DE4111148A1 - Sensor - Google Patents
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Description
Die Erfindung geht aus von einem Sensor zur Bestimmung eines Drucks
oder einer Kraft nach der Gattung des Hauptanspruchs. Aus der
DE-OS 38 18 191 ist ein Sensor bekannt, bei dem ein Dickschichtwi
derstand auf einen Träger aufgebracht ist und der mit einem Kraft
einleitungsteil in Wirkverbindung steht. Die Temperaturabhängigkeit
des ohmschen Widerstandes dieses Dickschichtwiderstandes begrenzt
die Einsatzgebiete eines derartigen Sensors. Er kann entweder nur
für dynamische Messungen eingesetzt werden, das heißt der absolute
Druck oder die absolute Kraft sind nicht zu bestimmen oder deren Be
stimmung erfodert einen Nullabgleich vor jedem Meßvorgang.
Weiterhin sind piezoresistive Drucksensoren bekannt, bei denen eine
elastisch verformbare Membran mit piezoresistiven Widerständen nach
dem Prinzip der Dehnmeßstreifen zusammenwirkt. Derartige Membranen
sind aufwendig herzustellen und haben oftmals nur eine sehr geringe
Lebensdauer (DE-OS 39 19 059, DE-OS 39 28 542).
Aus der DE-OS 31 25 640 ist ein Sensor bekannt, bei dem piezoresi
stive Meßelemente auf einem Träger angebracht sind und möglichst na
he am Druckraum angeordnet werden. Durch eine Brückenschaltung von
geeigneten Widerständen soll eine Temperaturkompensation erreicht
werden. Dazu wird nur ein Teil der Elemente der Brücke dem Druck
ausgesetzt und der andere Teil druckabgeschirmt. Das soll durch ei
nen Ring oder eine Abdeckplatte geschehen, mit denen der druckdicht
abzuschirmende Teil der Brücke versehen ist. Eine derartige Anord
nung ist sehr aufwendig. Wird darüber hinaus ein derartiger Sensor
zum Beispiel als Brennraumdrucksensor in einem Kraftfahrzeug einge
setzt, sind die Meßelemente, das heißt die Widerstände, da sie nahe
zu direkt dem Druck ausgesetzt sind, auch den dort herrschenden Tem
peraturen von ca. 2000°C ausgesetzt. Dadurch können sich Verspan
nungen im Gehäuse des Sensors ergeben, die zu einer Verfälschung des
Drucksignals führen können. Darüber hinaus ist die Lebensdauer bei
diesen hohen Temperaturen sehr kurz.
Ferner wird in der US-PS 46 45 965 ein Drucksensor beschrieben, des
sen Meßelement aus piezoelektrischem Material besteht. Als piezo
elektrische Elemente können zum Beispiel piezokeramische Bauteile
verwendet werden, die durch eine aufwendige Verschweißung von Dräh
ten mit Kontaktscheiben kontaktiert werden. Bei piezoelektrischen
Elementen wird im Unterschied zu piezoresistiven Elementen bei
Druckeinwirkung zur Meßsignalerzeugung eine Ladung und somit eine
Spannung erzeugt. Diese Spannung wird abgegriffen und ausgewertet.
Im Unterschied hierzu wird bei piezoresistiven Elementen eine Span
nung angelegt, und der elektrische Widerstand im piezoresistiven
Element wird durch den einwirkenden Druck verändert. Die elektroni
sche Aufbereitung des Meßsignales ist bei rein ohmschen Sensoren
einfacher.
Der erfindungsgemäße Sensor mit den kennzeichnenden Merkmalen des
Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß eine gleichmäßige,
homogene und orthogonale Belastung über dem Meßwiderstand während
der Messung möglich ist. Das führt zu einer hysteresearmen und be
reits im Anfangsbereich linearen Kennlinie. Die Kontaktierungsstel
len der Ableitdrähte und die Ergänzungswiderstände liegen außerhalb
des eigentlichen Meßbereichs und können somit die Wirkung des Meßwi
derstandes nicht störend beeinflussen.
Der Sensor baut klein und kompakt und zeichnet sich insbesondere
durch eine sehr geringe thermische Drift aus, das heißt die Umge
bungstemperatur und insbesondere Temperaturschwankungen beeinflussen
das Meßsignal nicht oder nur unerheblich. Darüber hinaus kann dieser
Sensor einfach und kostengünstig erstellt werden, da für die Meßele
mente Widerstände in Schichttechnik, das heißt Dünnschicht- oder
Dickschichttechnik, genutzt werden.
Drei Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in der nachfolgenden
Beschreibung und Zeichnung näher erläutert. Letztere zeigt in ver
einfachter Darstellung in Fig. 1 eine Seitenansicht eines ersten
Ausführungsbeispiels eines Drucksensors, in Fig. 2 eine Draufsicht
auf diesen Drucksensor. Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf ein zwei
tes Ausführungsbeispiels des Drucksensors, Fig. 4 eine Seitenan
sicht eines dritten Ausführungsbeispiels und Fig. 5 eine Draufsicht
auf dieses Ausführungsbeispiel.
In den Fig. 1 und 2 ist mit 10 ein Sensor bezeichnet, bei dem
zwei Widerstände 11, 12 in Dünn- oder Dickschichttechnik und ent
sprechende Leiterbahnen 13 auf einer Stirnseite eines als Träger 14
dienenden, zylinderförmigen Substrats angebracht sind. Der Träger 14
kann zum Beispiel aus Keramik, Polymerwerkstoff oder Stahl bestehen.
Bei der Verwendung von Stahl oder anderen elektrisch leitenden Ma
terialien ist zwischen den Widerständen 11, 12 und den Leiterbah
nen 13 einerseits und dem Träger 14 andererseits eine - hier nicht
dargestellte - Isolationsschicht angeordnet, die beispielsweise aus
Dickschichtglas, Dünnschicht- oder Polymerschichtwerkstoff,
Polymerfolie oder Klebstoff besteht.
Die Mantelfläche des Trägers 14 ist an zwei sich gegenüberliegen
den Abschnitten 15, 16 abgeflacht. Am Abschnitt 15 ist eine metalli
sche Zone 17 angebracht, die mit einem Abschnitt der Leiterbahnen 13
überlappt. Am Abschnitt 16 sind zwei weitere metallische Zonen 18,
19 angeordnet, die ebenfalls mit den Leiterbahnen 13 verbunden sind.
An diese Zonen 17 bis 19 sind elektrische Anschlußdrähte 20 ange
schlossen. Die Leiterbahnen 13 sind so ausgebildet, daß die Wider
stände 11, 12 und die Anschlußdrähte 20 in Form einer Halbbrücke
miteinander verschaltet sind, wobei der Widerstand 11 als veränder
barer Widerstand (piezoresistives Meßelement) dient.
Die beiden Widerstände 11, 12 sind so angeordnet, daß sie sich nah
beieinander befinden und der Widerstand 11 etwa mittig auf der
Stirnfläche des Trägers 14 angeordnet ist und dort mit einem
zylindrischen Krafteinleitungsteil 21 zusammenwirkt. Durch dieses
Krafteinleitungsteil 21 wird eine Kraft orthogonal in den Widerstand
11 bzw. den Träger 14 eingeleitet. Der Durchmesser des Kraftein
leitungsteils 21 ist so gewählt, daß nahezu der gesamte nicht von
Leiterbahnen 13 abgedeckte Bereich 22 des Widerstandes 11 überdeckt
ist, der Widerstand 12 jedoch nicht überdeckt wird. Das Krafteinlei
tungsteil 21 kann aus den gleichen Werkstoffen hergestellt sein wie
der Träger 14, wobei bei der Verwendung von leitenden Materialien
ebenfalls eine entsprechende Isolationsschicht aufgebracht ist. Sind
die Widerstände 11 und 12 mit einer Glasabdeckung versehen, kann auf
die Isolationsschicht am Krafteinleitungsteil 21 verzichtet werden.
Krafteinleitungsteil 21, Widerstand 11 und der Träger 14 sind fest
miteinander verbunden, zum Beispiel durch Klebung mit Glas oder
Polymerwerkstoff oder bei Verwendung von Dickschichtwiderständen
durch diesen selbst. Dazu wird das Krafteinleitungsteil 21 beim
Herstellen des Sensors auf die noch weiche Paste des Widerstands 11
aufgesetzt und leicht angedrückt. Bei elektrisch leitendem Kraftein
leitungsteil 21 und/oder Träger 14 kann auch die zuvor beschriebene
Isolationsschicht zur festen Verbindung des Krafteinleitungsteils 21
mit dem Widerstand 11 bzw. dem Träger genutzt werden.
Durch die zuvor beschriebene Widerstandsanordnung in Form einer
Halbbrücke und orthogonal belastetem Widerstand (Meßelement) wird
sowohl eine gleichmäßige Kraftverteilung erreicht als auch durch die
Anordnung des zweiten, unbelasteten Widerstandes in unmittelbarer
Nähe des Meßelementes eine Temperaturkompensation erreicht. Durch
die orthogonale Belastung des Meßelementes wird bei Krafteinwirkung
der spezifische Widerstand des piezoresistiven Widerstands verändert
und somit ein Meßsignal erzeugt.
Das in Fig. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich
von dem zuvor beschriebenen durch die Anbindung der Ableitdrähte.
Der Sensor 10A hat einen ebenfalls aus einem zylindrischen Substrat
bestehenden Träger 14A, der statt der flachen Abschnitte drei Ein
schnitte 23 am Außenumfang aufweist. Diese Einschnitte 23 reichen
bis in den Bereich der Leiterbahnen 13A und sind beispielsweise
mittels eines Lasers aus dem Substrat des Trägers 14A geschnitten.
In den Einschnitten 23 sind die Ableitdrähte 20A geführt, die von
unten durch die Leiterbahnen 13A ragen und auf deren Oberseiten mit
diesen verlötet sind. Dadurch wird sowohl die Fertigung des Trä
gers 14A und der Leiterbahnen 13A als auch die Anbindung der Ableit
drähte 20A vereinfacht. Weiterhin wird dadurch auch die Kontakt
stelle bzw. die Anbindung der Ableitdrähte 20A an die Leiterbahnen
13A beim Einbau des Sensors beispielsweise in ein Gehäuse vor
Beschädigung geschützt. Damit wird auch die Formgebung eines solchen
Gehäuses vereinfacht.
Alternativ zu der Führung der Anschlußdrähte in den Einschnitten
können diese auch in Bohrungen am Rand des Trägers verlaufen.
Der in den Fig. 4 und 5 dargestellte Sensor 10B unterscheidet
sich von dem zuvor beschriebenen durch die Form des Trägers, die
Schaltung der Widerstände und die Anbindung der Ableitdrähte.
Der Träger 14B ist quaderförmig ausgebildet; auf einer etwa quadra
tischen Stirnseite trägt er eine Dick- oder Dünnschichtschaltung,
bei der vier Widerstände 25 bis 28 und entsprechende Leiterbahnen
13B in Form einer Vollbrücke angeordnet sind. Die beiden variablen
Widerstände 25, 26 (piezoresistive Meßelemente) haben eine etwa
rechtwinklige Form und sind relativ nah zueinander etwa in der Mitte
der Stirnfläche des Trägers 14B angeordnet. Mit den Leiterbahnen 13B
sind vier elektrische Anschlußdrähte 20B verbunden, so daß - in an
sich bekannter Weise - an eine Brückendiagonale eine Brückenspan
nung angelegt wird und an der anderen Brückendiagonalen die Meßspan
nung abgenommen wird. Die Leiterbahnen 13B sind so ausgebildet, daß
sich die Kontaktierungsstellen mit den Ableitdrähten 20B jeweils
etwa im Bereich einer Ecke der Stirnfläche befinden.
Das Krafteinleitungsteil 21B ist etwa zylinderförmig ausgebildet und
wirkt mit den beiden Widerständen 25, 26 zusammen, das heißt diese
werden nahezu vollstandig vom Krafteinleitungsteil 21B überdeckt.
Dieses kann dazu auch eine etwa rechteckige Stirnfläche aufweisen.
Analog zum Ausführungsbeispiel zuvor sind auch hier die beiden
Widerstände 27, 28 unbelastet und dienen zur Temperaturkompensation.
Durch die direkte, orthogonale Belastung der Meßelemente wird ein
sehr kleinbauender, kompakter Sensor ermöglicht. Eine Membran zur
Einleitung einer Dehnung in die Widerstände ist nicht notwendig, da
das Meßsignal erzeugt wird, indem die piezoresistiven Widerstände
(Meßelemente) orthogonal belastet werden und ihren spezifischen
Widerstand bei Krafteinwirkung ändern. Dadurch wird ein axial sehr
steifer Sensor ausgebildet, der aufgrund der Temperaturkompensation
durch die Schaltung der Widerstände in Halb- oder Vollbrücke nur
eine geringe thermische Drift aufweist, und sich somit auch für
statische Messungen eignet. Die Vollbrückenschaltung kann auf qua
dratischen oder rechteckigen Stirnflächen eines Trägers aufgebracht
werden und damit in Mehrfachnutzen gedruckt und bestückt werden. Bei
ausreichend großen Abmessungen kann damit auch eine Kontaktierung
der Anschlußdrähte durch Bonden oder Löten an der Stirnseite er
folgen. Bei geringen Abmessungen kann die Kontaktierung der An
schlußdrähte auch an den abgeflachten Bereichen eines zylinderförmi
gen Trägers vorgenommen werden. Die Kontaktierung kann auch analog
zum Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 ausgeführt werden. Dadurch ent
fällt ein Abwinkeln der Ableitdrähte, wie in Fig. 4 dargestellt.
Darüber hinaus kann der Sensor bzw. der Träger dann in großflächigen
Vielfachnutzen bedruckt und bestückt werden. Dazu ist es vorteil
haft, Bohrungen für die Ableitdrähte so anzubringen, daß sie auf dem
Trennschritt der einzelnen Substrate liegen, so daß jedem Substrat
bzw. Träger nach dem Trennen Bohrungsabschnitte mit etwa halbkreis
förmigem Querschnitt zugeordnet sind.
Claims (7)
1. Sensor (10; 10A; 10B) zur Bestimmung eines Drucks oder einer
Kraft mit Hilfe mindestens eines auf einem Träger (14; 14A; 14B)
aufgebrachten Schichtwiderstandes (11; 25, 26), der mit einem Kraft
einleitungsteil (21; 21A; 21B) in Wirkverbindung steht, und mit Lei
terbahnen (13; 13A; 13B), die den Widerstand (11; 25, 26) mit Ablei
tungen (20; 20A; 20B) verbinden, wobei Krafteinleitungsteil und Trä
ger gegenüber dem Widerstand und den Leiterbahnen elektrisch iso
liert sind, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Träger mindestens
ein zusätzlicher Schichtwiderstand (12; 27, 28) angeordnet ist, der
in unmittelbarer Nähe des mit dem Krafteinleitungsteil
(21; 21A; 21B) zusammenwirkenden Widerstandes (11; 25, 26) und
außerhalb des Kraftflusses zwischen diesem Krafteinleitungsteil und
dem mit diesem zusammenwirkenden Widerstand angeordnet ist.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht
widerstände (11, 12, 25-28) und die Leiterbahnen (13; 13A; 13B) in
Dünnschichttechnik erstellt sind.
3. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Schichtwiderstände (11, 12, 25-28) und die Leiterbahnen
(13; 13A; 13B) in Dickschichttechnik erstellt sind.
4. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der mit dem Krafteinleitungsteil (21; 21A; 21B) zusammenwirkende
Widerstand und der zusätzliche Widerstand durch die Leiterbahnen in
Form einer Halbbrücke verschaltet sind.
5. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß mit dem Krafteinleitungsteil (21B) zwei Widerstände zusammen
wirken, die mit zwei zusätzlichen Widerständen (27, 28) eine Voll
brücke bilden.
6. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ableitungen (20A, 20B) mit den Leiterbahnen (13A; 13B) im
Bereich der Stirnfläche des Trägers (14A; 14B) verbunden sind, wobei
sich diese Kontaktierungsstellen außerhalb des Bereiches des Kraft
einleitungsteils befinden.
7. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ableitungen (20) im Bereich der Mantelfläche des Trägers
(14) über leitende Zonen (17-19) mit den Leiterbahnen (13) verbun
den sind.
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DE19914111148 DE4111148A1 (de) | 1991-04-06 | 1991-04-06 | Sensor |
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Family Applications (1)
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DE3818191C2 (de) |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |