DE68923129T2

DE68923129T2 - Verpackungselement für Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Verpackungselementes.

Info

Publication number: DE68923129T2
Application number: DE68923129T
Authority: DE
Inventors: Hiromichi Intellectual Sawaya
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-07-06
Filing date: 1989-07-05
Publication date: 1995-11-30
Anticipated expiration: 2009-07-06
Also published as: EP0350003A3; JPH0219271A; DE68923129D1; EP0350003B1; US5136827A; EP0350003A2; KR900001568A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Hüllelement für Halbleitervorrichtungen, und auf ein Verfahren zur Herstellung desselben.
Ein derartiges Hüllelement, das ein Trägerband zum Halten bzw. Aufnehmen einer Halbleitervorrichtung aufweist, ist aus der Druckschrift US-A-4 702 788 bekannt.
Ein weiteres Hüllelement ist in der Druckschrift FR-A-2 370 430 offenbart.
Weiter wird auf die Druckschrift EP-A-0 228 102 Bezug genommen, gemäß der verhältnismäßig tiefe Vertiefungen in einem Verpackungsband für elektrische und/oder elektronische Komponenten gebildet sind, ohne ungewollte Risse zu bilden (siehe Spalte 3, Zeilen 7-11) . In gegebenen, vorbestimmten Bereichen wird eine Kerbe, ein Einschnitt oder Riß im streifenförmigen Träger vor oder während der Verformung zur Ausbildung der Vertiefungen vorgesehen. Da die Vertiefungen durch einen Kaltziehprozeß gebildet werden, werden anschließend an den Seitenwänden der Vertiefungen einer definierten Eorm und Größe absichtlich Öffnungen hergestellt (vgl. die Öffnungen 21 in fig. 1).
Gewöhnlich werden ICs des Oberflächenmontagetyps in großen Mengen an den Benutzer geliefert. In einigen Fällen werden zehntausende von ICs dem Benutzer geliefert. Um die ICs während des Transportes zu schützen, werden sie mit einem Bandelement umhüllt, wobei sie voneinander beabstandet sind.
Ein Beispiel eines Bandelementes ist in den Fig. 3A, 3B und 3C dargestellt. Wie gezeigt, umfaßt das Bandelement ein etwa 300 um dickes Trägerband 1, das aus einem organischen Material, wie etwa Vinylchloridharz oder Polyimid gebildet ist und eine Vielzahl von vertieften Abschnitten aufweist, die in Längsrichtung des Bandes angeordnet sind. Ein Versiegelungsband 2 ist aus dem gleichen organischen Material wie das Trägerband 1 hergestellt und besitzt eine Dicke von 50 bis 100 um. Nach der Herstellung in der Fabrik werden die ICs getestet, um Defekte ICs auszuscheiden; und nur diejenigen ICs, die die Prüfung bestanden haben, werden nacheinander in die entsprechenden vertieften Abschnitte eingesetzt. Nachdem die ICs in die vertieften Abschnitte eingesetzt sind, werden die vertieften Abschnitte mit dem Versiegelungsband 2 bedeckt und dann durch Thermokompressionsbonden versiegelt. Ehe sie zum Benutzer befördert werden, werden die versiegelten ICs einem Haltbarkeits- und Feuchtigkeitsfestigkeitstest unterzogen. Bei diesem Test werden die ICs während etwa 20 Stunden in einer Umgebung gehalten, deren Temperatur 85ºC, und deren Feuchtigkeit beispielsweise 85% beträgt, um auf diese Weise festzustellen, ob die Harzabschnitte der Halbleiterchips der ICs reißen, oder nicht. Falls der Test bestanden wird, wird das Bandelement, in welchem die ICs versiegelt sind, auf eine Bandspule 6 gewickelt. Es sei darauf hingewiesen, daß das aus dem oben genannten organischen Material hergestellte Bandelement keine ausreichende Wärmefestigkeit, Feuchtigkeitsfestigkeit oder Strahlungsfestigkeit besitzt. Daher wird das Bandelement in einem Aluminiumbehälter versiegelt, nachdem es auf die Bandspule 6 gewickelt worden ist. In diesem Zustand werden die ICs zum Benutzer transportiert.
Wie oben erwähnt, besitzt das Bandelement keine ausreichende thermische Fetigkeit, Feuchtigkeitsfestigkeit oder Strahlungsfestigkeit und ist daher in einem Aluminiumbehälter versiegelt. Selbst wenn der Benutzer nur einige ICs benötigt, muß er den Aluminiumbehälter öffnen, mit dem Ergebnis, daß alle im Aluminiumbehälter versiegelten ICs sowohl der Strahlung, als auch der Feuchtigkeit ausgesetzt werden. Daher ist es wahrscheinlich, daß die ICs durch Strahlung ungünstig beeinflußt werden. Es ist weiter wahrscheinlich, daß die ICs Feuchtigkeit aus der Atmosphäre aufnehmen, zusätzlich zu der darin beim Feuchtigkeitswiderstandstest des absorbierten Feuchtigkeit. Falls in den ICs eine überschußmenge an Feuchtigkeit enthalten ist, wird sie verdampfen, wenn die ICs durch Löten auf einer Platte montiert werden, was die innere Struktur der ICs ungünstig beeinflußt. Darüber hinaus können die Harzabschnitte der ICs reißen; oder es können Bondierungsflecken (die auf Aluminium oder dergleichen gebildet sind), korrodieren, was zu elektrischen Unterbrechungen führt. Wenn ICs exportiert werden, um sie zu einem Benutzer im Ausland zu transportieren, muß der die ICs enthaltene Behälter beim Zoll geöffnet werden. Wenn der Behälter geöffnet wird, werden die im Behälter befindlichen ICs der Strahlung oder der Feuchtigkeit ausgesetzt, ehe sie an den Benutzer geliefert werden. Es sei weiter darauf hingewiesen, daß das aus einem organischen Material hergestellte Bandelement keine ausreichende mechanische Festigkeit besitzt und daher während des Transportes sorgfältig gehandhabt werden muß.
Um die genannten Probleme zu lösen, wird auf seiten des Benutzers eine Abdichtoperation bzw. Verstärkungsoperation erforderlich. Diese Abdichtoperation ist für den Benutzer sehr aufwendig, da die ICs während 20 Stunden bei einer Temperatur von etwa 50ºC, oder während 48 Stunden bei einer Temperatur von etwa 70ºC gehalten werden müssen. Weiter besteht eine zunehmende Tendenz zur Verwendung dünnerer IC- Umhüllungen, so daß bei den auf einer Platte zu montierenden ICs eine höhere Dichte ermöglicht wird. Unter diesen Umständen ist in Fachkreisen die Entwicklung von Bandelementen gefordert worden, die frei von Harzrissen oder Halbleiterchiprissen sind.
Es ist demgemäß ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Hüllelement für Halbleitervorrichtungen zu schaffen, das keine Feuchtigkeit absorbiert, eine hervorragende mechanische Festigkeit, thermische Festigkeit und Strahlungsfestigkeit besitzt, keinen speziellen Behandlungsschritt auf Seiten des Benutzers erfordert, und einen groben Anwendungsbereich aufweist.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein Hüllelement für eine Halbleitervorrichtung geschaffen, das umfaßt:
ein Trägerband, das geprägt ist, um einen vertieften Abschnitt zum Aufnehmen der Halbleitervorrichtung zu bilden; und
ein Abdeckband, das am Trägerband angeheftet ist, so daß es den vertieften Abschnitt bedeckt und den vertieften Abschnitt in feuchtigkeitsdichter Weise versiegelt, wobei mindestens eines der Bänder, das Trägerband oder das Abdeckband, einen auf ihm gebildeten dünnen metallischen Film aufweist.
Wie bemerkt, umfaßt das Hüllelement gemäß der Erfindung einen dünnen metallischen Film auf der Oberfläche mindestens des Trägerbandes oder des Verriegelungsbandes. Daher erlaubt das Hüllelement der Feuchtigkeit oder der Strahlung nicht den Durchtritt. Darüber hinaus besitzt das Bandelement eine hohe Festigkeit gegen Stoß und Wärme und hat einen weiten Anwendungsbereich.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Hüllelement für Halbleitervorrichtungen geschaffen, das umfaßt:
ein Umhüllungskästchen zum Aufnehmen einer Vielzahl von Halbleitervorrichtungen, wobei das Umhüllungskästchen einen inneren bereich aufweist, der in eine Vielzahl von Fächern unterteilt ist;
einen dünnen metallischen Film, der auf dem Umhüllungskästchen gebildet ist; und
ein Abdeckband, das am Umhüllungskästchen angeheftet ist, so daß die Fächer innerhalb des Umhüllungskästchens in feuchtigkeitsdicher Weise versiegelt sind.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Hüllelementes zum Aufnehmen von Halbleitervorrichtungen geschaffen, das umfaßt:
einen Schritt zum Formen eines organischen Materials in eine vorbestimmte Gestalt;
einen Schritt zum Bilden eines dünnen metallischen Films auf dem organischen Material, das in die vorbestimmte Gestalt geformt ist; und
einen Schritt zum Versiegeln des Hüllelementes in einer feuchtigkeitsdichten Weise mit dem Abdeckband.
Die vorliegende Erfindung kann anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen besser verstanden werden.
Fig. 1A, 1B und 1C stellen jeweils entsprechend eine perspektivische Ansicht, eine Querschnittsansicht und eine Draufsicht eines Bandelementes für Halbleitervorrichtungen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
Fig. 1D ist eine perspektivische Ansicht eines Bandelementes gemäß einer Modifikation der ersten Ausführungsform, bei dem vertiefte Abschnitte in einer Vielzahl von Zeilen angeordnet sind;
Fig. 2A und 2B sind Querschnittsansichten, die eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
Fig. 3A, 3B und 3C stellen jeweils entsprechend eine perspektivische Ansicht, eine Schnittansicht und eine Draufsicht auf ein Bandelement für Halbleitervorrichtungen dar, bei denen die vorliegende Erfindung nicht angewandt wird;
Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht einer Anlage zur Herstellung des Bandelementes der verschiedenen Ausführungsformen;
Fig. 5 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem Feuchtigkeitswert und der Lagerfähigkeitsdauer in bezug sowohl auf das Bandelement der ersten Ausführungsform, als auch auf dasjenige Bandelement zeigt, bei dem die vorliegende Erfindung nicht angewandt wird;
Fig. 6 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Fehlerauftrittsrate und dem Feuchtigkeitswert in bezug sowohl auf das Bandelement der ersten Ausführungsform, als auch auf dasjenige Bandelement zeigt, bei dem die vorliegende Erfindung nicht angewandt wird;
Fig. 7A ist eine Ansicht, die den Fall zeigt, bei dem die vorliegende Erfindung bei einem Halbleiterhüllelement eines Magazintyps zeigt:
Fig. 7B veranschaulicht den Fall, bei dem die vorliegende Erfindung auf das Umhüllen einer einzelnen Halbleitervorrichtung angewandt ist,
Fig. 7C und 7D sind Querschnittsansichten der in den Fig. 7A und 7B dargestellten Ausführungsform;
Fig. 8A ist eine Ansicht, die den Fall zeigt, bei dem die vorliegende Erfindung auf ein Halbleitervorrichtungshüllelement eines Tray-Typs angewandt wird;
Fig. 8B ist eine Querschnittsansicht der in Fig. 8A gezeigten Ausführungsform; und
Fig. 9 ist eine schematische Darstellung einer Anlage zur Herstellung eines dünnen metallischen Films, der bei der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Nachfolgend soll eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben werden.
Die Fig. 1A, 1B, 1C, 2A und 2B veranschauliche ein Bandelement für Halbleitervorrichtungen gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bezugnehmend auf diese Figuren wird ein Trägerband 1 aus einem organischen Material, wie etwa einem kohlenstoffhaltigen Vinylchloridkunststoff oder Polyimid, hergestellt und besitzt eine Dicke von etwa 300 um. Das Trägerband 1 weist eine Vielzahl von unabhängigen vertieften Abschnitten auf, die auf einer Seite des Bandes angebracht und in regelmäßigen Abständen in Längsrichtung angeordnet sind. Die vertieften Abschnitte sind zum Aufnehmen von ICs eines Oberflächenmontagetyps ausgebildet. Ein dünner Aluminiumfilm mit einer Dicke von etwa 100 um wird durch Laminieren auf derjenigen Seite des Bandes 1 gebildet, die der Seite gegenüberliegt, auf der die vertieften Abschnitte gebildet sind. Die Dicke des dünnen Aluminiumfilms kann zwischen 5 und 10 um liegen.
Die vertieften Abschnitte des Trägerbandes 1 sind mit einem Versiegelungsband 2 bedeckt. Dieses Versiegelungsband besteht aus Polyethylen und besitzt eine Dicke von etwa 50 bis 100 um. Ein dünner Aluminiumfilm 3 mit einer Dicke von etwa 50 bis 100 um ist durch Laminieren auf derjenigen Seite des Bandes 2 angebracht, die der Seite gegenüberliegt, welche zum Bedecken der vertieften Abschnitte dient.
ICs 5, die hergestellt worden sind, werden in entsprechende vertiefte Abschnitte des Trägerbandes 1 in der Weise eingesetzt, daß die Unterseite jedes IC 5 (von dem eine Zuleitung ausgeht) dem Boden jedes vertieften Abschnittes zugekehrt ist. Danach wird das Versiegelungsband 2 über das Trägerband 1 so gelegt, daß es die vertieften Abschnitte bedeckt. Jene Abschnitte des Versiegelungsbandes 2, die an das Trägerband 1 angeheftet werden sollen, werden zuvor mit einem Kleber beschichtet. Somit können das Trägerband 1 und das Versiegelungsband 2 leicht unter Anwendung einer Thermokompressionsvorrichtung miteinander verbunden werden. Das Bandelement mit den darin versiegelten ICs 5 wird auf eine Bandspule 6 gewickelt. In diesem Zustand wird das Bandelement mit den darin enthaltenen ICs 5 zum Benutzer befördert, ohne daß es in einem Aluminiumbehälter versiegelt werden muß.
Bei der obigen Ausführungsform sind jene Abschnitte des Bandelementes, die der Atmosphäre ausgesetzt werden müssen, sämtlich mit einem laminierten Aluminiumfilm bedeckt. Daher sind die im Bandelement befindlichen ICs vollständig gegen die Feuchtigkeit der Atmosphäre abgeschirmt.
Die Fig. 5 und 6 stellen Diagramme dar, die die Ergebnisse eines von den Erfindern konkret durchgeführten Tests zeigen. Beim Test wurden Bandelemente mit den darin versiegelten ICs während einer bestimmten Zeitdauer in einer Umgebung gehalten, die eine vorbestimmte Feuchtigkeit aufwies. Wie aus Fig. 5 hervorgeht, absorbierten die Bandelemente im Laufe der Zeit Feuchtigkeit. Nachdem die Bandelemente in der oben genannten Umgebung während 60 Stunden belassen wurden, betrug ihr Feuchtigkeitsgehalt 4000 ppm, was zur Feuchtigkeitssättigung führte. Im Gegensatz dazu besaßen die Bandelemente der erfindungsgemäßen Ausführungsform einen laminierten Aluminiumfilm, so daß sie keine Feuchtigkeit aufnahmen. Wie weiter aus dem Diagramm der Fig. 6 hervorgeht (bei dem die Defektauftrittsrate gegen den Feuchtigkeitsgehalt aufgezeichnet ist), nahm die Defektauftrittsrate des Bandelementes mit der Zunahme des Feuchtigkeitsgehalts zu. Speziell betrug die Defektauftrittsrate bei einem Feuchtigkeitsgehalt von 3000 ppm fast 100% (das heißt, daß bei fast allen herkömmlichen Bandelementen Defekte auftraten, wie etwa Harzrisse) Demgegenüber betrug im Falle der Bandelemente der vorliegenden Erfindung die Defektauftrittsrate (Defekte wie etwa Harzrisse) konstant 0%, da die Bandelemente der erfindungsgemäßen Ausführungsform überhaupt keine Feuchtigkeit aufnahmen. Anders als die bekannten Bandelemente brauchen daher die Bandelemente der erfindungsgemäßen Ausführungsform nicht in einem Aluminiumbehälter versiegelt zu werden. Selbst wenn nur ein einziges IC zur Verwendung entnommen werden muß, setzt dies nicht die verbleibenden ICs der Feuchtigkeit aus. Daher ist der Benutzer nicht gezwungen, eine Abdichtoperation durchzuführen. Bei den bekannten Bandelementen war sowohl der Feuchtigkeitsfestigkeitstest als auch der Wärmefestigkeitstest erforderlich, um der Situation Rechnung zu tragen, in der die Bandelemente Feuchtigkeit absorbieren. Im Falle der vorliegenden Erfindung müssen solche Tests nicht durchgeführt werden, da die Bandelemente der vorliegenden Erfindung keine Feuchtigkeit absorbieren. Darüber hinaus besitzen die Bandelemente der vorliegenden Erfindung eine hohe Festigkeit gegen Bestrahlung und Stoß. Selbst wenn weiter nur eine einzige IC zur Verwendung entnommen wird, werden dadurch die übrigen ICs nicht ungünstig beeinflußt. Darum braucht keine Abdichtoperation durchgeführt zu werden, bevor die Bandelemente der vorliegenden Erfindung in Verwahrung genommen werden.
Fig. 2A veranschaulicht eine Modifikation der oben erwähnten ersten Ausführungsform. Diese Modifikation unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, daß ein laminierter Aluminiumfilm nur auf dem Trägerband 1 angebracht ist.
Das Bandelement gemäß dieser Modifikation weist nicht nur im wesentlichen die gleichen technischen Vorteile wie die erste Ausführungsform auf, sondern liefert auch den nachfolgenden zusätzlichen Vorteil. Da das Versiegelungsband der Modifikation keinen laminierten metallischen Film trägt, ist es transparent. Daher kann der Benutzer die im Bandelement versiegelten ICs sehen, oder er kann leicht erkennen, welcher Abschnitt des Bandelementes benutzt wird oder unbenutzt ist. Weiter können die Bandelemente der Modifikation mit niedrigen Kosten hergestellt werden, da ein laminierter Film nur auf dem Trägerband gebildet wird. Die Bandelemente der Modifikation sind zur Verwendung in einer Umgebung geeignet, bei der keine sehr hohe Feuchtigkeits- und Wärmefestigkeit gefordert werden.
Bei der obigen Ausführungsform und ihrer Modifikation wird ein laminierter Aluminiumfilm mindestens auf dem Trägerband angebracht. Der laminierte Aluminiumfilm kann aber auch nur auf dem Versiegelungsband angebracht werden, wie in Fig. 2B gezeigt ist. Dieser Aufbau liefert ebenfalls im wesentlichen die gleichen technischen Vorteile, wie sie bei der in Fig. 2A dargestellten Modifikation erreicht werden. Selbst wenn weiter ein normaler Aluminiumfilm anstelle des laminierten Aluminiumfilms angebracht wird, werden im wesentlichen die gleichen technischen Vorteile erreicht.
Falls nötig, kann das Bandelement der vorliegenden Erfindung vertiefte Abschnitte umfassen, die in einer Vielzahl von Zeilen angeordnet sind, beispielsweise in zwei Reihen, wie in Fig. 1D dargestellt.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben behandelten Bandelemente beschränkt. Wie in Fig. 7A dargestellt, kann die vorliegende Erfindung als Umhüllungselement des Magazintyps ausgebildet werden. In Fig. 7A bezeichnet das Bezugszeichen 33 ein rohrförmiges Element zum Aufnehmen einer Vielzahl von Halbleitervorrichtungen 5. Das Element 33 wird gewöhnlich aus einem organischen Material, wie etwa einem Kunststoff, hergestellt. Wie aus der in Fig. 7C gezeigten Querschnittsanicht hervorgeht, besitzt das Element 33 einen dünnen metallischen Film 36 auf seiner Oberfläche, so daß es im wesentlichen die gleichen technischen Vorteile wie die oben erwähnten liefert. Gewöhnlich wird das Element 33 in einem Behälter 34 gelagert. Wenn dieser Behälter ebenfalls einen laminierten Aluminiumfilm auf seinen Oberflächen besitzt, können die Halbleitervorrichtungen 5 weiter zuverlässig geschützt werden.
Wie in den Fig. 7B und 7D dargestellt, kann die vorliegende Erfindung als ein Hüllelement verkörpert werden, das zum Umhüllen einer einzelnen Halbleitervorrichtung benutzt wird. Diese Ausführungsform gewährleistet eine befriedigende Feuchtigkeitsfestigkeit, obwohl die mit der Verkörperung verbundenen Kosten relativ hoch sind.
Wie in den Fig. 8A und 8B dargestellt, kann die vorliegende Erfindung als Umhüllung des Tray-Typs zum Umhüllen von Halbleitervorrichtungen ausgebildet werden. Bezugnehmend auf die Fig. 8A und 8B bezeichnet das Bezugszeichen 36 ein kästchenartiges Halbleitervorrichtungshüllelement eines Tray- Typs. Nach dem Anordnen der Halbleitervorrichtungen wird das Hüllelement 36 mit einem Versiegelungsband 39 bedeckt. Da ein laminierter Film auf den Oberflächen des Elementes 36 und dem Versiegelungsband 39 gebildet ist, werden die oben erwähnten technischen Vorteile erzielt.
Nachher erfolgt eine Beschreibung darüber, wie die Hüllelemente gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt werden. Grob gesprochen, wird das Hüllelement durch Anwendung eines einzigen der nachfolgenden Verfahren hergestellt. Beim ersten Verfahren wird ein dünner metallischer Film auf einem organischen Material (das gewöhnlich ein Kunststoff ist) gebildet, und dann wird das organische Material in eine festgelegte Form gebracht. Beim zweiten Verfahren wird das organische Material zunächst in die vorbestimmte Form gegossen, und dann wird der dünne metallische Film auf dem in Form gebrachten organischen Material gebildet.
Das erste Verfahren wird durch ein Trockenlaminierverfahren exemplifiziert, bei dem eine Dünnfilmerzeugungsanlage, wie die in Fig. 4, verwendet wird. In Fig. 4 bezeichnet das Bezugszeichen 21 eine Fotogravurrolle; 22 einen Kleber; 23 eine Trockenzone; 24 einen Kunststoffilm oder eine Aluminiumfolie oder eine Kupferfolie oder dergleichen; 25 eine Stahlrolle; 26 eine Gummirolle; und 27 einen Kunststoffilm oder eine Aluminiumfolie oder eine Kupferfolie, oder dergleichen. Unter Benutzung dieser Anlage wird ein organisches Material, das einen dünnen metallischen Film aufweist, in bekannter Weise gegossen bzw. geformt, so daß Hüllelemente der vorliegenden Erfindung hergestellt werden.
Das zweite Verfahren benutzt eine halb sukzessive arbeitende Beschichtungsanlage, wie etwa die in Fig. 9 dargestellte Anlage, um einen dünnen metallischen Film auf der Oberfläche des gegossenen Kunststoffmaterials 46 zu bilden. In Fig. 9 bezeichnet das Bezugszeichen 42 eine Aufnehmerwelle; 44 eine Zuführungswelle; 46 ein geprägtes Band; 48 ein Beobachtungsfenster; 50 eine Unterteilungsplatte; und 52 eine Dampfquelle. Durch den Einsatz dieser Anlage kann ein dünner metallischer Film auf den Oberflächen des Kunststoffmaterials 46 gebildet werden, das zuvor gegossen worden ist.
Der dünne metallische Film wird gewöhnlich aus Aluminium hergestellt, ist aber nicht auf dieses Material beschränkt. Irgendein anderes Material, wie etwa Kupfer, kann benutzt wrden, sofern es eine Beständigkeit gegen Feuchtigkeit schafft.
Beim Bandelement der vorliegenden Erfindung wird ein laminierter metallischer Film auf mindestens einem der Bänder, dem Trägerband oder dem Versiegelungsband, gebildet. Mit dieser Struktur beseitigt das Bandelement die von der Feuchtigkeitsabsorption herrührenden Probleme. Es besitzt eine ausreichende mechanische Stärke und kann in jeder beliebigen Umgebung benutzt werden, ohne eine Abdichtoperation seitens des Benutzers zu erfordern. Hüllelemente anderer Form weisen die gleichen technischen Vorteile auf, sofern auf ihnen ein dünner metallischer Film in entsprechender Weise wie der oben erwähnten gebildet wird.
Die Bezugszeichen in den Ansprüchen dienen dem besseren Verständnis und sollen den Rahmen der Erfindung nicht einschränken.

Claims

1. Hüllelement für eine Halbleitervorrichtung, umfassend:

ein Trägerband (1), das geprägt ist, um einen vertieften Abschnitt zum Aufnehmen der Halbleitervorrichtung zu bilden; und

ein Abdeckband (2), das am Trägerband (1) angeheftet ist, so daß es den vertieften Abschnitt bedeckt und den vertieften Abschnitt in feuchtigkeitsdichter Weise versiegelt, wobei mindestens eines der Bänder, das Trägerband (1) oder das Abdeckband (2), einen auf ihm gebildeten dünnen metallischen Film (3, 4) aufweist.

2. Hüllelement nach Anspruch 2, bei dem das Trägerband (1) einen auf ihm gebildeten dünnen metallischen Film (4) aufweist, und das Versiegelungsband (2) einen auf einer seiner Oberflächen gebildeten dünnen metallischen Film (3) aufweist.

3. Hüllelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Trägerband (1) und das Versiegelungsband (2) ein organisches Material enthalten.

4. Hüllelement nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, bei dem der dünne metallische Film (3, 4, 32, 36, 37) Aluminium enthält.

5. Hüllelement nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch 1 bis 4, bei dem der dünne metallische Film (3, 4, 32, 36, 37) Kupfer enthält.

6. Hüllelement für Halbleitervorrichtungen, umfassend:

ein Umhüllungskästchen (36) zum Aufnehmen einer Vielzahl von Halbleitervorrichtungen, wobei das Umhüllungskästchen einen inneren Bereich aufweist, der in eine Vielzahl von Fächern unterteilt ist;

einen dünnen metallischen Film (37), der auf dem Umhüllungskästchen gebildet ist; und

ein Abdeckband (39), das am Umhüllungskästchen (36) angeheftet ist, so daß die Fächer innerhalb des Umhüllungskästchens in feuchtigkeitsdicher Weise versiegelt sind.

7. Verfahren zur Herstellung eines Hüllelementes zum Aufnehmen von Halbleitervorrichtungen, umfassend:

einen Schritt (ST1) zum Formen eines organischen Materials in eine vorbestimmte Gestalt;

einen Schritt (ST2) zum Bilden eines dünnen metallischen Films auf dem organischen Material, das in die vorbestimmte Gestalt geformt ist; und

einen Schritt (ST3) zum Versiegeln des Hüllelementes in einer feuchtigkeitsdichten Weise mit dem Abdeckband.