DE69013491T2 - Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung. - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung.

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und insbesondere ein Halbleiterbetätigungselement, das eine elektromagnetische Kraft nutzt, bzw. einen Halbleitersensor, der eine elektromagnetische Induktion nutzt.
  • In jüngster Zeit ist mit der Entwicklung von Compact Disks (CD's) für digitale Schallplatten, Laservision Disks (LVD's) für Bild- und Toninformationsmedien, einmalig beschreibbare und mehrmals lesbare optische Platten, sowie überschreibbare photomagnetische Platten usw. ein starker Bedarf nach einer kleinen und leichten optischen Abtastvorrichtung entstanden. Um diesen Bedarf zu befriedigen, ist anstelle einer optischen Abtastvorrichtung mit einem Aufbau, bei dem optische Teile, wie beispielsweise eine Linse und ein Spiegel usw. miteinander kombiniert werden, eine optische Abtastvorrichtung in Form einer integrierten Schaltung vorgeschlagen worden, bei der die Technologie integrierter Schaltungen, die es auf dem Herstellungsgebiet der Großintegration (large scale integration - LSI) gibt, eingesetzt wird. Siehe dazu beispielsweise Toshiaki Suhara, Shogo Ura und Hiroshi Nishihara (Department of Electronics, Osaka University), "Optical Integrated Disk Pickup Head" (Integrierter Abtastkopf für optische Platten) "Optronics", monatlich veröffentlicht, Nr. 2, S. 149-154 (1989), bzw. die Dokumente JP-A-61296540 sowie US-A-4,779,259.
  • Wenn jedoch die oben beschriebene integrierte optische Abtastvorrichtung in einer Wiedergabeanlage, wie beispielsweise einem CD-Player oder einem LVD-Player usw. eingesetzt wird, ist es erforderlich, ein Betätigungselement zur Steuerung zu befestigen oder anzubringen. In diesem Fall wird herkömmlicherweise ein optischer Kopf mit einem Aufbau, der weiter unten beschrieben wird, angebracht. Dieser optische Kopf besteht beispielsweise aus einem zylindrischen Magneten, einem zylindrischen Spulenkörper sowie einem Halbleiterchip, auf dem eine optische Abtastvorrichtung in Form einer integrierten Schaltung ausgeformt ist. Der zylindrische Spulenkörper hat einen hohlen Aufbau, wobei der Durchmesser des hohlen Abschnitts größer ist als der des zylindrischen Magneten. Dieser zylindrische Spulenkörper wird so auf dem zylindrischen Magneten angebracht, daß er darauf aufsitzt. Eine Endfläche des zylindrischen Spulenkörpers ist gesch lossen, und der Halbleiterchip ist an dieser Endfläche angebracht. Darüber hinaus ist eine elektromagnetische Spule auf der zylindrischen Seitenfläche des zylindrischen Spulenkörpers so angebracht, daß sie ihn umgibt. Dabei wird ein Magnetfeld durch magnetische Kraftlinien gebildet, die von einer Endfläche des zylindrischen Magneten zu der anderen Endfläche desselben gerichtet sind. Diese magnetischen Kraftlinien durchdringen die Endfläche des Spulenkörpers und die Halbleiterchipfläche. Wenn ein Strom in der elektromagnetischen Spule auf der Seitenfläche des Spulenkörpers fließt, wird eine elektromagnetische Kraft, die versucht, die elektromagnetische Spule, d.h. den Spulenkörper, entweder in einer positiven oder einer negativen Richtung der Längsachse des zylindrischen Magneten zu bewegen, durch "Fleming's Linke-Hand-Regel" erzeugt. Dementsprechend bildet, da ein Betrag der Bewegung des Halbleiterchips in der axialen Richtung des Magneten durch die Richtung eines fließenden Stroms und die Intensität dieses Stroms geregelt werden kann, dieser Mechanismus ein Fokussierbetätigungselement.
  • Da jedoch die Maße der elektromagnetischen Spule und des Magneten erheblich größer sind als die des Halbleiterchips, bestand das Problem, daß der Vorteil der kleinen Maße des Halbleiterchips nicht zum Tragen kommt. Da darüber hinaus die Anzahl der Bauteile groß ist, war hinsichtlich der Montageschritte und -kosten Spielraum für Verbesserungen vorhanden.
  • US-A-4779259 offenbart eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, die ein Substrat für eine integrierte Halbleiterschaltung mit einer optischen Abtastvorrichtung in Form einer integrierten Schaltung umfaßt, die eine Laserdiode, einen Strahlteiler sowie einen Photodetektor umfaßt. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine derartige Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat des weiteren mit zwei oder mehr elektromagnetischen Windungen versehen ist, die auf einer Oberfläche des Substrats der integrierten Halbleiterschaltung durch eine Technologie für integrierte Schaltungen hergestellt werden, und von der aus ein Paar Leiter abgehen, mit einem Magneten zur Erzeugung eines Magnetfeldes (M), der auf einer Montageebene angebracht ist; und daß das Substrat durch eine elastische Trägereinrichtung in bezug auf die Montageebene innerhalb des magnetischen Feldes (M) beweglich getragen wird; wobei die Richtung und die Intensität des den Windungen und den Leitern zugeführten Stroms den Winkel des Substrats steuert, um so einen Spureinstellungsvorgang auszuführen.
  • Bevorzugte Ausführungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführung der vorliegenden Erfindung wird, wenn über die Leiter ein Strom in einer der magnetischen Windungen fließt, gemäß der Amper'schen Regel ein rechtsläufiges Magnetfeld in der Richtung, in der der Strom fließt, erzeugt. In diesem Fall wird, da die magnetischen Kraftlinien die elektromagnetische Spule durchdringen, eine Anziehungskraft bzw. eine Abstoßungskraft in einer Richtung der magnetischen Kraftlinien auf die elektromagnetische Windung ausgeübt. Dadurch bewegt sich das Substrat der integrierten Halbleiterschaltung ebenfalls in der positiven oder negativen Richtung der magnetischen Kraftlinien in der Richtung des magnetischen Feldes. Dadurch kann die integrierte Halbleitervorrichtung als ein Subminiatur-Betätigungselement wirken. Dementsprechend ist es möglich, ein Substrat einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer vorgegebenen Funktion zu bewegen und eine Positionssteuerung desselben auszuführen. So kann vorteilhafterweise ein optischer Kopf zum Aufzeichnen/Abspielen einer optischen Platte, der kleiner und leichter ist als der herkömmliche optische Kopf, geschaffen werden.
  • Darüber hinaus wird, wenn bei der obenerwähnten integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung eine Anordnung verwendet wird, bei der ein Substrat einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem zu messenden Gegenstand in Eingriff gebracht wird, um das Substrat der integrierten Halbleiterschaltung zu bewegen, in Übereinstimmung mit der Lenz'schen Regel in der elektromagnetischen Windung eine induzierte elektromotorische Kraft erzeugt, die Veränderungen des magnetischen Flusses verhindert, der die elektromagnetische Windung durchdringt. Dadurch fließt ein induzierter Strom. Indem dieser induzierte Strom über die Leiter abgenommen wird, um ihn mit einem Galvanometer zu messen, ist es möglich, sich über einen Betrag der Veränderungen des Meßobjektes zu informieren. Dadurch kann die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung als Subminiatur-Sensor arbeiten. Dementsprechend kann eine derartige Vorrichtung bei der Bewegung dieses Substrats der integrierten Halbleiterschaltung in einem Magnetfeld bzw. bei der Veränderung dieses Magnetfeldes durch Messen eines in der Windung erzeugten induzierten Stroms vorteilhafterweise als integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung verwendet werden, die eine Subminiatur-Sensorfunktion zum Messen von Veränderungen einer physikalischen Größe, wie beispielsweise der Verschiebung, des Drucks, des Magnetismus oder ähnlichem aufweist.
  • Bei den beigefügten Zeichnungen ist:
  • Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen optischen Kopfes zeigt;
  • Fig. 2 eine Schnittansicht des in Fig. 1 dargestellten optischen Kopfes;
  • Fig. 3 eine begriffliche Ansicht zur Erläuterung einer Ausführung einer integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung, die als Grundlage für die vorliegende Erfindung dient;
  • Fig. 4 eine Ansicht, die den Aufbau eines optisches Kopfes zeigt, der als Grundlage der vorliegenden Erfindung dient;
  • Fig. 5 ein Schnitt durch den optischen Kopf entlang der Linie V-V in Fig. 4;
  • Fig. 6 eine Ansicht, die die Vorderseite eines Substrats einer integrierten Halbleiterschaltung in dem in Fig. 4 dargestellten optischen Kopf zeigt;
  • Fig. 7 eine Ansicht, die die Rückseite des in Fig. 6 dargestellten Substrats der integrierten Halbleiterschaltung zeigt;
  • Fig. 8 eine Ansicht, die eine flexible Leiterplatte in dem in Fig. 4 dargestellten optischen Kopf zeigt;
  • Fig. 9 eine Draufsicht, die die Vorderseite einer Ausführung der gemäß der vorliegenden Erfindung gebauten integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung zeigt;
  • Fig. 10 eine Ansicht, die den Aufbau eines optisches Kopfes zeigt, der eine weitere Ausführung der vorliegenden Erfindung darstellt; und
  • Fig. 11 ein Schnitt durch den optischen Kopf entlang der Linie XI-XI in Fig. 10.
  • Vor der Beschreibung der Ausführungen der vorliegenden Erfindung wird zum besseren Verständnis der vorliegenden Erfindung ein herkömmlicher optischer Kopf beschrieben.
  • Der herkömmliche optische Kopf ist wie in Fig. 1 und 2 dargestellt aufgebaut.
  • In Fig. 1 und 2 ist ein Halbleiterchip 101, auf dem eine optische Abtastvorrichtung in Form einer integrierten Schaltung ausgebildet ist, auf einem zylindrischen Spulenkörper 112 angebracht bzw. befestigt. Eine elektromagnetische Spule 110 ist auf der zylindrischen Fläche des Spulenkörpers 112 vorhanden. Der Spulenkörper 112 ist in einem Einführungsloch 118 an einem zylindrischen Abschnitt 117 eines unteren Jochs 116 eines Magneten 114 so angebracht, daß er darauf aufsitzt und in der axialen Richtung des zylindrischen Abschnitts 117 (Richtung A-A) beweglich ist.
  • In diesem Fall besteht durch den Magneten 114 ein Magnetfeld. Wenn über Leitungsdrähte 111 ein Strom in der elektromagnetischen Spule 110 fließt, wird eine elektromagnetische Kraft auf die elektromagnetische Spule 110 ausgeübt, so daß sie sich in der Richtung A-A bewegt. Durch diesen Vorgang ist es möglich, beispielsweise eine Fokussierservosteuerung des Halbleiterchips 101 vorzunehmen. Bei diesem Beispiel bilden die elektromagnetsche Spule 110 und der Magnet 114 ein Fokussierbetätigungselement.
  • Der Hintergrund der vorliegenden Erfindung ist wie in Fig. 3 dargestellt, aufgebaut.
  • In Fig. 3 ist die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 1 so aufgebaut, daß eine elektromagnetische Windung 3 auf einem Substrat 2 einer integrierten Halbleiterschaltung vorhanden ist. Ein Paar Leiter 4 führen aus der elektromagnetischen Windung 3 heraus. Darüber hinaus ist das Substrat 2 der integrierten Halbleiterschaltung beweglich in einem Magnetfeld M angeordnet.
  • Wenn in Fig. 3 über die Leiter 4 ein Strom in der elektromagnetischen Windung 3 fließt, wird entsprechend der "Ampere'schen Regel" ein rechtsläufiges Magnetfeld in der Richtung erzeugt, in der dieser Strom fließt. In diesem Fall wird, da magnetische Kraftlinien aufgrund des magnetischen Feldes M die elektromagnetische Windung 3 durchdringen, eine Anziehungskraft bzw. eine Abstoßungskraft in der Richtung 5 des magnetischen Feldes M auf die elektromagnetische Windung 3 ausgeübt. Dadurch bewegt sich auch das Substrat 2 der integrierten Halbleiterschaltung in der positiven bzw. negativen Richtung 5 des Magnetfeldes M. Dadurch kann die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 1 als Betätigungselement wirken.
  • Bei der obenerwähnten integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung 1 wird, wenn eine Konstruktion eingesetzt wird, bei der das Substrat 2 der integrierten Halbleiterschaltung mit einem Meßobjekt, das damit bewegt wird, in Eingrif ist, entsprechend der "Lenz'schen Regel" eine induzierte elektromagnetische Kraft erzeugt, die Veränderungen in dem magnetischen Fluß verhindert, der die eleictromagnetische Windung durchdringt. Dadurch fließt ein induzierter Strom. Indem dieser induzierte Strom über die Leiter 4 abgenommen wird, um ihn mit einem Galvanometer (nicht dargestellt) zu messen, ist es möglich, einen Betrag der Veränderungen des Meßobjektes durch eine umgekehrte Operation (inverse operation) zu bestimmen. Dadurch kann die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung 1 als Sensor wirken.
  • Dieser in Fig. 4 und 5 dargestellte optische Kopf 11 umfaßt ein Substrat 12 einer integrierten Halbleiterschaltung, einen Magneten 15, der ein Magnetfeld erzeugt, sowie eine flexible Leiterplatte 16 als Trägereinrichtung, die als Leiter dient.
  • Eine optische Abtasteinrichtung 18 in Form einer integrierten Schaltung ist auf der Vorderseite 12A des Substrates 12 der integrierten Halbleiterschaltung ausgeformt, und eine elektromagnetische Windung 13 ist auf der Rückseite 12B derselben ausgeformt. Die der optischen Platte D gegenüberliegende Vorderseite 12A des Substrates 12 der integrierten Halbleiterschaltung, und die ihrer Rückseite entsprechende Seite 12B, die dem Magneten 15 gegenüberliegt, sind in Fig. 6 bzw. 7 dargestellt.
  • Die optische Abtastvorrichtung 18 in Form einer integrierten Schaltung umfaßt eine Laserdiode 18L, einen fokussierenden Gitterkoppler 18C, einen Gitterstrahlteiler 18S sowie Photodetektoren 18D.
  • Die Laserdiode 18L erzeugt einen Laserstrahl. Dieser Laserstrahl wird über eine optische Wellenleiterschicht (nicht dargestellt) des Substrates 12 der integrierten Halbleiterschaltung zu dem fokussierenden Gitterkoppler 18C geleitet. Der fokussierende Gitterkoppler 18C verändert den Laserstrahl so, daß er durch die Objektlinsenwirkung die Form von Punkten annimmt, um ihn auf Informationsvertiefungen auf der Aufzeichnungsoberfläche der optischen Platte D zu fokussieren. Der Laserstrahl wird auf der Oberfläche der Informationsvertiefungen reflektiert. Das reflektierte Licht fällt zum zweiten Mal auf den fokussierenden Gitterkoppler 18C zurück und wird dann zu dem Gitterstrahlteiler 18S geleitet. Der Gitterstrahlteiler 18S teilt das reflektierte Licht in zwei Lichtwege. Diese beiden geteilten Lichtstrahlen treffen auf vier Photodetektoren 18D auf. Diese Photodetektoren 18D geben elektrische Signale ab, die einer Menge auftreffender Lichtstrahlen entsprechen. Aus diesen elektrischen Signalen werden Informationssignale und Signale für die Servosteuerung erzeugt.
  • Darüber hinaus ist die elektromagnetische Windung 13 auf der Seite 12B vorhanden. Magnetische Kraftlinien, die auf einem durch den Magneten 15 erzeugten Magnetfeld beruhen, durchdringen die elektromagnetische Windung 13 auf dem Substrat 12 der integrierten Halbleiterschaltung.
  • Die flexible Leiterplatte 16, wird, wie in Fig. 8 dargestellt, gebildet, indem ein elastisches Element 165, wie beispielsweise eine Metallfolie, die ausreichend Steifigkeit und Elastizität aufweist, und Zuführungsleitungen 16L von Leitern zur Verdrahtung auf eine folienartige Matrix 16M mit elastischen und isolierenden Eigenschaften, wie beispielsweise ein Kunststoffmaterial, aufgebracht werden.
  • Die elektrische Verbindung zwischen den Zuführungsleitungen 16L und der optischen Abtastvorrichtung 18 in Form einer integrierten Schaltung bzw. der elektromagnetischen Windung 13 wird durch Lötanschlüsse 16T hergestellt.
  • Diese flexible Leiterplatte 16 wird, wie in Fig. 4 und 5 gezeigt, hergestellt, indem die beiden Endabschnitte einer bandförmigen flexiblen Leiterplatte gebogen werden, so daß sie die Oberfläche des Magneten 15 so bedecken, daß sie die Form eines Zylinders oder einer Blattfeder annehmen. Darüber hinaus ist das Substrat 12 der integrierten Halbleiterschaltung direkt oberhalb des Magneten 15 an der Oberfläche dieser flexiblen Leiterplatte 16 angebracht bzw. befestigt. Dementsprechend wird das Substrat 12 der integrierten Halbleiterschaltung elastisch von der flexiblen Leiterplatte 16 gehalten. Dadurch kann sich dieses Substrat in der Richtung der optischen Platte D (Richtung B-B) bewegen. In diesem Fall ist der Abschnitt der flexiblen Leiterplatte 16 direkt oberhalb des fokussierenden Gitterkopplers 18C der optischen Abtasteinrichtung 18 in Form der integrierten Schaltung in Form eines Fensters ausgeschnitten, wie dies durch Bezugszeichen 16W in Fig. 8 angedeutet ist. Damit wird eine Anordnung geschaffen, die das Ausstrahlen des Laserstrahls nicht behindert.
  • Die Funktion des optischen Kopfes 11 wird im folgenden erläutert.
  • Wenn über die Zuführungsleitungen 16L, von einer Spannungsquelle (nicht dargestellt) bewirkt, ein Steuerstrom in der elektromagnetischen Windung 13 fließt, wird ein neues rechtsläufiges Magnetfeld in der Richtung des Steuerstroms in der elektromagnetischen Windung 13 erzeugt. Dementsprechend wird eine elektromagnetische Kraft in der Richtung B-B auf die elektromagnetische Windung 13 ausgeübt. Dadurch ist es, da die Kraft in der Richtung B-B auch auf das Substrat 12 der integrierten Halbleiterschaltung ausgeübt wird, möglich, den optischen Kopf 11 in der positiven oder negativen Richtung der optischen Platte D zu bewegen. So kann die Fokussiersteuerung des optischen Kopfes 11 ausgeführt werden.
  • Das Verfahren der Herstellung der auf dem Substrat der integrierten Halbleiterschaltung vorhandenen elektromagnetischen Windung sowie der Aufbau der elektromagnetischen Windung werden im folgenden erläutert. Die elektromagnetische Windung 13 wird hergestellt, indem ein Mehrschichtverbindungsherstellungsverfahren (multilayer interconnection formation technology) eingesetzt wird, das eines von Verfahren für integrierte Schaltungen ist, bei dem eine spiralförmige Windungsstruktur auf der Oberfläche eines Silikonsubstrats geätzt wird und Aluminium usw. im Vakuum darauf aufgedampft wird.
  • Die Struktur der elektromagnetischen Windung ist nicht auf die in Fig. 7 dargestellte Quadratspirale begrenzt. Es können darüber hinaus Kreis-, Ellipsen- oder andere -kurven eingesetzt werden. Diese Windungsstrukturen können nicht nur in einer planen Spiralform sondern auch in einer dreidimensionalen Spiral- oder Wendelform in Schichtrichtung auf gleiche Weise wie bei einer gewöhnlichen elektromagnetischen Spule durch Anwendung des Mehrschichtverbindungsverfahrens hergestellt werden.
  • Die Anzahl von Windungsstrukturen auf einem einzelnen Substrat einer integrierten Halbleiterschaltung ist nicht wie bei der in Fig. 7 dargestellten Struktur auf die Zahl Eins begrenzt. Bei einer Ausführung der vorliegenden Erfindung können zwei Windungsstrukturen oder mehr eingesetzt werden. Es gibt, wie in Fig. 9 dargestellt, eine Anordnung, bei der zwei elektromagnetische Windungen 13A und 13B vorhanden sind, so daß die optische Abtastvorrichtung 18 in Form der integrierten Schaltung zwischen ihnen angeordnet wird. In diesem Fall ist es durch Einstellung von Steuerströmen, die in einzelnen elektromagnetischen Windungen fließen, möglich, den Richtungswinkel eines Laserstrahls in bezug auf die optische Platte D zu ändern. Indem dies genutzt wird, kann auch Spureinstellungsservosteuerung des optisches Kopfes ausgeführt werden. Darüber hinaus kann die elektromagnetische Spule auf beiden Seiten des Substrats 12 der integrierten Halbleiterschaltung vorhanden sein.
  • Einen optischen Kopf, der eine weitere Ausführung einer erfindungsgemäßen integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung darstellt, zeigen Fig. 10 und 11.
  • Dieser optische Kopf 21 unterscheidet sich von dem optischen Kopf 11 der ersten Ausführung darin, daß vier elastische Träger 26 an dem Substrat 12 der integrierten Halbleiterschaltung als Trägereinrichtung anstelle der flexiblen Leiterplatte 16 des in Fig. 9 dargestellten optischen Kopfes der ersten Ausführung befestigt sind. Diese Träger 26 können nicht nur die Form einer Spirale, eines Stabes oder einer Platte usw. haben, sondern auch andere Formen. Darüber hinaus ist die Anzahl der Träger nicht, wie bei der Ausführung, auf vier beschränkt.
  • Auch bei dieser Ausführung ist es, indem über Leiter (nicht dargestellt) durch eine Spannungsquelle (nicht dargestellt) ein Steuerstrom durch die elektromagnetische Windung 13 geleitet wird, möglich, Fokussierservosteuerung auszuführen. Darüber hinaus wird auf die gleiche Weise wie in Fig. 9 dargestellt, eine Anordnung eingesetzt, die zwei elektromagnetische Windungen zur Ausführung von Spurservosteuerung bildet. Des weiteren gibt es, ähnlich wie bei der ersten Ausführung, keine Einschränkung hinsichtlich der Anzahl der Windungsstrukturen usw.
  • Darüber hinaus kann die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung nicht nur als eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung mit einer Betätigungsfunktion und eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung mit einer Sensorfunktion eingesetzt werden, sondern auch als eine integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung mit einer Betätigungsfunktion sowie einer Sensorfunktion, die miteinander kombiniert sind. Es kann beispielsweise auch so vorgegangen werden, daß des weiteren eine Geschwindigkeitswindung (velocity coil) zum Messen einer Geschwindigkeit des optischen Kopfes auf dem Substrat 12 der integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung vorhanden ist, so daß ein miniaturisierter optischer Kopf gebildet wird, der eine Geschwindigkeit zum Zeitpunkt einer Spursprungbewegung erfassen kann.

Claims (7)

1. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung, die ein Substrat (2,12) für eine integrierte Halbleiterschaltung mit einer optischen Abtastvorrichtung (18) in Form einer integrierten Schaltung umfaßt, die eine Laserdiode (18L), einen Strahlteiler (18S) sowie einen Photodetektor (18D) umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat des weiteren mit zwei oder mehr elektromagnetischen Windungen (13A,13B) versehen ist, die auf einer Oberfläche des Substrats der integrierten Halbleiterschaltung durch eine Technologie für integrierte Schaltungen hergestellt werden, und von der aus ein Paar Leiter (4,16L) abgehen, mit einem Magneten (15) zur Erzeugung eines Magnetfeldes (M), der auf einer Montageebene angebracht ist; und daß das Substrat durch eine elastische Trägereinrichtung (16) in bezug auf die Montageebene innerhalb des magnetischen Feldes (M) beweglich getragen wird; wobei die Richtung und die Intensität des den Windungen und den Leitern zugeführten Stroms den Winkel des Substrats steuert, um so einen Spureinstellungsvorgang auszuführen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Trägereinrichtung eine gebogene flexible Leiterplatte (16) ist.
3. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat (2,12) der integrierten Halbleiterschaltung darüber hinaus in der Richtung einer optischen Achse eines Laserstrahls beweglich ist, der von der optischen Abtastvorrichtung (18) in Form einer integrierten Schaltung emittiert wird.
4. Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung darüber hinaus so aufgebaut ist, daß das Substrat (2,12) der integrierten Halbleiterschaltung in Funktion mit einem Meßobjekt in Eingriff ist und einen Strom in einer zusätzlichen elektromagnetischen Windung induziert, wodurch die integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung als Sensor betrieben werden kann.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei der Sensor ein Sensor zum Messen von Verschiebung ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei der Sensor ein Sensor zum Messen von Druck ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei der Sensor ein Sensor zum Messen von Magnetismus ist.
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