JPH02270247A - 冷陰極電界放出装置の製造方法 - Google Patents
冷陰極電界放出装置の製造方法Info
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- JPH02270247A JPH02270247A JP1179207A JP17920789A JPH02270247A JP H02270247 A JPH02270247 A JP H02270247A JP 1179207 A JP1179207 A JP 1179207A JP 17920789 A JP17920789 A JP 17920789A JP H02270247 A JPH02270247 A JP H02270247A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は冷陰極電界放出装置の製造方法およびこの方法
によって製造された電界放出装置に関する。
によって製造された電界放出装置に関する。
米国特許第4307507にはピットのアレイを形成す
るために結晶学的にエツチングされた単結晶材料の表面
上に電子放出物質を堆積させることによって作製された
電界放出装置が開示されている。
るために結晶学的にエツチングされた単結晶材料の表面
上に電子放出物質を堆積させることによって作製された
電界放出装置が開示されている。
その単結晶材料はその後にエツチングによって除去され
、複数の尖鋭な電界放出スパイクを有する電界放出装置
が得られる。
、複数の尖鋭な電界放出スパイクを有する電界放出装置
が得られる。
この技術や他の公知の技術(例えば自然成長ウィスカー
または金属共晶を含む)は時間がかかるとともに高価で
ある。
または金属共晶を含む)は時間がかかるとともに高価で
ある。
例えば米国特許第4591717号には光電検知器のた
めの光電電界放出装置が開示されている。光電性層が複
数の稠密に充填された金属導電性ニードルよりなり、こ
れらのニードルは基板上に垂直方向に整列して配列され
ている。陽極酸化によって基板上に酸化物層が堆積され
、その層は垂直方向に配向された気孔を有しており、そ
れらの気孔内で金属ウィスカーが成長されて酸化物層の
向うに延長する。
めの光電電界放出装置が開示されている。光電性層が複
数の稠密に充填された金属導電性ニードルよりなり、こ
れらのニードルは基板上に垂直方向に整列して配列され
ている。陽極酸化によって基板上に酸化物層が堆積され
、その層は垂直方向に配向された気孔を有しており、そ
れらの気孔内で金属ウィスカーが成長されて酸化物層の
向うに延長する。
本発明のひとつの目的は冷陰極電界放出装置を製造する
ための方法を提供することである。
ための方法を提供することである。
本発明のひとつの態様によれば、陽極処理されたアルミ
ナの層であってそれの主表面に対して実質的に直交関係
にある複数の細長い孔を有する陽極処理アルミナ層を設
け、 前記孔を電子放出材料で完全に充填し、次に前記層の少
なくとも一部分を除去してその層の画定された表面を形
成しかつ前記画定された表面からそれに対して角度をも
って延長した複数の電子放出スパイクを形成して、複数
の電子放出構造を作成し、この構造がそれぞれ互に傾斜
した複数の電子放出スパイクを具備しているようにする
ことよりなる、冷陰極電界放出装置の製造方法が提供さ
れる。
ナの層であってそれの主表面に対して実質的に直交関係
にある複数の細長い孔を有する陽極処理アルミナ層を設
け、 前記孔を電子放出材料で完全に充填し、次に前記層の少
なくとも一部分を除去してその層の画定された表面を形
成しかつ前記画定された表面からそれに対して角度をも
って延長した複数の電子放出スパイクを形成して、複数
の電子放出構造を作成し、この構造がそれぞれ互に傾斜
した複数の電子放出スパイクを具備しているようにする
ことよりなる、冷陰極電界放出装置の製造方法が提供さ
れる。
本発明の方法で使用するのに適した陽極処理アルミナ構
造は、まったく異なる用途のためのものではあるが、市
販されており、従って本発明は既存の製造方法に代る便
利で廉価な方法を提供する。
造は、まったく異なる用途のためのものではあるが、市
販されており、従って本発明は既存の製造方法に代る便
利で廉価な方法を提供する。
本発明による方法は複数の電子放出構造が作成され、各
構造が互に傾斜した複数の電子放出スパイクを具備して
いる。放出スパイクの間隔が気孔の間隔に実質的に等し
い陽極処理された金属酸化物よりなる先行技術の電解効
果電子放出装置に比較して、本発明は個々の電子放出構
造間の間隔が気孔の間隔より大きい装置を提供する。従
って、電子放出構造の尖端の半径と電子放出構造の間隔
との比が、電界電子放出の増大した効果を伴う本発明の
方法によって軽減される。
構造が互に傾斜した複数の電子放出スパイクを具備して
いる。放出スパイクの間隔が気孔の間隔に実質的に等し
い陽極処理された金属酸化物よりなる先行技術の電解効
果電子放出装置に比較して、本発明は個々の電子放出構
造間の間隔が気孔の間隔より大きい装置を提供する。従
って、電子放出構造の尖端の半径と電子放出構造の間隔
との比が、電界電子放出の増大した効果を伴う本発明の
方法によって軽減される。
前記層の少なくとも一部分を保持する工程に先立って、
前記層のひとつの表面が研磨され平滑な仕上面となされ
、これにより同じ長さの電子放出スパイクが与えられる
。あるいはそれに代えてまたはそれに加えて、電子放出
構造の鮮明度を改善するために溝付の仕上面となされて
もよい。
前記層のひとつの表面が研磨され平滑な仕上面となされ
、これにより同じ長さの電子放出スパイクが与えられる
。あるいはそれに代えてまたはそれに加えて、電子放出
構造の鮮明度を改善するために溝付の仕上面となされて
もよい。
前記電子放出材料は電気メッキ可能な金属または電気メ
ッキ可能な金属の混合物あるいは電気メッキ可能な金属
の合金でありえかつコバルト、ニッケル、すず、タング
ステン、銀、テルル、セレン、マンガン、亜鉛、カドミ
ウム、鉛、クロムおよび鉄のグループから選択されうる
。
ッキ可能な金属の混合物あるいは電気メッキ可能な金属
の合金でありえかつコバルト、ニッケル、すず、タング
ステン、銀、テルル、セレン、マンガン、亜鉛、カドミ
ウム、鉛、クロムおよび鉄のグループから選択されうる
。
陽極処理アルミナよりなる前記層はアルミニウムの層上
に設けられうるちのであり、前記気孔と前記アルミニウ
ムの層との間には陽極処理アルミナの連続した障壁層が
存在する。
に設けられうるちのであり、前記気孔と前記アルミニウ
ムの層との間には陽極処理アルミナの連続した障壁層が
存在する。
前記層の少なくとも一部分を除去する前記工程は連続し
た障壁層を構成する部分以外のすべての陽極処理アルミ
ナを除去することよりなりうる。
た障壁層を構成する部分以外のすべての陽極処理アルミ
ナを除去することよりなりうる。
他の実施例では、前記層の少なくとも一部分を除去する
工程に先立って、前記陽極処理アルミナの層の露呈した
表面に、前記電子放出材料の連続層を設ける付加的な工
程を行ない、かつ前記層の少なくとも一部分を除去する
前記工程では前記アルミニウムの層と前記連続した障壁
層との両方を除去する。
工程に先立って、前記陽極処理アルミナの層の露呈した
表面に、前記電子放出材料の連続層を設ける付加的な工
程を行ない、かつ前記層の少なくとも一部分を除去する
前記工程では前記アルミニウムの層と前記連続した障壁
層との両方を除去する。
本発明の他の態様によれば、本発明の前記第1の態様に
よる方法によって作成された冷陰極電界放出装置が提供
される。
よる方法によって作成された冷陰極電界放出装置が提供
される。
以下図面を参照して本発明の実施例につき説明しよう。
第1図に示された電界放出装置は陽極処理されたアルミ
ナ(A1*Os)の層11、すなわちアルミニウムを陽
極処理して形成されたアルミナの層を担持したアルミニ
ウムの層10を具備している。層11は通常厚さが15
ミクロンであり、細長くて実質的に円筒状をした複数の
気孔(例えば12)を有しており、これらの気孔は陽極
処理工程時に自然に発生するものであり、層の主表面(
13,13”)に対して実質的に直交関係をもって整列
される。気孔は主表面の一方だけに延長し、それらの気
孔と層10との間には陽極処理されたアルミナよりなる
連続した障壁層が存在し、さらにそれらの気孔はコバル
トのような適当な電子放出材料で完全に充填されている
が、ニッケル、すず、タングステン、および他の電気メ
ッキ可能な材料(例えば銀、テルル、セレン、マンガン
、亜鉛、カドミウム、鉛およびクロム)のような他の電
子放出材料またはこれらの材料のうちの2つ以上のもの
の混合物あるいはそれらの合金を代りに用いてもよい。
ナ(A1*Os)の層11、すなわちアルミニウムを陽
極処理して形成されたアルミナの層を担持したアルミニ
ウムの層10を具備している。層11は通常厚さが15
ミクロンであり、細長くて実質的に円筒状をした複数の
気孔(例えば12)を有しており、これらの気孔は陽極
処理工程時に自然に発生するものであり、層の主表面(
13,13”)に対して実質的に直交関係をもって整列
される。気孔は主表面の一方だけに延長し、それらの気
孔と層10との間には陽極処理されたアルミナよりなる
連続した障壁層が存在し、さらにそれらの気孔はコバル
トのような適当な電子放出材料で完全に充填されている
が、ニッケル、すず、タングステン、および他の電気メ
ッキ可能な材料(例えば銀、テルル、セレン、マンガン
、亜鉛、カドミウム、鉛およびクロム)のような他の電
子放出材料またはこれらの材料のうちの2つ以上のもの
の混合物あるいはそれらの合金を代りに用いてもよい。
このようにして形成された構造はコラム状の電子放出要
素15のアレイを与え、それらの電子放出要素15はそ
れぞれ直径が通常10〜1100n、長さが約15μm
であって、隣接要素は約50〜150止だけ互に離間し
ている。
素15のアレイを与え、それらの電子放出要素15はそ
れぞれ直径が通常10〜1100n、長さが約15μm
であって、隣接要素は約50〜150止だけ互に離間し
ている。
第1図に示されたものと同様の構造を商業的に得ること
ができる。しかし、第1図に示された構造とは異なり、
市販の構造は不規則な充填気孔を有しており、それらの
気孔のうちのある程度のものは部分的にしか充填されて
いない。従って、付加的な電子放出材料を堆積させて各
気孔が完全に充填されるようにすることが望ましい場合
がありうる。余分な電子放出材料を除去し、平滑で平坦
な表面仕上を形成し、そして長さが実質的に等しい電子
放出要素15を設けるために、層11はその後で微粒子
エメリーペーパーを用いて機械的に研磨される。
ができる。しかし、第1図に示された構造とは異なり、
市販の構造は不規則な充填気孔を有しており、それらの
気孔のうちのある程度のものは部分的にしか充填されて
いない。従って、付加的な電子放出材料を堆積させて各
気孔が完全に充填されるようにすることが望ましい場合
がありうる。余分な電子放出材料を除去し、平滑で平坦
な表面仕上を形成し、そして長さが実質的に等しい電子
放出要素15を設けるために、層11はその後で微粒子
エメリーペーパーを用いて機械的に研磨される。
装飾の目的のためにフエイシアパネル、トリム等上の金
属コーティングとして市販の構造がこれまでは用いられ
ていた。しかし、本発明者が知る限りでは、電子放出装
置を作製するためにその種の構造を用いることは提案さ
れていない。
属コーティングとして市販の構造がこれまでは用いられ
ていた。しかし、本発明者が知る限りでは、電子放出装
置を作製するためにその種の構造を用いることは提案さ
れていない。
層10および11の作成および(または)電子放出材料
の堆積は社内でもできることが理解されるであろう。通
常、電子放出材料は電気メッキまたは電気泳動によって
堆積される。
の堆積は社内でもできることが理解されるであろう。通
常、電子放出材料は電気メッキまたは電気泳動によって
堆積される。
理論的に、複数のエミッターを有する装置に対する電界
放出の効果は各エミッターの先端半径R。
放出の効果は各エミッターの先端半径R。
エミッターの間隔aおよび陽極と陰極との間隔りに依存
する。許容限界は4πRL≦a8である。
する。許容限界は4πRL≦a8である。
従って、先端半径Rが25r++sで、陽極と陰極との
間隔りが200μm〜4ausの場合には、最小エミッ
ター間隔は約10μl〜約30μ請の範囲でなければな
らない。
間隔りが200μm〜4ausの場合には、最小エミッ
ター間隔は約10μl〜約30μ請の範囲でなければな
らない。
層11の一部分をエツチング・バックして画定された表
面13”を形成することによって改良された電界放出装
置を作成することができることを本発明者は見出した。
面13”を形成することによって改良された電界放出装
置を作成することができることを本発明者は見出した。
層11がエツチング・バックされると、要素15が崩壊
して層11の外向き面13”および互いに対して傾斜し
たスパイク16を生じ、それにより構造17を形成する
。第2a図は層11が残留部分を除きすべてエツチング
によって除去された電界放出装置を示しており、第2b
図は得られた構造のSEM顕微鏡写真を示す。
して層11の外向き面13”および互いに対して傾斜し
たスパイク16を生じ、それにより構造17を形成する
。第2a図は層11が残留部分を除きすべてエツチング
によって除去された電界放出装置を示しており、第2b
図は得られた構造のSEM顕微鏡写真を示す。
構造16を作成するのに必要とされる最適処理条件は多
数のパラメータに依存する。1つの例では、第1図のも
のと同様であるがコバルトを充填された孔を含んだ厚さ
約23μmの陽極層を有する装置が20%NaOH溶液
(苛性ソーダ溶液)でエツチングされる。0.5分のエ
ツチングで約2〜3μm離れた不規則な尖端を有する構
造が得られた。1分間のエツチングで第2b図の円錐形
状の構造が生成され、それらの構造の尖端は約10μm
の間隔を有する。
数のパラメータに依存する。1つの例では、第1図のも
のと同様であるがコバルトを充填された孔を含んだ厚さ
約23μmの陽極層を有する装置が20%NaOH溶液
(苛性ソーダ溶液)でエツチングされる。0.5分のエ
ツチングで約2〜3μm離れた不規則な尖端を有する構
造が得られた。1分間のエツチングで第2b図の円錐形
状の構造が生成され、それらの構造の尖端は約10μm
の間隔を有する。
約1.5分エツチングすることによって潰されて平坦化
されかつ尖端が40μmまでの間隔を有する円錐状の構
造が得られる。さらにエツチングすると装置の形態が劣
化され、2分間のエツチングによって繊維状の壁と5〜
10μmのセルを有スるハニカム状の構造が得られた。
されかつ尖端が40μmまでの間隔を有する円錐状の構
造が得られる。さらにエツチングすると装置の形態が劣
化され、2分間のエツチングによって繊維状の壁と5〜
10μmのセルを有スるハニカム状の構造が得られた。
3分間エツチングすると電子放出材料の繊維のタフト間
に裸のアルミが表れる構造が得られた。
に裸のアルミが表れる構造が得られた。
必要とされるエツチング・パラメータは円錐状構造(w
igwam−1ike 5tructures)17を
生ずることになるスパイク16の長さに関係している。
igwam−1ike 5tructures)17を
生ずることになるスパイク16の長さに関係している。
本発明者は、硫酸および18ボルトの電圧を用いて電気
メッキすることにより生成された電子放出スパイクの場
合には、5μm−15μmの範囲の長さのスパイクから
円錐状構造が生成されうろことを見出した。
メッキすることにより生成された電子放出スパイクの場
合には、5μm−15μmの範囲の長さのスパイクから
円錐状構造が生成されうろことを見出した。
第1図および第2a図に示された障壁層14は通常は厚
さが20nm以下であり、完全に電気的絶縁性ではない
ので、はとんどの実用的な電圧では、電子がその障壁層
を通過(junnel)することができる。
さが20nm以下であり、完全に電気的絶縁性ではない
ので、はとんどの実用的な電圧では、電子がその障壁層
を通過(junnel)することができる。
層14はある程度の電流制限を装置に課しかつ個々の電
子放出要素16間における均一な電流分布を促進する点
で有益であると考えられている。
子放出要素16間における均一な電流分布を促進する点
で有益であると考えられている。
第3図は本発明による電界放出装置の動作性能を評価す
るために用いられた電子管装置を示している。この装置
は真空室21内に取り付けられた陰極・陽極対20を具
備しており、この対20の陰極22は直流電圧源23に
接続され、その対の陽極24は電流測定装置25、この
場合にはカイスレイ610 cエレクトロメータに接続
されている。
るために用いられた電子管装置を示している。この装置
は真空室21内に取り付けられた陰極・陽極対20を具
備しており、この対20の陰極22は直流電圧源23に
接続され、その対の陽極24は電流測定装置25、この
場合にはカイスレイ610 cエレクトロメータに接続
されている。
陰極は電界放出装置を具備しており、そしてモリブデン
のストリップで作成された弾性スキッドである陽極は厚
さ12μmのポリエステル膜26によって陰極の電子放
出面から離間されている。その膜は陰極から陽極に電子
を通過させうる直径6mmの中心孔を有している。陰極
・陽極対は最初にアルゴン雰囲気において400ボルト
で172時間スパッター・クリーニング(sputte
r cleaned)された。
のストリップで作成された弾性スキッドである陽極は厚
さ12μmのポリエステル膜26によって陰極の電子放
出面から離間されている。その膜は陰極から陽極に電子
を通過させうる直径6mmの中心孔を有している。陰極
・陽極対は最初にアルゴン雰囲気において400ボルト
で172時間スパッター・クリーニング(sputte
r cleaned)された。
その後で電流(I)°と電圧(V)の測定がなされうる
。第4図は第1図の電界放出装置を用いて得られた電流
電圧関係を示している。
。第4図は第1図の電界放出装置を用いて得られた電流
電圧関係を示している。
1988年1月/り月J、 Mater Re5ear
ch 3(1)第70171頁におけるJ、 K、 C
ochran、 K、 J、 Leeおよびり。
ch 3(1)第70171頁におけるJ、 K、 C
ochran、 K、 J、 Leeおよびり。
H,Hill著「comparison of low
fieldea+m1ssive from TaC
and tungsten fibre arrays
Jに記載されているように、電界放出装置の電流・電圧
関係は、パラメータlog(1/V’)をパラメータ(
1/V)とほとんど直線的に関係づけるファウラー・ノ
ルドハイム方程式を満足する。第4図に示された結果か
ら明らかなように、陰極22は実際に電界放出装置の直
線関係特性を示す。さらに、その陰極は、実質的に陰極
から陽極への一方向のみに電子を流すダイオード作用を
呈し、逆方向の電流はほとんど存在しないことが認めら
れた。本発明者は、放出電流が初期的には印加電圧の履
歴に依存することをも見出した。第5図の曲線ASBお
よびCは一連の場面で収集されたデータを表しているが
、これは最大印加電圧が上昇されるにつれて順次大きい
放出電流が得られることを示している。
fieldea+m1ssive from TaC
and tungsten fibre arrays
Jに記載されているように、電界放出装置の電流・電圧
関係は、パラメータlog(1/V’)をパラメータ(
1/V)とほとんど直線的に関係づけるファウラー・ノ
ルドハイム方程式を満足する。第4図に示された結果か
ら明らかなように、陰極22は実際に電界放出装置の直
線関係特性を示す。さらに、その陰極は、実質的に陰極
から陽極への一方向のみに電子を流すダイオード作用を
呈し、逆方向の電流はほとんど存在しないことが認めら
れた。本発明者は、放出電流が初期的には印加電圧の履
歴に依存することをも見出した。第5図の曲線ASBお
よびCは一連の場面で収集されたデータを表しているが
、これは最大印加電圧が上昇されるにつれて順次大きい
放出電流が得られることを示している。
第6図は第2図に示された電界放出装置を用いて得られ
た電流(I)対電圧(V)のプロットを示しており、第
7図は第1図および第2a図の電界放出装置に対して得
られた結果を同じスケールで比較している。
た電流(I)対電圧(V)のプロットを示しており、第
7図は第1図および第2a図の電界放出装置に対して得
られた結果を同じスケールで比較している。
第7図から判るように、電圧の印加により実現され得る
電流は第1図の装置の場合よりも第2図の場合のほうが
数桁大きい。これは、本発明による電子放出構造ではそ
れの尖端半径とその構造の間隔との比が小さいことによ
るものと本発明者は考える。
電流は第1図の装置の場合よりも第2図の場合のほうが
数桁大きい。これは、本発明による電子放出構造ではそ
れの尖端半径とその構造の間隔との比が小さいことによ
るものと本発明者は考える。
各電子放出構造の鮮明度はエツチングの前に層11の表
面に溝を、好ましくは十字溝を形成することによって増
大されうると考えられる。
面に溝を、好ましくは十字溝を形成することによって増
大されうると考えられる。
第8図は本発明の他の実施例を示している。この場合に
は、気孔12は電気メッキによって過剰に充填されて、
連続した金属層18を生じており、かつアルミニウム層
10と陽極処理アルミナの層11(障壁層14を含む)
とは両方ともエツチングによ° って除去された。
は、気孔12は電気メッキによって過剰に充填されて、
連続した金属層18を生じており、かつアルミニウム層
10と陽極処理アルミナの層11(障壁層14を含む)
とは両方ともエツチングによ° って除去された。
もし所望されれば、第8図に示されているように、エツ
チングを不完全にして電子放出構造19のまわりに残留
アルミナ層を残し、そしてそれによりの構造に対する付
加的な支持を与えるようにしてもよい。
チングを不完全にして電子放出構造19のまわりに残留
アルミナ層を残し、そしてそれによりの構造に対する付
加的な支持を与えるようにしてもよい。
本発明による電界放出装置は他の種々の電子管装置、例
えば電子顕微鏡や瞬間始動テレビの電子銃等に適用でき
、特に放電ランプのアークチューブにおける冷陰極とし
て適用できる。
えば電子顕微鏡や瞬間始動テレビの電子銃等に適用でき
、特に放電ランプのアークチューブにおける冷陰極とし
て適用できる。
第1図は電界放出装置の一部分の概略断面図、第2aお
よび2b図はそれぞれ本発明に従って提供された電界放
出装置の断面図およびSEM顕微鏡写真、第3図は電界
放出装置を具備した電子管装置の概略図、第4図は第1
図の電界放出装置を用いて得られた電流・電圧関係(フ
ァウラー・ノルドハイム・プロットとして表された)を
示す図、第5図は第1図の電界放出装置を用いて一連の
場面で得られた電流・電圧関係を示す図、第6図は第2
図の電界放出装置を用いて得られた電流対電圧関係のプ
ロットを示す図、第7図は第1図と第2図の電界放出装
置を用いて得られた電流・電圧関係を比較する図、第8
図は本発明による他の電界放出装置を示す図である。 図面において、10はアルミニウム層、11は陽極処理
アルミナ層、12は気孔、13は主表面、14は障壁層
、15は電子放出要素、16はスパイク、18は金属層
、22は陰極、24は陽極である。
よび2b図はそれぞれ本発明に従って提供された電界放
出装置の断面図およびSEM顕微鏡写真、第3図は電界
放出装置を具備した電子管装置の概略図、第4図は第1
図の電界放出装置を用いて得られた電流・電圧関係(フ
ァウラー・ノルドハイム・プロットとして表された)を
示す図、第5図は第1図の電界放出装置を用いて一連の
場面で得られた電流・電圧関係を示す図、第6図は第2
図の電界放出装置を用いて得られた電流対電圧関係のプ
ロットを示す図、第7図は第1図と第2図の電界放出装
置を用いて得られた電流・電圧関係を比較する図、第8
図は本発明による他の電界放出装置を示す図である。 図面において、10はアルミニウム層、11は陽極処理
アルミナ層、12は気孔、13は主表面、14は障壁層
、15は電子放出要素、16はスパイク、18は金属層
、22は陰極、24は陽極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、陽極処理されたアルミナの層であってそれの主表面
に対して実質的に直交関係にある複数の細長い孔を有す
る陽極処理アルミナ層を設け、前記孔を電子放出材料で
完全に充填し、次に前記層の少なくとも一部分を除去し
てその層の画定された表面を形成しかつ前記画定された
表面からそれに対して角度をもって延長した複数の電子
放出スパイクを形成して、複数の電子放出構造を作成し
、この構造がそれぞれ互に傾斜した複数の電子放出スパ
イクを具備しているようにすることよりなる、冷陰極電
界放出装置の製造方法。 2、各スパイクが5μm〜15μmの範囲の長さを有し
ているようにする請求項1の方法。 3、前記層の表面を研磨して実質的に平坦な仕上げを作
成する工程を含み、この研磨工程は前記層の少なくとも
一部分を除去する工程に先立って行なわれる請求項1ま
たは2の方法。 4、前記層の表面を研磨して溝付き仕上げを作成する工
程を含み、この研磨工程は前記層の少なくとも一部分を
除去する工程に先立って行なわれる請求項1〜3の方法
。 5、前記溝付き仕上げは十字溝付き仕上げである請求項
4の方法。 6、前記電子放出材料は電気メッキ可能な金属、電気メ
ッキ可能な金属の混合物または電気メッキ可能な金属の
合金である請求項1〜5の方法。 7、単数または複数の前記電気メッキ可能な金属はコバ
ルト、ニッケル、すず、タングステン、銀、テルル、セ
レン、マンガン、亜鉛、カドミウム、鉛、クロムおよび
鉄のグループから選択される請求項6の方法。 8、前記陽極処理アルミナ層はアルミニウムの層上に設
けられ、前記気孔と前記アルミニウム層との間に陽極処
理アルミナの連続した障壁層が存在する請求項1〜7の
方法。 9、前記層の少なくとも一部分を除去する工程は前記障
壁層を構成する部分を除くすべての陽極処理アルミナを
除去することよりなる請求項8の方法。 10、前記層の少なくとも一部分を除去する工程に先立
って、前記陽極処理アルミナ層の露呈面に、前記電子放
出材料の連続層を設け、かつ前記層の少なくとも一部分
を除去する工程は前記アルミニウム層と前記連続障壁層
との両方を除去することを含む請求項8の方法。 11、請求項1〜10の方法で作製された冷陰極電界放
出装置。 12、請求項11による電界放出装置を具備した電子管
装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8816689.7 | 1988-07-13 | ||
GB888816689A GB8816689D0 (en) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | Method of manufacturing cold cathode field emission device & field emission device manufactured by method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270247A true JPH02270247A (ja) | 1990-11-05 |
JP2806978B2 JP2806978B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=10640387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4969850A (ja) |
EP (1) | EP0351110B1 (ja) |
JP (1) | JP2806978B2 (ja) |
AT (1) | ATE85729T1 (ja) |
CA (1) | CA1305999C (ja) |
DE (1) | DE68904831T2 (ja) |
GB (1) | GB8816689D0 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009181757A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Takamatsu Mekki:Kk | 電子銃の製造方法及び電子銃 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5019003A (en) * | 1989-09-29 | 1991-05-28 | Motorola, Inc. | Field emission device having preformed emitters |
US5202602A (en) * | 1990-11-01 | 1993-04-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Metal-glass composite field-emitting arrays |
GB9216647D0 (en) * | 1992-08-05 | 1992-09-16 | Isis Innovation | Cold cathodes |
FR2705830B1 (fr) * | 1993-05-27 | 1995-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes, utilisant la lithographie par ions lourds. |
US5564959A (en) * | 1993-09-08 | 1996-10-15 | Silicon Video Corporation | Use of charged-particle tracks in fabricating gated electron-emitting devices |
US5559389A (en) * | 1993-09-08 | 1996-09-24 | Silicon Video Corporation | Electron-emitting devices having variously constituted electron-emissive elements, including cones or pedestals |
US7025892B1 (en) | 1993-09-08 | 2006-04-11 | Candescent Technologies Corporation | Method for creating gated filament structures for field emission displays |
US5462467A (en) * | 1993-09-08 | 1995-10-31 | Silicon Video Corporation | Fabrication of filamentary field-emission device, including self-aligned gate |
DE4416597B4 (de) * | 1994-05-11 | 2006-03-02 | Nawotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung der Bildpunkt-Strahlungsquellen für flache Farb-Bildschirme |
KR100405886B1 (ko) * | 1995-08-04 | 2004-04-03 | 프린터블 필드 에미터스 리미티드 | 전계전자방출물질과그제조방법및그물질을이용한소자 |
CH690144A5 (de) * | 1995-12-22 | 2000-05-15 | Alusuisse Lonza Services Ag | Strukturierte Oberfläche mit spitzenförmigen Elementen. |
DE19602595A1 (de) * | 1996-01-25 | 1997-07-31 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von Feldemissionsspitzen |
US6525461B1 (en) | 1997-10-30 | 2003-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device |
JPH11246300A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-09-14 | Canon Inc | チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子 |
FR2786026A1 (fr) * | 1998-11-17 | 2000-05-19 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation de reliefs sur un substrat au moyen d'un masque de gravure ou de depot |
EP1061554A1 (en) * | 1999-06-15 | 2000-12-20 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | White light source using carbon nanotubes and fabrication method thereof |
JP2001052652A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-02-23 | Cheol Jin Lee | 白色光源及びその製造方法 |
DE19931328A1 (de) * | 1999-07-01 | 2001-01-11 | Codixx Ag | Flächige Elektronen-Feldemissionsquelle und Verfahren zu deren Herstellung |
US6649824B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
EP1444718A4 (en) * | 2001-11-13 | 2005-11-23 | Nanosciences Corp | PHOTO CATHODE |
EP1377133A1 (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-02 | Alcan Technology & Management Ltd. | Lighting element with luminescent surface and uses thereof |
US7494326B2 (en) * | 2003-12-31 | 2009-02-24 | Honeywell International Inc. | Micro ion pump |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3466485A (en) * | 1967-09-21 | 1969-09-09 | Bell Telephone Labor Inc | Cold cathode emitter having a mosaic of closely spaced needles |
NL6914205A (ja) * | 1969-09-18 | 1971-03-22 | ||
US3720856A (en) * | 1970-07-29 | 1973-03-13 | Westinghouse Electric Corp | Binary material field emitter structure |
US3671798A (en) * | 1970-12-11 | 1972-06-20 | Nasa | Method and apparatus for limiting field-emission current |
US3783325A (en) * | 1971-10-21 | 1974-01-01 | Us Army | Field effect electron gun having at least a million emitting fibers per square centimeter |
US3745402A (en) * | 1971-12-17 | 1973-07-10 | J Shelton | Field effect electron emitter |
US3746905A (en) * | 1971-12-21 | 1973-07-17 | Us Army | High vacuum, field effect electron tube |
JPS5325632B2 (ja) * | 1973-03-22 | 1978-07-27 | ||
US3982147A (en) * | 1975-03-07 | 1976-09-21 | Charles Redman | Electric device for processing signals in three dimensions |
US4163918A (en) * | 1977-12-27 | 1979-08-07 | Joe Shelton | Electron beam forming device |
DE2951287A1 (de) * | 1979-12-20 | 1981-07-02 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Verfahren zur herstellung von ebenen oberflaechen mit feinsten spitzen im mikrometer-bereich |
DE3316027A1 (de) * | 1983-05-03 | 1984-11-08 | Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen | Photodetektor |
-
1988
- 1988-07-13 GB GB888816689A patent/GB8816689D0/en active Pending
-
1989
- 1989-06-30 AT AT89306659T patent/ATE85729T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-06-30 DE DE8989306659T patent/DE68904831T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-30 EP EP89306659A patent/EP0351110B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-12 CA CA000605460A patent/CA1305999C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-13 JP JP17920789A patent/JP2806978B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-13 US US07/379,231 patent/US4969850A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009181757A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Takamatsu Mekki:Kk | 電子銃の製造方法及び電子銃 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68904831T2 (de) | 1993-08-19 |
JP2806978B2 (ja) | 1998-09-30 |
GB8816689D0 (en) | 1988-08-17 |
ATE85729T1 (de) | 1993-02-15 |
EP0351110A1 (en) | 1990-01-17 |
EP0351110B1 (en) | 1993-02-10 |
CA1305999C (en) | 1992-08-04 |
DE68904831D1 (de) | 1993-03-25 |
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