DE102011089608A1 - Gehäuseteil für einen elektrischen Sensorsowie Verfahren zur Herstellung des Gehäuseteils - Google Patents

Gehäuseteil für einen elektrischen Sensorsowie Verfahren zur Herstellung des Gehäuseteils Download PDF

Info

Publication number
DE102011089608A1
DE102011089608A1 DE102011089608A DE102011089608A DE102011089608A1 DE 102011089608 A1 DE102011089608 A1 DE 102011089608A1 DE 102011089608 A DE102011089608 A DE 102011089608A DE 102011089608 A DE102011089608 A DE 102011089608A DE 102011089608 A1 DE102011089608 A1 DE 102011089608A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing part
sensor
contact layer
interior
electrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102011089608A
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Dingler
Michael Ulmer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pro Micron GmbH
Horst Siedle GmbH and Co KG
Original Assignee
Pro Micron GmbH
Horst Siedle GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pro Micron GmbH, Horst Siedle GmbH and Co KG filed Critical Pro Micron GmbH
Priority to DE102011089608A priority Critical patent/DE102011089608A1/de
Priority to CN2012104297910A priority patent/CN103175561A/zh
Priority to US13/672,069 priority patent/US20130160563A1/en
Publication of DE102011089608A1 publication Critical patent/DE102011089608A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • G01D11/24Housings ; Casings for instruments
    • G01D11/245Housings for sensors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/16Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/0061Electrical connection means
    • G01L19/0084Electrical connection means to the outside of the housing
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/02Details
    • H05K5/0247Electrical details of casings, e.g. terminals, passages for cables or wiring
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making

Abstract

Es wird ein Gehäuseteil (40) für einen Dehnungssensor beschrieben. Der Dehnungssensor weist mindestens ein Sensorelement auf. Das Gehäuseteil (40) weist einen Innenraum (31) zur Aufnahme des Sensorelements auf. Das Gehäuseteil (40) weist eine in Dickschichttechnik erstellte Kontaktschicht aus elektrisch leitfähigem Material auf, die dazu vorgesehen ist, eine elektrische Durchführung aus dem Innenraum (31) nach außen zu realisieren.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Gehäuseteil für einen elektrischen Sensor, insbesondere für einen Dehnungssensor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung dieses Gehäuseteils sowie einen unter Verwendung des Gehäuseteils hegestellten Sensor.
  • In der EP 2 056 085 A1 ist ein Gehäuse für einen Dehnungssensor beschrieben, das ein Basisteil, ein Mittelteil und ein Deckelteil aufweist. Auf das Basisteil ist ein Sensorelement aufgeklebt, wobei das Sensorelement ein Oberflächenwellenbauteil enthält. In der EP 2 056 085 A1 handelt es sich dabei um einen sogenannten SAW-Resonator (SAW = surface acoustic wave). Das Mittelteil ist rohrförmig ausgebildet und nimmt im zusammengebauten Zustand das Sensorelement in seinem Innenraum auf. Das Mittelteil ist mit einer Öffnung versehen, durch die zwei elektrische Drähte für den Anschluss des Sensorelements hindurchgeführt sind. Die Öffnung wird vor dem Zusammenbau des Basisteils und des Mittelteils mit verschmolzenem Glas gasdicht verschlossen. Das Basisteil, das Mittelteil und das Deckelteil bestehen beispielsweise aus einem Edelstahl und werden gasdicht miteinander verklebt oder verschweißt.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Gehäuseteil zu schaffen, das einfacher herstellbar ist.
  • Die Erfindung löst diese Aufgabe durch ein Gehäuseteil nach dem Anspruch 1 sowie durch ein Verfahren zur Herstellung eines Gehäuseteils nach dem Anspruch 13. Die Aufgabe wird ebenfalls durch einen Sensor nach dem Anspruch 11 sowie dessen Herstellung nach dem Anspruch 15 gelöst.
  • Erfindungsgemäß weist das Gehäuseteil eine in Dickschichttechnik erstellte Kontaktschicht aus elektrisch leitfähigem Material auf, die dazu vorgesehen ist, eine elektrische Durchführung aus einem zur Aufnahme eines Sensorelements vorgesehenen Innenraum nach außen zu realisieren.
  • Die Herstellung der die elektrische Durchführung enthaltenden Kontaktschicht in Dickschichttechnik ist wesentlich einfacher durchführbar als beispielsweise der beim Stand der Technik verwendete Glas-Verschluss der dort für die Durchführung der Drähte vorgesehenen Öffnung. Weiterhin ist die in Dickschichttechnik realisierte elektrische Durchführung hinsichtlich ihrer Abmessungen wesentlich kleiner ausführbar als die mit Glas verschmolzene Öffnung beim Stand der Technik. Im Vergleich zu den bekannten Glas-Durchführungen besteht bei der in Dickschichttechnik hergestellten elektrischen Durchführung auch ein wesentlich geringeres Risiko, dass bei höheren Dehnungen ein Materialbruch entsteht, was insbesondere bei der Verwendung bei einem Dehnungssensor von wesentlicher Bedeutung ist. Ein weiterer Vorteil der elektrischen Durchführung besteht darin, dass sie einfach und flexibel an unterschiedliche Anwendungsfälle und -funktionen angepasst werden kann. Weiterhin kann mit Hilfe der in Dickschichttechnik hergestellten elektrischen Durchführung in einfacher Weise ein insgesamt dichtes Sensorgehäuse hergestellt werden. Ein weiterer wesentlicher Vorteil der angewandten Dickschichttechnik besteht darin, dass zur Herstellung des erfindungsgemäßen Sensors eine sogenannte Nutzenfertigung zur Anwendung kommen kann. Dies bedeutet, dass eine Mehrzahl von Gehäuseteilen gleichzeitig hergestellt werden kann. Dies ist im Vergleich dazu bei den bekannten Glas-Durchführungen nicht möglich.
  • Bei einer Weiterbildung der Erfindung sind eine erste und eine zweite Isolationsschicht aus elektrisch isolierendem Material vorhanden, die in Dickschichttechnik erstellt sind, und zwischen denen die Kontaktschicht angeordnet ist. Damit wird auf einfache Weise eine Isolation der elektrischen Durchführung erreicht.
  • Besonders vorteilhaft ist es dabei, wenn die erste Isolationsschicht einen über die zweite Isolationsschicht überstehenden Bereich aufweist, so dass sich in diesem Fall die Kontaktschicht vom Innenraum bis in den überstehenden Bereich erstrecken kann. Damit wird in einfacher Weise die elektrische Durchführung vom Innenraum nach außen in den überstehenden Bereich realisiert.
  • Weiterhin ist es möglich, die beiden Isolationsschichten jeweils mehrlagig auszuführen. Entsprechend ist es auch möglich, die aufeinanderfolgenden Kontakt- und Isolationsschichten mehrlagig auszubilden und damit mehrere Leitungsebenen zu realisieren.
  • Mit Hilfe der Dickschichttechnik besteht die weitere Möglichkeit, die Kontaktschicht zumindest teilweise aus einem Material mit einem höheren elektrischen Widerstand herzustellen. Damit können Widerstände unmittelbar in die Kontaktschicht integriert werden. Entsprechend ist es möglich, insbesondere bei der Verwendung von Hochfrequenzsignalen mit Hilfe der Dickschichttechnik auch noch andere elektrische Bauelemente und damit ganze elektrische Schaltungen aufzubauen und gegebenenfalls zumindest teilweise in die Kontaktschicht zu integrieren.
  • Weitere Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die in den Figuren dargestellt sind. Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in den Figuren.
  • 1 zeigt eine schematische Perspektivansicht eines Ausführungsbeispiels einer ersten Baugruppe eines erfindungsgemäßen Dehnungssensors, 2a zeigt eine schematische Perspektivansicht eines Ausführungsbeispiels einer zweiten Baugruppe eines erfindungsgemäßen Dehnungssensors, 2b zeigt eine schematische Explosionsdarstellung der zweiten Baugruppe der 2a, 3a zeigt eine schematische Perspektivansicht des erfindungsgemäßen Dehnungssensors nach dem Zusammenbau der ersten und der zweiten Baugruppe, 3b zeigt eine schematische Draufsicht auf den Zusammenbau der 3a, und 4 zeigt eine schematische Perspektivansicht des erfindungsgemäßen Dehnungssensors.
  • In der 1 ist eine erste Baugruppe 11 eines Dehnungssensors 10 und in den 2a, 2b ist eine zweite Baugruppe 12 des Dehnungssensors 10 dargestellt. Der Dehnungssensor 10 ist in der 4 dargestellt.
  • Die erste Baugruppe 11 weist eine Bodenplatte 15 und drei Sensorelemente 16 auf.
  • Die Bodenplatte 15 ist eben ausgebildet und besteht vorzugsweise aus einem Metall. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Bodenplatte 15 rechteckig ausgebildet. Es versteht sich, dass die Bodenplatte 15 auch eine andere Form besitzen kann. Die Dicke der Bodenplatte 15 ist vorzugsweise kleiner als 2 mm.
  • Die drei Sensorelemente 16 sind etwa in einem mittleren, zentralen Bereich der Bodenplatte 15 befestigt. Mindestens zwei der drei Sensorelemente 16 sind vorzugsweise gleichartig ausgebildet und besitzen jeweils eine Vorzugsachse. Im Hinblick auf die Vorzugsachse weisen diese beiden Sensorelemente 16 einen Winkel zueinander auf.
  • Mindestens zwei der drei Sensorelemente 16 sind dazu geeignet, jeweils eine Dehnung in Richtung ihrer Vorzugsachse zu erfassen. Zu diesem Zweck weist jedes dieser beiden Sensorelemente 16 ein Oberflächenwellenbauteil auf. Beispielsweise kann es sich dabei um einen SAW-Resonator oder eine SAW-Verzögerungsleitung handeln (SAW = surface acoustic wave). Vorzugsweise kann das Oberflächenwellenbauteil durch entsprechende Elektrodenstrukturen auf einem piezoelektrischen Kristall realisiert sein.
  • Bei der Herstellung der ersten Baugruppe 11 werden die drei Sensorelemente 16 auf der Bodenplatte 15 angeordnet, dann justiert und in diesem Zustand beispielsweise mit der Bodenplatte 15 verklebt. Es versteht sich, dass die Befestigung der drei Sensorelemente 16 auf der Bodenplatte 15 auch auf andere Weise ausgeführt werden kann.
  • Die zweite Baugruppe 12 weist einen unteren Rahmen 18, einen Dickschichtaufbau und einen oberen Rahmen 19 auf. Der Dickschichtaufbau ist dazu vorgesehen, eine elektrische Durchführung zu realisieren. Zu diesem Zweck ist der Dickschichtaufbau mit einer elektrisch leitfähigen Schicht versehen, die sich zwischen einem nachfolgend erläuterten Innenraum und einem ebenfalls nachfolgend erläuterten überstehenden Bereich erstreckt. Die elektrische Durchführung ist dazu vorgesehen, dass über sie elektrische Signale, insbesondere Hochfrequenzsignale, übertragen werden.
  • Der Dickschichtaufbau weist eine untere Isolationsschicht 21, eine Kontaktschicht 22 und eine obere Isolationsschicht 23 auf. Gemäß der 2b liegt folgender Aufbau der Rahmen und Schichten von unten nach oben vor: unterer Rahmen 18, untere Isolationsschicht 21, Kontaktschicht 22, obere Isolationsschicht 23, oberer Rahmen 19.
  • Der untere Rahmen 18 besteht aus einem Metall und ist rechteckig und eben ausgebildet. Die Rechteckform des unteren Rahmens 18 ist an die Rechteckform der Bodenplatte 15 angepasst. Es versteht sich, dass der untere Rahmen 18 auch eine andere Form besitzen kann. Die Dicke des unteren Rahmens 18 ist vorzugsweise kleiner als 2 mm.
  • In dem unteren Rahmen 18 ist in einem mittleren, zentralen Bereich eine Öffnung 25 vorhanden, die etwas größer ist als diejenige Fläche, die die drei Sensorelemente 16 auf der Bodenplatte 15 etwa einnehmen, so dass die drei Sensorelemente 16 beim Zusammenbau der ersten und der zweiten Baugruppe 11, 12 in die Öffnung 25 eingeführt bzw. durch die Öffnung 25 hindurch gesteckt werden können.
  • Die untere Isolationsschicht 21 besitzt die Rechteckform des unteren Rahmens 18 und weist auch eine entsprechende Öffnung 25 für die Sensorelemente 15 auf. Es versteht sich, dass die untere Isolationsschicht 21 auch eine andere Form besitzen kann. Die untere Isolationsschicht 21 besteht aus einem elektrisch isolierenden Material und wird vorzugsweise in einem Siebdruckverfahren flächig auf den unteren Rahmen 18 aufgetragen. Die untere Isolationsschicht 21 kann ein- oder mehrlagig ausgeführt sein.
  • Die Kontaktschicht 22 besteht aus einem elektrisch leitfähigen Material. Mit Hilfe der Kontaktschicht 22 werden elektrische Leitungen zu den drei Sensorelementen 15 realisiert. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel weist die Kontaktschicht 22 zwei etwa rechteckförmige Anschlussflächen 27 auf, an die jeweils eine Leiterbahn 28 angeschlossen ist. Wie insbesondere der 2a entnehmbar ist, verlaufen die beiden Leiterbahnen 28 in Richtung zu der Öffnung 25 und teilweise um die Öffnung 25 herum.
  • Die beiden Leiterbahnen 28 und die beiden Anschlussflächen 27 bilden eine Zweileiterstruktur, über die elektrische Signale übertragen werden können. Es versteht sich, dass auch andersartige Leitungsstrukturen zur Anwendung kommen können, beispielsweise eine Mikrostreifenleitung und/oder eine Doppelbandleitung und/oder eine geerdete Koplanarleitung und/oder eine koplanare Zweibandleitung oder dergleichen. Vorzugsweise ist die verwendete Leitungsstruktur besonders gut für die Übertragung von Hochfrequenzsignalen geeignet.
  • Die Kontaktschicht 22 kann zusätzlich zwischen den beiden Leiterbahnen 28 zumindest teilweise aus einem Material mit einem eher hohen elektrischen Widerstand aufgebaut werden. Auf diese Weise kann insbesondere ein Parallelwiderstand mittels der Dickschichttechnik ausgebildet werden, der beispielsweise als Überspannungsschutz (ESD = electro-static discharge) dienen kann.
  • Die Kontaktschicht 22 wird vorzugsweise in einem Siebdruckverfahren flächig auf die untere Isolationsschicht 21 aufgetragen. Aufgrund der unteren Isolationsschicht 21 existiert an sich keine elektrische Verbindung zwischen der Kontaktschicht 22 und dem unteren Rahmen 18. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass zumindest eine der beiden Anschlussflächen 27 mit dem Rahmen 18 elektrisch verbunden ist.
  • Die obere Isolationsschicht 23 ist rahmenförmig ausgebildet, wobei die Abmessungen des Rahmens in Querrichtung etwa den Abmessungen der Rechteckform des unteren Rahmens 18 entsprechen. Wie noch näher erläutert werden wird, steht die Rechteckform des unteren Rahmens 18 und der unteren Isolationsschicht 21 jedoch in Längsrichtung über die Rechteckform der oberen Isolationsschicht 23 über und bildet dort einen überstehenden Bereich 29. Die Breite des Rahmens der oberen Isolationsschicht 23 ist derart bemessen, dass die obere Isolationsschicht 23 die Öffnung 25 und die Leiterbahnen 28 nicht bedeckt. Es versteht sich, dass die obere Isolationsschicht 23 auch eine andere Form besitzen kann.
  • Die obere Isolationsschicht 23 besteht aus einem elektrisch isolierenden Material und wird vorzugsweise in einem Siebdruckverfahren flächig auf die untere Isolationsschicht 21 sowie auf die Kontaktschicht 22 aufgetragen. Die obere Isolationsschicht 23 kann ein- oder mehrlagig ausgeführt sein.
  • Der obere Rahmen 19 besitzt die Rahmenform der oberen Isolationsschicht 23. Die Breite des Rahmens ist wiederum derart bemessen, dass der obere Rahmen 19 die Öffnung 25 und die Leiterbahnen 28 nicht bedeckt. Es wird hierzu beispielhaft auf die 2a verwiesen, wo die Öffnung 25 und die Leiterbahnen 28 innerhalb des rahmenförmigen oberen Rahmens 19 erkennbar sind. Es versteht sich, dass der obere Rahmen 19 auch eine andere Form besitzen kann. Die Höhe des oberen Rahmens 19 ist vorzugsweise kleiner als 2 mm.
  • Der obere Rahmen 19 besteht aus einem Metall und kann auf die obere Isolationsschicht 23 aufgelötet oder aufgeklebt werden. Aufgrund der oberen Isolationsschicht 23 existiert keine elektrische Verbindung zwischen der Kontaktschicht 22 und dem oberen Rahmen 19.
  • Wie insbesondere der 2a entnehmbar ist und wie bereits erwähnt wurde, sind der untere Rahmen 18 und die untere Isolationsschicht 21 zumindest in Längsrichtung etwas länger ausgebildet als die Kontaktschicht 22, die obere Isolationsschicht 23 und der obere Rahmen 19. In diesen überstehenden Bereich 29 erstrecken sich die beiden Anschlussflächen 27 der Kontaktschicht 22. Vorzugsweise erstrecken sich die beiden Anschlussflächen 27 von der einen Seite zu der anderen Seite des Rahmens der oberen Isolationsschicht 23 bzw. des oberen Rahmens 19.
  • Wenn man den von dem Rahmen der oberen Isolationsschicht 23 und des oberen Rahmens 19 gebildeten Bereich als Innenraum 31 bezeichnet, so sind die Leiterbahnen 28 in diesem Innenraum 31 angeordnet, während die Anschlussflächen 27 sich zumindest teilweise außerhalb des Innenraums 31 in dem überstehenden Bereich befinden.
  • Innerhalb des Dickschichtaufbaus erstreckt sich somit eine elektrische Durchführung von dem Innenraum 31 nach außen. Vorzugsweise wird die elektrische Durchführung mit Hilfe der Kontaktschicht 22 realisiert, die im vorliegenden Ausführungsbeispiel insbesondere aus den Leiterbahnen 28 besteht. Die Kontaktschicht 22 ist dabei zwischen den beiden Isolationsschichten 21, 23 angeordnet, wobei die untere Isolationsschicht 21 den überstehenden Bereich 29 aufweist, und wobei die Kontaktschicht 22 sich in diesen überstehenden Bereich 29 erstreckt.
  • Die Herstellung der zweiten Baugruppe 12 kann unabhängig von der Herstellung der ersten Baugruppe 11 durchgeführt werden.
  • Zur Herstellung der zweiten Baugruppe 12 wird der untere Rahmen 18 in einer Montagevorrichtung justiert und gehalten. Danach werden die untere Isolationsschicht 21, die Kontaktschicht 22 und die obere Isolationsschicht 23 in Dickschichttechnik auf dem unteren Rahmen 18 aufgebaut. Die Justierung der unteren Isolationsschicht 21, der Kontaktschicht 22 und der oberen Isolationsschicht 23 richtet sich dabei nach der Justierung des unteren Rahmens 18 in der Montagevorrichtung. Gegebenenfalls können zusätzlich Markierungen oder dergleichen zum Zwecke der Justierung verwendet werden. Danach wird der obere Rahmen 19 auf der oberen Isolationsschicht 23 befestigt. Dies kann gegebenenfalls durch einen Aufbau in Dickschichttechnik erfolgen. Die Justierung des oberen Rahmens 19 kann sich wiederum nach der Justierung des unteren Rahmens 18 in der Montagevorrichtung richten. Alternativ oder zusätzlich können weitere Montagevorrichtungen für den oberen Rahmen 19 vorgesehen sein.
  • Die einzelnen Schichten der zweiten Baugruppe 12 werden nacheinander aufgebaut und jeweils in einem Ofen gebrannt. Dies kann vorzugsweise bei etwa 850 Grad erfolgen. Diese Ofenprozesse können gegebenenfalls unter Zuhilfenahme eines Schutzgases erfolgen.
  • Nach der Herstellung der zweiten Baugruppe 12 stellt der Aufbau dieser Baugruppe 12 ein gasdichtes Bauteil dar. Dies bedeutet, dass insbesondere die Übergänge zwischen den einzelnen Schichten und Rahmen der zweiten Baugruppe 12 gasdicht ausgebildet sind.
  • Nach der Fertigstellung der ersten und der zweiten Baugruppe 11, 12 werden die beiden Baugruppen zusammengebaut. Die zusammengebauten Baugruppen 11, 12 sind in den 3a, 3b dargestellt.
  • Wie den 3a, 3b entnehmbar ist und wie bereits erläutert wurde, ragen die drei Sensorelemente 16 der ersten Baugruppe 11 durch die Öffnung 25 der zweiten Baugruppe 12 hindurch. Die drei Sensorelemente 16 der ersten Baugruppe 11 befinden sich damit in dem von der zweiten Baugruppe 12 gebildeten Innenraum 31.
  • Die Bodenplatte 15 der ersten Baugruppe 11 wird mit dem unteren Rahmen 18 der zweiten Baugruppe 12 verschweißt oder verlötet oder verklebt. Vorzugsweise wird eine gasdichte Schweißnaht zwischen allen vier Längs- und Querseiten des unteren Rahmens 18 und der Bodenplatte 15 gezogen. Dies kann beispielsweise mit Hilfe eines Laser-Schweißverfahrens gegebenenfalls unter Zuhilfenahme eines Schutzgases durchgeführt werden.
  • Danach werden die nunmehr ortsfest sich im Innenraum befindenden drei Sensorelemente 16 elektrisch mit den Anschlussflächen 27 verbunden. Hierzu kann beispielsweise ein sogenanntes Wedge-Bonding oder Ball-Bonding verwendet werden. In der 3b sind die entstehenden Bond-Drähte 33 zwischen den drei Sensorelementen 16 und den Leiterbahnen 28 bzw. den Anschlussflächen 27 schematisch eingezeichnet. Die Kontaktstellen der Bond-Drähte 33 auf den Leiterbahnen 28 können dabei nahezu frei gewählt werden.
  • Nach dem Zusammenbau der ersten und der zweiten Baugruppe 11, 12 wird der Innenraum 31 mit einem Deckel 35 verschlossen. Der auf diese Weise dann fertiggestellte Dehnungssensor 10 ist in der 4 dargestellt.
  • Der Deckel 35 ist eben ausgebildet und besteht beispielsweise aus einem Metall. Der Deckel 35 ist rechteckig ausgebildet und an die Rechteckform des oberen Rahmens 19 angepasst. Es versteht sich, dass der Deckel 35 auch eine andere Form besitzen kann. Die Dicke des Deckels ist vorzugsweise kleiner als 1 mm.
  • Der Deckel 35 wird mit dem oberen Rahmen 19 der zweiten Baugruppe 12 verschweißt oder verlötet oder verklebt. Vorzugsweise wird eine gasdichte Schweißnaht zwischen allen vier Längs- und Querseiten des oberen Rahmens 19 und des Deckels 35 gezogen. Dies kann beispielsweise mit Hilfe eines Laser-Schweißverfahrens durchgeführt werden.
  • Vorzugsweise wird das Verschließen des Innenraums 31 mit dem Deckel 35 in einem zuerst abgepumpten und dann mit einem Gas, beispielsweise mit Stickstoff-Helium gefüllten Raum durchgeführt. Damit wird erreicht, dass der Innenraum 31 des Dehnungssensors 10 nicht mit Luft, sondern mit dem Gas gefüllt ist. Die drei Sensorelemente 16 und insbesondere deren jeweils auf einem piezoelektrischen Kristall realisiertes Oberflächenwellenbauteil sind damit ebenfalls nicht von Luft umgeben, sondern von dem Gas. Damit sind die Sensorelemente 16 insbesondere vor einer chemischen Korrosion geschützt. Gegebenenfalls kann mit Hilfe der Gasfüllung auch eine Dichtigkeitsüberprüfung des Dehnungssensors 10 vorgenommen werden.
  • Die Justierung des Deckels 35 auf dem oberen Rahmen 19 kann mit Hilfe einer entsprechenden Prägung auf der Unterseite des Deckels 35 oder durch sonstige Montagevorrichtungen erreicht werden.
  • Wie erläutert wurde, kann die Herstellung der ersten und der zweiten Baugruppe 11, 12 jeweils separat und insbesondere in zeitlicher und örtlicher Hinsicht unabhängig voneinander durchgeführt werden. Die zweite Baugruppe 12, wie sie insbesondere in der 2a dargestellt ist, stellt damit für sich gesehen ein Gehäuseteil 40 für den Dehnungssensor 10 dar, wie er in der 4 gezeigt ist. Dieses Gehäuseteil 40 bzw. die zweite Baugruppe 12 stellt ein separates Bauteil dar. Das separate Gehäuseteil 40 muss dann, wie erläutert wurde, mit der ersten Baugruppe 11 zusammengebaut und mit dem Deckel 35 verschlossen werden, um den Dehnungssensor 10 als Ganzes zu bilden.
  • Der auf die erläuterte Weise fertiggestellte und in der 4 gezeigte Dehnungssensor 10 kann beispielsweise auf einer metallischen Welle oder dergleichen montiert werden. Beispielsweise kann der Dehnungssensor 10 mit Hilfe zweier axial verlaufender Schweißnähte insbesondere in einer ebenen Vertiefung der Welle angeordnet werden. In die beiden gleichartigen Sensorelemente 16 des Dehnungssensors 10 können Signale über die elektrische Durchführung eingekoppelt werden. Ein auf die Welle in Drehrichtung wirkendes Drehmoment hat eine Dehnung der Bodenplatte 15 und damit auch der beiden gleichartigen Sensorelemente 16 zur Folge. Diese Dehnung der genannten beiden Sensorelemente 16 führt zu einer Verstimmung der eingekoppelten Signale. Die verstimmten Signale werden über die elektrische Durchführung aus dem Dehnungssensor 10 ausgelesen und dann in einer Auswertevorrichtung verarbeitet. Aus den verstimmten Signalen kann von der Auswertevorrichtung das auf die Welle einwirkende Drehmoment ermittelt werden.
  • Vorzugsweise bestehen insbesondere die Bodenplatte 15, der untere und der obere Rahmen 18, 19 und/oder der Deckel 35 aus demselben Material. In diesem Fall weisen die vorgenannten Bauteile im Wesentlichen dieselben temperaturabhängigen Eigenschaften auf, insbesondere denselben Ausdehnungskoeffizienten. Damit können temperaturbedingte Spannungen zwischen diesen Bauteilen vermieden oder zumindest vermindert werden.
  • Es versteht sich, dass mit Hilfe der Dickschichttechnik auch ein mehrlagiger Aufbau von Isolationsschichten und Kontaktschichten erreichbar ist. Auf diese Weise können mehrere, voneinander isolierte Leitungsebenen übereinander realisiert werden, über die dann mehrere elektrische Signale gleichzeitig übertragbar sind.
  • Weiterhin wird darauf hingewiesen, dass insbesondere bei der Verwendung von Hochfrequenzsignalen mit Hilfe der Dickschichttechnik auch andere elektrische Bauelemente realisiert werden können, beispielsweise Induktivitäten und/oder Kapazitäten. Mit diesen Bauelementen können dann beispielsweise Anpassnetzwerke oder dergleichen für die Sensorelemente 16 in Dickschichttechnik aufgebaut werden.
  • Insgesamt kann damit mit Hilfe der Dickschichttechnik nicht nur die erläuterte elektrische Durchführung realisiert werden, sondern gleichzeitig können auch noch andere Leitungsstrukturen und/oder Bauelemente hergestellt werden.
  • Es versteht sich, dass die in Dickschichttechnik hergestellte und eine elektrische Durchführung bildende Kontaktschicht 22 nicht nur bei dem im vorliegenden Ausführungsbeispiel erläuterten Dehnungssensor 10 zur Anwendung kommen kann, sondern ganz allgemein bei jeglicher Art eines elektrischen Sensors. Beispielsweise kann die erläuterte Kontaktschicht 22 in entsprechender Weise auch bei einem Drucksensor oder einem Temperatursensor oder dergleichen zum Einsatz kommen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • EP 2056085 A1 [0002, 0002]

Claims (15)

  1. Gehäuseteil (40) für einen elektrischen Sensor, insbesondere für einen Dehnungssensor (10), wobei der Sensor mindestens ein Sensorelement (16) aufweist, und wobei das Gehäuseteil (40) einen Innenraum (31) zur Aufnahme des Sensorelements (16) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuseteil (40) eine in Dickschichttechnik erstellte Kontaktschicht (22) aus elektrisch leitfähigem Material aufweist, die dazu vorgesehen ist, eine elektrische Durchführung aus dem Innenraum (31) nach außen zu realisieren.
  2. Gehäuseteil (40) nach Anspruch 1, wobei eine erste und eine zweite Isolationsschicht (21, 23) aus elektrisch isolierendem Material vorhanden sind, die in Dickschichttechnik erstellt sind, und zwischen denen die Kontaktschicht (22) angeordnet ist.
  3. Gehäuseteil (40) nach Anspruch 2, wobei die erste Isolationsschicht (21) einen über die zweite Isolationsschicht (23) überstehenden Bereich (29) aufweist, und wobei sich die Kontaktschicht (22) vom Innenraum (31) bis in den überstehenden Bereich (29) erstreckt.
  4. Gehäuseteil (40) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Kontaktschicht (22) mindestens eine elektrische Anschlussfläche (27) und/oder mindestens eine elektrische Leitung (28) aufweist.
  5. Gehäuseteil (40) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei ein oberer Rahmen (19) vorhanden ist, der den Innenraum (31) umgibt.
  6. Gehäuseteil (40) nach Anspruch 5, wobei der obere Rahmen (19) auf einer Seite der Kontaktschicht (22) angeordnet und rahmenförmig ausgebildet ist.
  7. Gehäuseteil (40) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei ein unterer Rahmen (18) vorhanden ist, der auf der anderen Seite der Kontaktschicht (22) angeordnet ist.
  8. Gehäuseteil (40) nach Anspruch 7, wobei der untere Rahmen (18) mit einer Öffnung (25) versehen ist, durch die das Sensorelement (16) hindurchsteckbar bzw. in der das Sensorelement (16) aufnehmbar ist.
  9. Gehäuseteil (40) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Sensorelement (16) ein Oberflächenwellenbauteil aufweist.
  10. Elektrischer Sensor, insbesondere Dehnungssensor (10), mit einer ein Sensorelement (16) enthaltenden ersten Baugruppe (11), dadurch gekennzeichnet, dass ein eine zweite Baugruppe (12) darstellendes Gehäuseteil (40) nach einem der Ansprüche 1 bis 9 vorhanden ist.
  11. Sensor nach Anspruch 10, wobei das Sensorelement (16) der ersten Baugruppe (11) in den Innenraum (31) des Gehäuseteils (40) hineinragt.
  12. Sensor nach einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei der in dem Gehäuseteil (40) vorhandene Innenraum (31) mit einem Deckel (35) verschlossen ist.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Gehäuseteils (40) für einen elektrischen Sensor, insbesondere für einen Dehnungssensor (10), wobei der Sensor ein Sensorelement (16) aufweist, und wobei das Gehäuseteil (40) einen Innenraum (31) zur Aufnahme des Sensorelements (16) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Herstellung des Gehäuseteils (40) eine Kontaktschicht (22) aus elektrisch leitfähigem Material in Dickschichttechnik erstellt wird, die dazu vorgesehen ist, eine elektrische Durchführung aus dem Innenraum (31) nach außen zu realisieren.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei bei der Herstellung des Gehäuseteils (40) nacheinander ein unterer Rahmen (18), eine untere Isolationsschicht (21), die Kontaktschicht (22), eine obere Isolationsschicht (23) und ein oberer Rahmen (19) hergestellt werden.
  15. Verwendung des nach einem der Ansprüche 13 oder 14 hergestellten Gehäuseteils (40) zur Herstellung eines elektrischen Sensors, insbesondere eines Dehnungssensors (10), dadurch gekennzeichnet, dass eine das Sensorelement (16) enthaltende erste Baugruppe (11) hergestellt wird, wobei die erste Baugruppe (11) unabhängig von der Herstellung des eine zweite Baugruppe (12) darstellenden Gehäuseteils (40) herstellbar ist, und dass danach die erste und die zweite Baugruppe (11, 12) zusammengebaut werden.
DE102011089608A 2011-12-22 2011-12-22 Gehäuseteil für einen elektrischen Sensorsowie Verfahren zur Herstellung des Gehäuseteils Withdrawn DE102011089608A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011089608A DE102011089608A1 (de) 2011-12-22 2011-12-22 Gehäuseteil für einen elektrischen Sensorsowie Verfahren zur Herstellung des Gehäuseteils
CN2012104297910A CN103175561A (zh) 2011-12-22 2012-11-01 用于电传感器的壳体部件及壳体部件的制法
US13/672,069 US20130160563A1 (en) 2011-12-22 2012-11-08 Housing part for an electrical sensor as well as a method for manufacturing the housing part

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011089608A DE102011089608A1 (de) 2011-12-22 2011-12-22 Gehäuseteil für einen elektrischen Sensorsowie Verfahren zur Herstellung des Gehäuseteils

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102011089608A1 true DE102011089608A1 (de) 2013-06-27

Family

ID=48575303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011089608A Withdrawn DE102011089608A1 (de) 2011-12-22 2011-12-22 Gehäuseteil für einen elektrischen Sensorsowie Verfahren zur Herstellung des Gehäuseteils

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130160563A1 (de)
CN (1) CN103175561A (de)
DE (1) DE102011089608A1 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108323001B (zh) * 2017-01-14 2020-04-14 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 感压柔性电路板及其制作方法
US10917996B1 (en) 2019-07-19 2021-02-09 Dell Products L.P. System and method for device level thermal management and electromagnetic interference management
US11122718B2 (en) 2019-07-19 2021-09-14 Dell Products L.P. System and method for device level electromagnetic interference management
US10980159B2 (en) 2019-07-19 2021-04-13 Dell Products L.P. System and method for managing multiple connections
US11378608B2 (en) 2019-07-19 2022-07-05 Dell Products L.P. System and method for device state determination
US11132038B2 (en) 2019-07-19 2021-09-28 Dell Products L.P. System and method for thermal management of shadowed devices
US11143682B2 (en) 2019-07-19 2021-10-12 Dell Products L.P. System and method for communicating externally from an electromagnetic interference suppressed volume
US11644425B2 (en) 2019-07-19 2023-05-09 Dell Products L.P. System and method for optical state determination
US11399450B2 (en) 2019-07-19 2022-07-26 Dell Products L.P. System and method for managing electromagnetic interference
US11234347B2 (en) * 2019-07-19 2022-01-25 Dell Products L.P. System and method for physical management of devices
US11129307B2 (en) 2019-07-19 2021-09-21 Dell Products L.P. System and method for managing thermal states of devices
US11234350B2 (en) 2019-08-21 2022-01-25 Dell Products L.P. System and method for isolated device access
US11147194B2 (en) 2019-08-21 2021-10-12 Dell Products L.P. System and method for managing electromagnetic interference

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0440011A2 (de) * 1990-02-02 1991-08-07 Pfister Messtechnik GmbH Kraft-bzw. Druckmessvorrichtung
WO1992012408A1 (de) * 1991-01-14 1992-07-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Drucksensor
DE3919059C2 (de) * 1989-06-10 1993-05-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
DE29503431U1 (de) * 1995-03-01 1995-04-20 Eku Elektronik Gmbh Meßgerät zur Messung der Konzentration von Gasen in einem Gasgemisch
DE19525038A1 (de) * 1994-07-11 1996-02-01 Bricon Ag Meßwandler zum Messen eines Druckes, einer Kraft oder einer Beschleunigung
DE19614458C2 (de) * 1996-04-12 1998-10-29 Grundfos As Druck- oder Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19803506A1 (de) * 1998-01-30 1999-08-05 Ego Elektro Geraetebau Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Sensors und elektrischer Sensor
DE19807718C2 (de) * 1998-02-24 2000-12-07 Lear Automotive Electronics Gm Elektronikbaugruppe
DE10318898A1 (de) * 2002-04-22 2003-11-06 Bcs Bio Und Chemosensoren Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme planarer Strukturen, insbesondere von Biosensoren
DE10252023B3 (de) * 2002-11-06 2004-07-15 Metallux Gmbh Drucksensor
DE10305950A1 (de) * 2003-02-12 2004-08-26 Daimlerchrysler Ag Einspritzsystem und thermischer Massenflusssensor für ein solches
DE202005019286U1 (de) * 2005-12-09 2006-06-29 Fischer Meß- und Regeltechnik GmbH Differenzdrucksensor mit einer Membran
DE102006005746B4 (de) * 2006-02-07 2009-02-26 Elbau Elektronik Bauelemente Gmbh Berlin Elektronische Baugruppe, insbesondere elektronisches Sensorsystem, vorzugsweise für Positions- und Winkelmesssysteme
EP2056085A1 (de) 2007-10-29 2009-05-06 Schott AG Verpackung für einen Dehnungssensor
DE102009000058A1 (de) * 2009-01-07 2010-07-08 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102009026439A1 (de) * 2009-05-25 2010-12-09 Innovative Sensor Technology Ist Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
WO2011095286A2 (de) * 2010-02-04 2011-08-11 E+E Elektronik Ges.M.B.H. Sensoranordnung
DE102010061322A1 (de) * 2010-12-17 2012-06-21 Turck Holding Gmbh Drucksensor mit Zwischenring

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59153159A (ja) * 1983-02-21 1984-09-01 Hitachi Ltd ガス検出装置
US4634514A (en) * 1985-02-14 1987-01-06 Ngk Insulators, Ltd. Electrochemical apparatus and method of manufacturing the same
DE3733192C1 (de) * 1987-10-01 1988-10-06 Bosch Gmbh Robert PTC-Temperaturfuehler sowie Verfahren zur Herstellung von PTC-Temperaturfuehlerelementen fuer den PTC-Temperaturfuehler
FI82774C (fi) * 1988-06-08 1991-04-10 Vaisala Oy Integrerad uppvaermbar sensor.
US5319980A (en) * 1991-06-07 1994-06-14 Maclean-Fogg Company Board construction for resistive strain gauge pressure sensors
DE19621001A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Heraeus Sensor Nite Gmbh Sensoranordnung zur Temperaturmessung und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
US6332359B1 (en) * 1997-04-24 2001-12-25 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor sensor chip and method for producing the chip, and semiconductor sensor and package for assembling the sensor
DE19750123C2 (de) * 1997-11-13 2000-09-07 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung für die Temperaturmessung
DE19753800C2 (de) * 1997-12-04 1999-12-30 Mannesmann Vdo Ag Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandes sowie eines mechanisch-elektrischen Wandlers
DE19814261A1 (de) * 1998-03-31 1999-10-14 Mannesmann Vdo Ag Dehnungsempfindlicher Widerstand
DE19936924C1 (de) * 1999-08-05 2001-06-13 Georg Bernitz Vorrichtung zur Hochtemperaturerfassung und Verfahren zur Herstellung derselben
US6272925B1 (en) * 1999-09-16 2001-08-14 William S. Watson High Q angular rate sensing gyroscope
JP2004198280A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Hitachi Metals Ltd 加速度センサ
US7137301B2 (en) * 2004-10-07 2006-11-21 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor
EP1872115A1 (de) * 2005-04-20 2008-01-02 Heraeus Sensor Technology Gmbh Russsensor
CN101253821B (zh) * 2005-06-30 2011-01-26 西门子公司 用于防止敏感电子数据组件受到外部操纵的硬件保护的传感器
JP5623015B2 (ja) * 2005-10-24 2014-11-12 ヘレーウス ゼンゾール テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHeraeus Sensor Technology GmbH 流量センサ素子および流量センサ素子の自浄作用
US7430926B2 (en) * 2006-02-13 2008-10-07 General Electric Company Apparatus for measuring bearing thrust load
US8256285B2 (en) * 2007-08-21 2012-09-04 BELIMO Holding, AG Flow sensor including a base member with a resilient region forming a flow channel and a cover member covering the flow channel
JP2009109495A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Schott Ag ひずみセンサ用パッケージ
US8240027B2 (en) * 2008-01-16 2012-08-14 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making circuitized substrates having film resistors as part thereof
US7950291B2 (en) * 2009-06-09 2011-05-31 Ruskin Company Instrument housing
PL2312290T3 (pl) * 2009-10-16 2020-06-01 First Sensor Mobility Gmbh Czujnik ciśnienia i jego zastosowanie w zbiorniku płynu
TWI372570B (en) * 2009-12-25 2012-09-11 Ind Tech Res Inst Capacitive sensor and manufacturing method thereof

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3919059C2 (de) * 1989-06-10 1993-05-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
EP0440011A2 (de) * 1990-02-02 1991-08-07 Pfister Messtechnik GmbH Kraft-bzw. Druckmessvorrichtung
WO1992012408A1 (de) * 1991-01-14 1992-07-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Drucksensor
DE19525038A1 (de) * 1994-07-11 1996-02-01 Bricon Ag Meßwandler zum Messen eines Druckes, einer Kraft oder einer Beschleunigung
DE29503431U1 (de) * 1995-03-01 1995-04-20 Eku Elektronik Gmbh Meßgerät zur Messung der Konzentration von Gasen in einem Gasgemisch
DE19614458C2 (de) * 1996-04-12 1998-10-29 Grundfos As Druck- oder Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19803506A1 (de) * 1998-01-30 1999-08-05 Ego Elektro Geraetebau Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Sensors und elektrischer Sensor
DE19807718C2 (de) * 1998-02-24 2000-12-07 Lear Automotive Electronics Gm Elektronikbaugruppe
DE10318898A1 (de) * 2002-04-22 2003-11-06 Bcs Bio Und Chemosensoren Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme planarer Strukturen, insbesondere von Biosensoren
DE10252023B3 (de) * 2002-11-06 2004-07-15 Metallux Gmbh Drucksensor
DE10305950A1 (de) * 2003-02-12 2004-08-26 Daimlerchrysler Ag Einspritzsystem und thermischer Massenflusssensor für ein solches
DE202005019286U1 (de) * 2005-12-09 2006-06-29 Fischer Meß- und Regeltechnik GmbH Differenzdrucksensor mit einer Membran
DE102006005746B4 (de) * 2006-02-07 2009-02-26 Elbau Elektronik Bauelemente Gmbh Berlin Elektronische Baugruppe, insbesondere elektronisches Sensorsystem, vorzugsweise für Positions- und Winkelmesssysteme
EP2056085A1 (de) 2007-10-29 2009-05-06 Schott AG Verpackung für einen Dehnungssensor
DE102009000058A1 (de) * 2009-01-07 2010-07-08 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102009026439A1 (de) * 2009-05-25 2010-12-09 Innovative Sensor Technology Ist Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen
WO2011095286A2 (de) * 2010-02-04 2011-08-11 E+E Elektronik Ges.M.B.H. Sensoranordnung
DE102010061322A1 (de) * 2010-12-17 2012-06-21 Turck Holding Gmbh Drucksensor mit Zwischenring

Also Published As

Publication number Publication date
CN103175561A (zh) 2013-06-26
US20130160563A1 (en) 2013-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011089608A1 (de) Gehäuseteil für einen elektrischen Sensorsowie Verfahren zur Herstellung des Gehäuseteils
DE10059373B4 (de) Lecktestgeeignete, kapazitiv gefilterte Durchführung für ein implantierbares medizinisches Gerät
DE2843577C2 (de)
DE102015102869B4 (de) MEMS-Bauelement mit hoher Integrationsdichte und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2411212A1 (de) Druckmesseinrichtung
DE10257445A1 (de) Piezoelektrischer Aktuator
DE102013211597B4 (de) ASIC-Bauelement mit einem Durchkontakt
DE3119924C2 (de)
DE102011054511A1 (de) Glühkerze
DE102012001443A1 (de) Ultraschallsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2636046B1 (de) Hochspannungsisolator mit überwachungseinrichtung
DE3913066C2 (de)
DE102021208761A1 (de) Verbindung eines Sensorchips mit einem Messobjekt
DE19960450C1 (de) Scheibenelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE60006365T2 (de) Akustische oberflächenwellenanordnung verbunden mit einem sockel durch einen leitenden klebstoff
EP0396641A1 (de) Beschleunigungsfeste verpackung für integrierte schaltungen und verfahren zu ihrer herstellung.
DE102013101315A1 (de) Verfahren zur Verlötung eines Anschlusselement
DE10035564A1 (de) Mikromechanisches Gehäuse
DE102017109159B4 (de) Ultraschallwandlereinrichtung und Kontaktierungsverfahren
EP2802766B1 (de) Aktormodul mit einem in einem gehäuse angeordneten vielschichtaktor und konstant extrem niedrigen leckstrom an der aktoroberfläche
DE102015224270B3 (de) Elektronische Komponente und Verfahren zu deren Herstellung
DE102011118734A1 (de) Verbundlagenschaltung mit von aussen zugänglichen integrierten Komponenten
DE102019122661A1 (de) Elektronisches Gerät für einen Einsatz in explosionsgefährdeten Bereichen und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Geräts für einen Einsatz in explosionsgefährdeten Bereichen
WO2020078814A1 (de) Widerstandsbaugruppe und verfahren zur herstellung einer widerstandsbaugruppe und batteriesensor
DE102019203825A1 (de) Winkelerfassungseinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee