bruch oder ein ähnlicher Schaden auf dem Film auftritt. Somit liegt die geeignete Dicke zwischen 300 Å und 5000 Å.
Wenn der Druck in der Vakuumkammer 11 größer als 1 x 10&supmin;³ Torr ist, wird die Abscheidung unstabil, aber der erreichte Effekt wird auch für einen Druck, der niedriger als 1 x 10&supmin;&sup5; Torr ist, nicht geändert. Dementsprechend liegt der geeignete Bereich zwischen 1 x 10&supmin;³ Torr und 1 x 10&supmin;&sup5; Torr.

(Beispiel 1)

Videobandproben dieses Beispiels 1 der vorliegenden Erfindung wurden unter Verwendung der ersten Ausführungsform einer in Fig. 1 gezeigten Aufdampfvorrichtung gebildet. in diesem Beispiel 1 wurde ein 10 um dicker und 150 mm breiter PET-Film als ein hochpolymerer Film verwendet, und Co-Ni (20 Gew%) wurde als das magnetische Material 6 verwendet. Co-Ni wurde abgeschieden, um einen 2000 Å dicken magnetischen Film auf den PET-Film auszubilden, der mit einer Geschwindigkeit von 8 m/min lief. Der gewonnene magnetische Film war ein länglicher magnetischer Film, der die Achse leichter Magnetisierung in einer länglichen Richtung der Ebene des magnetischen Films hat. Ein gemischtes Gas von Stickstoff und Sauerstoff fließt aus der Düse 8 auf den Dampffluß von magnetischem Metall und dem PET-Film mit einer Rate von 0,5 l/min zu.
In diesem Fall war die Anzahl der Löcher der Düse 8 zehn, und die Gasflüsse aus allen Löchern wurden konstant und gleichmäßig durch den Aufbau aller Löcher gehalten. Eine Deposition bzw. Abscheidung wurde unter einem Druck von etwa 5 x 10&supmin;&sup5; Torr in der Vakuumkammer 11 ausgeführt.
In diesem Fall war das Mischverhältnis von Stickstoff zu Sauerstoff 4:1, und das Volumen der Vakuumkammer war etwa 3 m³. Aber es war notwendig, das Mischverhältnis und/oder die Geschwindigkeit des Gasflusses entsprechend dem Aufbau der ganzen Verdampfungsvorrichtung und der Abscheidebedingungen zu ändern.

(Vergleichsbeispiel 1)

Videobandproben dieses Vergleichsbeispiels 1 wurden auf die gleiche Weise wie das Beispiel 1 gebildet, mit Ausnahme der folgenden Punkte:
(1) Eine Vorrichtung unter Verwendung des konventionellen Schrägaufdampfverfahrens wurde verwendet, wobei der Einfallswinkel der verdampften Atome in dem Bereich von 90º bis 40º lag.
(2) Das gleiche gemischte Gas wurde in die Vakuumkammer eingeführt ohne Verwendung der in Fig. 1 gezeigten Düse 8.

2. Zweite Ausführungsform

Fig. 2 ist eine Seitenansicht einer zweiten Ausführungsform einer Vakuumaufdampfvorrichtung zum Ausbilden eines senkrechten magnetischen Films auf dem Substrat. Teile und Komponenten, die denjenigen der ersten Ausführungsform entsprechen, werden durch gleiche Bezugszeichen und Benennungen bezeichnet, und die auf die in der ersten Ausführungsform abgegebene Beschreibung kann ähnlich angewandt werden. Merkmale und Unterschiede dieser zweiten Ausführungsform gegenüber der ersten Ausführungsform sind wie folgt.
Ein unnötiger Fluß von Dampf des verdampften magnetischen Materials wird durch Abschirmeinrichtungen 7a und 7b verhindert, um einen regulierten Dampffluß zu erzeugen. In Fig. 2 sind die Abschirmeinrichtungen 7a und 7b auf eine Weise angeordnet, daß sie den Dampffluß innerhalb des Bereichs eines Einfallwinkels von +15º bis -15º ermöglichen.
Düsen 8a und 8b sind auf jeweiligen Abschirmeinrichtungen 7a und 7b auf eine Weise befestigt, daß jeweilige Gasflüsse von den Düsen 8a und 8b den Dampffluß schneiden. Die Gasflüsse werden in Fig. 2 durch Pfeile Ga und Gb bezeichnet. Der Aufbau und die Anordnung beider Düsen 8a und 8b waren die gleichen wie die Düse 8 der ersten Ausführungsform.
Da eine Wärmebeständigkeit notwendig ist für den hochpolymeren Film, der in dem Medium zur magnetischen senkrechten Aufzeichnung verwendet wird, sollte der Film aus den folgenden Materialien hergestellt sein: Polyimid, Aramid, PET, usw. Die folgenden Materialien und Bedingungen, die in dieser zweiten Ausführungsform verwendet werden, sind die gleichen wie diejenigen, die in der ersten Ausführungsform gezeigt sind: das magnetische Material, der Zustand des abgeschiedenen magnetischen Materials, die Bedingung der Abscheidung, die Dicke des abgeschiedenen magnetischen Materials, das eingeführte Gas.

(Beispiel 2)

Videobandproben dieses Beispiels 2 der vorliegenden Erfindung wurden unter Verwendung der zweiten Ausführungsform der in Fig. 2 gezeigten Aufdampfvorrichtung gebildet. In diesem Beispiel 2 wurde ein 10 um dicker und 150mm breiter PI- Film als der hochpolymere Film verwendet, Co-Ni (20 Gew%) wurde als das magnetische Material verwendet. Co-Ni wurde abgeschieden, um einen 2000 Å dicken magnetischen Film auf dem PI-Film abzuscheiden, der mit einer Geschwindigkeit von 8 m/min lief. Stickstoffgas floß aus den Düsen 8a und 8b zu dem Dampffluß des magnetischen Metalls mit einer Rate von 0,3 l/min. Die Abscheidung wurde unter einem Druck von etwa 2 x 10&supmin;&sup4; Torr durchgeführt, der gewonnene magnetische Film war ein senkrechter magnetischer Film, dessen Achse der leichten Magnetisierung senkrecht zu der Oberfläche des magnetischen Films lief.

(Vergleichsbeispiel 2)

Videobandproben dieses Vergleichsbeispiels 2 wurden auf die gleiche Weise wie das Beispiel 2 ausgebildet mit Ausnahme der folgenden Punkte:
(1) Eine Vorrichtung unter Verwendung der konventionellen Vakuumaufdampfung für ein magnetisches Medium zur senkrechten Aufzeichnung wurde verwendet, wobei ein Einfallswinkel von verdampften Atomen im Bereich von 0º ± 5º lag.
(2) Das gleiche Gas wurde mit in die Vakuumkammer eingeführt ohne Verwendung der in Fig. 2 gezeigten Düsen 8a und 8b.

3. Dritte Ausführungsform

Fig. 3 ist eine Seitenansicht einer dritten Ausführungsform einer Vakuumaufdampfvorrichtung zum Ausbilden eines länglichen magnetischen Films auf dem Substrat. Teile und Komponenten, die denjenigen der ersten Ausführungsform entsprechen, werden durch gleiche Bezugszeichen und Benennungen bezeichnet, und die auf sie in der ersten Ausführungsform abgegebene Beschreibung kann ähnlich angewandt werden. Merkmale und Unterschiede dieser dritten Ausführungsform gegenüber der ersten Ausführungsform sind wie folgt.
Ein unnötiger Fluß von Dampf des verdampften magnetischen Materials wurde durch Abschirmeinrichtungen 7c und 7d verhindert, um einen regulierten Dampffluß zu erzeugen. In Fig. 3 sind die Abschirmeinrichtungen 7c und 7d auf eine Weise angeordnet, daß sie einen Dampffluß innerhalb des Bereichs eines Einfallwinkels von 90º (bei einer Position einer Anfangsdeposition bzw. Anfangsabscheidung) bis 0º (bei einer Position der Endabscheidung) ermöglichen.
Düsen 8c und 8d sind auf jeweiligen Abschirmeinrichtungen 7c und 7d auf eine Weise befestigt, daß der jeweilige Gasfluß der Düsen 8c und 8d den Dampffluß schneidet. Die Gasflüsse werden durch Pfeile Gc und Gd in Fig. 3 gezeigt. Der Aufbau und die Anordnung der Düsen 8c und 8d waren die gleichen wie die Düse 8 der ersten Ausführungsform.
Der in der dritten Ausführungsform in Fig. 3 gezeigte hochpolymere Film wurde aus den folgenden Materialien hergestellt: PET, PEN, PI, Polyamid, Aramid und dergleichen. Die folgenden Materialien und Bedingungen, die in dieser dritten Ausführungsform verwendet wurden, waren die gleichen wie diejenigen, die in der ersten Ausführungsform gezeigt sind: das magnetische Material, der Zustand des abgeschiedenen magnetischen Materials, die Bedingung der Abscheidung und das eingeführte Gas.
Um eine hinreichende magnetische Eigenschaft beizubehalten, war die geeignete Dicke des abgeschiedenen dünnen (magnetischen) Metallfilms oberhalb 300 Å. Wenn die Dicke oberhalb 5000 Å wurde, bestand die Neigung, daß ein Bruch bzw. Riß oder dergleichen auf der Oberfläche des magnetischen Films auftrat, und die magnetischen Eigenschaften wurden nicht weiter verbessert. Ein am meisten geeigneter Druck in der Vakuumkammer 11 liegt in dem Bereich von 1 x 10&supmin;³ Torr bis 1 x 10&supmin;&sup5; Torr, wobei dieser Bereich der gleiche ist, wie der in der ersten Ausführungsform genannte Bereich.

(Beispiel 3)

Videobandproben dieses Beispiels 3 der vorliegenden Erfindung wurden unter Verwendung der dritten Ausführungsform der in Fig. 3 gezeigten Aufdampfvorrichtung ausgebildet. in diesem Beispiel 3 wurde ein 10 um dicker und 150 mm breiter PET-Film als ein hochpolymerer Film verwendet, und Co-Ni (20 Gew%) wurde als das magnetische Material verwendet. Co-Ni wurde abgeschieden, um einen 2000 Å dicken magnetischen Film auf dem PET-Film, der mit einer Geschwindigkeit von 8 m/min lief, auszubilden. Ein gemischtes Gas aus Stickstoff und Sauerstoff floß von der Düse 8c bei einer Position der Anfangsabscheidung (d. h. an der Seite des großen Einfallswinkels) mit einer Rate von 0,1 l/min, und das gleiche gemischte Gas floß aus der Düse 8d bei einer Position der Endabscheidung (d. h. an der Seite des kleinen Einfallswinkels) mit einer Rate von 0,5 l/min. Die Abscheidung wurde unter einem Druck von etwa 5 x 10&supmin;&sup5; Torr durchgeführt. Der gewonnene magnetische Film war ein länglicher magnetischer Film, dessen Achse der leichten Magnetisierung in länglicher Richtung der Ebene des metallischen Films verlief.
In diesem Fall war das Mischverhältnis von Stickstoff zu Sauerstoff 4:1, und das Volumen der Vakuumkammer war etwa 3 m³. Aber es war notwendig, das Mischverhältnis und/oder die Geschwindigkeit des Gasflusses entsprechend dem Aufbau der ganzen Aufdampfvorrichtung und der Bedingung der Abscheidung zu ändern.

4. Bewertungstests:

Die folgenden Bewertungstests wurden an verschiedenen Bandproben, die in den vorangegangenen Beispielen und Vergleichsbeispielen gewonnen wurden, durchgeführt.

(Koerzivkraft Hc)

Die Koerzivkraft wurde mit einem Magnetometer vom Vibrationsprobentyp gemessen.

(Elektromagnetische Übertragungseigenschaft)

Ein RF-Ausgang (bei 5 Mhz) jedes Probenvideobands wurde unter Verwendung eines 8mm-Videosystem-Videorekorders gemessen. Der gemessene RF-Ausgang wurde in Ausdrücken des Werts relativ zu denjenigen des Vergleichsbeispiels 1 ausgedrückt, und der RF-Ausgang des Vergleichsbeispiels 1 wurde als 0dB definiert.

(Abscheiderate)

Die Abscheiderate (Å/sec) des auf dem Substrat abgeschiedenen magnetischen Materials wurde in Ausdrücken des Werts relativ zu demjenigen des Vergleichsbeispiels 1 ausgedrückt.
Tabelle 1 zeigt Ergebnisse dieser Auswertungstests zu den jeweiligen Probenbändern. Tabelle 1 Koerzivkraft: Hc(Oe) Elektromagnetische Übertragungseigenschaft (dB) Abscheiderate Beispiel Vergleichsbeispiel
Aus den oben genannten Ergebnissen, die in Tabelle 1 gezeigt sind, konnte der folgende Schluß gezogen werden:

(Vergleich zwischen Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1)

Die Koerzivkraft und der RF-Ausgang (dB), der die magnetischen Eigenschaften und elektromagnetischen Übertragungseigenschaften von Beispiel 1 zeigt, war gleich oder besser als diejenige vom Vergleichsbeispiel 1. Das bedeutet, daß eine verbesserte Orientierung der Kristalle in dem magnetischen Film erreicht werden konnte, obwohl ein breiter Bereich (d. h. 90º bis 0º) des Einfallswinkels der verdampften Atome verwendet wurde. Der Gasfluß G steuerte den effektiven Bereich des Einfallswinkels in einem breiten Bereich, d. h. zwischen 90º und 0º, auf eine Weise, daß der Einfallswinkel in einem bestimmten Bereich ausgerichtet war, um den länglichen magnetischen Film auszubilden. Das heißt, verbesserte Orientierung der Kristalle in dem magnetischen Film wurde durch den Gasfluß G gesteuert.
Und eine Hochgeschwindigkeitsabscheidung der Abscheidungsgeschwindigkeit, die zweimal so groß ist wie diejenige des Vergleichsbeispiels 1, wurde in dem Beispiel 1 erreicht. Der Grund ist, daß die verdampften Atome in dem Bereich des Einfallswinkels von 40º bis 0º, die in dem konventionellen Schrägaufdampfverfahren nicht verwendet werden konnten, durch den Gasfluß G, wie in Fig. 1 gezeigt, verwendet werden konnten, so daß die Abscheiderate des Beispiels 1 zweimal so groß wie diejenige des Vergleichsbeispiels 1 wurde.

(Vergleich zwischen Beispiel 2 und Vergleichsbeispiel 2)

Die Koerzivkraft und der RF-Ausgang des Beispiels 1 waren gleich oder besser als diejenigen des Vergleichsbeispiels 2. Das bedeutet, daß eine verbesserte Orientierung der Kristalle in dem magnetischen Film trotz der Verwendung eines breiten Bereichs (d.h. +15º bis -15º des Einfallswinkels der verdampften Atome erreicht werden konnte. Die Gasflüsse Ga und Gb steuerten den effektiven Bereich des Einfallswinkels in einem breiten Bereich, d.h. zwischen +15º und -15º auf eine Weise, daß der Einfallswinkel in einem bestimmten Bereich (d.h. etwa 0º) ausgerichtet war, um den senkrecht magnetischen Film auszubilden. Das heißt, die verbesserte Orientierung der Kristalle in dem senkrechten magnetischen Film wurde durch die Gasflüsse Ga und Gb gesteuert.
Und eine Hochgeschwindigkeitsabscheidung der Abscheiderate, die etwa zweimal so groß wie diejenige des Vergleichsbeispiels 2 war, wurde in dem Beispiel 2 erreicht. Der Grund ist, daß die verdampften Atome in dem Bereich des Einfallswinkels von +15º bis +5º und dem von 5º bis -15º, die in der konventionellen Vakuumaufdampfung für ein magnetisches Medium zur senkrechten Aufnahme nicht verwendet werden konnten, durch die Gasflüsse Ga und Gb wie in Fig. 2 gezeigt verwendet werden konnten, so daß die Abscheiderate des Bespiels 2 zweimal so groß ist wie diejenige des Vergleichsbeispiels 2 wurde

(Vergleich zwischen Beispiel 3 und Beispiel 1)

Die Abscheiderate des Beispiels 3 ist etwa die gleiche wie diejenige des Beispiels 1. In dem Beispiel 3 führte die Einleitung beider in Fig. 3 gezeigter Gasflüsse (Gc, Gd) an der Seite des Anfangs der Deposition bzw. Abscheidung und an der Seite des Beendens der Abscheidung zu einer verbesserten Koerzivkraft und elektromagnetischen Übertragungseigenschaft aufgrund der Verbesserung der Orientierung der Kristalle in dem magnetischen Film. In diesem Beispiel 3 wurden die verdampften Atome in etwa einem 90º-Bereich des Einfallswinkels, die nicht geeignet waren, einen länglichen magnetischen Film auszubilden, zum Ausbilden des länglichen magnetischen Films durch den Gasfluß Gd verwendet. Das heißt, der Gasfluß Gd steuerte den Einfallswinkel der verdampften Atome effektiv durch Regulieren des Einfallswinkels auf einen bestimmten Winkel, ohne einen Verlust des verdampften Materials zu bewirken, wodurch der längliche magnetische Film effektiv ausgebildet wurde. Auf ähnliche Weise steuerte der Gasfluß Gc auf den Einfallswinkel der verdampften Atome.
Ein Winkel der Orientierung der Kristalle (im folgenden abgekürzt als ein Orientierungswinkel) des länglichen magnetischen Films wurde durch die beiden Gasflüsse Gd und Gc gesteuert bzw. kontrolliert. Mit anderen Worten, der Orientierungswinkel wurde durch die Bedingungen (z. B. Geschwindigkeit des Gasflusses, Mischverhältnis der die Bestandteile bildenden Gase usw.) der Gasflüsse Gd und Gc variiert und gesteuert. Und eine Bestimmung der Bedingungen des Gasflusses für eine geeignete Steuerung eines Orientierungswinkels hängt vom Aufbau der Düsen, der Vakuumkammer usw. ab. Dabei ist es unnötig zu erklären, daß der Orientierungswinkel des magnetischen Films auf ähnliche Weise durch den Gasfluß bzw. die Gasflüsse in den oben genannten ersten und zweiten Ausführungsformen gesteuert werden kann.

5. Vierte Ausführungsform:

Fig. 4 ist eine Seitenansicht einer vierten Ausführungsform einer Vakuumaufdampfvorrichtung zum Ausbilden eines orientierten Films auf einem Substrat für eine Flüssigkristallanzeige.
Teile und Komponenten, die denjenigen der ersten Ausführungsform entsprechen, werden durch gleiche Bezugszeichen und Benennungen wiedergegeben, und die auf sie in der ersten Ausführungsform abgegebene Beschreibung kann ähnlich angewandt werden. Merkmale und Unterschiede dieser vierten Ausführungsform gegenüber der ersten Ausführungsform sind wie folgt.
Ein Verdampfungsmaterial 6', das Silizium enthält (z. B. Silizium in freiem Zustand oder Siliziumoxid) wird in einem Schmelzgefäß 5 aus Porzellan bzw. Keramik (MgO) durch Bestrahlung aus einer bekannten Elektronenkanone vom 270º-Ablenktyp (in Fig. 4 nicht gezeigt) geschmolzen. Ein Substrat 1' aus Glas ist an einer Halteeinrichtung 3' über dem Schmelzgefäß 5 befestigt und aus dem Verdampfungsmaterial 6' verdampftes Material wird auf dem Substrat 1' abgeschieden.
Ein unnötiger Dampffluß des verdampften Materials wird durch eine Abschirmeinrichtung 7' verhindert. Die Abschirmeinrichtung 7' ist auf eine Weise angeordnet, daß sie den Dampffluß innerhalb des Bereichs des einfallenden Winkels von 90º bis 70º reguliert.
Eine Düse 8' ist auf der Abschirmeinrichtung 7' auf eine Weise befestigt, daß ein Gasfluß von einer Düse 8' den Dampffluß 8' schneidet. Der Gasfluß wird durch einen Pfeil Ge in Fig. 4 gezeigt. Der Aufbau und die Anordnung der Düse 8' war die gleiche wie die Düse 8 der ersten Ausführungsform.
Das Verdampfungsmaterial 6' aus Silizium kann in geeigneterweise ausgewählt werden aus: SiO, SiO&sub2;, Silizium in freiem Zustand,usw. Ein geeigneter Bereich der Dicke des abgeschiedenen Films auf dem Substrat liegt in dem Bereich zwischen 300 Å und 5000 Å.

(Beispiel 4)

Orientierte Filmproben dieses Beispiels 4 der vorliegenden Erfindung wurden unter Verwendung der vierten Ausführungsform der in Fig. 4 gezeigten Aufdampfvorrichtung ausgebildet.
In diesem Beispiel 4 wurde eine 0,5 mm dicke, 150 mm lange und 150 mm breite Glasplatte als das Substrat 1' verwendet, Silizium in freiem Zustand wurde als das Verdampfungsmaterial 6' aus Silizium verwendet. Ein gemischtes Gas aus Stickstoff und Sauerstoff wurde aus der Düse 8' mit einer Rate von 0,1 l/min zu dem Dampffluß des Siliziums befördert. Und Siliziumoxid wurde abgeschieden, um einen 2000 Å dicken orientierten Film für einen Flüssigkristall auf der Glasplatte abzuscheiden.
Die Abscheidung wurde unter einem Druck von etwa 5 x 10&supmin;&sup5; Torr durchgeführt.
In diesem Fall war das Mischverhältnis von Stickstoff zu Sauerstoff 4:1, und das Volumen der Vakuumkammer war etwa 3 m³. Aber es war notwenig, das Mischverhältnis und/oder die Geschwindigkeit des Gasflusses gemäß dem Aufbau der ganzen Aufdampfvorrichtung und der Bedingungen der Abscheidung zu ändern.

(Vergleichsbeispiel 4)

Orientierte Filmproben dieses Vergleichsbeispiels 4 wurden auf die gleiche Weise wie im Beispiel 4 ausgebildet, mit Ausnahme der folgenden Punkte:
(1) Die in Fig. 4 gezeigte Vorrichtung wurde auch als eine Vorrichtung einer konventionellen Vakuum-Schrägaufdampfung bzw. Schrägaufdampfverfahren verwendet, wobei ein Einfallswinkel von verdampften Atomen in den Bereich von 90º bis 85º durch Anordnung der Abschirmeinrichtung 7' eingestellt war.
(2) Das gleiche gemischte Gas wurde in die Vakuumkammer 11 ohne Verwendung der in Fig. 4 gezeigten Düse 8' eingeleitet.

(Vergleichsbeispiel 5)

Orientierte Filmproben dieses Vergleichsbeispiels 5 wurden durch Reiben des Polyimidfilms ausgebildet, der auf der Glasplatte, die die gleiche war, wie die in Beispiel 4 verwendete, ausgebildet war.

6. Bewertungstests:

Die folgenden Bewertungstests wurden an verschiedenen Proben durchgeführt, die in dem vorangegangenen Beispiel und Vergleichsbeispielen gewonnen wurden.

(Bewertung als eine Flüssigkristallanzeige)

Eine Flüssigkristallanzeige wurde unter Verwendung der orientierten Filmprobe aufgebaut. Die Auflösung und entgegengesetzten bzw. anders ausgerichteten Domänen der Flüssigkristallanzeige wurden im Zustand tatsächlicher Verwendung beobachtet. Das Ergebnis der Beobachtung wurde wie folgt festgelegt:

(1) Zur Auflösung:

Die Auflösung, die im Vergleichsbeispiel 4 festgestellt wurde, wurde als "gut" festgelegt. Die Auflösung des Beispiels 4 und des Vergleichsbeispiels 5 wurden im Vergleich mit derjenigen, die in dem Vergleichsbeispiel 4 festgestellt wurde, bewertet. In dem Fall, daß die Auflösung nicht so gut war wie in dem Vergleichsbeispiel 4, wurde die Auflösung als "schlecht" festgelegt.

(2) Zu den entgegengesetzten bzw. anders ausgerichteten Domänen:

Eine unerwünschte entgegengesetzte Domäne bedeutet ein Bereich, wo die Orientierung nicht gleichmäßig ist. Ein Verhältnis eines Bereichs, in dem keine entgegengesetzte Domäne festgestellt wurde, zu einem Gesamtbereich der Anordnung wird als ein Orientierungsverteilungsfaktor (%) festgelegt. Das heißt, 100% des Orientierungsverteilungsfaktors bedeutet, daß keine entgegengesetzte Domäne festgestellt wurde.

(Abscheidegeschwindigkeit)

Die Abscheidegeschwindigkeit (Å/sec) der Siliziumverbindung auf dem Substrat wurde in Ausdrücken des Wertes relativ zu denjenigen des Vergleichsbeispiels 4 ausgedrückt.
Tabelle 2 zeigt Ergebnisse dieser Bewertungstests bei den jeweiligen Proben. Tabelle 2 Bewertung als eine Flüssigkristallanzeige Abscheidegeschwindigkeit Auflösung Orientierungsverteilungsfaktor Beispiel Vergleichsbeispiel Gut Schlecht
Aus den oben genannten in Tabelle 2 gezeigten Ergebnissen wurde der folgende Schluß gezogen:

(Der Vergleich zwischen Beispiel 4 und Vergleichsbeispiel 4)

Die Auflösung und der Orientierungsverteilungsfaktor, die die wichtigsten Eigenschaften der Flüssigkristallanzeige wiedergeben, waren bei Beispiel 4 gleich denjenigen des Vergleichsbeispiels 4. Dies bedeutet, daß eine verbesserte Orientierung der Kristalle in dem orientierten Film beibehalten werden konnte, trotz der Verwendung eines breiten Bereiches (d.h. 90º bis 70º) des Einfallswinkels der verdampften Siliziumverbindungen. Der Gasfluß Ge steuerte den effektiven Bereich des Einfallswinkels in einem breiten Bereich, d.h. von 90º bis 70º, auf eine Weise, daß der Einfallswinkel in einem bestimmten Bereich ausgerichtet war, um einen verbesserten orientierten Film auszubilden. Zusätzlich war die Abscheiderate bzw. -Geschwindigkeit um 2 Stellen größer als diejenige des konventionellen Vakuum-Schrägaufdampfverfahrens, und dies führte zu einer stark erhöhten Produktivität.

(Vergleich zwischen Beispiel 4 und Vergleichsbeispiel 5)

In Beispiel 4 waren die wichtigsten Eigenschaften der Flüssigkristallanzeige, d.h., die Auflösung und der Orientierungsverteilungsfaktor, besser als diejenigen des Vergleichsbeispiels 5.
Obwohl die vorliegende Erfindung mit Bezug auf die vorliegenden bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurde, ist zu verstehen, daß eine solche Offenbarung nicht als beschränkend verstanden werden kann. Verschiedene Änderungen und Modifizierungen werden dem Fachmann nach dem Lesen der obigen Offenbarung zweifellos ersichtlich werden. Dabei ist entsprechend zu verstehen, daß die beiliegenden Ansprüche dahingehend zu interpretieren sind, daß sie alle Änderungen und Modifizierungen abdecken, die innerhalb des Umfangs der Erfindung liegen.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines funktionellen dünnen Films, wobei ein dünner Film, der wenigstens ein Material aufweist, durch ein Vakuum-Evaporationsverfahren bzw. Vakuum- Aufdampfverfahren auf einem Substrat ausgebildet wird,

wobei der dünne Film auf dem Substrat 1 durch Aufdampfung abgeschieden wird, mit einer Orientierung von Teilchen des Materials mit einer Regulierung durch einen Gasfluß G auf eine Weise, daß die Richtung des Gasflusses bei einer Gasabgabedüse 8 im wesentlichen die Richtung des Dampfflusses des Materials auf das Substrat schneidet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Material ein Mitglied aus der Gruppe ist, die aus Metall und Metallverbindungen besteht.

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Material ein magnetisches Material von wenigstens einem Mitglied aus der Gruppe ist, die aus Co, Fe, Cr und Ni besteht.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der dünne Film ein orientierter Film für einen Flüssigkristall ist, und das Material ein Mitglied aus der Gruppe ist, die aus Silicium und Siliciumverbindungen besteht.

5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der dünne Film eine Dicke im Bereich von 300 Å bis 5000 Å aufweist.

6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der funktionelle Film unter einem Druck in dem Bereich von 1 x 10&supmin;³Torr bis 1 x 10&supmin;&sup5;Torr gebildet wird.