DE3919059C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Drucksensor mit einem Gehäuse zum
Erfassen von Druckschwankungen einer Druckquelle entsprechend dem
Oberbegriff des Hauptanspruchs.
Ein Drucksensor dieser Art ist aus dem DE-GM 74 42 919 bekannt. Die
in dieser Schrift beschriebene Sensoranordnung weist eine aus einem
Grundkörper eines Sensorsubstrates herausgeformte Membran mit darauf
über die Fläche der Membran verteilt angeordneten Sensorwiderständen
auf. Dabei sind in der Randzone der Membran angeordnete Widerstände
stauchbar, in der Mitte der Membran angeordnete dehnbar. Nachteilig
an dieser Anordnung ist, daß das Sensorsubstrat gleichzeitig Teil des
die Sensorwiderstände umgebenden Gehäuses ist. Dadurch können am
Gehäuse angreifende Kräfte und Spannungen auf das Sensorsubstrat
einwirken und das Meßergebnis verfälschen. Zusätzlich bewirkt die
feste Verbindung zwischen dem Gehäuseunterteil mit den
Sensorwiderständen und einem als Deckel ausgeführten Gehäuseoberteil
eine Kraft, welche einer Stauchung der Membranrandzone entgegenwirkt.
Auch ist eine thermische Isolierung zwischen Membran und Umgebung
nicht vorgesehen, so daß Temperaturänderungen der Umgebung
ungemindert an die Sensormembran weitergegeben werden.
Aus der DE-OS 33 03 980 ist ein aus einem Rohranschluß, einem mit
diesem verschweißten Bodenteil, aus welchem eine Membran
herausgeformt ist, sowie einem die Membranaußenseite abdeckenden
Schutzrohr aufgebauter Druckaufnehmer bekannt. Da die Membran
wiederum aus einem Teil des Sensorgehäuses herausgeformt ist,
übertragen sich auch bei dieser Anordnung Änderungen der
Umgebungstemperatur oder Spannungen des Sensorgehäuses auf die auf
der Membran angeordneten Meßwiderstände, und verfälschen so das
Meßergebnis.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen kostengünstigen Drucksensor
anzugeben, welcher in einem weiten Temperaturbereich unbeeinflußt
durch Druck und Temperatur der Umgebung genaue Druckmeßwerte liefert.
Die Aufgabe wird gelöst durch einen Sensor mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Anspruchs 1. Das Sensorsubstrat ist weder mit einem
Teil des umgebenden Gehäuses fest verbunden, noch durch eine andere
statische Verbindung seitlich fixiert. Durch die erfindungsgemäße
schwimmende Lagerung wirken sich auf das Gehäuse einwirkende Kräfte
und Spannungen nicht auf den Sensor aus. Da sich der Sensor zudem in
einem abgeschlossenen Gehäuse befindet und gegen dieses aufgrund der
sehr kleinen Kontaktfläche thermisch gut isoliert ist, ist das
Sensorsubstrat nahezu frei von Temperatureinflüssen.
Erfindungsgemäße Sensoren können kostengünstig in sehr robuster
Ausführung hergestellt werden. Das Sensorsubstrat, welches
beispielsweise ein metallisches oder keramisches Substrat sein kann,
ist äußerst stabil. Es ist auch bei starker mechanischer
Beanspruchung einsetzbar. Es ist so robust, daß der abgeglichene
Sensorhybrid in das Gehäuse eingebettet werden kann, ohne dabei
Änderungen zu erfahren.
Von besonderer erfinderischer Bedeutung ist die Ausge
staltung des Übergangs von Membran zum Grundkörper des
Sensorsubstrates. Seine Ausgestaltung besteht in der Ein
formung einer Rundung, welche gewährleistet, daß die höchste
Zugspannung, welche auf die Membran einwirkt, zur Membran
mitte hin konzentriert wird. Deshalb sollen die Wider
stände auf der Membranfläche selbst Dehnungswerte und
die Widerstände im Randbereich der Membran Stauchungs
werte erfassen können.
Insgesamt soll das Membranprofil so ausgestaltet sein,
daß möglichst große Flächen mit konstanter Dehnung bzw.
mit konstanter Stauchung (Pressung) entstehen, auf welchen
die Widerstände angeordnet sind, welche diese Verformun
gen erfassen.
Die Verbindung der einzelnen Widerstände geschieht bevor
zugt durch eine Brückenschaltung, wobei jeweils ein Wider
stand aus der Membranfläche mit einem Widerstand aus dem
Randbereich gekoppelt ist. Auf diese Weise wird ein opti
males Sensorsignal in Form einer Brückenspannung erzeugt.
Die Brückenwiderstände haben bis auf eine Reststreuung
dasselbe Temperaturverhalten, sowie dieselbe Alterungs
drift. Daraus resultiert eine geringe Temperaturabhängig
keit des Brückensignals sowie eine gute Alterungstabili
tät über die Lebensdauer hinweg.
Durch das Herausformen der Membran in dem Grundkörper
des Sonsorsubstrates ist eine Kaverne ausgebildet. In
einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird
das Sensorsubstrat einem Vorsprung eines Gehäuseunterteils
so aufgesetzt, daß die Kaverne diesen Gehäusevorsprung
übergreift. Durch den Gehäusevorsprung hindurch geschieht
mittels beispielsweise einer Bohrung der Anschluß an die
zu erfassende Druckquelle. Zwischen der Außenwand des
Vorsprunges und der Innenwand der Kaverne des Sensorsub
strates ist ferner eine Ringdichtung angeordnet, so daß
das Innere der Kaverne zur Membran hin abgedichtet ist.
Allerdings bieten sich für den Anschluß des druckführen
den Mediums aus der Druckquelle unterschiedliche Verbin
dungsmöglichkeiten. Beispielsweise kann das Sensorsub
strat auch direkt an ein Gehäuseteil durch Widerstands
schweißen oder Laserschweißen festgelegt werden. Es bieten
sich aber auch Hartlöt- oder Klebeverbindungen bzw. Schraub
verbindungen mit metallischer Dichtung an. Hier soll dem
Rahmen der Erfindung keine Grenze gesetzt sein.
Das Sensorsubstrat kann entsprechend dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel von einem Gehäuseoberteil auf dem
Vorsprung gehalten sein, wobei dieses Gehäuseoberteil
einen Steckerteil zum Anschließen von Leitungen an die
Widerstände trägt.
Bevorzugt soll die Oberfläche des Sensorsubstrates über
Vorbereitungsprozesse so aktiviert werden, daß Standard
dickschichtsysteme aufgebaut werden können, die dann auch
die Widerstände beinhalten. Die Signale dieser Widerstände
können dann entweder aus dem Gehäuse des Drucksensors
geleitet oder innerhalb des Gehäuses in einem Auswerte
hybrid verarbeitet werden. Die Dickschichttechnik ist
eine Technik zur Realisierung sehr zuverlässiger Sensor
elemente und Auswerteschaltungen. Sie kann in einem großen
Temperaturbereich eingesetzt werden (-50°C bis +200°C)
und sie weist eine gute Langzeitstabilität auf. Der Auf
bau von Sensorelement und Auswerteschaltung ist in einer
einheitlichen Technologie zu realisieren. Aufwendige Ver
bindungen zwischen Sensorelement und Sensorsubstrat ent
fallen. Die Dickschichttechnik ist ferner geeignet für
die vollautomatische Herstellung von Drucksensoren in
sehr großen Stückzahlen. Der Sensorhybrid kann sehr kosten
günstig hergestellt werden. Auf dem Sensorsubstrat können
mit relativ geringem Aufwand unterschiedliche Auswerte
schaltungen für spezielle Anwendungen (z. B. Sensor-
Aktuatoren) realisiert werden.
In dem Fall, daß die Widerstände frei auf der Membran
angeordnet sind, wird die Membran von einer Druckbeauf
schlagung gegen einen Umgebungsdruck in dem Gehäuse aus
gelenkt, so daß hier ein Relativdruck ermittelt wird. In
vielen Anwendungsfällen soll jedoch der Absolutdruck als
Meßwertgröße unter Ausschaltung eines unterschiedlichen
Umgebungsdruckes ermittelt werden, was im vorliegenden Aus
führungsbeispiel durch eine Kappe über die Widerstände
erzielt wird. Diese Kappe kann beispielsweise aufgeglast
sein und bildet eine Referenz-Kammer, welche evakuiert
wird. Selbstverständlich beinhaltet dann diese Kappe auch
Leiterbahndurchführungen für die entsprechenden Leitungen
zu den Widerständen.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Druck
sensors zum Erfassen von Druckschwankungen einer Druck
quelle über die Ermittlung von Widerstandswerten von einem
Sensorsubstrat zugeordneten Sensorwiderständen, beinhaltet
die Ausbildung einer Membran in dem Grundkörper des Sensor
substrates unter Einformung einer Kaverne. Ferner wird
der Übergangsbereich zwischen Membran und Grundkörper
so abgerundet, daß bei Aufbringen eines Druckes auf die
Membran die Widerstände auf der Membranfläche gedehnt
und die Widerstände im Übergangsbereich gestaucht werden.
Dabei ist die Geometrie und Lage der Widerstände so opti
miert, daß die Widerstände über der Membranfläche möglichst
gleichmäßig hohe Dehnungen bzw. Stauchungen erfahren.
Die oben erwähnte Brückenschaltung zur Verbindung der
Widerstände hat infolge geringer Streuungen der Widerstands
werte der Sensorwiderstände einen Offset-Fehler. Dieser
Offset-Fehler wird durch ein im Dickschichtverfahren auf
das Sensorsubstrat aufgebrachtes Widerstandsnetzwerk korri
giert und durch beispielsweise Lasertrimmen abgeglichen.
Bevorzugt soll eine noch verbleibende Temperaturabhängig
keit des abgeglichenen Brückensignals durch ein Dickschicht
netzwerk mit positivem oder negativem Temperaturkoeffi
zienten kompensiert werden. Ergebnis dieser Anordnung
ist ein abgeglichenes und temperaturkompensiertes unver
stärktes Sensorsignal, welches direkt am Sensorsubstrat
abgegriffen werden kann.
In vielen Anwendungsbereichen wird aber ein verstärktes
und in der Empfindlichkeit geeichtes Sensorsignal erwünscht.
Zu diesem Zwecke ist eine aktive Verstärkerschaltung als
Löthybrid mit SMD-Bauelementen bzw. in Chip + Wire - Technik
auf das Sensorsubstrat aufgebracht. Über einen Funktions
abgleich wird dann jeder Sensor individuell geeicht.
Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden Beschreibung
bevorzugter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Sie
zeigt in
Fig. 1 einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen
Drucksensor;
Fig. 2 einen teilweise und vergrößert dargestellten Quer
schnitt durch ein Substrat;
Fig. 3 ein Beispiel einer Anordnung von Widerständen
auf dem Substrat;
Fig. 4 ein Beispiel einer Schaltung von Widerständen
auf dem Substrat;
Fig. 5 einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungs
beispiel eines Substrates;
Fig. 6 bis 8 Querschnitte durch weitere Ausführungs
beispiele von Drucksensoren.
Ein Drucksensor P weist gemäß Fig. 1 ein Gehäuse 1 auf,
welches aus einem Oberteil 2 und einem Unterteil 3 besteht.
Das Unterteil 3 besitzt einen Anschluß 4, beispielsweise
in Form eines entsprechenden Nippels, an eine nicht näher
gezeigte Druckquelle.
Entsprechende Druckdifferenzen werden über eine Bohrung
5 in das Innere des Gehäuses 1 übertragen und von einem
Sensorsubstrat 6 aufgenommen. Dieses Sensorsubtrat 6 kann
ein metallisches Substrat sein oder aus einem anderen
Material bestehen, welches dafür geeignet ist, daß nach
speziellen Vorbehandlungen bzw. Vorbereitungsschritten
Standarddickschichtprozesse aufgebaut werden können. Der
artige Substrate sind beispielsweise in der DE-OS 21 50 695,
der DE-OS 34 26 804 und der EP 01 71 699 genannt.
Aus dem eigentlichen Grundkörper 7 des Sensorsubstrates
6 ist eine Membran 8 herausgearbeitet, was beispielsweise
durch Fräsen mit einem Formfräser, durch ein NC-gesteuer
tes Drehen, durch Erodieren oder bei sinterfähigem Substrat
material durch Formpressen und Sintern erfolgt. Als Materia
lien für das Sensorsubstrat kommen alle in Betracht, welche
für Standarddickschichtprozesse geeignet sind, insbesondere
Metall (Titan oder Titanlegierungen) und Keramik.
Das Sensorsubstrat 6
ist eine Scheibe, in welche zur Ausbildung
der Membran 8 eine Kaverne 9 eingeformt ist. In Gebrauchs
lage greift in diese Kaverne 9 ein aus dem Unterteil 3
im Gehäuseinneren herausgeformter nippelförmiger Vorsprung
10 ein und ist randseitig gegenüber der Kaverne 9 durch
eine Ringdichtung 11 abgedichtet. Auch dieser Vorsprung
10 wird von der Bohrung 5 durchzogen.
Das Oberteil 2 dient im wesentlichen zur Halterung des
Sensorsubstrates 6 bzw. zu dessen Abdeckung. Ihm ist ein
Steckerteil 12 aufgesetzt, wobei entsprechende Stecker
13 das Oberteil 2 durchbrechen. Entsprechende elektrische
Leitungen 14 führen von den Steckern 13 zum Sensorsubstrat 6.
Das Sensorsubstrat 6 bzw. das Verhältnis von Membran 8
zu Grundkörper 7 weist eine bestimmte Konfiguration auf.
Der Übergang von Membran 8 zu Grundkörper 7 besitzt eine
derartige Rundung 15, daß die höchste Zugspannung bei
Druckbeaufschlagung in der Membranmitte auftritt. Darüber
hinaus ist das Membranprofil so gestaltet, daß möglichst
große Flächen mit konstanter Dehnung bzw. mit konstanter
Pressung entstehen, auf welchen die Widerstände angeordnet
sind, welche die Verformung erfassen. Die Ermittlung der
geeigneten Form der Membran erfolgt mit Hilfe entspre
chender FEM-Rechnungen.
Die ebene Oberfläche des Sensorsubstrates wird über Vorbe
reitungsprozesse so aktiviert, daß Standarddickschicht
systeme aufgebaut werden können. Dabei sind über der Mem
bran Dickschichtwiderstände 16 und 17 so angeordnet, daß
durch die Verformung der Membran 8 die mittleren Dick
schichtwiderstände 16 gedehnt und die äußeren Widerstände
17 gestaucht werden. Eine entsprechende Anordnung ist
schematisch in Fig. 3 gezeigt.
Bei der Dehnung ändern sich die Widerstandswerte entspre
chend ihres k-Faktors in Abhängigkeit von der Verformung.
Die Geometrie und Lage der Widerstände 16 bzw. 17 ist
so optimiert, daß sie über die aktive Fläche möglichst
gleichmäßig hohe Dehnungen bzw. Stauchungen (Pressungen)
erfahren. Dabei ist die Widerstandsfläche selbst möglichst
groß, wodurch ein geringes Rauschen, hohe Stabilität und
geringe Randeffekte erzielt werden. Die Anbindung der
Leitungen 14 ist ebenfalls möglichst flächenmäßig groß,
wodurch ein geringer Einfluß von Alterungsdriften erhalten
wird. All diese Randbedingungen führen dazu, daß nicht
nur rechteckförmige Widerstandsgeometrie gewählt werden,
sondern je nach Bedarf auch poligonförmige, halbkreis
förmige, parabelförmige und ähnliche Widerstandsgeometrie
gewählt werden.
Bei entsprechender Verknüpfung der Widerstände 16 bzw.
17 in einer Brückenschaltung, wie dies in Fig. 4 darge
stellt wird, wird ein optimales Sensorsignal in Form einer
Brückenspannung erzeugt. Die Brückenwiderstände haben
bis auf eine Reststreuung dasselbe Temperaturverhalten
sowie dieselbe Alterungsdrift. Daraus resultiert eine
geringe Temperaturabhängigkeit des Brückensignals (< 10%
des Signalhubs im Temperaturbereich von -40°C bis +130°C)
sowie eine gute Alterungsstabilität über die Lebensdauer
(ca. 1% des Signalhubs). Die Brückenschaltung hat infolge
geringer Streuungen der Widerstandswerte der Sensorwider
stände 16 und 17 einen Offsetfehler (Gleichanteil). Dieser
Offsetfehler wird durch ein Widerstandsnetzwerk in Dick
schichttechnik korrigiert, welches durch Lasertrimmen
abgeglichen wird. Die verbleibende Temperaturabhängigkeit
des abgeglichenen Brückensignals wird ebenfalls durch
ein Dickschichtnetzwerk mit positivem oder negativem Tempe
raturkoeffizienten kompensiert.
Ergebnis dieser Anordnung ist ein abgeglichenes und tempe
raturkompensiertes, unverstärktes Sensorsignal, welches
direkt am Sensorsubstrat 6 abgegriffen werden kann.
Bei vielen Anwendungen ist ein verstärktes und in der
Empfindlichkeit geeichtes Sensorsignal erwünscht. In Er
weiterung der eben genannten Anordnung wird deshalb auf
dem Sensorsubstrat 6 eine aktive Verstärkerschaltung als
Lothybrid mit SMD-Bauelementen bzw. in Chip + Wire - Technik
aufgebaut. Über einen Funktionsabgleich wird dann jeder
Sensor individuell geeicht.
Eine geringe Temperaturabhängigkeit wird durch Wahl ge
eigneter Temperaturkoeffizienten der Widerstände im Ver
stärkerzweig entweder fest eingestellt oder bei erhöhten
Genauigkeitsanforderungen individuell für jeden Sensor
abgeglichen.
Weiterhin wird für spezielle Anwendungen die Schaltung
sowie die integrierten Schaltkreise (IC′S) für eine Sig
nalverarbeitung mit auf das Sensorsubstrat 7 integriert,
so daß beispielsweise Leistungsschalter bei bestimmten
Druckwerten als Aktuatoren Steuerungsvorgänge auslösen.
Bei Bedarf wird die Auswertung des Sensorsignals in Form
einer digitalen Schaltung vorgenommen. Dabei werden Eich
und Korrekturwerte in digitaler Form gespeichert. Außer
dem werden zur Auswertung gewisser Zustände digitale Algo
rithmen verwendet und der Informationsaustausch mit einem
Steuergerät über eine digitale Schnittstelle (z.B. CAN
Bus) realisiert. Diese digitale Auswertschaltung wird,
sofern es vom räumlichen Aufbau des Sensors bzw. Sensor-
Aktuators sinnvoll ist, (z. B. bei einem flachen Gehäuse)
ebenfalls auf dem Sensorsubstrat 6 integriert. Bei anderen
Gehäuseformen, welche z. B. gemäß Fig. 6 zylinderförmig
mit geringem Durchmesser ausgestaltet sein können, wird
auf das Sensorsubstrat ein Sensorhybrid 18 aufgebracht
und darauf ein Auswerthybrid 19 aufgesetzt, z. B. auf
gelötet. Die Verbindung kann selbstverständlich auch durch
Kleben oder Bonden erfolgen.
Sind die Widerstände 16 bzw. 17 frei auf der Oberfläche
des Sensorsubstrates 6 aufgebracht, wird die Membran 8
von dem herrschenden Arbeitsdruck im Inneren der Kaverne
9 gegen den Umgebungsdruck im Gehäuseinneren ausgelenkt,
so daß der Relativdruck ermittelt wird. Für die Anwendung
zur Ermittlung eines Absolutdruckes wird über den nicht
gezeigten Sensorwiderständen eine Referenz-Kammer gebil
det, indem eine Kappe 21 auf das Sensorsubstrat 6 aufge
glast und die Referenzkammer 20 evakuiert wird. Bei 22
sind Leiterbahndurchführungen im Glas angedeutet.
Ein weiteres wichtiges Merkmal für die Herstellung von
kostengünstigen Sensorhybriden ist die Integration einer
beliebigen (eventuell auch digitalen) kompletten Auswerte
schaltung auf dem Sensorsubstrat. In diesem Fall entfallen
kostspielige Verbindung zwischen Substrat und Auswerte
schaltung sowie aufwendige Montagearbeiten bei der Her
stellung. Ferner ist es dann möglich, den Drucksensor
sehr flach zu halten.
In diesem Fall muß selbstverständlich das Sensorhybrid
bzw. die Drucksensoroberfläche genügend groß gehalten
werden, damit die Auswerteschaltung (-hybrid) genügend
Platz besitzt. In der Regel wird die Auswerteschaltung
auf dem Sensorsubstrat in Standarddickschichttechnik,
d. h. in derselben Art und Weise wie das Sensorelement,
aufgebracht.
Weitere Beispiele von Drucksensoren, insbesondere mit
auf dem Sensorsubstrat angeordneten Auswerteschaltungen
sind in Fig. 7 und 8 dargestellt. Gemäß Fig. 7 wird
bei dem Drucksensor P2 das Sensorsubstrat 6 durch einen
Gehäuserahmen 23 auf dem Unterteil 3 gehalten. Im Bereich
der Membran 8 sind Sensorelemente 16 und 17 erkennbar,
während außerhalb der Membran 8 auf dem Sensorsubstrat
aufgebrachte Auswerteschaltungen 19 angedeutet sind.
In dem weiteren Ausführungsbeispiel eines Drucksensors
P3 stützt sich ein Gehäuseoberteil 2 über entsprechende
Füße 24 auf der Oberfläche des Sensorsubstrates 6 zwischen
den Sensorelementen 16 bzw. 17 und den Auswerteschaltungen
19 ab. Entsprechende Leiterbahnen werden durch Isolier
gläser geschützt, so daß unter der Gegendruckfläche 25
Durchkontaktierungen gebildet sind.
Claims (12)
1. Drucksensor mit einem Gehäuse zum Erfassen von Druckschwankungen
einer Druckquelle über die Ermittlung von Widerstandswerten von einem
Sensorsubstrat zugeordneten Sensorwiderständen, wobei aus einem
Grundkörper des Sensorsubstrates eine Membran herausgeformt und
dadurch in dem Sensorsubstrat eine Kaverne ausgebildet ist, und
Sensorwiderstände sowohl im Randbereich, als auch über die Fläche der
Membran verteilt angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet,
daß das Sensorsubstrat (6) mit einem Unterteil (3) des Gehäuses (1)
längsverschiebbar verbunden und damit schwimmend gelagert ist, indem
in die Kaverne (9) ein Vorsprung (10) des Gehäuseunterteils (3) mit
einer Bohrung zur Druckquelle eingreift, an dem sich das
Sensorsubstrat (6) durch eine Ringdichtung (11) abstützt, und daß das
Sensorsubstrat (6) auf einem Vorsprung (10) von einem Oberteil (2)
des Gehäuses (1) gehalten ist, wobei das Sensorsubstrat (6) nur mit
einem Bruchteil seiner Oberfläche am Gehäuseoberteil (2) anliegt.
2. Drucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Übergang von Membran (8) zum Grundkörper (7) des Sensorsubstrates (6)
eine Rundung (15) aufweist.
3. Drucksensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Widerstände (16) auf der Fläche der Membran (8) dehnbar und die
Widerstände (17) im Randbereich der Membran stauchbar sind, wobei die
Widerstände und Leiterbahnen bevorzugt in Dickschichttechnik auf das
Substrat aufgebracht sind.
4. Drucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß jeweils der Widerstand (16a bzw. 16b) aus der
Fläche der Membran (8) mit einem Widerstand (17a bzw. 17b) aus dem
Randbereich zu einer Brückenschaltung verbunden ist.
5. Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß auf dem Sensorsubstrat (6a) ein Sensorelemente
(16, 17) sowie eine Auswerteschaltung (19) enthaltendes Sensorhybrid
(18) angebracht ist.
6. Drucksensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß den Widerständen (16, 17) Leitungen (14)
zugeführt sind, in welche eine Auswerteschaltung (19) eingeschaltet
ist.
7. Drucksensor nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß eine komplette Auswerteschaltung (19a) auf dem
Sensorsubstrat (6) angeordnet ist.
8. Drucksensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Auswerteschaltung (-hybrid) (19a) auf dem Sensorsubstrat (6) in
Standard-Dickschichttechnik aufgebracht ist.
9. Drucksensor nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß
das mit der Auswerteschaltung (19a) und den Sensorelementen (16, 17)
belegte Sensorelement (6) außen von einem Gehäuserahmen (23)
gehalten ist.
10. Drucksensor nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß
sich ein Gehäuseoberteil (2) mit Füßen (24) auf dem Sensorsubstrat
(6) zwischen Auswerteschaltung (19a) und Sensorelementen (16, 17)
unter Ausbildung von Durchkontaktierungen abstützt.
11. Drucksensor nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß über die Sensorwiderstände (16, 17) eine Kappe
(21) unter Ausbildung einer Referenzkammer (20) aufgesetzt,
beispielsweise aufgeglast, ist.
12. Drucksensor nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
zwischen dem mit Dickschichthybrid belegten Sensorsubstrat (6) und
der Kappe (21) Leiterbahndurchführungen (22) vorgesehen sind.
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Family Applications (1)
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