DE68904831D1 - Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung. - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung.Info
- Publication number
- DE68904831D1 DE68904831D1 DE8989306659T DE68904831T DE68904831D1 DE 68904831 D1 DE68904831 D1 DE 68904831D1 DE 8989306659 T DE8989306659 T DE 8989306659T DE 68904831 T DE68904831 T DE 68904831T DE 68904831 D1 DE68904831 D1 DE 68904831D1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- field emission
- layer
- cold cathode
- electron emissive
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB888816689A GB8816689D0 (en) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | Method of manufacturing cold cathode field emission device & field emission device manufactured by method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68904831D1 true DE68904831D1 (de) | 1993-03-25 |
DE68904831T2 DE68904831T2 (de) | 1993-08-19 |
Family
ID=10640387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8989306659T Expired - Fee Related DE68904831T2 (de) | 1988-07-13 | 1989-06-30 | Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4969850A (de) |
EP (1) | EP0351110B1 (de) |
JP (1) | JP2806978B2 (de) |
AT (1) | ATE85729T1 (de) |
CA (1) | CA1305999C (de) |
DE (1) | DE68904831T2 (de) |
GB (1) | GB8816689D0 (de) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5019003A (en) * | 1989-09-29 | 1991-05-28 | Motorola, Inc. | Field emission device having preformed emitters |
US5202602A (en) * | 1990-11-01 | 1993-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Metal-glass composite field-emitting arrays |
GB9216647D0 (en) * | 1992-08-05 | 1992-09-16 | Isis Innovation | Cold cathodes |
FR2705830B1 (fr) * | 1993-05-27 | 1995-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes, utilisant la lithographie par ions lourds. |
US5564959A (en) * | 1993-09-08 | 1996-10-15 | Silicon Video Corporation | Use of charged-particle tracks in fabricating gated electron-emitting devices |
US5559389A (en) * | 1993-09-08 | 1996-09-24 | Silicon Video Corporation | Electron-emitting devices having variously constituted electron-emissive elements, including cones or pedestals |
US7025892B1 (en) | 1993-09-08 | 2006-04-11 | Candescent Technologies Corporation | Method for creating gated filament structures for field emission displays |
US5462467A (en) * | 1993-09-08 | 1995-10-31 | Silicon Video Corporation | Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate |
DE4416597B4 (de) * | 1994-05-11 | 2006-03-02 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Bildpunkt-Strahlungsquellen für flache Farb-Bildschirme |
KR100405886B1 (ko) * | 1995-08-04 | 2004-04-03 | 프린터블 필드 에미터스 리미티드 | 전계전자방출물질과그제조방법및그물질을이용한소자 |
CH690144A5 (de) * | 1995-12-22 | 2000-05-15 | Alusuisse Lonza Services Ag | Strukturierte Oberfläche mit spitzenförmigen Elementen. |
DE19602595A1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen |
US6525461B1 (en) | 1997-10-30 | 2003-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device |
JPH11246300A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-09-14 | Canon Inc | チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子 |
FR2786026A1 (fr) * | 1998-11-17 | 2000-05-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation de reliefs sur un substrat au moyen d'un masque de gravure ou de depot |
EP1061554A1 (de) * | 1999-06-15 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Weisslichtquelle mit Kohlenstoffnanoröhren und Verfahren zur Herstellung |
JP2001052652A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-02-23 | Cheol Jin Lee | 白色光源及びその製造方法 |
DE19931328A1 (de) * | 1999-07-01 | 2001-01-11 | Codixx Ag | Flächige Elektronen-Feldemissionsquelle und Verfahren zu deren Herstellung |
US6649824B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
EP1444718A4 (de) * | 2001-11-13 | 2005-11-23 | Nanosciences Corp | Photokathode |
EP1377133A1 (de) * | 2002-06-18 | 2004-01-02 | Alcan Technology & Management Ltd. | Beleuchtungelement mit lumineszierender Oberfläche und Gebrauch davon |
US7494326B2 (en) * | 2003-12-31 | 2009-02-24 | Honeywell International Inc. | Micro ion pump |
JP5099836B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2012-12-19 | 株式会社高松メッキ | 電子銃の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3466485A (en) * | 1967-09-21 | 1969-09-09 | Bell Telephone Labor Inc | Cold cathode emitter having a mosaic of closely spaced needles |
NL6914205A (de) * | 1969-09-18 | 1971-03-22 | ||
US3720856A (en) * | 1970-07-29 | 1973-03-13 | Westinghouse Electric Corp | Binary material field emitter structure |
US3671798A (en) * | 1970-12-11 | 1972-06-20 | Nasa | Method and apparatus for limiting field-emission current |
US3783325A (en) * | 1971-10-21 | 1974-01-01 | Us Army | Field effect electron gun having at least a million emitting fibers per square centimeter |
US3745402A (en) * | 1971-12-17 | 1973-07-10 | J Shelton | Field effect electron emitter |
US3746905A (en) * | 1971-12-21 | 1973-07-17 | Us Army | High vacuum, field effect electron tube |
JPS5325632B2 (de) * | 1973-03-22 | 1978-07-27 | ||
US3982147A (en) * | 1975-03-07 | 1976-09-21 | Charles Redman | Electric device for processing signals in three dimensions |
US4163918A (en) * | 1977-12-27 | 1979-08-07 | Joe Shelton | Electron beam forming device |
DE2951287A1 (de) * | 1979-12-20 | 1981-07-02 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Verfahren zur herstellung von ebenen oberflaechen mit feinsten spitzen im mikrometer-bereich |
DE3316027A1 (de) * | 1983-05-03 | 1984-11-08 | Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Photodetektor |
-
1988
- 1988-07-13 GB GB888816689A patent/GB8816689D0/en active Pending
-
1989
- 1989-06-30 AT AT89306659T patent/ATE85729T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-06-30 DE DE8989306659T patent/DE68904831T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-30 EP EP89306659A patent/EP0351110B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-12 CA CA000605460A patent/CA1305999C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-13 JP JP17920789A patent/JP2806978B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-13 US US07/379,231 patent/US4969850A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68904831T2 (de) | 1993-08-19 |
JP2806978B2 (ja) | 1998-09-30 |
GB8816689D0 (en) | 1988-08-17 |
ATE85729T1 (de) | 1993-02-15 |
EP0351110A1 (de) | 1990-01-17 |
EP0351110B1 (de) | 1993-02-10 |
CA1305999C (en) | 1992-08-04 |
JPH02270247A (ja) | 1990-11-05 |
US4969850A (en) | 1990-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68904831T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer kalten kathode, einer vorrichtung zur feldemission und eine nach diesem verfahren hergestellte feldemissionseinrichtung. | |
DE68913419T2 (de) | Herstellungsverfahren von feldemissions-elektronenquellen und anwendung zur herstellung von emitter-matrizen. | |
DE69307464T2 (de) | Verfahren zur Herstellung verstärkter, zusammengesetzter Verbundstrukturen, und nach diesem Verfahren hergestellte Verbundstruktur | |
DE3862071D1 (de) | Kathode fuer elektrolyse und verfahren zur herstellung derselben. | |
DE69033153T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht und damit hergestellte Halbleiterdünnschicht | |
DE69014396D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von permeationsbeständigen Silikonelastomer enthaltenden Mehrschichtstrukturen sowie dadurch hergestellte Artikel. | |
DE69211093D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit selbstjustierten Kontakten zwischen eng beabstandeten Strukturen | |
DE69001857D1 (de) | Material und verfahren zur herstellung von cordieritstrukturen mit geringer waermeausdehnung. | |
DE69635119D1 (de) | Kathode, elektronenstrahlemittierende Vorrichtung mit Verwendung derselben, und Verfahren zur Herstellung der Kathode | |
DE3870842D1 (de) | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelementes mit mindestens einem bipolaren heterouebergangstransistor. | |
DE3864184D1 (de) | Verfahren zur herstellung von gemusterten metallschablonen und metallschablone mit dafuer geeigneter deckschicht. | |
DE69120981T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleitervorrichtung beinhaltend die Ausbildung einer ersten Kontaktelektrode, welche gekapselt und mit Distanzstück versehen ist und einer zweiten Kontaktelektrode, die automatisch zur ersten justiert ist | |
DE68924487T2 (de) | Verfahren zur herstellung von supraleitern und deren vorläufern. | |
DE68901117D1 (de) | Verfahren zur herstellung von gebaeuden. | |
DE69018936D1 (de) | Mehrschichtige Strukturen und Verfahren zur Herstellung derselben zur Erzeugung von TFEL-Randstrahlmodulen. | |
DE59804409D1 (de) | Verfahren zur Herstellung von 3-Aminomethyl-3,5,5-trimethyl-cyclohexylamin mit einem cic/trans-Isomerenverhältnis von mindestens 70/30 | |
DE69027082D1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats mit einer dielektrischen Struktur | |
DE58902934D1 (de) | Verfahren zur gewinnung von p-xylol mit einer reinheit von mindestens 99,5 %. | |
DE69023718D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiterschicht. | |
DE69014018D1 (de) | Halbleiteranordnung-Wannenoberfläche mit einer gleichmässigen Dotierung und Verfahren zur Herstellung. | |
DE69031795D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit mehrschichtiger Elektrodenstruktur | |
DE3764753D1 (de) | Verfahren zum kontaktieren von halbleiterkathoden und zur herstellung einer mit einer solchen kathode versehenen elektronenroehre. | |
DE59001483D1 (de) | Verfahren zur herstellung von 2-alkylamino-4-aminobenzolsulfonsaeuren. | |
DE69004148D1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer oxydsupraleitenden Schicht. | |
DE69010892T2 (de) | Verfahren zur herstellung von nitrosylfluorid. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: CENTRAL RESEARCH LABORATORIES LTD., HAYES, MIDDLES |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |