JPS635307A - 光導波装置 - Google Patents
光導波装置Info
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- JPS635307A JPS635307A JP61147201A JP14720186A JPS635307A JP S635307 A JPS635307 A JP S635307A JP 61147201 A JP61147201 A JP 61147201A JP 14720186 A JP14720186 A JP 14720186A JP S635307 A JPS635307 A JP S635307A
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- optical waveguide
- refractive index
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- optical
- waveguide device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
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- Optical Head (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光学的記録再生装置に利用される光導波装置
に関し、さらに具体的に記述すれば、導波型出力レンズ
の集光位置を電気的に制御し得る光導波装はに関するも
のである。
に関し、さらに具体的に記述すれば、導波型出力レンズ
の集光位置を電気的に制御し得る光導波装はに関するも
のである。
(従来の技術)
最近の光情報処理分野においては、光ディスク等の光学
的記録再生装置は、データの書込み、読出し用としてレ
ーザ光が用いられている。レーザ光は記録媒体上に集光
して、記録媒体の反射率変化によって情報を読み出す。
的記録再生装置は、データの書込み、読出し用としてレ
ーザ光が用いられている。レーザ光は記録媒体上に集光
して、記録媒体の反射率変化によって情報を読み出す。
通常、レーザ光は、回折限界に近い波長の数分の一程度
のスポット径にまで、レンズを用いて集光されるが、読
取り位置が変わると、集光距離や情報の書き込まれた位
置すなわちトラックが変化するため、絶えずレンズの位
置を、!ill察する機能が゛必要である。
のスポット径にまで、レンズを用いて集光されるが、読
取り位置が変わると、集光距離や情報の書き込まれた位
置すなわちトラックが変化するため、絶えずレンズの位
置を、!ill察する機能が゛必要である。
従来、このような光ピツクアップに用いられているフォ
ーカシング機能とトラッキング機能は、第4図に示すよ
うな磁石と2個のコイルを用いて行われていた。光ピツ
クアップは、磁石1の磁極laおよびlbの間に、平行
にフォーカシング用コイル2.直角にトラッキング用コ
イル3を備えたレンズ4が配設され、半導体レーザ5の
発生するレーザ光をディスク6の表面の記録トラック7
に集光する構造である。
ーカシング機能とトラッキング機能は、第4図に示すよ
うな磁石と2個のコイルを用いて行われていた。光ピツ
クアップは、磁石1の磁極laおよびlbの間に、平行
にフォーカシング用コイル2.直角にトラッキング用コ
イル3を備えたレンズ4が配設され、半導体レーザ5の
発生するレーザ光をディスク6の表面の記録トラック7
に集光する構造である。
集光位置が光ディスク6の表面から外れた場合には、フ
ォーカシング用コイル2に流れる電流が変化して上下方
向に調整して、集光位置が光ディスク6の表面に来るよ
うにする。同様に、集光位置が光ディスク6の表面で記
録トラック7からずれた場合には、トラッキング用コイ
ル3に流れる電流が変化してレンズ4を左右方向に調整
する。
ォーカシング用コイル2に流れる電流が変化して上下方
向に調整して、集光位置が光ディスク6の表面に来るよ
うにする。同様に、集光位置が光ディスク6の表面で記
録トラック7からずれた場合には、トラッキング用コイ
ル3に流れる電流が変化してレンズ4を左右方向に調整
する。
また、近年、第5図に示す光集積ピックアップが発表さ
れた(電子通信学会論文誌’85/10 Vol、J6
8− CNo、 10)。
れた(電子通信学会論文誌’85/10 Vol、J6
8− CNo、 10)。
同図において、光集積ピックアンプは、基板8の表面に
形成した光導波層9の一部に導波型出力レンズ10(集
光グレイティングカップラ)を設け、上記の光導波層9
の端に装着した半導体レーザ11の発生するレーザ光を
集光スポット12に集光するものである。半導体レーザ
11から出るレーザ光は、光導波層9の中の光導波路9
aに沿って導波し、導波型出力レンズ10で外部に取り
出され、9i&光スポツト12に集光される。
形成した光導波層9の一部に導波型出力レンズ10(集
光グレイティングカップラ)を設け、上記の光導波層9
の端に装着した半導体レーザ11の発生するレーザ光を
集光スポット12に集光するものである。半導体レーザ
11から出るレーザ光は、光導波層9の中の光導波路9
aに沿って導波し、導波型出力レンズ10で外部に取り
出され、9i&光スポツト12に集光される。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、第4図に示した磁石1と2個のコイル2
および3を用いてレンズ4を動かし、集光位置を調整す
る機械的な方法は、応答速度が遅く、せいぜい数10M
Hz程度の情報処理速度しか得られないという問題があ
った。また、第5図に示した光ピツクアップでは、集積
化構成にも拘らず、フォーカシングおよびトラッキング
機能がないという問題があった。
および3を用いてレンズ4を動かし、集光位置を調整す
る機械的な方法は、応答速度が遅く、せいぜい数10M
Hz程度の情報処理速度しか得られないという問題があ
った。また、第5図に示した光ピツクアップでは、集積
化構成にも拘らず、フォーカシングおよびトラッキング
機能がないという問題があった。
本発明は上記の問題点を解決するもので、集光スポット
の位置調整機能を有する光導波装置を提、供するもので
ある。
の位置調整機能を有する光導波装置を提、供するもので
ある。
(問題点を解決するための手段)
上記の問題点を解決するため、本発明は、光導波装置に
形成される光導波路の一部に屈折率調整機能を有する屈
折率調整領域を設けるものである。
形成される光導波路の一部に屈折率調整機能を有する屈
折率調整領域を設けるものである。
さらに、屈折率調整領域には、光導波装置が半導体材料
で形成される時は、電流注入によって屈折率が変化する
屈折率調整機能を用い、誘電体材料で形成される時は、
ポッケルス効果又はカー効果により屈折率が変化する屈
折率調整機能を用いる。
で形成される時は、電流注入によって屈折率が変化する
屈折率調整機能を用い、誘電体材料で形成される時は、
ポッケルス効果又はカー効果により屈折率が変化する屈
折率調整機能を用いる。
また、上記の屈折率調整領域の形状は短冊状または短冊
形又はくさび形とし、光導波路にほぼ垂直に配置する。
形又はくさび形とし、光導波路にほぼ垂直に配置する。
(作 用)
このような構成により、屈折率調整領域の屈折率を制御
することによって、レンズ側から見た等測的な光源位置
を変化させて、導波型出力レンズへのレーザ光の入射角
を変え、集光スポットの位置を変化するものである。
することによって、レンズ側から見た等測的な光源位置
を変化させて、導波型出力レンズへのレーザ光の入射角
を変え、集光スポットの位置を変化するものである。
上記の屈折率調整領域の作用について、第3図により説
明する。同図において、1点鎖線で示した中心線に垂直
に、実線で描いた短冊形が屈折率調整領域13.中心線
上の点RおよびR′が光源位置14および等価光源位置
15である。
明する。同図において、1点鎖線で示した中心線に垂直
に、実線で描いた短冊形が屈折率調整領域13.中心線
上の点RおよびR′が光源位置14および等価光源位置
15である。
今、光導波層の絶対屈折率をn、屈折率調整領域13の
絶対屈折率をn+Δn、屈折率調整領域13の幅をd、
屈折率調整領域13への入射角をθ、屈折角をθ′とす
ると1次の式が成り立つ6n sinθ=(n+Δn)
sinθ’ −(1)COSθ =d□・□、−1 ・・・(2) n+Δn cosθ 従って1例えば、n =3.3.Δn==4X10−”
、d=320pm、 0 =30’の時、光源位置が
1pm変化する。
絶対屈折率をn+Δn、屈折率調整領域13の幅をd、
屈折率調整領域13への入射角をθ、屈折角をθ′とす
ると1次の式が成り立つ6n sinθ=(n+Δn)
sinθ’ −(1)COSθ =d□・□、−1 ・・・(2) n+Δn cosθ 従って1例えば、n =3.3.Δn==4X10−”
、d=320pm、 0 =30’の時、光源位置が
1pm変化する。
また、レンズ公式から次の式が成り立つ。
ここで、fは焦点距離、aは光源とレンズの距離、bは
光源と集光スポットの距離である。
光源と集光スポットの距離である。
(3)式を距離で微分すると、
の関係が得られ、光源からレンズまでの距離aのをΔb
だけ変化する。上述のようにΔa=1μmの量としてΔ
b=toμmが得られる。
だけ変化する。上述のようにΔa=1μmの量としてΔ
b=toμmが得られる。
このように、屈折率調整領域の屈折率を制御することに
より、集光スポットの位置を変化することができる。
より、集光スポットの位置を変化することができる。
この屈折率制御は、半導体材料では電源電流注入で、誘
電体材料ではポッケルス効果およびカー効果によって行
えるので、外部からの制御電流又は制御電圧によって連
続的に屈折率を変化することができ、従って、集光スポ
ットの位置も連続的に調整することができる。
電体材料ではポッケルス効果およびカー効果によって行
えるので、外部からの制御電流又は制御電圧によって連
続的に屈折率を変化することができ、従って、集光スポ
ットの位置も連続的に調整することができる。
(実施例)
本発明の実施例2例について、第1図および第2図によ
り説明する6 第1図は本発明による第1の実施例の光導波装置の斜視
図で、第5図に示した光ピツクアップと同じ構成部品に
は同一記号を付し、その説明を省略する。
り説明する6 第1図は本発明による第1の実施例の光導波装置の斜視
図で、第5図に示した光ピツクアップと同じ構成部品に
は同一記号を付し、その説明を省略する。
同図において、本発明による光導波装置は、光導波層9
の中の光導波路9aの中間に、短冊形の屈折率調整領域
13が設けられている。
の中の光導波路9aの中間に、短冊形の屈折率調整領域
13が設けられている。
屈折率調整領域13の屈折率変化量Δnがゼロの時は、
半導体レーザ11から出るレーザ光は、実線で示す光導
波路9aを経て、集光スポット12に集光する。屈折率
変化量Δnがゼロより大きくなった時は、レーザ光は屈
折率調整領域13で曲げられ破線で示す光導波路9bを
経て、集光スポット16に集光する。
半導体レーザ11から出るレーザ光は、実線で示す光導
波路9aを経て、集光スポット12に集光する。屈折率
変化量Δnがゼロより大きくなった時は、レーザ光は屈
折率調整領域13で曲げられ破線で示す光導波路9bを
経て、集光スポット16に集光する。
このようにして、レーザ光にほぼ垂直に配置した短冊形
の屈折率調整領域13を制御することによって、フォー
カシング機能を遂行することができる。
の屈折率調整領域13を制御することによって、フォー
カシング機能を遂行することができる。
第2図は本発明による第2の実施例の光導波層れの斜視
図で、第1図に示した第1の実施例と異なる点は、屈折
率調整領域17が、くさび形の2個の屈折率調整領域1
7aおよび17bを尖端を食い違いに配置して短冊状に
構成されたことである。
図で、第1図に示した第1の実施例と異なる点は、屈折
率調整領域17が、くさび形の2個の屈折率調整領域1
7aおよび17bを尖端を食い違いに配置して短冊状に
構成されたことである。
屈折率調整領域17の屈折率変化量Δnがゼロの時は、
集光スポット12に集光することは、上述の第1の実施
例と変わらない。くさび形の屈折率調整領域17aおよ
び17bの一方の屈折率変化量Δnがゼロに等しくない
時は、半導体レーザ11から出るレーザ光は、屈折率調
整領域17で左右何れかの方向に曲げられ、破線で示す
光導波路9Cを経て集光スポット18に集光する。
集光スポット12に集光することは、上述の第1の実施
例と変わらない。くさび形の屈折率調整領域17aおよ
び17bの一方の屈折率変化量Δnがゼロに等しくない
時は、半導体レーザ11から出るレーザ光は、屈折率調
整領域17で左右何れかの方向に曲げられ、破線で示す
光導波路9Cを経て集光スポット18に集光する。
このように、2個のくさび形を組み合わせた屈折率調整
領域17を用いると、前述のトラッキング機能を遂行す
ることができる。
領域17を用いると、前述のトラッキング機能を遂行す
ることができる。
なお1本実施例の基板8および光導波層9の材料として
GaAs/AlxGa、−xAs系、 InxGa、−
xAs、Pl−。
GaAs/AlxGa、−xAs系、 InxGa、−
xAs、Pl−。
/ InP系等の半導体材料でも良く、また、LiNb
0. 。
0. 。
PLZT、 ZnO等の誘電体材料でも良く、レーザ光
の波長に対して透明な材料で構成すれば良い。また、屈
折率調整領域は、使用目的に応じて複数個配列しても良
い。レーザ光の発生は、半導体レーザ、ガスレーザある
いは固体レーザの何れでも良い。
の波長に対して透明な材料で構成すれば良い。また、屈
折率調整領域は、使用目的に応じて複数個配列しても良
い。レーザ光の発生は、半導体レーザ、ガスレーザある
いは固体レーザの何れでも良い。
(発明の効果)
以上説明したように1本発明は、光導波路と。
この光導波路による導波光を集光して外部に取り出す導
波型出力レンズを設けた光導波装置に、上記の光導波路
の一部に屈折率調整領域を設けることによって、高速で
フォーカシングおよびトラッキングが行える小形の光導
波装置が可能となる。
波型出力レンズを設けた光導波装置に、上記の光導波路
の一部に屈折率調整領域を設けることによって、高速で
フォーカシングおよびトラッキングが行える小形の光導
波装置が可能となる。
また、これを採用することにより、光ディスク等の光情
報処理能力を大幅に向上することが可能となる。
報処理能力を大幅に向上することが可能となる。
第1図および第2図はそれぞれ本発明による第1および
第2の実施例の光導波装置の斜視図、第3図は本発明の
集光位置調整作用を説明するための主要部構成図、第4
図は従来の光ピツクアップの構成図、第5図は従来の光
集積ピックアップの斜視図である。 1 ・・・磁石、la、lb・・・磁極、 2 ・・・
フォーカシング用コイル、 3 ・・・ トラッキング
用コイル、 4 ・・・ レンズ、 5,11・・・半
導体レーザ、 6 ・・・光ディスク、7 ・・・記録
トラック、 8 ・・・基板、 9・・・光導波層、
9a、 9b、 9c・・・光導波路、10・・・導
波型出力レンズ(集光グレイティングカップラ)、12
.16.18・・・集光スポット、 13.17(1
7a、 17b)−屈折率調整領域、14・・・光源位
置、15・・・等価光源位置。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 司・ −−゛)1
; 丁−)− 81昇 −票1;) 、−11・′ 第1図 第2図 1’7 (17a、i’/b) 、−aL伽’TNEi
l’ff1AF氏第3図 d− 15−4(血元J伍直 第4図 7−−−記録トフツク 第5図
第2の実施例の光導波装置の斜視図、第3図は本発明の
集光位置調整作用を説明するための主要部構成図、第4
図は従来の光ピツクアップの構成図、第5図は従来の光
集積ピックアップの斜視図である。 1 ・・・磁石、la、lb・・・磁極、 2 ・・・
フォーカシング用コイル、 3 ・・・ トラッキング
用コイル、 4 ・・・ レンズ、 5,11・・・半
導体レーザ、 6 ・・・光ディスク、7 ・・・記録
トラック、 8 ・・・基板、 9・・・光導波層、
9a、 9b、 9c・・・光導波路、10・・・導
波型出力レンズ(集光グレイティングカップラ)、12
.16.18・・・集光スポット、 13.17(1
7a、 17b)−屈折率調整領域、14・・・光源位
置、15・・・等価光源位置。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 司・ −−゛)1
; 丁−)− 81昇 −票1;) 、−11・′ 第1図 第2図 1’7 (17a、i’/b) 、−aL伽’TNEi
l’ff1AF氏第3図 d− 15−4(血元J伍直 第4図 7−−−記録トフツク 第5図
Claims (4)
- (1)光導波路と、この光導波路の導波光を集光して外
部に取り出す導波型出力レンズとを有する光導波装置に
おいて、上記の光導波路の一部に屈折率調整機能を設け
たことを特徴とする光導波装置。 - (2)光導波装置が半導体材料で形成され、屈折率調整
機能が、電流注入による屈折率の変化を用いて行われる
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光導
波装置。 - (3)光導波装置が誘電体材料で形成され、屈折率調整
機能が、ポッケルス効果又はカー効果による屈折率変化
を用いて行われることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項記載の光導波装置。 - (4)屈折率調整機能を有する領域の形状が、短冊状又
はくさび状で、レーザ光に体してほぼ垂直に配置された
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光導
波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61147201A JPS635307A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光導波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61147201A JPS635307A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光導波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS635307A true JPS635307A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15424843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61147201A Pending JPS635307A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 光導波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS635307A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02110838A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光情報処理装置 |
JPH0354738A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録再生装置 |
JPH03268235A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-28 | Pioneer Electron Corp | 半導体集積回路装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5969732A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-20 | Omron Tateisi Electronics Co | 薄膜型2次元フオ−カシング装置 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61147201A patent/JPS635307A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5969732A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-20 | Omron Tateisi Electronics Co | 薄膜型2次元フオ−カシング装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0354738A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録再生装置 |
JPH03268235A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-28 | Pioneer Electron Corp | 半導体集積回路装置 |
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