DE68906303T2 - Verfahren zur Herstellung einer Metalloxid-Verbindung. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Metalloxid-Verbindung.Info
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- -1 metal oxide compound Chemical class 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 26
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 22
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 10
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N caproic acid ethyl ester Natural products CCCCCC(=O)OCC SHZIWNPUGXLXDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 4
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 claims description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M D-gluconate Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-M 0.000 claims description 3
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229940022663 acetate Drugs 0.000 claims description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 3
- 229940001468 citrate Drugs 0.000 claims description 3
- 229940050410 gluconate Drugs 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 229940039748 oxalate Drugs 0.000 claims description 3
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 claims description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- ZKXWKVVCCTZOLD-UHFFFAOYSA-N copper;4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- KNPRLIQQQKEOJN-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)bismuthane Chemical compound [Bi+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] KNPRLIQQQKEOJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MMLSWLZTJDJYJH-UHFFFAOYSA-N calcium;propan-2-olate Chemical compound [Ca+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] MMLSWLZTJDJYJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N strontium;propan-2-olate Chemical compound [Sr+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- SEKCXMNFUDONGJ-UHFFFAOYSA-L copper;2-ethylhexanoate Chemical compound [Cu+2].CCCCC(CC)C([O-])=O.CCCCC(CC)C([O-])=O SEKCXMNFUDONGJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- YTBRWVXQNMQQTK-UHFFFAOYSA-N strontium;ethanolate Chemical compound CCO[Sr]OCC YTBRWVXQNMQQTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-L L-tartrate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-L 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003808 Sr-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001449 anionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- JHLCADGWXYCDQA-UHFFFAOYSA-N calcium;ethanolate Chemical compound [Ca+2].CC[O-].CC[O-] JHLCADGWXYCDQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMJQWGIYCROUQF-UHFFFAOYSA-N calcium;methanolate Chemical compound [Ca+2].[O-]C.[O-]C AMJQWGIYCROUQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SEVNKWFHTNVOLD-UHFFFAOYSA-L copper;3-(4-ethylcyclohexyl)propanoate;3-(3-ethylcyclopentyl)propanoate Chemical compound [Cu+2].CCC1CCC(CCC([O-])=O)C1.CCC1CCC(CCC([O-])=O)CC1 SEVNKWFHTNVOLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N diethyl sulfoxide Chemical compound CCS(=O)CC CCAFPWNGIUBUSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000003948 formamides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910001412 inorganic anion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- MYXUYXMJVQWRPU-UHFFFAOYSA-N triethoxybismuthane Chemical compound [Bi+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] MYXUYXMJVQWRPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G29/00—Compounds of bismuth
- C01G29/006—Compounds containing, besides bismuth, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0772—Processes including the use of non-gaseous precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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Description
- Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Metalloxid-Verbindungen.
- Inbesondere betrifft diese Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Metalloxid-Verbindungen mit spezifischen Zusammensetzungen, die als Supraleiter, Sauerstoff- Sensoren, Katalysatoren, usw. geeignet sind. Metalloxid- Verbindungen von Bismut (Bi), Strontium (Sr), Calcium (Ca) und Kupfer (Cu) mit spezifischen Zusammensetzungen sind als supraleitende Substanzen bekannt, die nicht erst unterhalb 77K supraleitend werden und die Aufmerksamkeit der Wissenschaftler geweckt haben. Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Bi-Sr-Ca-Cu-Oxidverbindungen.
- Diese Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines dünnen Films aus Bi-Sr-Ca-Cu-Oxidverbindungen.
- Typische, heute bekannte Verfahren zur Herstellung von Metalloxid-Verbindungen sind:
- (1) ein Verfahren, das das physikalische Pulverisieren und Vermischen des Oxids, Carbonats oder Oxalats der jeweiligen Metalle, das Brennen des Gemisches und das Pulverisieren des gebrannten Gemisches umfaßt;
- (2) ein Verfahren, das die Herstellung einer homogenen wäßrigen Lösung eines wasserlöslichen Salzes, wie eines Nitrats, Hydrochlorids usw. der jeweiligen Metalle, die Zugabe von Hydroxid-Ionen, Carbonat- Ionen, Oxalat-Ionen oder dergleichen zur Lösung, um ein unlösliches Copräzipitat der Hydroxide, Carbonate, Oxalate oder dergleichen der Metalle zu bilden, das Sammeln und Brennen dieses Niederschlags umfaßt; usw.
- Erst kürzlich wurde das folgende Verfahren entwickelt:
- (3) ein Verfahren, das die Herstellung einer homogenen organischen Lösung der Metallbestandteile durch Lösen von Alkoxiden oder eines β-Diketo-Komplexes oder β- Diketoester-Komplexes der Metalle in einem organischen Lösungsmittel, Hydrolysieren der Metallverbindungen, Sammeln des gebildeten Niederschlags und Brennen des gesammelten Niederschlags umfaßt.
- Im Verfahren (1) wird das vermischte Pulver gebrannt. Deshalb breitet sich die Reaktion von den Berührungsgrenzen der Teilchen aus und es können einige nicht umgesetzte Kerne übrig bleiben. Das heißt, die Produkte sind nicht homogen und ihre Zusammensetzung weicht oft von der beabsichtigten Zusammensetzung ab.
- Im Verfahren (2) unterscheiden sich die Fällungsbedingungen in einer Lösung von Element zu Element. Deshalb ist es schwierig, aus einer Lösung, die eine Vielzahl von Metallen in einem spezifischen Mengenverhältnis enthält, eine Metalloxid-Verbindung zu erhalten, in der die Metalle in genau dem gleichen Mengenverhältnis enthalten sind wie in der Lösung. Außerdem bleiben anorganische Anionen (NO&sub3;&supmin;, Cl&supmin;, SO&sub4;²&supmin;, usw.) als Verunreinigungen auch dann zurück, wenn die Produkte gebrannt werden, und beeinträchtigen die Eigenschaften der Produkte.
- Obwohl im Verfahren (3) Niederschläge mit der beabsichtigten Zusammensetzung erhältlich sind, bleiben organische Substanzen wie Kohlenstoff auch dann zurück, wenn das Produkt gebrannt wird, und beinträchtigen die Eigenschaften der Produkte.
- Wenn ein dünner Film der Metalloxid-Verbindung gebildet wird, so müssen die Zerstäubung oder ähnliche Verfahren angewendet werden und teure Vorrichtungen, wie eine Zerstäubungsvorrichtung, eine Heißpresse usw., werden benötigt.
- Erst kürzlich wurde ein Verfahren zur Herstellung eines dünnen Films von Metalloxid-Verbindungen vorgeschlagen, das das Lösen von Alkoxiden, eines β-Diketokomplexes, eines β- Ketoester-Komplexes oder von organischen Säuresalzen der Metallbestandteile in einem organischen Lösungsmittel zur Bildung einer homogenen Lösung, das Aufbringen der Lösung auf die Oberfläche eines Substrats zur Bildung einer Beschichtung aus den gelösten vermischten Stoffen, das Hydrolysieren der gelösten vermischten Stoffe durch die Feuchtigkeit der Atmosphäre und das Brennen des hydrolysierten Produkts umfaßt. Bei diesem Verfahren ist ein Brennvorgang notwendig, um die zurückbleibenden organischen Substanzen und Hydroxylreste zu entfernen und oft bleibt Kohlenstoff zurück, was die Qualität des Produkts beeinträchtigt.
- Es wurde nun festgestellt, daß durch Sieden eine Metalloxid-Verbindung aus Bismut, Strontium, Calcium und Kupfer hergestellt werden kann unter Rückfluß einer organischen Lösung, die Alkoxide von Bismut, Strontium und Calcium und organische Säuresalze oder einen β-Diketo- Komplex oder einen β-Ketoester-Komplex von Kupfer enthält, und gleichzeitiges Bestrahlen des entstandenen Produkts mit UV-Strahlen und IR-Strahlen, nachdem das Lösungsmittel entfernt worden ist.
- Es wurde auch festgestellt, daß ein dünner Film einer Metalloxid-Verbindung aus Bismut, Strontium, Calcium und Kupfer hergestellt werden kann durch Aufbringen des oben beschriebenen, unter Rückfluß erhitzten Reaktionsgemisches auf ein Substrat und gleichzeitiges Bestrahlen mit UV- Strahlen und IR-Strahlen, nachdem das Lösungsmittel durch Verdampfen entfernt worden ist.
- Ferner wurde festgestellt, daß bei der Zugabe von Wasser oder einer wäßrigen Lösung einer Base zu der oben beschriebenen, unter Rückfluß siedenden, organischen Lösung eine Metallhydroxid-Verbindung gebildet und durch Bestrahlen mit UV-Strahlen und IR-Strahlen in ein Oxid umgewandelt wird. Beschreibung der Erfindung Diese Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer Metalloxid-Verbindung bereit, die das Lösen eines C&sub1;-C&sub6;- Alkoxids von Bismut, eines C&sub1;-C&sub6;-Alkoxids von Strontium, eines C&sub1;-C&sub6;-Alkoxids von Calcium und eines Formiats, Propionats, Acetats, Citrats, Gluconats, Tartrats, Oxalats, Naphthenats, 2-Ethylhexanoats, oder β-Diketo-Komplexes oder β-Ketoester-Komplexes von Kupfer in einem organischen Lösungsmittel in dem gleichen Mengenverhältnis der Metalle wie das in der gewünschten Verbindung, Sieden des Gemisches unter Rückfluß und Bestrahlen des Reaktionsprodukts mit UV- Strahlen und IR-Strahlen nach dem Entfernen des Lösungsmittels umfaßt.
- Diese Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung eines dünnen Films einer Bi-Sr-Ca-Cu-Metalloxid-Verbindung bereit, die das Aufbringen des oben beschriebenen Reaktionsgemisches nach dem Sieden unter Rückfluß auf ein Substrat und gleichzeitiges Bestrahlen mit UV-Strahlen und IR-Strahlen umfaßt.
- Ferner stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Bi-Sr-Ca-Cu-Metallkomplex-Verbindung bereit, die das Sieden unter Rückfluß der oben beschrieben Lösung, der Wasser oder eine wäßrige Lösung einer Base zugegeben worden ist, und Bestrahlen des unter Rückfluß erhitzten Reaktionsgemisches nach dem Entfernen des Lösungsmittels umfaßt.
- Außerdem stellt die Erfindung noch ein Verfahren zur Herstellung eines dünnen Films einer Bi-Sr-Ca-Sr-Cu- Metallkomplex-Verbindung bereit, die das Aufbringen der Suspension des Reaktionsproduktgemisches der oben beschriebenen, unter Rückfluß siedenden Mischung in Gegenwart von Wasser oder einer Base auf ein Substrat, Entfernen des Lösungsmittels und Bestrahlen des zurückbleibenden Films mit UV- und IR-Stahlen umfaßt.
- Im Verfahren der vorliegenden Erfindung ist Bismut-alkoxid eine Verbindung, die durch die Formel Bi(OR¹)(OR²)(OR³) dargestellt ist, in der R¹, R² und R³ gleiche oder verschiedene C&sub1;-C&sub6;-Alkylreste sind.
- In der vorliegenden Erfindung sind Strontium-akoxid und Calcium-alkoxid Verbindungen, die durch die Formel A(OR¹)(OR²) dargestellt sind, in der A gleich Sr oder Ca ist und R¹ und R² gleiche oder verschiedene C&sub1;-C&sub6;- Alkylreste sind, C&sub1;-C&sub4;-Alkoxide sind bevorzugt.
- In der vorliegenden Erfindung werden Kupfer-acetat, -naphthenat und -2-ethylhexanoat als organische Säuresalze von Kupfer bevorzugt.
- β-Diketo-Komplexe und β-Ketoester-Komplexe von Kupfer werden durch die Formel Cu(OR)&sub1;(X)m dargestllt, in der R eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe ist, 1 gleich 0 oder 1 ist, m gleich 1 oder 2 ist und l + m = 2 und X eine Gruppe der Formel
- ist, wobei R¹ und R³ eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe sind und R² Wasserstoff oder eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe ist.
- Im Verfahren der vorliegenden Erfindung können fast alle organischen Lösungsmittel verwendet werden, sofern sie die oben beschriebenen Alkoxide und Kupfer-Komplexe lösen und gegenüber diesen Substanzen inert sind. Spezifische Beispiele sind Ester, wie Ethylacetat, Ethylpropionat usw., Alkohole, wie Methylalkohol, Ethylalkohol, n- und iso- Propylalkohol, n-, iso-, sek.- und tert.-Butylalkohol, n- Pentylalkohol, Isoamylalkohol, Hexylalkohol, Octylalkohol usw., aliphatische gesättigte Kohlenwasserstoffe, wie Pentan, Hexan, Cyclohexan, Methylcyclohexan usw., aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Benzol, Toluol, Xylol usw., zyklische Ether, wie Tetrahydrofuran, Dioxan usw., Cellosolven, wie Methylcellosolve, Ethylcellosolve, Butylcellosolve usw., Formamide, wie Dimethylformamid, Diethylformamid usw. und Sulfoxide, wie Dimethylsulfoxid, Diethylsulfoxid usw. Diese Lösungsmittel können einzeln oder in Kombination verwendet werden. Alkohole und Kohlenwasserstoffe werden bevorzugt.
- Die Lösungsmittel sollten vorzugsweise sorgfältig getrocknet und frei von Kohlendioxid sein. Die Menge an verwendetem Lösungsmittel ist nicht besonders begrenzt. Es wird in einer Menge verwendet, bei der alle vier Komponenten am besten reagieren können.
- Wird Wasser zur Hydrolyse der Alkoxide und Keto-Komplexe verwendet, so ist die Menge an zu verwendendem Wasser nicht besonders begrenzt. Die Base ist nur ein Katalysator. Die bevorzugte Base ist Ammoniak.
- Werden die Alkoxide und Keto-Komplexe in Gegenwart von Wasser oder Wasser und Base hydrolysiert, so gibt es keine speziellen Begrenzungen des pH-Wertes der Lösung.
- Die Menge an Wasser und der pH-Wert werden so eingestellt, daß die vier Komponenten vollständig ausfällt werden.
- Im Verfahren der vorliegenden Erfindung wird das Lösen der Ausgangsmaterialien durch Erwärmen beschleunigt. Die Temperatur sollte jedoch vorzugsweise nicht höher als 100 ºC sein, damit die Ausgangsmaterialien nicht zersetzt werden.
- Die Lösung wird bei der Siedetemperatur des verwendeten Lösungsmittels gehalten. Es wird vermutet, daß eine Alkoxidverbindung der vier Metalle gebildet wird. Das Sieden unter Rückfluß sollte vorzugsweise ausreichend lange durchgeführt werden. Durch diese Maßnahme erfolgt die Polymerisation der Alkoxidverbindung, wodurch bei der nachfolgenden thermischen Zersetzung eine gute Metalloxid- Verbindung bei einer relativ niedrigen Temperatur gebildet werden kann.
- Wird das Sieden unter Rückfluß in Gegenwart von Wasser oder von Wasser und einer Base durchgeführt, so wird vermutlich eine Metallhydroxid-Verbindung gebildet und bis zu einem gewissen Grad polymerisiert.
- Im Verfahren der vorliegenden Erfindung wird das Bestrahlen mit UV-Strahlen und IR-Strahlen im Vakuum, in einer Atmosphäre eines inerten Gases, in Sauerstoff, Luft oder Stickoxid nach dem Entfernen des Lösungsmittels durchgeführt.
- Beim Bilden eines dünnen Films wird zweckmäßigerweise die entstandene, unter Rückfluß erhitzte Lösung auf das Substrat als Lösung oder als Suspension aufgebracht.
- In den Verfahren der vorliegenden Erfindung werden die C&sub1;- C&sub6;-Alkoxide von Bismut, Strontium und Calcium und die oben erwähnten organischen Säuresalze, β-Diketo-Komplexe und β- Ketoester-Komplexe von Kupfer leicht durch Destillation und Umkristallisieren hochgradig gereinigt. Somit können hochreine Metalloxid-Verbindungen erhalten werden. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist keine thermische Energie für das Brennen notwendig, wie dies in den bekannten Verfahren verlangt wird. Ein dünner Film einer Metalloxid-Verbindung mit spezifischen Eigenschaften kann leicht hergestellt werden.
- Die Erfindung wird nun anhand der Arbeitsbeispiele erläutert.
- Bismut-triisopropoxid Bi[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub3; (19,3 g), Strontiumdiisopropoxid Sr[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; (10,28 g), Calcium-diisopropoxid Ca[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; (75 g) und Kupfer-acetylacetonat Cu(CH&sub3;COCHCOCH&sub3;)&sub2; (26,15 g) wurden in 1000 ml Isopropanol gelöst und die Lösung wurde 3 Stunden beim Siedepunkt des Isopropanols unter Rückfluß erhitzt. Das Isopropanol wurde abdestilliert und ein festes Produkt (Pulver) wurde erhalten. Das Produkt wurde gleichmäßig in einer Petrischale mit einem Durchmesser von 10 cm ausgebreitet und die Petrischale wurde in eine Quarzkammer mit einer Tiefe von 10 cm und einem horizontalen Querschnitt von 20 × 20 cm eingebracht. Die Kammer wies einen Gaseinlaß und einen Gasauslaß auf. Das Produkt wurde gleichzeitig eine Stunde lang mit UV-Strahlen aus einer Niederdruck-Quecksilberlampe und mit IR-Strahlen aus einer IR-Lampe bestrahlt. Die Temperatur des bestrahlten Pulvers wurde gemessen und betrug etwa 700 ºC. Das entstandene Produkt wurde durch das Röntgen-Beugungsverfahren analysiert. Die Ergebnisse entsprachen denen der als BiSrCaCu&sub2;O5,5 beschriebenen Verbindung. Das Pulver wurde unter einem Druck von 1,5 t/cm² verdichtet und die kritische Temperatur (Tc) der Supraleitfähigkeit wurde gemessen, sie betrug 78K.
- Bismut-triisopropoxid Bi[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub3;, Strontiumdiisopropoxid Sr[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; und Calcium-diisopropoxid Ca[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; wurden in Isopropanol und Kupfer-acetylacetonat Cu(CH&sub3;COCHCOCH&sub3;)&sub2; in Benzol gelöst, so daß die Metallkonzentration jeweils 0,035 Mol/l betrug. Es wurden jeweils 200 ml, 200 ml, 100 ml und 200 ml der Lösungen eingesetzt, vermischt und eingehend gerührt. Das Gemisch wurde 4 Stunden unter Rückfluß erhitzt. Danach wurde das Lösungsmittel abdestilliert, das Produkt wurde in eine Petrischale eingebracht und in gleicher Weise 20 Stunden bestrahlt. Die Temperatur des bestrahlten Pulvers stieg auf 820 ºC.
- Das entstandene Pulver wurde durch das Röntgen-Beugungsverfahren analysiert und die Ergebnisse entsprachen denen der als Bi&sub2;Sr&sub2;CaCu&sub2;O&sub8; beschriebenen Verbindung. Das Pulver wurde unter einem Druck von 1,5 t/cm² verdichtet und die kritische Temperatur (Tc) der Supraleitfähigkeit wurde gemessen, sie betrug 83K.
- Bismut-triisopropoxid Bi[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub3; (19,3 g), Strontiumdiisopropoxid Sr[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; (10,28 g), Calcium-diisopropoxid Ca[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; (7,9 g) und Kupfer-acetylacetonat Cu(CH&sub3;COCHCOCH&sub3;)&sub2; (20,15 g) wurden in 1000 ml Isopropanol gelöst und die Lösung wird 2 Stunden beim Siedepunkt des Isopropanols unter Rückfluß erhitzt. Danach wurden 30 ml Ammoniak-Wasser mit einem pH-Wert von 11 zum Reaktionsgemisch zugegeben und das Erhitzen unter Rückfluß wurde weitere 3 Stunden fortgesetzt. Es bildete sich ein Niederschlag. Der Niederschlag wurde gesammelt und in einer Petrischale mit einem Durchmesser von 10 cm ausgebreitet, die Schale wurde in eine Quarzkammer mit einem Gaseinlaß und einem Gasauslaß eingebracht. UV-Strahlen aus einer Niederdruck-Quecksilberlampe und IR-Strahlen aus einer IR- Lampe wurden gleichzeitig eine Stunde lang von oben auf den Niederschlag gerichtet. Das entstandene Pulver wurde gleichmäßig in einer Petrischale ausgebreitet, die Petrischale wurde in eine Quarzkammer mit einer Tiefe von 10 cm und einem horizontalen Querschnitt von 20 cm × 20 cm eingebracht und das Pulver wurde gleichzeitig eine Stunde lang mit UV-Strahlen aus einer Niederdruck-Quecksilberlampe und mit IR-Strahlen aus einer IR-Lampe von oben bestrahlt, während Sauerstoff durch die Kammer geleitet wurde. Die Temperatur des bestrahlten Pulvers stieg auf etwa 800 ºC. Das entstandene Pulver wurde durch das Röntgen-Beugungsverfahren analysiert. Die Ergebnisse entsprachen denen der als BiSrCaCu&sub2;O5,5 beschriebenen Verbindung. Das Pulver wurde unter einem Druck von 1,5 t/cm² verdichtet und seine kritische Temperatur (Tc) der Supraleitfähigkeit wurde gemessen, sie betrug 76K.
- Bismut-triisopropoxid Bi[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub3; (19,3 g), Strontiumdiisopropoxid Sr[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; (10,28 g), Calcium-diisopropoxid Ca[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub2; (7,9 g) und Kupfer-acetylacetonat Cu(CH&sub3;COCHCOCH&sub3;)&sub2; (26,15 g) wurden in 1000 ml Isopropanol gelöst und die Lösung wird 3 Stunden beim Siedepunkt des Isopropanols unter Rückfluß erhitzt. Die entstandene Lösung wurde auf eine Oberfläche einer 3 cm × 3 cm × 1 mm großen Magnesiumoxid-Platte aufgebracht. Nach dem Trocknen wurde die Platte in eine Quarzkammer mit einer Tiefe von 5 cm und einem horizontalen Querschnitt von 20 cm × 20 cm eingebracht, wobei die beschichtete Seite nach oben gerichtet war, und UV-Strahlen aus einer Niederdruck-Quecksilberlampe und IR-Strahlen aus IR-Lampe wurden gleichzeitig während 30 Minuten von oben auf die Platte gerichtet. Die Temperatur des Substrats stieg auf etwa 780 ºC. Die oben beschriebenen Maßnahmen des Beschichtens und des Bestrahlens wurden 10 Mal wiederholt. Die entstandene Oberfläche dieser Platte wurde quantitativ mit einem Röntgen-Mikroanalysator analysiert. Die Ergebnisse zeigten, daß Bi:Sr:Ca:Cu:O = 1:1:1:2:5,5. Die kritische Temperatur (Tc) der Supraleitfähigkeit dieses dünnen Films betrug 75K.
- Bismut-triethoxid Bi(OC&sub2;H&sub5;)&sub3; (17,2 g), Strontium-diethoxid Sr(ºC&sub2;H&sub5;)&sub2; (8,88 g), Calcium-diethoxid Ca(OC&sub2;H&sub5;)&sub2; (6,5 g) und Kupfer-2-ethylhexanoat Cu[C&sub4;H&sub3;CH(C&sub2;H&sub5;)COO]&sub2; (34,99 g) wurden in 1000 ml Ethanol gelöst. Die Lösung wird 3 Stunden beim Siedepunkt des Ethanols unter Rückfluß erhitzt. Die entstandene Lösung wurde auf die Oberfläche einer 1 mm × 3 cm × 3 cm großen Zirkoniumoxid-Platte aufgebracht. Nach dem Trocknen wurde die Platte in eine Quarzkammer mit einer Tiefe von 5 cm und einem horizontalen Querschnitt von 20 cm × 20 cm, die mit einem Gaseinlaß und einem Gasauslaß versehen war, eingebracht. UV-Strahlen aus einer Niederdruck-Quecksilberlampe und IR-Strahlen aus IR-Lampe wurden gleichzeitig während 1 Stunde von oben auf die Platte gerichtet. Die Temperatur des Substrats stieg auf etwa 800 ºC. Die oben beschriebenen Maßnahmen des Beschichtens und des Bestrahlens wurden 5 Mal wiederholt. Die entstandene Fläche dieser Platte wurde quantitativ mit einem Röntgen-Mikroanalysator analysiert. Die Ergebnisse zeigten, daß Bi:Sr:Ca:Cu:O = 1:1:1:2:5,5. Die kritische Temperatur (Tc) der Supraleitfähigkeit dieses dünnen Films betrug 78K.
- Bismut-triisopropoxid Bi[OCH(CH&sub3;)&sub2;]&sub3; (19,3 g), Strontiumdiethoxid Sr(OC&sub2;H&sub5;)&sub2; (8,88 g), Calcium-dimethoxid Ca(OCH&sub3;)&sub2; (5,1 g) und Kupfer-acetylacetonat Cu(CH&sub3;COCHCOCH&sub3;)&sub2; (26,15 g) wurden in 1000 ml Benzol gelöst. Die Lösung wurde 2 Stunden beim Siedepunkt des Benzols unter Rückfluß erhitzt. Die entstandene Lösung wurde auf die Oberfläche einer 0,5 mm × 3 cm × 3 cm großen Siliciumdioxid-Scheibe aufgebracht. Nach dem Trocknen an der Luft wurde die Scheibe mit der beschichteten Seite nach oben in eine Quarzkammer mit einer Tiefe von 5 cm und einem horizontalen Querschnitt von 20 cm × 20 cm, die mit einem Gaseinlaß und einem Gasauslaß versehen war, eingebracht. UV-Strahlen aus einer Niederdruck-Quecksilberlampe und IR-Strahlen aus IR- Lampe wurden gleichzeitig während 2 Stunden von oben auf die Scheibe gerichtet, während Sauerstoff durchgeleitet wurde. Die Temperatur des Substrats stieg auf etwa 750 ºC. Die Oberfläche wurde quantitativ mit einem Röntgen-Mikroanalysator analysiert und die Ergebnisse zeigten, daß Bi:Sr:Ca:Cu:O = 1:1:1:2:5,5. Die kritische Temperatur (Tc) der Supraleitfähigkeit dieses dünnen Films betrug 76K.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung einer Metalloxid-Verbindung
von Bismut, Strontium, Calcium und Kupfer, umfaßend:
das Lösen
(1) eines C&sub1;-C&sub6;-Alkoxids von Bismut,
(2) eines C&sub1;-C&sub6;-Alkoxids von Strontium,
(3) eines C&sub1;-C&sub6;-Alkoxids von Calcium und
(4) eines Formiats, Propionats, Acetats, Citrats,
Gluconats, Tartrats, Oxalats, Naphthenats, 2-
Ethylhexanoats, β-Diketo-Komplexes oder
β-Ketoester-Komplexes von Kupfer, dargestellt durch die
Formel
Cu(OR)l(X)m,
in der R eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe ist, l gleich 0
oder 1 ist, m gleich 1 oder 2 ist und l+m=2 und X
durch die Formel dargestellt ist
in der R¹ und R³ eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe sind und
R² Wasserstoff oder eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe ist,
in einem organischen Lösungsmittel in dem gleichen
Mengenverhältnis der Metalle wie das in der
gewünschten Metalloxid-Verbindung;
das Umsetzen des Gemisches bei der Rückflußtemperatur;
das Entfernen des Lösungsmittels; und
das gleichzeitige Bestrahlen des Rückstands mit UV-
Strahlen und IR-Strahlen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem C&sub1;-C&sub4;-Alkoxide von
Bismut, Strontium und Calcium verwendet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem ein
Lösungsmittel, ausgewählt aus Alkoholen und aliphatischen und
aromatischen Kohlenwasserstoffen, verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem
das Acetat, Naphthenat, 2-Ethylhexanoat oder
Acetylacetonat von Kupfer als Kupferquelle verwendet
wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem
UV-Strahlen aus einer Niederdruck-Quecksilberlampe
verwendet werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem
das Sieden unter Rückfluß in Gegenwart von Wasser
durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das Sieden unter
Rückfluß in Gegenwart von Wasser und eines basischen
Katalysators durchgeführt wird.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei
dem das Reaktionsprodukt des Siedens unter Rückfluß
auf die Oberfläche eines Substrats aufgebracht und
nach dem Entfernen des Lösungsmittels bestrahlt wird,
wodurch ein dünner Film der genannten Metalloxid-
Verbindung gebildet wird.
9. Verfahren zur Herstellung eines dünnen Films einer
Metalloxid-Verbindung auf einem Substrat, umfassend:
das Aufbringen auf die Oberfläche eines Substrats des
unter Rückfluß erhitzten Reaktionsprodukts einer
organischen Lösungsmittel-Lösung, enthaltend
(1) ein C&sub1;-C&sub6;-Alkoxid von Bismut,
(2) ein C&sub1;-C&sub6;-Alkoxid von Strontium,
(3) ein C&sub1;-C&sub6;-Alkoxid von Calcium und
(4) ein Formiat, Propionat, Acetat, Citrat, Gluconat,
Tartrat, Oxalat, Naphthenat, 2-Ethylhexanoat,
einen β-Diketo-Komplex oder einen β-Ketoester-
Komplex von Kupfer, dargestellt durch die Formel
Cu(OR)l(X)m,
in der R eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe ist, l gleich O
oder 1 ist, m gleich 1 oder 2 ist und l+m=2 und X
durch die Formel dargestellt ist
in der R¹ und R³ eine C&sub1;-C&sub6;-Alkylgruppe sind und
R² Wasserstoff oder C&sub1;-C&sub6;-Alkyl ist,
in dem gleichen Mengenverhältnis der Metalle wie dem
in der gewünschten Metalloxid-Verbindung;
das Entfernen des Lösungsmittels; und
das gleichzeitige Bestrahlen des Rückstands mit UV-
Strahlen und IR-Strahlen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63123972A JPH01294535A (ja) | 1988-05-23 | 1988-05-23 | 複合金属酸化物の製造方法 |
JP63143595A JPH01313329A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 複合金属酸化物薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68906303D1 DE68906303D1 (de) | 1993-06-09 |
DE68906303T2 true DE68906303T2 (de) | 1994-01-05 |
Family
ID=26460759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE89109185T Expired - Fee Related DE68906303T2 (de) | 1988-05-23 | 1989-05-22 | Verfahren zur Herstellung einer Metalloxid-Verbindung. |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0343568B1 (de) |
DE (1) | DE68906303T2 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01294534A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-28 | Mitsubishi Metal Corp | 複合金属酸化物の製造方法 |
KR20200095923A (ko) | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 삼성전자주식회사 | 근적외선 흡수 조성물, 근적외선 흡수 필름, 및 이를 포함하는 카메라 모듈 및 전자 장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2548387A1 (de) * | 1975-10-29 | 1977-05-05 | Rohrbach Technologie Kg | Verfahren zum herstellen von keramischen bauelementen |
DE3875010T2 (de) * | 1987-07-31 | 1993-02-18 | Mitsubishi Materials Corp | Zusammensetzung und verfahren zur darstellung von metalloxid-gemischen. |
-
1989
- 1989-05-22 DE DE89109185T patent/DE68906303T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-22 EP EP89109185A patent/EP0343568B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0343568B1 (de) | 1993-05-05 |
DE68906303D1 (de) | 1993-06-09 |
EP0343568A1 (de) | 1989-11-29 |
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