DE60317449T2

DE60317449T2 - Infrarotempfindliche lithographische Druckplatte

Info

Publication number: DE60317449T2
Application number: DE60317449T
Authority: DE
Inventors: Ikuo Kawauchi; Ippei Nakamura
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2003-12-22
Publication date: 2008-09-18
Anticipated expiration: 2023-12-23
Also published as: EP1433595B1; EP1433595A2; JP2004212650A; DE60317449D1; CN1512268A; CN100462843C; US7217501B2; ATE378173T1; JP4049258B2; US20040137365A1; EP1433595A3

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine fotoempfindliche "Lithographiedruckplatte. Insbesondere betrifft sie eine infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte für die sogenannte direkte Plattenherstellung, die zur Aufzeichnung auf Basis von digitalen Bildsignalen, die von einem Computer gebildet werden, durch ein Infrarotlaserlicht für die direkte Plattenherstellung befähigt ist. Noch genauer betrifft sie eine infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte, die eine breite Entwicklungsbreite aufweist und bei der Kratzbeständigkeit herausragend ist.
Hintergrund der Erfindung
Die kürzliche Entwicklung eines Lasers ist bemerkenswert. Insbesondere wurden für Feststofflaser/Halbleiterlaser mit einem Emissionsbereich über einen Nah-Infrarotbereich hin zu einem Infrarot-Bereich ein hoher Output und eine kompakte Vorrichtung leicht erhältlich. Die infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte für die direkte Plattenherstellung auf Basis von digitalen Daten von einem Computer oder dergleichen unter Verwendung solch eines Infrarotlasers als eine Lichtquelle kann in einem hellen Raum gehandhabt werden und ist bezüglich des Plattenherstellungsvorgangs besonders bevorzugt.
Als infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte für die direkte Plattenherstellung ist eine Planographieoriginaldruckplatte vom Negativtyp bekannt, die einen Infrarot-Absorber, eine Verbindung, die eine Säure durch Wärme erzeugt (Säuregenerator), ein Vernetzungsmittel, das eine Vernetzungsreaktion durch eine Säure durchführt und ein Bindemittelpolymer enthält. Allerdings erfordert die Planographieoriginaldruckplatte vom Negativtyp ein Erwärmen nach der Belichtung, um eine Vernetzungsreaktion durchzuführen. Dies führt zu einer Zunahme der Anzahl der Schritte, was zu einem komplizierten Verfahren führt und zusätzlich das Problem eines hohen Energieverbrauchs zur Folge hat.
Aus diesem Grund wurde als eine Planographieoriginaldruckplatte für einen Infrarotlaser, die kein Erwärmen nach der Belichtung erfordert, eine infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte vom Positivtyp mit einer Aufzeichnungsschicht, die ein in einer wässrigen Alkalilösung lösliches Bindemittelharz und einen Infrarotabsorber (wie einen Infrarot-absorbierenden Farbstoff) zum Absorbieren von Licht und zum Erzeugen von Wärme enthält, vorgeschlagen. Für die fotoempfindliche Lithographiedruckplatte vom Positivtyp dient in den nicht belichteten Abschnitten (Bildabschnitten) der Infrarot-absorbierende Farbstoff oder dergleichen als ein Auflösungsinhibitor, der mit dem Bindemittelharz wechselwirkt, um die Löslichkeit des Bindemittelharzes beträchtlich zu vermindern. In den belichteten Bereichen (Nicht-Bildabschnitten) wird die Wechselwirkung zwischen dem Infrarot-absorbierenden Farbstoff oder dergleichen und dem Bindemittelharz durch die Wärme, die durch Lichtbelichtung erzeugt wird, abgeschwächt. Als ein Ergebnis werden die belichteten Abschnitte in einem Alkalientwickler löslich. Die Entwicklung wird unter Verwendung des Löslichkeitsunterschieds zwischen den belichteten Abschnitten und den nicht belichteten Abschnitten durchgeführt, was zu der Bildung einer Lithographiedruckplatte führt.
Allerdings kann bis jetzt nicht gesagt werden, dass der Unterschied in der Löslichkeit in einem Entwickler von den nicht belichteten Abschnitten (Bildabschnitten) und der Löslichkeit von belichteten Abschnitten (Nicht- Bildabschnitten) unter verschiedenen Arbeitsbedingungen ausreichend ist. Unvorteilhafterweise tendieren eine Überentwicklung (filmverminderndes Phänomen, dass auch die Bildabschnitte beginnen, sich aufzulösen, wodurch ein Bildfilm ausgedünnt wird) und die unzureichende Entwicklung (filmverbleibendes Phänomen, das die Nicht-Bildabschnitte sich nicht vollständig auflösen können und zurückbleiben) aufgrund der Variationen bei den Arbeitsbedingungen zu einem Auftreten. Darüber hinaus nimmt eine Bildaufzeichnungsschicht auch winzige Kratzer auf, die durch Berühren der Oberflächen während der Handhabung oder durch andere Gründe aufgrund deren geringer Festigkeit entstehen. Sie tendiert somit und auf andere Weise zu einem Unterziehen von Variationen bei den Oberflächenbedingungen. Auch wenn solche winzigen Kratzer oder leichte Oberflächenvariationen auftreten, erhöht sich die Löslichkeit des peripheren Abschnitts davon. Dementsprechend lösen sich nicht belichtete Abschnitte (Bildabschnitte) während der Entwicklung auf, was unvorteilhafterweise zu Kratzermarkierungen führt, die die Verschlechterung der Plattenabriebfestigkeit und eine verschlechterte Tintenaufnahmefähigkeit bewirken.
Solch ein Problem leitet sich von dem wesentlichen Unterschied bei dem Plattenherstellmechanismus zwischen der infrarot-empfindlichen Lithographiedruckplatte und der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte für die Plattenherstellung durch UV-Belichtung ab. Denn die fotoempfindliche Lithographiedruckplatte für die Plattenherstellung mittels UV-Belichtung enthält ein in einer wässrigen Alkalilösung lösliches Bindemittelharz und ein Oniumsalz und Chinondiazidverbindungen als wesentliche Komponenten. Das Oniumsalz und die Chinondiazidverbindungen dienen nicht nur als Auflösungsinhibitoren durch Wechselwirkung mit dem Bindemittelharz bei nicht belichteten Bereichen (Bildbereichen), sondern werden auch durch Licht zersetzt, um eine Säure zu erzeugen, und dienen als Auflösungsbeschleuniger bei den belichteten Abschnitten (Nicht-Bildabschnitten) und spielen somit zwei Rollen.
Im Gegensatz dazu dient der Infrarot-absorbierende Farbstoff in der infrarot-empfindlichen Lithographiedruckplatte nur als ein Auflösungsinhibitor bei nicht belichteten Abschnitten (Bildabschnitten) und wird die Auflösung bei den belichteten Abschnitten (Nicht-Bildabschnitten) nicht beschleunigen. Somit, wenn als ein Bindemittelharz das eine mit einer hohen Löslichkeit in einem Alkalientwickler zuvor verwendet wird, um einen Unterschied bei der Löslichkeit zwischen den nicht belichteten Abschnitten und den belichteten Abschnitten herzustellen, tritt ungünstigerweise eine Filmreduktion auf, wobei die Kratzbeständigkeit vermindert wird, die Bedingungen vor der Entwicklung instabil werden und andere Probleme auftreten. Auf der anderen Seite, wenn die Löslichkeit des Bindemittelharzes in einem Alkalientwickler vermindert wird, um die nicht belichteten Abschnitte zu festigen, wird eine Verminderung der Sensibilität verursacht. Dies beschränkt den Unterscheidbarkeit zwischen den Bildabschnitten und Nicht-Bildabschnitten gehalten werden kann (als Entwicklungsbreite bezeichnet).
Aus diesem Grund wurden zahlreiche Studien bei der Entwicklung der selektiven Auflösungsinhibitoren unternommen, wobei die Auflösungsinhibierung bei den belichteten Abschnitten aufhört und die Auflösungsinhibierung bei den nicht belichteten Abschnitten gehalten wird. Beispielsweise offenbart JP-A-7-285275 oder dergleichen die folgende Technik. Zu einer Aufzeichnungsschicht eines Lithographiedruckplattenmaterials vom Positivtyp für einen Infrarotlaser werden ein Licht/Wärme-Umwandlungsmittel und eine Substanz, welche wärmezersetzbar ist und die Löslichkeit eines alkalilöslichen Harzes in einem thermisch nicht zersetzten Zustand wesentlich vermindert, zugegeben. Als ein Ergebnis wird die Löslichkeit der Aufzeichnungsschicht inhibiert und die Kratzbeständigkeit wird verbessert. Auf der anderen Seite wird bei den belichteten Abschnitten die Substanz durch die Wärme, die von dem Licht/Wärme-Umwandlungsmittel umgewandelt wurde, zersetzt und verliert ihre Wirkung der Inhibierung der Auflösung des alkalilöslichen Harzes, was die Verbesserung der Sensibilität ermöglicht.
Allerdings kann sogar mit der zuvor angegebenen Technik von der Entwicklungsbreite und der Kratzbeständigkeit nicht behauptet werden, dass sie ausreichend ist, und befindet sich in der Situation, bei der eine weitere Verbesserung erforderlich ist.
Zusammenfassung der Erfindung
Somit liegt eine Aufgabe der Erfindung darin, die Nachteile des Standes der Technik im Zusammenhang mit einer sogenannten fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte für die direkte Plattenherstellung zu überwinden, die zu einer direkten Plattenherstellung, bezogen auf insbesondere digitale Daten von einem Computer oder dergleichen für einen Infrarotlaser befähigt ist. Insbesondere ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte bereitzustellen, die bei der Entwicklungsbreite und Kratzbeständigkeit herausragend ist.
Es war möglich, das zuvor genannte Problem der Erfindung durch die folgenden Mittel zu lösen:

1. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte, umfassend einen Träger und eine wärmeempfindliche Schicht, worin die wärmeempfindliche Schicht umfasst: (A) ein Copolymer, das eine durch die folgende Formel (I) repräsentierte Monomereinheit aufweist; (B) eine alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist; und (C) ein Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial: Formel (I):
worin R ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe darstellt; X eine Arylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, oder irgendeine der folgenden Strukturen darstellt:
worin Ar eine Arylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, darstellt; Y eine zweiwertige Verknüpfungsgruppe darstellt.
2. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin das Copolymer (A) die durch die Formel (I) repräsentierte Monomereinheit in einer Menge von 1 bis 90 mol% umfasst.
3. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin das Copolymer (A) ferner zumindest eine Monomereinheit von (Meth)acrylsäureestern, (Meth)acrylamidderivaten und Styrolderivaten aufweist.
4. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin das Copolymer (A) ferner zumindest eine Monomereinheit von (Meth)acrylsäureestern, (Meth)acrylamidderivaten und Styrolderivaten in einer Menge von 5 bis 90 mol% aufweist.
5. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin die wärmeempfindliche Schicht das Copolymer (A) in einer Menge von 1 Gew.% bis 40 Gew.% umfasst.
6. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin die alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht (B) zumindest eine Monomereinheit aus Verbindungen mit niedrigem Molekulargewicht aufweist, die jeweils in einem Molekül zumindest eine Sulfonamidgruppe -NH-SO₂- und zumindest eine polymerisierbare ungesättigte Bindung aufweisen.
7. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin die wärmeempfindliche Schicht ferner ein Novolakharz umfasst.
8. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin das Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial ein Infrarot-absorbierender Farbstoff ist.
9. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 8, worin der Infrarot-absorbierende Farbstoff ein Absorptionsvermögen für Infrarotstrahlen bei 700 bis 1.200 nm aufweist.
10. Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Punkt 1, worin die wärmeempfindliche Schicht das Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial in einer Menge von 0,01 bis 50 Gew.% umfaßt.

EP 1 219 646 offenbart: Einen Lithographiedruckplattenvorläufer, der einen Metallträger umfasst, der darauf gebildet einen anodischen Oxidfilm enthält, und eine bilderzeugende Schicht, die ein Licht-in-Wärme-Umwandlungsmittel enthält, oder eine lichtempfindliche Schicht, die zur Bilderzeugung mit Infrarotlaserbelichtung, bereitgestellt auf dem anodischen Oxidfilm befähigt ist.
Detaillierte Beschreibung der Erfindung
Eine infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass sie umfasst: einen Träger; und eine wärmeempfindliche Schicht auf dem Träger, wobei die wärmeempfindliche Schicht (A) ein Copolymer, das eine durch die folgende Formel (I) repräsentierte Monomereinheit aufweist, (B) eine alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist und (C) ein Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial enthält. Unten wird jedes Element der infrarot-empfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung detailliert beschrieben.
[Copolymer, das eine durch die Formel (I) repräsentierte Monomereinheit aufweist]
Formel (I):
In der Formel (I) stellt R ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe dar. Es ist vorzugsweise ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen. X stellt eine Arylengruppe dar, die einen Substituenten aufweisen kann, oder irgendeine der folgenden Strukturen.
worin Ar eine Arylengruppe darstellt, die einen Substituenten aufweisen kann; und Y stellt eine zweiwertige Verknüpfungsgruppe dar.
Als die zweiwertige Verknüpfungsgruppe, die durch Y dargestellt wird, kann eine Alkylengruppe, eine Arylengruppe, eine Imidgruppe und eine Alkoxygruppe erwähnt werden, die auch Substituenten aufweisen können. Als Substituenten können eine Alkylgruppe, eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe, ein Halogenatom, eine Phenylgruppe, eine Dimethylaminogruppe, eine Ethylenoxidgruppe, eine Vinylgruppe, eine o-Carboxybenzoyloxygruppe und dergleichen erwähnt werden.
R ist vorzugsweise eine Methylgruppe. X und Ar sind jeweils vorzugsweise die folgende Gruppe:
Y ist vorzugsweise -O-Z- oder -NH-Z- (Z stellt eine zweiwertige Verknüpfungsgruppe dar).
Unten sind spezielle Beispiele des Monomers, das durch die Formel (I) dargestellt wird, gezeigt. Allerdings ist die Erfindung nicht darauf beschränkt.
Der Gehalt des Monomers, das durch die Formel (I) dargestellt wird, in dem Copolymer, beträgt vorzugsweise 1 bis 90 mol%, stärker bevorzugt 2 bis 50 mol% und ferner vorzugsweise 5 bis 30 mol%. Wenn es innerhalb des oben angegebenen Bereichs fällt, kann eine günstige Entwicklungseignung und ein verbleibendes Filmverhältnis von nicht belichteten Abschnitten erhalten werden.
Als copolymerisierbare Monomerkomponenten, die mit den Monomeren, die durch die Formel (I) copolymerisiert werden, um Copolymere zu bilden, können (Meth)acrylsäureester, (Meth)acrylamidderivate und Styrolderivate erwähnt werden. Die copolymerisierbaren Monomerkomponenten können eines umfassen, ausgewählt aus (Meth)acrylsäureestern, (Meth)acrylamidderivaten und Styrolderivaten, können irgendeines von diesen beiden umfassen oder können drei oder mehr davon umfassen. Denn beispielsweise können die Komponenten eine Gesamtzahl von vier von zwei, ausgewählt aus (Meth)acrylsäureestern, und zwei, ausgewählt aus Styrolderivaten, umfassen.
Im Übrigen werden in dieser Beschreibung Acryl und Methacryl zusammen als (Meth)acryl bezeichnet. Durch den Begriff "als copolymerisierbare Komponenten sind (Meth)acrylsäureester eingeschlossen" wird angezeigt, dass wenigstens irgendeines von Acrylsäureestern und Methacrylsäureestern eingeschlossen ist. Das Gleiche gilt für die (Meth)acrylamidderivate.
Der (Meth)acrylsäureester des copolymerisierbaren Monomerbestandteils ist ein substituierter oder nicht-substituierter Alkylester, Arylester oder dergleichen. Beispiele der Alkylgruppe können Methyl, Ethyl, n-Propyl, Isopropyl, n-Butyl, Isobutyl, t-Butyl, n-Hexyl, n-Heptyl, n-Octyl und 2-Ethylhexyl einschließen. Hingegen können Beispiele der Arylgruppe Phenyl, 1-Naphthyl, 2-Naphthyl und Benzyl einschließen. Die Alkylgruppe oder die Arylgruppe kann auch substituiert sein. Als Substituenten können eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe, ein Halogenatom, eine Phenylgruppe, eine Dimethylaminogruppe, eine Ethylenoxidgruppe, eine Vinylgruppe, eine o-Carboxybenzoyloxygruppe und dergleichen erwähnt werden.
Als (Meth)acrylsäureester wird Methylacrylat, Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, Isopropylmethacrylat oder n-Butylmethacrylat vorzugsweise verwendet.
Die (Meth)acrylsäureester für die Verwendung in der Erfindung können alleine verwendet werden oder können auch in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden.
Der Gehalt der (Meth)acrylsäureester in dem Copolymer beträgt vorzugsweise 0 bis 95 mol%, stärker bevorzugt 5 bis 90 mol% und ferner vorzugsweise 10 bis 80 mol%.
Das (Meth)acrylamidderivat, das die copolymerisierbare Monomerkomponente der Erfindung bilden kann, weist keine besondere Einschränkung auf, solange es ein Derivat von (Meth)acrylamid ist. Allerdings ist das eine, das durch die folgende Formel (c) dargestellt ist, bevorzugt. Formel (c) :
In der Formel stellt R₁ ein Wasserstottatom oder eine Alkylgruppe dar; und R₂ und R₃ stellen jeweils ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen dar, mit der Maßgabe, dass beide von R₂ und R₃ nicht gleichzeitig Wasserstoff sein werden. R₁ stellt ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe dar. Es ist vorzugsweise ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen.
Beispiele von jeder Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen in R₂ und R₃ können Methyl, Ethyl, n-Propyl, n-Butyl, Isobutyl, t-Butyl, n-Hexyl, n-Heptyl, n-Octyl und 2-Ethylhexyl einschließen. Hingegen können Beispiele der Arylgruppe mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen Phenyl, 1-Naphthyl und 2-Naphthyl einschließen. Die Alkylgruppe oder die Arylgruppe können auch substituiert sein. Als Substituenten können eine Hydroxylgruppe, eine Alkoxygruppe, ein Halogenatom, eine Phenylgruppe, eine Dimethylaminogruppe, eine Ethylenoxidgruppe, eine Vinylgruppe, eine o-Carboxybenzoyloxygruppe und dergleichen erwähnt werden. Allerdings werden R₂ und R₃ nicht gleichzeitig Wasserstoffatome sein.
Nicht beschränkende spezielle Beispiele von einem (Meth)acrylamidderivat in der Erfindung werden unten angegeben.
(c-1) N-t-Butylacrylamid
(c-2) N-(n-Butoxymethyl)acrylamid
(c-3) N-t-Butylmethacrylamid
(c-4) N-(1,1-Dimethyl-3-oxobutyl)acrylamid
(c-5) N,N-Dimethylmethacrylamid
(c-6) N,N-Dimethylacrylamid
(c-7) N-Isopropylacrylamid
(c-8) N-Methylmethacrylamid
(c-9) N-Phenylmethacrylamid
(c-10) N-[3-(Dimethylamino)propyl]acrylamid
In den copolymerisierbaren Monomerkomponenten können die (Meth)acrylamidderivate alleine verwendet werden oder können auch in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden.
Der Gehalt der (Meth)acrylamidderivate in dem Copolymer beträgt vorzugsweise 0 bis 95 mol%, stärker bevorzugt 5 bis 90 mol% und ferner vorzugsweise 20 bis 80 mol%.
Das Styrolderivat, das die copolymerisierbare Monomerkomponente der Erfindung bilden kann, weist keine besondere Einschränkung auf, solange es ein Derivat von Styrol ist. Allerdings ist das eine, das durch die folgende Formel (b) dargestellt ist, bevorzugt. Formel (b):
In der Formel stellen R₄, R₅ und R₆ jeweils unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom oder einen Substituenten dar; und n stellt eine ganze Zahl von 1 bis 5 dar. Obwohl solch ein Substituent keine besondere Einschränkung aufweist, können eine Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine Hydroxylgruppe, eine Carboxylgruppe, ein Halogenatom oder dergleichen erwähnt werden.
Nicht beschränkende spezielle Beispiele von einem Styrolderivat in der Erfindung werden unten angegeben.
(b-1) 4-Bromstyrol
(b-2) β-Bromstyrol
(b-3) 4-Chlor-α-methylstyrol
(b-4) 3-Chlorstyrol
(b-5) 4-Chlorstyrol
(b-6) 2,6-Dichlorstyrol
(b-7) 2-Fluorstyrol
(b-8) 3-Fluorstyrol
(b-9) 4-Fluorstyrol
(b-10) Methylstyrol
(b-11) Vinyltoluol
(b-12) Trans-β-methylstyrol
Andere als die zuvor Genannten können Styrol, Vinylbenzoesäure, Methylvinylbenzoat, Hydroxymethylstyrol, Natrium-p-styrolsulfonat, Kalium-p-styrolsulfinat, p-Aminomethylstyrol, 1,4-Divinylbenzol und dergleichen erwähnt werden. Die Styrolderivate, die oben erwähnt wurden, können alleine verwendet werden oder können auch in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden.
Der Gehalt der Styrolderivate in dem Copolymer beträgt vorzugsweise 0 bis 95 mol%, stärker bevorzugt 5 bis 90 mol% und ferner vorzugsweise 20 bis 80 mol%.
Das Copolymer, das von dem Monomer der Formel (I) erhältlich ist und die copolymerisierbaren Monomerkomponenten stellen selbst bevorzugte physikalische Eigenschaften bereit, beispielsweise eine bevorzugte Entwicklungsmöglichkeit. Ferner kann es mit einer dritten copolymerisierbaren Monomerkomponente copolymerisiert werden, die die Verbesserung oder die Modifizierung von anderen verschiedenen physikalischen Eigenschaften ermöglicht. Die zahlreichen anderen physikalischen Eigenschaften schließen beispielsweise chemische Beständigkeit, Plattenabriebfestigkeit, Sensibilität und Entwicklungseignung ein. Als dritte copolymerisierbare Monomerkomponente können Acrylnitril, Maleimid, Vinylacetat, N-Vinylpyrrolidon oder dergleichen erwähnt werden.
Das Gewichtsmittel des Molekulargewichts des Copolymers für die Verwendung in der Erfindung beträgt vorzugsweise 5.000 bis 200.000, ferner vorzugsweise 10.000 bis 120.000 und insbesondere bevorzugt 20.000 bis 80.000. Es liegen die folgenden Tendenzen vor: wenn das Molekulargewicht zu klein ist, ist eine ausreichende Beschichtung nicht erhältlich, und wenn es zu hoch ist, verschlechtert sich die Entwicklungseignung.
Als ein Verfahren für die Copolymerisation kann ein herkömmlich bekanntes Pfropfcopolymerisationsverfahren, Blockcopolymerisationsverfahren, statistisches Copolymerisationsverfahren oder dergleichen verwendet werden. Der Gehalt des Copolymers mit der Monomereinheit der Formel (I) in einer wärmeempfindlichen Schicht beträgt vorzugsweise 1 Gew.% bis 40 Gew.% und ferner vorzugsweise 2 Gew.% bis 30 Gew.%, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht. Wenn er 40 Gew.% oder mehr beträgt, wird die Plattenabriebbeständigkeit während dem Brennen unvorteilhaft vermindert.
[Alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist]
Die wärmeempfindliche Schicht der Erfindung enthält eine alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist. Als alkalilösliche Verbindung mit einem hohen Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist, kann eine Verbindung mit hohem Molekulargewicht erwähnt werden, die durch Homopolymerisieren von polymerisierbaren Monomeren mit Sulfonamidgruppen oder Copolymerisieren der Monomere mit anderen polymerisierbaren Monomeren erhältlich ist. Als polymerisierbare Monomere mit Sulfonamidgruppen können polymerisierbare Monomere erwähnt werden, die Verbindungen mit geringem Molekulargewicht umfassen, die jeweils zumindest eine Sulfonamidgruppe -NH-SO₂-, bei dem zumindest ein Wasserstoffatom an das Stickstoffatom gebunden ist und zumindest eine polymerisierbare ungesättigte Bindung in einem Molekül aufweisen. Daneben sind Verbindungen mit geringem Molekulargewicht mit jeweils einer Acryloylgruppe, einer Arylgruppe oder einer Vinyloxygruppe bevorzugt, und einer substituierten oder mono-substituierten Aminosulfonylgruppe oder einer substituierten Sulfonyliminogruppe.
Als besonders bevorzugte Monomere mit Sulfonamidgruppen können Monomere erwähnt werden, die durch die Formeln 1 bis 5 dargestellt werden. Formel 1:
Formel 2:
Formel 3:
Formel 4:
Formel 5:
In den Formeln stellen X¹ und X² jeweils -O- oder -NR¹⁷- dar; R²¹ und R²⁴ stellen jeweils ein Wasserstoffatom oder -CH₃ dar; R²², R²⁵, R²⁹, R³² und R³⁶ stellen jeweils eine Alkylengruppe, eine Cycloalkylengruppe, eine Arylengruppe oder eine Aralkylengruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen dar, die einen Substituenten aufweisen können; R²³, R¹⁷ und R³³ stellen jeweils ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe, eine Cycloalkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Aralkylgruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen dar, die einen Substituenten aufweisen können; wohingegen R²⁶ und R³⁷ jeweils eine Alkylgruppe, eine Cycloalkylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Aralkylgruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen darstellen, die einen Substituenten aufweisen können; R²⁸, R³⁰ und R³⁴ stellen jeweils ein Wasserstoffatom oder -CH₃ dar; R³¹ und R³⁵ stellen jeweils eine Alkylengruppe, eine Cycloalkylengruppe, eine Arylengruppe oder eine Aralkylengruppe mit 1 bis 12 Kohlenstoffatomen dar, die eine Einfachbindung oder einen Substituenten aufweisen können; und Y¹ und Y² stellen jeweils eine Einfachbindung oder -CO- dar.
Insbesondere können m-Aminosulfonylphenylmethacrylat, N-(p-Aminosulfonylphenyl)methacrylamid, N-(p-Aminosulfonylphenyl)acrylamid und dergleichen vorzugsweise verwendet werden.
Nicht beschränkende Beispiele von anderen Monomerkomponenten, die mit den polymerisierbaren Monomeren, die Sulfonamidgruppen aufweisen, copolymerisiert werden können, können die Verbindungen einschließen, die unter den folgenden Punkten (m1) bis (m12) erwähnt sind.
Nebenbei bemerkt kann als ein Verfahren für die Copolymerisation der alkalilöslichen Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist, ein herkömmlich bekanntes Pfropfcopolymerisationsverfahren, Blockcopolymerisationsverfahren, statistisches Copolymerisationsverfahren oder dergleichen verwendet werden.

(m-1) Acrylicsäureester und Methacrylsäureester mit jeweils einer aliphatischen Hydroxylgruppe, wie 2-Hydroxyethylacrylat oder 2-Hydroxyethylmethacrylat;
(m-2) Alkylacrylate, wie Methylacrylat, Ethylacrylat, Propylacrylat, Butylacrylat, Amylacrylat, Hexylacrylat, Octylacrylat, Benzylacrylat, 2-Chlorethylacrylat und Glycidylacrylat;
(m-3) Alkylmethacrylate, wie Methylmethacrylat, Ethylmethacrylat, Propylmethacrylat, Butylmethacrylat, Amylmethacrylat, Hexylmethacrylat, Cyclohexylmethacrylat, Benzylmethacrylat, 2-Chlorethylmethacrylat und Glycidylmethacrylat;
(m-4) Acrylamide oder Methacrylamide, wie Acrylamid, Methacrylamid, N-Methylolacrylamid, N-Ethylacrylamid, N-Hexylmethacrylamid, N-Cyclohexylacrylamid, N-Hydroxyethylacrylamid, N-Phenylacrylamid, N-Nitrophenylacrylamid und N-Ethyl-N-phenylacrylamid;
(m-5) Vinylether, wie Ethylvinylether, 2-Chlorethylvinylether, Hydroxyethylvinylether, Propylvinylether, Butylvinylether, Octylvinylether und Phenylvinylether;
(m-6) Vinylester, wie Vinylacetat, Vinylchloracetat, Vinylbutyrat und Vinylbenzoat;
(m-7) Styrole, wie Styrol, α-Methylstyrol, Methylstyrol und Chlormethylstyrol;
(m-8) Vinylketone, wie Methylvinylketon, Ethylvinylketon, Propylvinylketon und Phenylvinylketon;
(m-9) Olefine, wie Ethylen, Propylen, Isobutylen, Butadien, und Isopren;
(m-10) N-Vinylpyrrolidon, Acrylnitril, Methacrylnitril und dergleichen;
(m-11) ungesättigte Imide, wie Maleimid, N-Acryloylacrylamid, N-Acetylmethacrylamid, N-Propionylmethacrylamid und N-(p-Chlorbenzoyl)methacrylamid; und
(m-12) ungesättigte Carbonäuren, wie Acrylsäure, Methacrylsäure, Maleinsäureanhydrid, und Itaconäure.

Das alkali-lösliche Harz mit einer Sulfonamidgruppe der Erfindung weist vorzugsweise ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 2.000 oder höher und ein zahlengemitteltes Molekulargewicht von 500 oder höher auf. Es weist vorzugsweise ferner ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 5.000 bis 300.000, ein zahlengemitteltes Molekulargewicht von 800 bis 250.000 und einen Dispersionsgrad (Gewichtsmittel des Molekulargewichts/zahlengemitteltes Molekulargewicht) von 1,1 bis 10 auf.
In der Erfindung beträgt die Menge des alkalilöslichen Harzes mit einer Sulfonamidgruppe, die zu der wärmeempfindlichen Schicht zugegeben wird, vorzugsweise 10 bis 95 Gew.% und ferner vorzugsweise 20 bis 90 Gew.%, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der lichtempfindlichen Schicht. Wenn sie innerhalb dieses Bereichs fällt, kann eine günstige Kratzbeständigkeit erhalten werden.
[Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial]
Die wärmeempfindliche Schicht der Erfindung enthält ein Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial, das Licht absorbiert, um Wärme zu erzeugen. Der Einschluss des Licht/Wärme-Umwandlungsmaterials kann zu einer höheren Sensibilität führen. Als Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial ist ein infrarot-absorbierender Farbstoff bevorzugt.
Als infrarot-absorbierende Farbstoffe gemäß der Erfindung können kommerziell erhältliche Farbstoffe verwendet werden und die bekannten, die in den Literaturen beschrieben sind (zum Beispiel Senryo Binran, herausgegeben von der Society of Synthetic Organic Chemistry, Japan, veröffentlicht im Jahre 1970). Spezielle Beispiele davon können Farbstoffe, wie Azofarbstoffe, Metallkomplexsalzazofarbstoffe, Pyrazolonazofarbstoffe, Anthrachinonfarbstoffe, Phthalocyanfarbstoffe, Carboniumfarbstoffe, Chinoniminfarbstoffe, Methinfarbstoffe und Cyaninfarbstoffe einschließen. In der Erfindung sind neben diesen Farbstoffen diese insbesondere bevorzugt, die insbesondere 700 bis 1.200 nm Infrarotstrahlen absorbieren, da sie für die Verwendung mit einem laseremittierenden Infrarotstrahl oder einem nahen Infrarotstrahl geeignet sind.
Spezielle Beispiele von solch einem infrarot-absorbierenden Farbstoff können einschließen: Cyaninfarbstoffe, die in JP-A-58-125246 , JP-A-59-84356 , JP-A-60-78787 , US-Patent Nr. 4,973,572 beschrieben sind und dergleichen; Methinfarbstoffe, die in JP-A-58-173696 , JP-A-58-181690 , JP-A-58-194595 und dergleichen beschrieben sind; Naphthochinonfarbstoffe, die in JP-A-58-112793 , JP-A-58-224793 , JP-A-59-48187 , JP-A-59-73996 , JP-A-60-52940 , JP-A-60-63744 und dergleichen beschrieben sind; Squaryliumfarbstoffe, die in JP-A-58-112792 und dergleichen beschrieben sind; und Cyaninfarbstoffe, die in GB Nr. 434,875 beschrieben sind.
Ferner werden auch die Nahinfrarot-absorbierenden Sensibilisatoren, die im US-Patent Nr. 5,156,938 beschrieben sind, vorzugsweise als Farbstoffe verwendet. Daneben können substituierte Arylbenzo(thio)pyryliumsalze, die im US-Patent Nr. 3,881,924 beschrieben sind, Trimethinthiapyryliumsalze, die in JP-A-57-142645 beschrieben sind, Pyryliumverbindungen, die in JP-A-58-181051 , JP-A-58-220143 , JP-A-59-41363 , JP-A-59-84248 , JP-A-59-84249 , JP-A-59-146063 und JP-A-59-146061 beschrieben sind, Cyaninfarbstoffe, die in JP-14-59-216146 beschrieben sind, Pentamethinthiopyryliumsalze und dergleichen, die im US-Patent Nr 4,283,475 beschrieben sind, und Pyryliumverbindungen und dergleichen, die in JP-B-5-13514 und JP-B-5-19702 beschrieben sind, und als kommerziell erhältliche Produkte, Epolight III-178, Epolight III-130 und Epolight III-125, hergestellt von Epolin Co., und dergleichen erwähnt werden.
Ferner können andere bevorzugte Beispiele davon Nahinfrarot-absorbierende Farbstoffe einschließen, die als Formeln (I) und (II) in der Beschreibung von US-Patent Nr. 4,756,993 beschrieben sind.
In der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung kann der infrarot-absorbierende Farbstoff in einem Anteil von 0,01 bis 50 Gew.%, vorzugsweise 0,1 bis 50 Gew.% und besonders bevorzugt 0,1 bis 30 Gew.%, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht, zugegeben werden. Wenn die Menge des zugegebenen Farbstoffs weniger ist als 0,01 Gew.%, tendiert die Sensibilität zu einer Verminderung. Wohingegen, wenn sie 50 Gew.% übersteigt, tendiert die Gleichförmigkeit bei der wärmeempfindlichen Schicht zu einer Abnahme, was zu einer verschlechterten Beständigkeit der wärmeempfindlichen Schicht führt.
[Andere alkali-lösliche Harze]
Für die wärmeempfindliche Schicht der Erfindung ist es möglich, falls erforderlich, andere alkali-lösliche Harze als die zuvor genannten (A) ein Copolymer, das eine durch die Formel (I) repräsentierte Monomereinheit aufweist und (B) eine alkali-lösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist, zu verwenden. Als solch alkali-lösliche Harze können herkömmlich bekannte ohne besondere Einschränkung verwendet werden. Allerdings sind sie vorzugsweise Verbindungen mit hohem Molekulargewicht mit irgendeiner funktionellen Gruppe aus (1) einer phenolischen Hydroxylgruppe und (2) einer aktiven Imidgruppe. Unten sind nicht beschränkende spezielle Beispiele davon angegeben.
Beispiele von der Verbindung mit hohem Molekulargewicht mit einer phenolischen Hydroxylgruppe können einschließen: Novolakharze, wie ein Phenolformaldehydharz, ein m-Cresolformaldehydharz, ein p-Cresolformaldehydharz, ein m-/p-gemischtes Cresolformaldehydharz, ein Xylenolformaldehydharz und ein Phenol/Cresol (welches irgendes einer m-, p- oder einer m-/p-Mischung sein kann) gemischtes Formaldehydharz; und ein Pyrogallol/Acetonharz.
Im Unterschied dazu werden als Verbindungen mit hohem Molekulargewicht mit einer phenolischen Hydroxylgruppe Verbindungen mit hohem Molekulargewicht mit einer phenolischen Hydroxylgruppe in der Seitenkette vorzugsweise verwendet. Als Verbindungen mit hohem Molekulargewicht mit einer phenolischen Hydroxylgruppe in der Seitenkette können Verbindungen mit hohem Molekulargewicht erwähnt werden, die durch Homopolymerisation eines polymerisierbaren Monomers erhalten werden, das eine Verbindung mit geringem Molekulargewicht mit zumindest einer phenolischen Hydroxylgruppe und zumindest einer polymerisierbaren ungesättigten Bindung umfasst, oder durch Copolymerisation des Monomers mit einem anderen polymerisierbaren Monomer.
Als polymerisierbare Monomere mit einer phenolischen Hydroxylgruppe kann ein eine phenolische Hydroxylgruppe enthaltendes Acrylamid, Methacrylamid, Acrylsäureester, Methacrylsäureester, Hydroxystyrol und dergleichen erwähnt werden. Insbesondere werden hier vorzugsweise N-(2-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(3-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(4-Hydroxyphenyl)acrylamid, N-(2-Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(3-Hydroxyphenyl)methacrylamid, N-(4-Hydroxyphenyl)methacrylamid, o-Hydroxyphenylacrylat, m-Hydroxyphenylacrylat, p-Hydroxyphenylacrylat, o-Hydroxyphenylmethacrylat, m-Hydroxyphenylmethacrylat, p-Hydroxyphenylmethacrylat, o-Hydroxystyrol, m-Hydroxystyrol, p-Hydroxystyrol, 2-(2-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(3-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(4-Hydroxyphenyl)ethylacrylat, 2-(2-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat, 2-(3-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat, 2-(4-Hydroxyphenyl)ethylmethacrylat und dergleichen verwendet.
Als Monomere, die mit den polymerisierbaren Monomeren mit einer phenolischen Hydroxylgruppe copolymerisierbar sind, können die Monomere der Punkte (m1) bis (m12) erwähnt werden.
Solche Verbindungen mit hohem Molekulargewicht weisen jeweils eine phenolische Hydroxylgruppe auf, die auch in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden können. Ferner ein Polykondensat eines Phenols mit einer Alkylgruppe mit 3 bis 8 Kohlenstoffatomen als einen Substituenten und Formaldehyd, wie ein t-Butylphenolformaldehydharz oder ein Octylphenolformaldehydharz, beschrieben in US-Patent Nr. 4,123,279 .
(2) Als alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht mit einer aktiven Imidgruppe kann eine Verbindung mit hohem Molekulargewicht erwähnt werden, die durch Homopolymerisation eines polymerisierbaren Monomers mit zumindest einer aktiven Imidgruppe und zumindest einer polymerisierbaren ungesättigten Verbindung in einem Molekül erhältlich ist, oder durch Copolymerisation des Monomers mit einem anderen polymerisierbaren Monomer.
Spezielle bevorzugte Beispiele von solch einem polymerisierbaren Monomer mit einer aktiven Imidgruppe können N-(p-Toluolsulfonyl)methacrylamid und N-(p-Toluolsulfonyl)methacrylamid einschließen.
Als Monomere, die mit dem polymerisierbaren Monomer mit einer aktiven Imidgruppe copolymerisierbar sind, können die Monomere der zuvor genannten Punkte (m1) bis (m12) erwähnt werden.
Ferner kann als alkali-lösliches Harz auch eine Verbindung mit hohem Molekulargewicht verwendet werden, die durch Polymerisation von zwei oder mehr des zuvor genannten polymerisierbaren Monomers mit einer Sulfonamidgruppe, des polymerisierbaren Monomers mit einer phenolischen Hydroxylgruppe und des polymerisierbaren Monomers mit einer aktiven Imidgruppe erhalten werden, oder eine Verbindung mit einem hohen Molekulargewicht, erhalten durch Copolymerisation von zwei oder mehr polymerisierbaren Monomeren mit einem anderen polymerisierbaren Monomer.
Wenn das alkali-lösliche Harz in der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung ein Homopolymer oder ein Copolymer des polymerisierbaren Monomers ist, weist es vorzugsweise ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 2.000 oder höher und ein zahlengemitteltes Molekulargewicht von 500 oder höher auf. Es weist vorzugsweise ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 5.000 bis 300.000 auf, ein zahlengemitteltes Molekulargewicht von 800 bis 250.000 und einen Dispersionsgrad (Gewichtsmittel des Molekulargewichts/zahlengemitteltes Molekulargewicht von 1,1 bis 10 auf.
Wohingegen, wenn das alkali-lösliche Harz ein Harz ist, wie ein Phenolformaldehydharz oder ein Cresolaldehydharz, weist es vorzugsweise ein Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 500 bis 20.000 und ein zahlengemitteltes Molekulargewicht von 200 bis 10.000 auf.
Diese alkali-löslichen Harze können einzeln oder in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden. Es wird in einer Menge von 30 bis 99 Gew.%, vorzugsweise 40 bis 95 Gew.% und besonders bevorzugt 50 bis 90 Gew.%, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht, zugegeben und verwendet. Wenn die Menge des alkali-löslichen Harzes, das zugegeben wird, weniger als 30 Gew.% beträgt, verschlechtert sich die Beständigkeit der wärmeempfindlichen Schicht. Wohingegen, wenn sie 99 Gew.% übersteigt, treten nicht vorteilhafte Ergebnisse bezogen auf sowohl die Sensibilität als auch die Beständigkeit auf.
[Auflösungsverhindernde Verbindung]
Zum Zwecke der Verstärkung der Beständigkeit (Inhibierung von) gegenüber der Auflösung in einem Entwickler der Bildabschnitte der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung ist es möglich, der wärmeempfindlichen Schicht zu ermöglichen, dass sie verschiedene auflösungsinhibierende Verbindungen (Inhibitoren) enthält.
In der Erfindung können bekannte Inhibitoren ohne irgendeine besondere Beschränkung verwendet werden. Daneben können als bevorzugt verwendbare quaternäre Ammoniumsalze Verbindungen vom Polyethylenglykoltyp oder dergleichen erwähnt werden.
Die quaternären Ammoniumsalze weisen keine besondere Beschränkung auf. Beispiele davon können einschließen: Tetraalkylammoniumsalze, Trialkylarylammoniumsalze, Dialkyldiarylammoniumsalze, Alkyltriarylammoniumsalze, Tetraarylammoniumsalze, zyklische Ammoniumsalze, bizyklische Ammoniumsalze und die Ammoniumsalze, die in JP-A-2002-229186 beschrieben sind. Ferner können auch die Ammoniumsalze, die in der Japanischen Patentanmeldung Nr. 2001-398047 beschrieben sind, als bevorzugte Verbindungen erwähnt werden.
Insbesondere können erwähnt werden: Tetrabutylammoniumbromid, Tetrapentylammoniumbromid, Tetrahexylammoniumbromid, Tetraoctylammoniumbromid, Tetralaurylammoniumbromid, Tetraphenylammoniumbromid, Tetranaphthylammoniumbromid, Tetrabutylammoniumchlorid, Tetrabutylammoniumiodid, Tetrastearylammoniumbromid, Lauryltrimethylammoniumbromid, Stearyltrimethylammoniumbromid, Behenyltrimethylammoniumbromid, Lauryltriethylammoniumbromid, Phenyltrimethylammoniumbromid, 3-Trifluormethylphenyltrimethylammoniumbromid, Benzyltrimethylammoniumbromid, Dibenzyldimethylammoniumbromid, Distearyldimethylammoniumbromid, Tristearylmethylammoniumbromid, Benzyltriethylammoniumbromid, Benzyltributylammoniumiodid, Benzyltributylammoniumhexafluorphosphat, Hydroxyphenyltrimethylammoniumbromid, N-Methylpyridiniumbromid und dergleichen.
Die Menge des quaternären Ammoniumsalzes, das zugegeben wird, beträgt vorzugsweise 0,1 bis 50% und stärker bevorzugt 1 bis 30% auf einer Feststoffgehaltbasis, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht. Wenn sie 0,1% oder weniger beträgt, werden die auflösungsinhibierenden Effekte unvorteilhaft vermindert. Wohingegen, wenn sie 50% oder höher beträgt, können die filmbildenden Eigenschaften eines Bindemittels gegenteilig beeinflusst werden.
Die Polyethylenglykolverbindungen weisen keine besondere Beschränkung auf. Beispiele davon können diejenigen der folgenden Struktur einschließen. R¹–{–O–(R³–O–)_m–R²}_n (worin R¹ einen mehrwertigen Alkoholrest oder einen mehrwertigen Phenolrest darstellt; R² ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe, eine Alkenylgruppe, eine Alkinylgruppe, eine Alkyloylgruppe, eine Arylgruppe oder eine Aryloylgruppe, die einen C₁ bis ₂₅-Substituenten aufweisen können; und R³ einen Alkylenrest, der einen Substituenten aufweisen kann; und m ist eine ganze Zahl mit einem Mittelwert von 10 oder höher und n ist eine ganze Zahl von 1 oder höher und 4 oder weniger.)
Beispiele einer Polyalkylenglykolverbindung der zuvor genannten Struktur können einschließen: Polyethylenglykole, Polypropylenglykole, Polyethylenglykolalkylether, Polypropylenglykolalkylether, Polyethylenglykolarylether, Polypropylenglykolarylether, Polyethylenglykolalkylarylether, Polypropylenglykolalkylarylether, Polyethylenglykolglycerinester, Polypropylenglykolglycerinester, Polyethylensorbitolester, Polypropylenglykolsorbitolester, Polyethylenglykolfettsäureester, Polypropylenglykolfettsäureester, polyethylenglykolisierte Ethylendiamine, polypropylenglykolisierte Ethylendiamine, polyethylenglykolisierte Diethylentriamine und polypropylenglykolisierte Diethylentriamine.
Spezielle Beispiele davon können einschließen: Polyethylenglykol 1000, Polyethylenglykol 2000, Polyethylenglykol 4000, Polyethylenglykol 10000, Polyethylenglykol 20000, Polyethylenglykol 5000, Polyethylenglykol 100000, Polyethylenglykol 200000, Polyethylenglykol 500000, Polypropylenglykol 1500, Polypropylenglykol 3000, Polypropylenglykol 4000, Polyethylenglykolmethylether, Polyethylenglykolethylether, Polyethylenglykolphenylether, Polyethylenglykoldimethylether, Polyethylenglykoldiethylether, Polyethylenglykoldiphenylether, Polyethylenglykollaurylether, Polyethylenglykoldilaurylether, Polyethylenglykolnonylether, Polyethylenglykolcetylether, Polyethylenglykolstearylether, Polyethylenglykoldistearylether, Polyethylenglykolbehenylether, Polyethylenglykoldibehenylether, Polypropylenglykolmethylether, Polypropylenglykolethylether, Polypropylenglykoiphenylether, Polypropylenglykoldimethylether, Polypropylenglykoldiethylether, Polypropylenglykoldiphenylether, Polypropylenglykollaurylether, Polypropylenglykoldilaurylether, Polypropylenglykolnonylether, Polyethylenglykolacetylester, Polyethylenglykoldiacetylester, Polyethylenglykolbenzoesäureester, Polyethylenglykollaurylester, Polyethylenglykoldilaurylester, Polyethylenglykolnonylsäureester, Polyethylenglykolcetylsäureester, Polyethylenglykolstearoylester, Polyethylenglykoldistearoylester, Polyethylenglykolbehensäureester, Polyethylenglykoldibehensäureester, Polypropylenglykolacetylester, Polypropylenglykoldiacetylester, Polypropylenglykolbenzoesäureester, Polypropylenglykoldibenzoesäureester, Polypropylenglykollaurinsäureester, Polypropylenglykoldilaurinsäureester, Polypropylenglykolnonylsäureester, Polyethylenglykolglycerinether, Polypropylenglykolglycerinether, Polyethylenglykolsorbitolether, Polypropylenglykolsorbitolether, polyethylenglykolisiertes Ethylendiamin, polypropylenglykolisiertes Ethylendiamin, polyethylenglykolisiertes Diethylentriamin, polypropylenglykolisiertes Diethylentriamin und polyethylenglykolisiertes Pentamethylenhexamin.
Die Menge der Verbindung vom Polyethylenglykoltyp, die zugegeben wird, beträgt vorzugsweise 0,1 bis 50% und stärker bevorzugt 1 bis 30% auf einer Feststoffgehaltbasis, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht. Wenn sie 0,1% oder weniger beträgt, sind die Auflösungsinhibierungseffekte ungünstigerweise gering. Wohingegen, wenn sie 50% oder höher beträgt, kann die Verbindung vom Polyethylengykoltyp, die nicht befähigt ist, mit einem Bindemittel wechselzuwirken, die Permeation eines Entwicklers beschleunigen, was nachteilig die Bildformbarkeit beeinflusst.
Wohingegen, wenn die inhibierungsverstärkenden Maßnahmen durchgeführt werden, wird die Sensibilität vermindert. In diesem Fall ist es wirksam, eine Lactonverbindung zuzugeben. Die Lactonverbindung wird betrachtet, dass sie folgendermaßen fungiert. Wenn der Entwickler in die belichteten Bereiche eindringt, reagieren der Entwickler und die Lactonverbindung miteinander. Als ein Ergebnis wird eine Carbonsäureverbindung neu gebildet, welche zu der Auflösung der belichteten Bereiche beiträgt, was zu einer Verbesserung der Sensibilität führt.
Die Lactonverbindung weist keine besondere Einschränkung auf. Allerdings können Beispiele davon die Verbindungen einschließen, die durch die folgenden Formeln (L-I) und (L-II) dargestellt werden: Formel (L-I):
Formel (L-II) :
In den Formeln (L-I) und (L-II) sind X¹, X², X³ und X⁴ konstituierende Atome oder Atomgruppen eines Rings, welche gleich oder verschieden sein können und welche unabhängig voneinander einen Substituenten aufweisen können; und zumindest eines von X¹, X² und X³ in der Formel (L-I) und zumindest eines von X¹, X², X³ und X⁴ in Formel (L-II) weisen elektronen-ziehende Substituenten oder elektronen-ziehende gruppen-substituierte Substituenten auf.
Die konstituierenden Atome oder Atomgruppen des Rings, die durch X¹, X², X³ und X⁴ dargestellt werden, sind Nicht-Metallatome mit zwei Einfachbindungen zur Bildung eines Rings oder Atomgruppen, die die Nicht-Metallatome enthalten.
Die Nicht-Metallatome oder Nicht-Metallatomgruppen sind vorzugsweise die Atome oder Atomgruppen, die aus einer Methylengruppe, einer Sulfinylgruppe, einer Carbonylgruppe, einer Thiocarbonylgruppe, einer Sulfonylgruppe, einem Schwefelatom, einem Sauerstoffatom und einem Selenatom ausgewählt sind, und stärker bevorzugt sind die Atomgruppen aus einer Methylengruppe, einer Carbonylgruppe und einer Sulfonylgruppe ausgewählt.
Zumindest eines von X¹, X² und X³ in der Formel (L-I) und zumindest eines von X¹, X², X³ und X⁴ in der Formel (L-II) weisen elektronen-ziehende Gruppen auf. In dieser Beschreibung stellen elektronen-ziehende Substituenten die Gruppe dar, bei der die Hammett-Substituentenkonstante σp einen positiven Wert einnimmt. Bezüglich der Hammett-Substituentenkonstanten kann Journal of Medicinal Chemistry, 1973, Bd. 16, Nr. 11, S. 1207 bis 1216 oder dergleichen als Bezug dienen. Beispiele solcher elektronen-ziehenden Gruppen, von denen die Hammett-Substituentenkonstante σp einen positiven Wert einnimmt, können einschließen: ein Halogenatom (Fluoratom (σp-Wert: 0,06), Chloratom (σp-Wert: 0,23), Bromatom (σp-Wert: 0,23), Iodatom (σp-Wert: 0,18), Trihalogenalkylgruppen (Tribrommethyl (σp-Wert: 0,29), Trichlormethyl (σp-Wert: 0,33) und Trifluormethyl (σp-Wert: 0,54)), eine Cyanogruppe (σp-Wert: 0,66), eine Nitrogruppe (σp-Wert: 0,78), eine aliphatische Aryl- oder heterozyklische Sulfonylgruppe (z. B. Methansulfonyl (σp-Wert: 0,72)), aliphatische Aryl- oder heterozyklische Acylgruppen (z. B. Acetyl (σp-Wert: 0,50), Benzoyl (σp-Wert: 0,43), eine Alkinylgruppe (z. B. C≡CH (σp-Wert: 0,23)), aliphatische Aryl- oder heterozyklische Oxycarbonylgruppe (z. B. Methoxycarbonyl (σp-Wert: 0,45) und Phenoxycarbonyl (σp-Wert: 0,44)), eine Carbamoylgruppe (σp-Wert: 0,36), eine Sulfamoylgruppe (σp-Wert: 0,57), eine Sulfoxidgruppe, eine heterozyklische Gruppe, eine Oxogruppe und eine Phosphorylgruppe.
Die elektronen-ziehende Gruppe ist vorzugweise eine Gruppe, ausgewählt aus einer Amidgruppe, einer Azogruppe, einer Nitrogruppe, einer Fluoralkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, einer Nitrylgruppe, einer Alkoxycarbonylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, einer Acylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, einer Alkylsulfonylgruppe mit 1 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer Arylsulfonylgruppe mit 6 bis 9 Kohlenstoffatomen und einer Alkylsulfinylgruppe mit 1 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer Arylsulfinylgruppe mit 6 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer Arylcarbonylgruppe mit 6 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer Thiocarbonylgruppe, einer fluorhaltigen Alkylgruppe mit 1 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer fluorhaltigen Arylgruppe mit 6 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer fluorhaltigen Allylgruppe mit 3 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer Oxogruppe und einem Halogenatom.
Stärker bevorzugt ist eine Gruppe, die aus einer Nitrogruppe, einer Fluoralkylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, einer Nitrylgruppe, einer Alkoxycarbonylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, einer Acylgruppe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, einer Arylsulfonylgruppe mit 6 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer Arylcarbonylgruppe mit 6 bis 9 Kohlenstoffatomen, einer Oxogruppe und einem Halogenatom ausgewählt ist.
Unten sind spezielle Beispiele der Verbindungen, die durch die Formeln (L-I) und (L-II) dargestellt werden, angegeben. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Verbindungen beschränkt.
Die Menge der Verbindungen, die durch die Formeln (L-I) und (L-II) dargestellt werden, die zugegeben wird, beträgt vorzugsweise 0,1 bis 50% und stärker bevorzugt 1 bis 30% auf einer Feststoffgehaltbasis, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt jeder Schicht. Wenn sie 0,1% oder weniger beträgt, sind die Effekte gering. Wohingegen, wenn die Verbindungen in einer Menge von 50% oder höher zugegeben werden, ist die Bilderzeugung schlechter. Nebenbei bemerkt reagieren die Verbindungen mit einem Entwickler und somit ist es wünschenswert, dass die Verbindungen selektiv mit dem Entwickler in Kontakt kommen.
Irgendwelche der Lactonverbindungen können alleine verwendet werden oder können auch in Kombination verwendet werden. Ferner können auch zwei oder mehr Verbindungen der Formel (L-I) oder zwei oder mehr Verbindungen der Formel (L-II) in irgendeinem Verhältnis verwendet werden, solange die Gesamtmenge der Verbindungen, die zugegeben wird, innerhalb den zuvor angegebenen Bereich fällt.
Darüber hinaus ist es vom Gesichtspunkt des weiteren Ausdehnens des Unterschieds zwischen den belichteten Abschnitten und den nicht-belichteten Abschnitten bevorzugt, dass die fotoempfindliche Lithographiedruckplatte der Erfindung ferner eine Substanz enthält, die thermisch zersetzbar ist und im wesentlichen die Löslichkeit des alkali-löslichen Harzes in einem thermisch nicht zersetzten Zustand vermindert.
Die "Substanz, welche thermisch zersetzbar ist, und die Löslichkeit des alkali-löslichen Harzes in einem thermisch nicht zersetzten Zustand wesentlich vermindert", weist keine besondere Beschränkung auf. Allerdings können Beispiele davon mehrere Oniumsalze und Chinondiazidverbindungen einschließen. Die Oniumsalze sind insbesondere in Bezug auf die thermische Zersetzbarkeit besonders bevorzugt.
Als Oniumsalze können Diazoniumsalze, Ammoniumsalze, Phosphoniumsalze, Iodoniumsalze, Sulfoniumsalze, Selenoniumsalze, Arsoniumsalze und dergleichen erwähnt werden. Bevorzugte Beispiele der Oniumsalze für die Verwendung in der Erfindung können einschließen: Diazoniumsalze, beschrieben in S.I. Schlesinger, Photogr. Sci. Eng., 18, 387 (1974), T. S. Bal et al., Polymer, 21, 423 (1980) und JP-A-5-158230 ; Ammoniumsalze, beschrieben in US-Patenten Nrn. 4,069,055 und 4,069,056 und US-Patent Nr. Re. 27,992 ; Phosphoniumsalze, beschrieben in D. C. Necker et al., Makromoleküle, 17, 2468 (1984), C. S. Wen et al., Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, S. 478, Tokyo, Okt. (1988) und US-Patente Nrn. 4,069,055 und 4,069,056 ; Iodoniumsalze, beschrieben in J. V: Crivello et al., Makromoleküle 10(6), S. 1307 (1977), Chem. & Eng. Neves, Nov. 28, S. 31 (1988), EP Nr. 104,143 und JP-A-2-150848 und JP-A-2-296514 ; Sulfoniumsalze, beschrieben in J. V. Crivello et al., Polymer J., 17, 73 (1985), J. V. Crivello et al., J. Org. Chem., 43, 3055 (1978), W. R. Watt et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 22, 1789 (1984), J. V. Crivello et al., Polymer Bull., 14, 279 (1985), J. V. Crivello et al., Makromoleküle, 14(5), 1141 (1981), J. V. Crivello et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 2877 (1979), EP Nrn. 370,693 , 3,902,114, 233,567 , 297,443 und 297,442 , US-Patente Nrn. 4,933,377, 4,760,013 , 4,734,444 und 2,833,827 , und Britische Patente Nrn. 2,904,626 , 3,604,580 und 3,604,581 ; Selenoniumsalze, beschrieben in J. V. Crivello et al., Makromoleküle, 10(6), 1307 (1977) und J. V. Crivello et al., J. Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 1047 (1979); und Arsoniumsalze, beschrieben in C. S. Wen et al., Teh, Proc. Conf. Rad. Curing ASIA, S. 478 Tokyo, Okt. (1988).
In der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung sind Diazoniumsalze besonders bevorzugt. In Anbetracht dessen können als besonders bevorzugte Diazoniumsalze die erwähnt werden, die in JP-A-5-158230 beschrieben sind.
Als Gegenionen der Oniumsalze können erwähnt werden: Anionen von Tetrafluorborsäure, Hexafluorphosphorsäure, Triisopropylnaphthalinsulfonsäure, 5-Nitro-o-Toluolsulfonsäure, 5-Sulfosalicylsäure, 2,5-Dimethylbenzoesulfonsäure, 2,4,6-Trimethylbenzolsulfonsäure, 2-Nitrobenzolsulfonsäure, 3-Chlorbenzolsulfonsäure, 3-Brombenzolsulfonsäure, 2-Fluorcaprilnaphthalinsulfonsäure, Dodecylbenzolsulfonsäure, 1-Naphthol-5-sulfonsäure, 2-Methoxy-4-hydroxy-5-benzoyl-benzolsulfonsäure und para-Toluolsulfonsäure und dergleichen. Daneben sind Hexafluorphosphat und alkylaromatische Sulfonate, wie Triisopropylnaphthalinsulfonat und 2,5-Dimethylbenzolsulfonat besonders bevorzugt. Die Menge der zuvor genannten Substanz, die zugegeben wird, beträgt vorzugsweise 1 bis 50 Gew.%, ferner vorzugsweise 0,1 bis 30 Gew.% und besonders bevorzugt 0,3 bis 30 Gew.%.
Als bevorzugte Chinondiazide können o-Chinondiazidverbindungen erwähnt werden. Die o-Chinondiazidverbindungen, die in der Erfindung verwendbar sind, sind Verbindungen, die jeweils zumindest eine o-Chinondiazidogruppe aufweisen, und bei der Alkali-Löslichkeit zunehmen, wenn thermisch zersetzt wird. Die Verbindungen von verschiedenen Strukturen sind verwendbar. Mit anderen Worten verliert o-Chinondiazid die Fähigkeit der Inhibierung der Auflösung von alkali-löslichen Harzen durch thermische Zersetzung und o-Chinondiazid selbst wird in eine alkali-lösliche Substanz verändert. Durch beide Effekte wird die Auflösung der darunterliegenden Schicht unterstützt. Als o-Chinondiazidverbindungen, die in der Erfindung verwendbar sind, können die Verbindungen verwendet werden, die beispielsweise in Light-Sensitive Systems (John Wiley & Sons, Inc.), S. 339 bis 352, geschrieben von J. Kosar, beschrieben sind. Insbesondere Sulfonsäureester oder Sulfonsäureamide von o-Chinondiaziden, hergestellt durch Reaktion mit verschiedenen aromatischen Polyhydroxyverbindungen oder aromatischen Aminoverbindungen. In Anbetracht dessen werden Ester aus Benzochinon-(1,2)-diazidosulfonsäurechlorid oder Naphthochinon-(1,2)-diazido-5-sulfonsäurechlorid und Pyrogallol/Acetonharze, die in JP-B-43-28403 offenbart sind, und Ester aus Benzochinon-(1,2)-diazidosulfonsäurechlorid oder Naphthochinon-(1,2)-diazido-5-sulfonsäurechlorid und Phenolformaldehydharze, beschrieben in den US-Patenten Nr. 3,046,120 und 3,188,210 , auch vorzugsweise verwendet.
Darüber hinaus werden gleichermaßen Ester aus Naphthochinon-(1,2)-diazido-4-sulfonsäurechlorid und Phenolformaldehydharze oder Cresol-formaldehydharze und Ester aus Naphthochinon-(1,2)-diazido-4-sulfonsäurechlorid und Pyrogallol-acetonharze vorzugsweise verwendet. Andere geeignete o-Chinondiazidverbindungen sind in einer großen Anzahl von Patenten beschrieben und bekannt. Beispiele davon können einschließen: diejenigen, die in JP-A-47-5303 , JP-A-48-63802 , JP-A-48-63803 , JP-A-48-96575 , JP-A-49-38701 , JP-A-48-13354 , JP-B-41-11222 , JP-B-45-9610 , JP-B-49-17481 , in den US-Patenten Nrn. 2,797,213 , 3,454,400 , 3,544,323 , 3,573,917 , 3,674,495 und 3,785,825 , den Britischen Patenten Nrn. 1,277,602 , 1,251,345 , 1,267,005 , 1,329,888 und 1,330,932 und dem Britischen Patent Nr. 854,890 beschrieben sind. Die o-Chinondiazidverbindungen für die Verwendung in der Erfindung werden in einer Menge im Bereich von vorzugsweise 1 bis 50 Gew.%, ferner vorzugsweise 5 bis 30 Gew.% und besonders bevorzugt 10 bis 30 Gew.%, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der Unterschicht zugegeben. Diese Verbindungen können alleine verwendet werden und können auch in Mischung von verschiedenen davon verwendet werden. Wenn die Menge der o-Chinondiazidverbindungen, die zugegeben wird, weniger ist als 1 Gew.%, wird die Bildaufzeichnungsfähigkeit verschlechtert. Wohingegen, wenn sie 50% übersteigt, wird die Beständigkeit der Bildbereiche verschlechtert und die Sensibilität wird vermindert.
Im Übrigen sind die thermisch zersetzbaren Substanzen vom Gesichtspunkt der Zersetzbarkeit vorzugsweise Oniumsalze.
Unter Verwendung der hoch-thermisch zersetzbaren Oniumsalze ist vorstellbar, dass die Zersetzung der thermisch zersetzbaren Substanzen bei belichteten Abschnitten gefördert wird, um die Auflösung zwischen den belichteten Abschnitten und den nicht belichteten Abschnitten zu verbessern.
Zum Bilden einer wärmeempfindlichen Schicht ist es möglich, ferner verschiedene Zusatzstoffe, falls erforderlich, zuzugeben, zusätzlich zu den zuvor genannten Komponenten, solange die Effekte der Erfindung nicht beeinträchtigt werden. Unten wird eine Beschreibung durch Angabe von Beispielen von Zusatzstoffen angegeben.
Beispielsweise ist es für die Zwecke der Verstärkung der Auflösung zwischen den Bildbereichen und den Nicht-Bildbereichen und der Erhöhung der Beständigkeit gegenüber Kratzern auf der Oberfläche bevorzugt, in Kombination ein Polymer, das ein (Meth)acrylatmonomer mit 2 oder 3 Perfluoralkylgruppen mit jeweils 3 bis 20 Kohlenstoffatomen in dem Molekül als eine polymerisierbare Komponente enthält, wie beschrieben in JP-A-2000-187318 , zu verwenden.
Das Polymer wird in einer Menge von vorzugsweise 0,1 bis 10 Gew.% und stärker bevorzugt 0,5 bis 5 Gew.%, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht, zugegeben.
Es ist auch möglich, eine Verbindung für die Verminderung des Reibbeiwerts der Ruhe der Oberfläche in der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung zum Zwecke der Verleihung einer Beständigkeit gegenüber Kratzern zuzugeben. Spezielle Beispiele können die langkettigen Alkylcarbonsäureester, die in dem US-Patent Nr. 6,117,913 verwendet werden, einschließen.
Die Verbindungen werden in einem Anteil von vorzugsweise 0,1 bis 10 Gew.% und stärker bevorzugt 0,5 bis 5 Gew.%, bezogen auf die Menge des schichtbildenden Materials, zugegeben.
Ferner kann, falls erforderlich, auch eine Verbindung mit einer Säuregruppe mit einem geringen Molekulargewicht enthalten sein. Als Säuregruppen können Sulfonsäure-, Carbonsäure- und Phosphorsäuregruppen erwähnt werden. Daneben ist eine Verbindung mit einer Sulfonsäuregruppe bevorzugt. Spezielle Beispiele davon können aromatische Sulfonsäuren, wie p-Toluolsulfonsäure und Naphthalinsulfonsäure und aliphatische Sulfonsäuren einschließen.
Die Verbindungen werden in einer Menge von vorzugsweise 0,05 bis 5 Gew.% und stärker bevorzugt 0,1 bis 3 Gew.%, bezogen auf die Menge des schichtbildenden Materials, zugegeben. Wenn sie in einer Menge von mehr als 5 Gew.% zugegeben werden, erhöht sich die Löslichkeit der wärmeempfindlichen Schicht in einem Entwickler unvorteilhaft.
Daneben können in der Erfindung verschiedene Auflösungsinhibitoren zum Zwecke der Steuerung der Löslichkeit enthalten sein. Als Auflösungsinhibitoren werden vorzugsweise Disulfonverbindungen oder Sulfonverbindungen, wie sie in JP-A-11-119418 gezeigt sind, verwendet. Als ein spezielles Beispiel wird vorzugsweise 4,4'-Bishydroxyphenylsulfon verwendet.
Die Verbindungen werden in einer Menge von vorzugsweise 0,05 bis 20 Gew.% und stärker bevorzugt 0,5 bis 10 Gew.%, bezogen auf den Feststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht, zugegeben.
In Anbetracht dessen können für den Zweck der weiteren Verbesserung der Sensibilität zyklische Säureanhydride, Phenole und organische Säuren auch in Kombination verwendet werden. Als zyklische Säureanhydride sind Phthalsäureanhydrid, Tetrahydrophthalsäureanhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, 3,6-Endoxy-Δ4-tetrahydrophthalsäureanhydrid, Tetrachlorphthalsäureanhydrid, Maleinsäureanhydrid, Chlormaleinsäureanhydrid, α-Phenylmaleinsäureanhydrid, Succinsäureanhydrid, Pyromellitsäureanhydrid und dergleichen, die im US-Patent Nr. 4,115,128 beschrieben sind, verwendbar. Beispiele aus Phenolen können Bisphenol A, p-Nitrophenol, p-Ethoxyphenol, 2,4,4'-Trihydroxybenzophenon, 2,3,4-Trihydroxybenzophenon, 4-Hydroxybenzophenon, 4,4',4''-Trihydroxytriphenylmethan und 4,4',3'',4''-Tetrahydroxy-3,5,3',5'-tetramethyltriphenylmethan einschließen. Ferner schließen organische Säuren Sulfonsäuren, Sulfinsäuren, Alkylschwefelsäuren, Phosphonsäuren, Phosphorsäureester und Carbonsäuren und dergleichen, wie in JP-A-60-88942 , JP-A-2-96755 beschrieben, und dergleichen ein. Spezielle Beispiele können p-Toluolsulfonsäure, Dodecylbenzolsulfonsäure, p-Toluolsulfonsäure, Ethylschwefelsäure, Phenylphosphonsäure, Phenylphosphinsäure, Phenylphosphat, Diphenylphosphat, Benzoesäure, Isophthalsäure, Adipinsäure, p-Toluinsäure, 3,4-Dimethoxybenzoesäure, Phthalsäure, Terephthalsäure, 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäure, Erucasäure, Laurinsäure, n-Undecansäure und Ascorbinsäure einschließen. Die Menge der zyklischen Säureanhydride, Phenole und organischen Säuren in der wärmeempfindlichen Feststoffgehaltsschicht beträgt vorzugsweise 0,05 bis 20 Gew.%, stärker bevorzugt 0,1 bis 15 Gew.% und besonders bevorzugt 0,1 bis 10 Gew.%.
Ferner, um die Stabilität der Entwicklungsbehandlung von Entwicklungsbedingungen auszudehnen, können nicht-ionische Tenside, wie beschrieben in JP-A-62-251740 und JP-A-3-208514 , die amphoteren Tenside, wie beschrieben in JP-A-59-121044 und JP-A-4-13149 , Verbindungen vom Siloxantyp, wie in EP Nr. 950517 beschrieben, und ein fluorhaltiges Monomercopolymer, wie in JP-A-11-288093 beschrieben, zu der wärmeempfindlichen Schichtbeschichtungslösung zugegeben werden.
Spezielle Beispiele von nicht-ionischen Tensiden können Sorbitantristearat, Sorbitanmonopalmitat, Sorbitantrioleat, Stearinsäuremonoglycerid und Polyoxyethylennonylphenylether einschließen. Spezielle Beispiele von amphoteren Tensiden können Alkyldi(aminoethyl)glycine, Alkylpolyaminoethylglycinhydrochloride, 2-Alkyl-N-carboxyethyl-N-hydroxyethylimidazoliniumbetaine und N-Tetradecyl-N,N-betaintypen (z. B. Marke "Amorgen K", hergestellt von DAI-ICHI KOGYO SEIYAKU CO., LTD.) einschließen.
Die Verbindungen vom Siloxantyp sind vorzugsweise Blockcopolymere von Dimethylsiloxan und Polyalkylenoxid. Spezielle Beispiele davon können DBE-224, DBE-621, DBE-712, DBP-732, DBP-732 und DBP-534 einschließen, hergestellt von CHISSO CORPORATION, und polyalkylenoxid-modifizierte Silikone, wie Tego Glide 100, hergestellt von German Tego Corp.
Der Anteil der nicht-ionischen Tenside und der amphoteren Tenside in einem Beschichtungslösungsmaterial beträgt vorzugsweise 0,05 bis 15 Gew.% und stärker bevorzugt 0,1 bis 5 Gew.%.
Ferner ist es auch möglich, ein Ausdruckmittel zum Erhalt eines sichtbaren Bildes unmittelbar nach der Erwärmung durch Belichtung zuzugeben, und ein Farbstoff oder ein Pigment als ein Bildfärbungsmittel in der wärmeempfindlichen Schicht.
Typische Beispiele des Ausdruckmittels können Kombinationen aus Verbindungen einschließen, die eine Säure durch Erwärmen durch Lichtbelichtung (leicht säure-abgebende Verbindungen) abgeben und organische Farbstoffe, die befähigt sind, ein Salz zu bilden. Spezielle Beispiele der Kombination können Kombinationen aus o-Naphthochinondiazid-4-sulfonsäurehalogenid mit salzbildenden organischen Farbstoffen, beschrieben in JP-A-50-36209 und JP-A-53-8128 , und Kombinationen aus Trihalogenmethylverbindungen mit salzbildenden organischen Farbstoffen, beschrieben in JP-A-53-36223 , JP-A-54-74728 , JP-A-60-3626 , JP-A-61-143748 , JP-A-61-151644 und JP-A-63-58440 einschließen. Als solche Trihalogenmethylverbindungen gibt es Verbindungen vom Oxazoltyp und Verbindungen vom Triazintyp. Beide sind bei der Stabilität über einen Zeitraum herausragend und stellen klare Ausdruckbilder bereit.
Als Farbmittel von Bildern ist es möglich, andere Farbstoffe als die oben beschriebenen salzbildenden organischen Farbstoffe zu verwenden. Öl-lösliche Farbstoffe und basische Farbstoffe können als bevorzugte Farbstoffe einschließlich der salzbildenden organischen Farbstoffe erwähnt werden. Spezielle Beispiele davon können einschließen: Oil Yellow #101, Oil Yellow #103, Oil Pink #312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue #603, Oil Black BY, Oil Black BS und Oil Black T-505 (alle hergestellt von Orient Chemical Industries, Ltd.), Victoria Pure Blue, Kristallviolett (C. I. 42555), Methylviolett (C. I. 42535), Ethylviolett, Rhodamin B (C. I. 145170B), Malachitgrün (C. I. 42000) und Methylenblau (C. I. 52015). Ferner sind die Farbstoffe, die in JP-A-62-293247 beschrieben sind, besonders bevorzugt. Diese Farbstoffe können in einem Anteil von 0,01 bis 10 Gew.% und vorzugsweise 0,1 bis 3 Gew.%, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der wärmeempfindlichen Schicht, zugegeben werden.
Ferner wird in die wärmeempfindliche Schicht der Erfindung, falls notwendig, ein Weichmacher zugegeben, um einem Beschichtungsfilm eine Flexibilität zu verleihen und dergleichen. Beispielsweise sind Butylphthalyl, Polyethylenglykol, Tributylcitrat, Diethylphthalat, Dibutylphthalat, Dihexylphthalat, Dioctylphthalat, Tricresylphosphat, Tributylphosphat, Trioctylphosphat, Tetrahydrofurfuryloleat und Oligomere und Polymere von Acrylsäure oder Methacrylsäure verwendbar.
[Erzeugung der wärmeempfindlichen Schicht]
Die wärmeempfindliche Schicht der Erfindung kann durch Auflösen der erforderlichen Komponenten in einem Lösemittel erzeugt werden und Beschichtung der entstandenen Lösung auf einem Träger. Nicht-beschränkende Beispiele des Lösemittels, das hier verwendet wird, können Ethylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Methanol, Ethanol, Propanol, Ethylenglykolmonomethylether, 1-Methoxy-2-propanol, 2-Methoxyethylacetat, 1-Methoxy-2-propylacetat, Dimethoxyethan, Methyllactat, Ethyllactat, N,N-Dimethylacetamid, N,N-Dimethylformamid, Tetramethylharnstoff, N-Methylpyrrolidon, Dimethylsulfoxid, Sulfolan, γ-Butyrolacton und Toluol einschließen. Die Lösemittel können allein oder in einer Mischung davon verwendet werden.
Die Konzentration einer wärmeempfindlichen Schichtbeschichtungslösung unter Verwendung des Lösemittels beträgt vorzugsweise 1 bis 50 Gew.%.
Angesichts dessen variiert die Menge (Feststoffgehalt) der wärmeempfindlichen Schicht, die beschichtet wird, gemäß dem beabsichtigten Zweck. Sie beträgt vorzugsweise 0,5 bis 3,0 g/m². Es liegen die folgenden Tendenzen vor: wenn sie weniger ist als 0,5 g/m², werden die Filmeigenschaften verschlechtert; wohingegen, wenn sie 3,0 g/m² übersteigt, wird die Sensibilität vermindert.
Als Verfahren zum Beschichten der wärmeempfindlichen Schicht auf den Träger können verschiedene Verfahren verwendet werden. Beispiele davon können Stabbeschichtungsbeschichten, Drehbeschichten, Sprühbeschichten, Florstreichverfahren, Tauchbeschichten, Luftbürsten-Streichverfahren, Rakelstreichverfahren und Walzbeschichten einschließen.
Ein Tensid, wie ein fluorhaltiges Tensid, kann, wie beschrieben in JP-A-62-170950 , zum Verbessern der Beschichtbarkeit zu der wärmeempfindlichen Schicht der Erfindung zugegeben werden. Es wird in einer Menge von vorzugsweise 0,01 bis 1 Gew.% und stärker bevorzugt 0,05 bis 0,5 Gew.% zugegeben, bezogen auf den Gesamtfeststoffgehalt der Schicht, zu dem es zugegeben wird.
In der infrarot-empfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung kann die wärmeempfindliche Schicht, die auf die zuvor beschriebene Weise gebildet wird, eine einzelne Schicht sein, oder kann auch in einer Mehrschichtstruktur gebildet werden, die eine obere Schicht und eine untere Schicht umfasst.
Wenn sie in einer Mehrschichtstruktur gebildet wird, kann die Schicht (untere Schicht), die näher an dem Träger ist, auch eine Schicht sein, die kein Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial enthält. Denn es ist wesentlich, dass nur irgendeine Schicht der oberen Schicht und der unteren Schicht darin (A) ein Copolymer, das eine durch die Formel (I) repräsentierte Monomereinheit aufweist, (B) eine alkali-lösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist und (C) ein Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial enthält.
Ferner, wenn sie in einer Multischichtstruktur gebildet wird, ist es von den Gesichtspunkten der Entwicklungsbreite und der Kratzbeständigkeit bevorzugt, dass es der unteren Schicht nicht ermöglicht wird, das Copolymer, das eine durch die Formel (I) repräsentierte Monomereinheit aufweist, zu erhalten, oder es wird ermöglicht, die Monomereinheit in einer kleineren Menge als mit der oberen Schicht für die Verwendung zu enthalten.
Obwohl die Mengen (Feststoffgehalte) der Oberschicht und der Unterschicht, die beschichtet werden, wenn die Schicht in einer Mehrschichtstruktur gebildet wird, gemäß dem beabsichtigten Zweck variieren kann, betragen die Mengen vorzugsweise 0,05 bis 1,0 g/m² für die Oberschicht und 0,3 bis 3,0 g/m² für die Unterschicht. Es treten Möglichkeiten wie folgt auf: wenn die Menge weniger ist als 0,05 g/m² für die Oberschicht, wird die Bildformbarkeit verschlechtert, und wenn sie 1,0 g/m² übersteigt, wird die Sensibilität vermindert. Ferner beträgt die Gesamtmenge der beiden Schichten, die beschichtet werden, vorzugsweise 0,5 bis 3,0 g/m². Es liegen die folgenden Tendenzen vor: wenn sie weniger ist als 0,5 g/m², werden die Filmeigenschaften verschlechtert, wohingegen, wenn sie 3,0 g/m² übersteigt, wird die Sensibilität vermindert.
[Träger]
Als Träger der Erfindung kann ein dimensionsstabiler, plattenartiger Gegenstand mit einer erforderlichen Festigkeit und Dauerhaftigkeit erwähnt werden. Beispiele davon schließen Papier, Papier laminiert mit Kunststoff (z. B. Polyethylen, Polypropylen oder Polystyrol), Metallplatten (z. B. Aluminium, Zink und Kupfer), Kunststofffilme (z. B. Zellulosediacetat, Zellulosetriacetat, Zellulosepropionat, Zellulosebutyrat, Zelluloseacetatbutyrat, Zellulosenitrat, Polyethylenterephthalat, Polyethylen, Polystyrol, Polypropylen, Polycarbonat, Polyvinylacetal) und Papier oder Kunststofffilme, laminiert oder dampfabgeschieden mit den oben genannten Metallen ein.
Die Träger der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatten der Erfindung sind vorzugsweise Polyesterfilme oder Aluminiumplatten. Daneben sind Aluminiumplatten, die bei der Dimensionsstabilität gut sind und relativ billig sind, besonders bevorzugt. Bevorzugte Aluminiumplatten sind eine reine Aluminiumplatte und Legierungsplatten, die Aluminium als eine Hauptkomponente umfassen und Fremdelemente in geringen Mengen enthalten. Ferner können sie auch aluminiumlaminierte oder abgeschiedene Kunststofffilme sein.
Die Fremdelemente, die in den Aluminiumlegierungen enthalten sind, schließen Silizium, Eisen, Mangan, Kupfer, Magnesium, Chrom, Zink, Bismuth, Nickel und Titan ein. Der Gehalt der Fremdelemente in der Legierung beträgt höchstens 10 Gew.% oder weniger. Obwohl besonders bevorzugtes Aluminium in der Erfindung reines Aluminium ist, ist absolut reines Aluminium, bezogen auf die Schmelztechnik, schwierig herzustellen. Aus diesem Grund ist Aluminium, das Spurenmengen von Fremdelementen enthält, auch akzeptabel.
Somit sind die Aluminiumplatten, die auf die Erfindung angewendet werden, in ihren Zusammensetzungen nicht spezifiziert, und die Aluminiumplatten von herkömmlichen Rohmaterialien, die im Stand der Technik bekannt sind, können geeignet verwendet werden. Die Dicke der Aluminiumplatten für die Verwendung in der Erfindung beträgt etwa 0,01 mm bis 0,6 mm, vorzugsweise 0,15 mm bis 0,4 mm und besonders bevorzugt 0,2 mm bis 0,3 mm.
Vor dem Oberflächenaufrauhen der Aluminiumplatte, wird, falls gewünscht, eine Entfettungsbehandlung zum Entfernen eines Walzenöls auf der Oberfläche davon durchgeführt, beispielsweise mit einem Tensid, einem organischen Lösemittel oder einer wässrigen Alkalilösung. Die Oberflächenaufraubehandlung der Aluminiumplatte wird durch verschiedene Verfahren durchgeführt. Sie wird beispielsweise durch Verfahren des mechanischen Aufrauens der Oberfläche, Verfahren des elektrochemischen Aufrauens der Oberfläche durch Verdünnen und Verfahren des selektiven Auflösens der Oberfläche auf chemischem Weg durchgeführt. Als mechanische Verfahren können bekannte Verfahren, wie ein Kugelreinigungsverfahren, ein Bürstenreinigungsverfahren, ein Blasreinigungsverfahren und ein Polierreinigungsverfahren verwendet werden. Daneben schließen elektrochemische Oberflächenaufrauverfahren Verfahren ein, die in einem Salzsäure- oder Salpetersäureelektrolyten mit Wechselstrom oder Gleichstrom durchgeführt werden, ein. Ferner kann das Verfahren eine Kombination beider Verfahren, wie in JP-A-54-63902 beschrieben, auch verwendet werden. Die auf diese Weise oberflächenaufgeraute Aluminiumplatte wird, falls erforderlich, einer Alkaliätzbehandlung und einer Neutralisierungsbehandlung unterzogen. Anschließend wird sie einer anodischen Oxidationsbehandlung zum Erhöhen des Wasserrückhaltevermögens und der Abriebbeständigkeit der Oberfläche, falls gewünscht, unterzogen. Als Elektrolyte, die für die anodische Oxidationsbehandlung der Aluminiumplatte verwendet werden, können verschiedene Elektrolyte, die einen porösen Oxidfilm bilden, verwendet werden. Im Allgemeinen wird Schwefelsäure, Phosphorsäure, Oxalsäure oder Chromsäure oder eine Mischsäure davon verwendet. Die Konzentration des Elektrolyten wird geeignet gemäß der Art des Elektrolyten bestimmt.
Behandlungsverfahren der anodischen Oxidation variieren in einem großen Ausmaß gemäß dem verwendeten Elektrolyten und können somit nicht willkürlich bestimmt werden. Allerdings sind im allgemeinen die Bedingungen angemessen, solange die Konzentration des Elektrolyten innerhalb eines Bereichs von 1 bis 80 Gew.% fällt, die Lösungstemperatur auf 5 bis 70°C fällt, die elektrische Stromdichte auf 5 bis 60 A/dm² fällt, die Spannung auf 1 bis 100 V fällt und die Elektrolysezeit 10 Sekunden bis 5 Minuten beträgt. Wenn die Menge des anodischen Oxidationsbeschichtungsfilms weniger als 1,0 g/m² beträgt, ist die Plattenabriebfestigkeit unzureichend und die Nicht-Bildbereiche der Lithographiedruckplatte neigen dazu, dass sie angekratzt werden. Als ein Ergebnis neigt ein so genanntes "Kratzfärben", d. h. eine Adhäsion der Tinte an die angekratzten Seiten beim Drucken zu einem Auftreten. Nach dem Durchführen der anodischen Oxidationsbehandlung wird die Aluminiumoberfläche, falls erforderlich, einer Hydrophiliebehandlung unterzogen. Als Hydrophiliebehandlung, die auf dem Träger einer Originalplatte gemäß der Erfindung durchgeführt wird, gibt es ein Alkalimetallsilikat-(z. B. eine wässrige Lösung aus Natriumsilikat)Verfahren, wie es in den US-Patenten Nrn. 2,714,066 , 3,181,461 , 3,280,734 und 3,902,734 offenbart ist. Mit diesem Verfahren wird der Träger einer Eintauchbehandlung oder einer Elektrolysebehandlung in einer wässrigen Natriumsilikatlösung unterzogen. Alternativ werden Verfahren des Durchführens der Behandlung mit Kaliumfluorzirkonat, wie beschrieben in JP-B-36-22063 , und mit Polyvinylphosphonsäure, wie beschrieben in den US-Patenten Nrn. 3,276,868 , 4,153,461 und 4,689,272 und andere Verfahren durchgeführt.
Die fotoempfindliche Lithographiedruckplatte der Erfindung umfasst einen Träger mit einer wärmeempfindlichen Schicht darauf bereitgestellt und kann, falls erforderlich, eine Unterbeschichtungsschicht, die zwischen dem Träger und der wärmeempfindlichen Schicht bereitgestellt ist, umfassen.
Als Unterbeschichtungsschichtkomponenten werden verschiedene organische Verbindungen verwendet, die beispielsweise aus Carboxymethylzellulose, Dextrin, Gummiarabikum, aminogruppenhaltigen Phosphonsäuren, wie 2-Aminoethylphosphonsäure, Organophosponsäure, wie Phenylphosphonsäuren, Naphthylphosphonsäure, Alkylphosphonsäure, Glycerzophosphonsäure, Methylendiphosphonsäure und Ethylendiphosphonsäure ausgewählt werden, die Substituenten aufweisen können, Organophosphorsäuren, wie Phenylphosphorsäuren, Naphthylphosphorsäure, Alkylphosphorsäure und Glycerophosphorsäure, die Substituenten aufweisen können, Organophosphinsäuren, wie Phenylphosphinsäuren, Naphthylphosphinsäure, Alkylphosphinsäure und Glycerophospinsäure, die Substituenten aufweisen können, Aminosäuren, wie Glycin und β-Alanin und hydroxylgruppenhaltige Aminohydrochloride, wie Triethanolaminhydrochlorid. Diese können auch in Mischung von zwei oder mehr davon verwendet werden.
Die Unterbeschichtungsschicht, die zumindest eine Verbindung enthält, ist aus der organischen Verbindungsgruppe mit hohem Molekulargewicht mit einer Struktureinheit, die durch die folgende Formel dargestellt wird, ausgewählt:
worin R¹¹ ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom oder eine Alkylgruppe darstellt, R¹² und R¹³ jeweils unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine Hydroxylgruppe, ein Halogenatom, eine Alkylgruppe, eine substituierte Alkylgruppe, eine Arylgruppe, eine substituierte Arylgruppe, -OR¹⁴, -COOR¹⁵, -CONHR¹⁶, -COR¹⁷ oder -CN darstellen, oder R¹² und R¹³ können auch miteinander kombiniert werden können, um einen Ring zu bilden, worin R¹⁴ bis R¹⁷ jeweils unabhängig voneinander eine Alkylgruppe oder eine Arylgruppe darstellen; X stellt ein Wasserstoffatom, ein Metallatom oder NR¹⁸R¹⁹R²⁰R²¹ dar, worin R¹⁸ bis R²¹ jeweils unabhängig voneinander ein Wasserstoffatom, eine Alkylgruppe, eine substituierte Gruppe, eine Arylgruppe oder eine substituierte Arylgruppe darstellen, oder R¹⁸ und R¹⁹ können auch miteinander kombiniert werden, um einen Ring zu bilden; und m stellt eine ganze Zahl von 1 bis 3 dar.
Die Unterbeschichtungsschicht kann auf die folgende Weise bereitgestellt werden. Denn es gibt die folgenden Verfahren: ein Verfahren, bei dem eine Lösung der zuvor genannten organischen Verbindung, aufgelöst in Wasser oder einem organischen Lösemittel, wie Methanol, Ethanol oder Methylethylketon oder ein gemischtes Lösemittel davon auf einer Aluminiumplatte beschichtet wird, gefolgt von einem Trocknen; und ein Verfahren, bei dem eine Aluminiumplatte in eine Lösung der zuvor genannten organischen Verbindung eingetaucht wird, aufgelöst in Wasser oder einem organischen Lösemittel, wie Methanol, Ethanol, Methylethylketon oder einem gemischten Lösemittel davon, wobei die Verbindung darauf adsorbiert wird, mit anschließendem Waschen mit Wasser oder dergleichen, und einem Trocknen, um eine Unterbeschichtungsschicht zu bilden. Mit dem zuerst genannten Verfahren ist es möglich, eine Lösung der organischen Verbindung mit einer Konzentration von 0,005 bis 10 Gew.% durch verschiedene Verfahren zu beschichten. Dahingegen beträgt in dem zuletzt genannten Verfahren die Konzentration der Lösung 0,01 bis 20 Gew.% und vorzugsweise 0,05 bis 5 Gew.%, die Eintauchtemperatur beträgt 20 bis 90°C und vorzugsweise 25 bis 50°C und die Eintauchzeit beträgt 0,1 Sekunden bis 20 Minuten und vorzugsweise 2 Sekunden bis 1 Minute. Die Lösung, die hierin verwendet wird, kann auch auf einen pH-Wert im Bereich von 1 bis 12 durch eine basische Substanz, wie Ammoniak, Triethylamin oder Kaliumhydroxid oder durch eine saure Substanz, wie Salzsäure oder Phosphorsäure, eingestellt werden. Wohingegen ein gelber Farbstoff auch dazu zugegeben werden kann, um die Farbtonreproduzierbarkeit der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte zu verbessern.
Die Menge der Unterbeschichtungsschicht, die beschichtet wird, liegt angemessen bei 2 bis 200 mg/m² und vorzugsweise bei 5 bis 100 mg/m². Wenn die Beschichtungsmenge weniger als 2 mg/m² beträgt, kann eine ausreichende Plattenabriebbeständigkeitsperformance nicht erhalten werden. Ferner trifft dasselbe auch auf den Fall zu, bei dem die Beschichtungsmenge höher als 200 mg/m² ist.
[Plattenherstellung/Drucken]
Die fotoempfindlichen Lithographiedruckplatten, die auf die zuvor genannte Weise hergestellt wurden, werden aufeinander mit dazwischen liegenden Papierblättern, die zwischen den fotoempfindlichen Lithographiedruckplatten eingeführt wurden, gestapelt und anschließend verpackt. Sie werden in solch einer Produktform gemäß der allgemeinen Ausführungsform ausgeliefert, transportiert und aufbewahrt. Eine nicht beschränkende typische Ausführungsform für die Plattenherstellung/Drucken ist die Ausführungsform wie nachfolgend: mit einem Autoloader wird ein Set aus gestapelten, mit dazwischen liegenden Papierblättern und Originalplatten auf dem Autoloader gehalten, transportiert und in eine Anordnung gebracht/fixiert, bei der die Plattenherstellung durchgeführt wird, und anschließend werden die dazwischen liegenden Papierblätter davon entfernt.
Die Originalplatten, von denen die dazwischen liegenden Papierplatten entfernt wurden, werden einer Bildbelichtung und einer Entwicklungsbehandlung unterzogen.
Die Lichtquelle eines aktiven Strahls für die Verwendung bei der Bildbelichtung ist vorzugsweise eine Lichtquelle mit einer Emissionswellenlänge innerhalb des Nah-Infrarot- bis Infratrotbereichs. Ferner ist es nicht notwendigerweise erforderlich, dass es ein Scansystem ist, mit anderen Worten kann es ein Oberflächenbelichtungssystem sein. Allerdings ist die Belichtung mit einem Scansystem unter Verwendung eines Feststofflasers oder eines Halbleiterlasers bevorzugt. Die Emissionswellenlänge beträgt vorzugsweise 760 bis 1.080 nm.
Die Entwickler, die auf die fotoempfindlichen Lithographiedruckplatten der Erfindung anwendbar sind, sind Entwickler mit einem pH-Wert in einem Bereich von 9,0 bis 14,0 und vorzugsweise in einem Bereich von 12,0 bis 13,5. Herkömmlich bekannte wässrige Alkali-Lösungen können als Entwickler verwendet werden (im Nachhinein werden solche, die Wiederauffüllungslösungen einschließen, als Entwickler bezeichnet). Beispiele davon können anorganische Alkalisalze, wie Natriumsilikat, Kaliumsilikat, tertiäres Natriumphosphat, tertiäres Kaliumphosphat, tertiäres Ammoniumphosphat, sekundäres Natriumphosphat, sekundäres Kaliumphosphat, sekundäres Ammoniumphosphat, Natriumcarbonat, Kaliumcarbonat, Ammoniumcarbonat, Natriumhydrogencarbonat, Kaliumhydrogencarbonat, Ammoniumhydrogencarbonat, Natriumborat, Kaliumborat, Ammoniumborat, Natriumhydroxid, Ammoniumhydroxid, Kaliumhydroxid und Lithiumhydroxid einschließen. Ferner schließen andere Beispiele davon organische Alkalimittel, wie Monomethylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Monoethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Monoisopropylamin, Diisopropylamin, Triisopropylamin, n-Butylamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, Monoisopropanolamin, Diisopropanolamin, Ethylenimin, Ethylendiamin und Pyridin ein. Diese wässrigen Alkalilösungen können allein oder in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden.
Neben den wässrigen Alkalilösungen ist einer der Entwickler, der befähigt ist, die Effekte der Erfindung zu zeigen, eine wässrige Lösung mit einem pH-Wert von 12 oder höher, der als ein so genannter "Silikatentwickler" bezeichnet wird, der Alkalisilikat als eine Base enthält oder Alkalisilikat enthält, erhalten durch Mischen einer Siliziumverbindung mit einer Base, und ein anderer, stärker bevorzugter Entwickler davon ist ein so genannter "Nicht-Silikatentwickler", der kein Alkalisilikat enthält und der einen nicht-reduzierenden Zucker (eine organische Verbindung mit einer Pufferwirkung) und eine Base enthält.
Für den zuerst genannten Fall kann die wässrige Lösung des Alkalimetallsilikats in der Entwicklungseignung durch das Verhältnis Siliziumdioxid SiO₂ als eine Komponente des Silikats zu dem Alkalimetalloxid M₂O (allgemein durch das molare Verhältnis von [SiO₂]/[M₂O]) und den Konzentrationen davon gesteuert werden. Beispielsweise wird vorzugsweise eine wässrige Lösung aus Natriumsilikat mit einem SiO₂/Na₂O-Molarverhältnis von 1,0 bis 1,5 (d. h. [SiO₂]/[Na₂O] beträgt 1,0 bis 1,5) und ein SiO₂-Gehalt von 1 bis 4 Gew.% verwendet, wie es in JP-A-54-62004 offenbart ist; und eine wässrige Lösung eines Alkalimetallsilikats mit einem [SiO₂]/[M] von 0,5 bis 0,75 (d. h. [SiO₂]/[M₂O] beträgt 1,0 bis 1,5) und eine SiO₂-Konzentration von 1 bis 4 Gew.%, und der Entwickler, der Kalium in einer Menge von zumindest 20 Gew.% bezogen auf das Gesamtgrammatom des Alkalilmetalls, das darin vorhanden ist, enthält, wie es in JP-B-57-7427 offenbart ist.
Ferner wird der so genannte "Nicht-Silikatentwickler", der kein Alkalisilikat enthält, und einen nicht-reduzierenden Zucker und eine Base enthält, vorzugsweise auf die Entwicklung des Lithographiedruckplattenmaterials der Erfindung angewendet. Wenn die Entwicklungsbehandlung des Lithographiedruckplattenmaterials unter Verwendung von diesem Entwickler durchgeführt wird, wird sich die Oberfläche der fotoempfindlichen Schicht nicht verschlechtern, und es ist möglich, die Tintenaufnahmefähigkeit der fotoempfindlichen Schicht in einen günstigen Zustand zu halten. Ferner weist im Allgemeinen das Lithographiedruckplattenmaterial eine enge Entwicklungsbreite auf und die Druckflächenbreite oder dergleichen variiert in einem großen Ausmaß in Abhängigkeit von dem pH-Wert des Entwicklers. Allerdings enthält der Nicht-Silikatentwickler einen nicht-reduzierenden Zucker mit einer Puffereigenschaft des Unterdrückens der Fluktuation des pH-Werts und somit ist er im Vergleich mit dem Fall der Verwendung der Entwicklungsbehandlungslösung, die Silikat enthält, vorteilhaft. Darüber hinaus kontaminiert der nicht-reduzierende Zucker kaum einen elektrischen Leitfähigkeitssensor oder einen pH-Sensor zum Einstellen des Ausmaßes der Flüssigkeitsaktivität oder anderen Einheiten im Vergleich zu Silikat. Aus diesem Grund ist der Nicht-Silikatentwickler auch in dieser Hinsicht von Vorteil. Darüber hinaus weist er einen bemerkenswerten Einfluss auf die Verbesserung der Auflösung zwischen den Bildbereichen und den Nicht-Bildbereichen auf. Dies ist wahrscheinlich auf die folgende Tatsache zurückzuführen: in dieser Erfindung wird der Kontakt mit (die Druckdringung von) dem Entwickler, der für die Einstellung der Auflösung und der filmphysikalischen Eigenschaften wichtig ist, schwach und somit wird der Unterschied zwischen den belichteten Abschnitten und den nicht-belichteten Abschnitten wahrscheinlich verursacht.
Die nicht-reduzierenden Zucker sind Zucker, die keine freie Aldehydgruppe oder Ketongruppe enthalten und die keine reduzierende Eigenschaft zeigen. Die nicht-reduzierenden Zucker werden in Oligosaccharide vom Trehalose-Typ, bei denen reduzierende Gruppen miteinander verbunden sind, Glykoside, bei denen reduzierende Gruppen der Zucker und Nicht-Zucker verbunden sind, und Zuckeralkohole, die durch Hydrierung erhalten werden und somit Zucker reduzieren, eingeteilt. Alle können vorzugsweise in der Erfindung verwendet werden. Nebenbei bemerkt können in der Erfindung nicht-reduzierende Zucker, die in JP-A-8-305039 beschrieben sind, vorzugsweise verwendet werden.
Beispiele der Oligosaccharide vom Trehalose-Typ können Saccharose und Trehalose einschließen. Beispiele der Glykoside können Alkylglykosid, Phenolglykosid und Senfölglykosid einschließen. Beispiele der Zuckeralkohole können D,L-Arabit, Ribit, Xylit, D,L-Sorbit, D,L-Mannit, D,L-Idit, D,L-Talit, Dulcit und Allo-dulcit einschließen. Ferner kann Maltitol, das aus der Hydrierung von Maltose von Disacchariden resultiert, ein Reduktionsprodukt (reduzierter Stärkesirup), erhalten durch Hydrierung von Oligosaccharid und dergleichen, vorzugsweise erwähnt werden. Neben diesen nicht-reduzierenden Zuckern sind Oligosaccharide vom Trehalose-Typ und Zuckeralkohole bevorzugt, und insbesondere sind D-Sorbit, Saccharose, reduzierter Stärkesirup und dergleichen darin bevorzugt, dass diese eine Pufferwirkung in einem angemessenen pH-Bereich aufweisen und billig sind.
Diese nicht-reduzierenden Zucker können alleine verwendet werden oder können auch in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden. Der Gehalt des nicht-reduzierenden Zuckers in dem Nicht-Silikatentwickler beträgt vorzugsweise 0,1 bis 30 Gew.% und stärker bevorzugt 1 bis 20 Gew.%. Wenn dieser Gehalt weniger als 0,1 Gew.% beträgt, neigt eine ausreichende Pufferwirkung nicht zu einem Auftreten, wohingegen, wenn sie 30 Gew.% übersteigt, liegen Tendenzen vor, dass hohe Konzentrationen schwierig herzustellen sind und dass die Kosten erhöht werden.
Beispiele der Base, die in Kombination mit dem nicht-reduzierenden Zucker verwendet werden, können herkömmlich bekannte Alkalimittel, wie anorganische Alkalimittel und organische Alkalimittel einschließen. Beispiele des anorganischen Alkalimittels können Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithiumhydroxid, Trinatriumphosphat, Trikaliumphosphat, Triammoniumphosphat, Dinatriumphosphat, Dikaliumphosphat, Diammoniumphosphat, Natriumcarbonat, Kaliumcarbonat, Ammoniumcarbonat, Natriumhydrogencarbonat, Kaliumhydrogencarbonat, Ammoniumhydrogencarbonat, Natriumborat, Kaliumborat und Ammoniumborat einschließen.
Beispiele des organischen Alkalimittels können Monomethylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Monoethylamin, Diethylamin, Triethylamin, Monoisopropylamin, Diisopropylamin, Triisopropylamin, n-Butylamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, Monoisopropanolamin, Diisopropanolamin, Ethylenimin, Ethylendiamin und Pyridin einschließen.
Diese Basen können individuell allein verwendet werden oder können auch in Kombination von zwei oder mehr davon verwendet werden. Neben diesen Basen sind Natriumhydroxid und Kaliumhydroxid bevorzugt.
Als Alternative ist es in der Erfindung auch möglich, als Nicht-Silikatentwickler diejenigen, die ein Alkalimetallsalz von nicht-reduzierendem Zucker als Hauptkomponente enthalten, anstelle der Kombination der nicht-reduzierenden Zucker und dergleichen zu verwenden.
Ferner kann mit dem Nicht-Silikatentwickler eine alkalische Pufferlösung, die eine schwache Säure umfasst, die sich von dem nicht-reduzierenden Zucker unterscheidet, und eine starke Base in Kombination verwendet werden. Die schwache Säure weist vorzugsweise eine Dissoziationskonstante (pKa) von 10,0 bis 13,2 auf und kann aus denen, die beispielsweise in Ionization Constants of Organic Acids in Aqueous Solution, herausgegeben von Pergamon Press, beschrieben sind, ausgewählt werden.
Speziell bevorzugte Beispiele davon können einschließen: Alkohole, wie 2,2,3,3,-Tetrafluorpropanol-1, Trifluorethanol und Trichlorethanol; Aldehyde, wie Pyridin-2-aldehyd und Pyridin-4-aldehyd; Verbindungen mit einer phenolischen Hydroxylgruppe, wie Salicylsäure, 3-Hydroxy-2-naphthoesäure, Catechol, Gallussäure, Sulfosalicylsäure, 3,4-Dihydroxysulfonsäure, 3,4-Dihydroxybenzoesäure, Hydrochinon (pKa: 11,56), Pyrogallol, o-, m- und p-Cresole und Resorcinol; Oxime, wie Acetoxim, 2-Hydroxybenzaldehydoxim, Dimethylglyoxim, Ethandiamiddioxim und Acetophenonoxim; nucleinsäure-verwandte Substanzen, wie Adenosin, Inosin, Guanin, Cytosin, Hypoxanthin und Xanthin; und zusätzlich Dimethylaminomethylphosphonsäure, Benzimidazol und Barbitursäure.
Zu dem Entwickler oder der Auffülllösung können verschiedene Tenside und organische Lösemittel zugegeben werden, falls erforderlich, zum Zwecke des Förderns oder Unterdrückens der Entwicklungseignung zum Dispergieren des Entwicklungsrückstands oder zum Verstärken der Affinität der Druckplattenbildbereiche für die Tinte. Die Tenside sind vorzugsweise anionische, kationische, nicht-ionische und amphotere Tenside. Ferner können zu dem Entwickler und der Auffülllösung, falls erforderlich, ein Reduktionsmittel, wie Hydrochinon, Resorcin und ein Natriumsalz oder ein Kaliumsalz einer anorganischen Säure, wie Schwefelsäure oder Schwefelwasserstoffsäure, und ferner eine organische Carbonsäure, ein Antischaummittel, ein Hartwassererweicher und dergleichen zugegeben werden.
Die bilderzeugenden Materialien, die einer Entwicklungsbehandlung durch Verwenden der oben angegebenen Entwickler- und Auffülllösungen unterzogen werden, werden mit Waschwasser, einer Spüllösung, die ein Tensid oder dergleichen enthält, und einer Desensibilisierungslösung, die Gummiarabikum oder ein Stärkederivat enthält, nachbehandelt. Als Nachbehandlung, wenn die Bilderzeugungsmaterialien als Druckplatten verwendet werden, können diese Behandlungen in verschiedenen Kombinationen davon verwendet werden.
Bei den Plattenherstellungs- und Druckindustrien wurde eine automatische Entwicklungsmaschine in einem breiten Bereich für den stabilen Entwicklungsvorgang der prä-belichteten fotoempfindlichen Lithographiedruckplatten verwendet. Diese automatische Entwicklungsmaschine umfasst im Allgemeinen einen Entwicklungsabschnitt und einen Nachbehandlungsabschnitt und umfasst eine Vorrichtung zum Befördern einer Druckplatte, entsprechende Entwicklungsbehandlungslösungstanks und eine Sprühvorrichtung, wobei die jeweiligen Entwicklungsbehandlungslösungen über eine Pumpe gepumpt werden, auf eine prä-belichtete Druckplatte mit Sprühdüsen besprüht werden, während die Platte horizontal zugeführt wird, wodurch die Entwicklungsbehandlung durchgeführt wird. Daneben wurde seit kurzem ein Verfahren bekannt, bei dem eine Druckplatte durch Eintauchen und Befördern in die Entwicklungsbehandlungslösungstanks, gefüllt mit Entwicklungsbehandlungslösungen, mittels eingetauchter Führungswalzen oder dergleichen entwicklungsbehandelt wird. Mit solch einer automatischen Entwicklungsbehandlung kann die Entwicklungsbehandlung durchgeführt werden, während die entsprechenden Entwicklungsbehandlungslösungen mit ihren entsprechenden Auffülllösungen gemäß der Menge der Entwicklungsbehandlung, der Betriebszeit und dergleichen wiederaufgefüllt werden.
Die infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte der Erfindung ist auf die Entwicklungsbehandlung mittels der automatischen Entwicklungsmaschine anwendbar. Alternativ ist sie auch auf ein Entwicklungsbehandlungsverfahren anwendbar, bei dem nicht verwendete Entwicklungsbehandlungslösungen für jede fotoempfindliche Lithographiedruckplatte zugeführt werden, d. h. ein sogenanntes Einzelverwendungsentwicklungsbehandlungsverfahren.
In dem Plattenherstellungsvorgang der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte der Erfindung werden, wenn unnötige Bildbereiche auf einer Lithographiedruckplatte vorliegen, die durch Bildbelichtung, Entwicklung, Wasserwaschen oder Spülen und/oder Gummierung erhalten werden, unnötige Bildbereiche gelöscht. Für eine solche Löschung ist ein Verfahren vorteilhaft, bei dem die unnötigen Bildbereiche mit einer Löschlösung beschichtet werden und so wie sie sind für einen vorgegebenen Zeitraum stehengelassen werden, mit anschließendem Wasserwaschen, wie es beispielsweise in JP-B Nr. 2-13293 beschrieben ist. Allerdings kann auch ein Verfahren verwendet werden, bei dem die unnötigen Bildbereiche mit einem aktiven Strahl bestrahlt werden, geführt durch eine optische Faser, gefolgt von einer Entwicklung, wie es in JP-A Nr. 59-174842 beschrieben ist, verwendet werden.
Die Druckplatte, die auf die zuvor genannte Weise erhalten wird, kann, falls erforderlich, mit Densibilisierungsgummi beschichtet werden und anschließend einem Druckschritt unterzogen werden. Allerdings, wenn es erwünscht ist, dass sie in eine weitere Lithographiedruckplatte von höherer Plattenbeständigkeit entwicklungsbehandelt wird, wird sie einer Brennbehandlung unterzogen. Wenn die Lithographiedruckplatte einem Brennen unterzogen wird, wird sie vorzugsweise vor dem Brennen mit einer Gegenätzlösung behandelt, wie es in JP-B-61-2518 , JP-B-55-28062 , JP-A-62-31859 und JP-A-61-159655 beschrieben ist.
Als Verfahren wird ein Verfahren angewendet, bei dem die Gegenätzlösung auf die Lithographiedruckplatte mit einem Schwamm oder absorbierender Baumwolle, getränkt mit der Lösung, beschichtet wird, oder die Druckplatte wird in einen Bottich eingetaucht, der mit der Gegenätzlösung gefüllt ist, oder es wird mittels eines automatischen Beschichters beschichtet. Ferner wird, wenn die Menge der zu beschichtenden Lösung mittels eines Rakels oder einer Rakelwalze nach dem Beschichten homogenisiert wird, ein besseres Ergebnis bereitgestellt.
Eine geeignete Menge der Gegenätzlösung, die beschichtet wird, beträgt im Allgemeinen 0,03 bis 0,8 g/m² (Trockenmasse). Die mit der Gegenätzlösung beschichtete Lithographiedruckplatte wird, falls erforderlich, auf eine hohe Temperatur mittels einer Brennvorrichtung (z. B. BURNING PROCESSOR: "BP-1300", vertrieben von Fuji Photo Film Co., Ltd.) nach dem Trocknen erwärmt oder dergleichen. Die Heiztemperatur und die Zeit in diesem Fall variiert in Abhängigkeit von den Arten der Komponenten, die das Bild bilden, fällt aber vorzugsweise innerhalb des Bereichs von 180 bis 300°C bzw. in den Bereich von 1 bis 20 Minuten.
Die brennbehandelte Lithographiedruckplatte kann, falls erforderlich, geeignet herkömmlich verwendeten Behandlungen, wie einem Wasserwaschen und einer Gummierung unterzogen werden. Wenn allerdings eine Gegenätzlösung, die eine wasserlösliche Verbindung mit einem hohen Molekulargewicht enthält und dergleichen verwendet wird, ist es möglich, die sogenannte Desensibilisierungsbehandlung, wie eine Gummierung, wegzulassen. Die Lithographiedruckplatte, die durch solche Behandlungen erhalten wird, wird in einen Offsetdrucker oder dergleichen angeordnet und für das Drucken einer hohen Anzahl an Blättern verwendet.
[Beispiele]
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Beispiele beschrieben, welche nicht dazu vorgesehen sind, den Umfang der Erfindung einzuschränken.
[Herstellung des Trägers]
(Herstellung des Trägers 1)
Eine 0,24 mm-dicke Aluminiumplatte (Aluminiumlegierung, enthaltend Si: 0,06 Gew.%, Fe: 0,30 Gew.%, Cu: 0,014 Gew.%, Mn: 0,001 Gew.%, Mg: 0,001 Gew.%, Zn: 0,001 Gew.% und Ti: 0,03 Gew.%, wobei der Rest Al ist und unvermeidbare Verunreinigungen) wurde kontinuierlich der nachfolgenden Oberflächenbehandlung unterzogen.
Während eine Suspension aus Schleifmittel (Quarzsand) in Wasser mit einem spezifischen Gewicht von 1,12 als eine Schleifmittelaufschlämmungslösung zu der Oberfläche der Aluminiumplatte zugeführt wurde, wurde die Oberfläche der Aluminiumplatte mittels einer rotierenden, walzenartigen Nylonbürste mechanisch aufgeraut. Anschließend wurde eine Ätzbehandlung mittels Aufsprühen mit einer Ätzsodakonzentration von 2,6 Gew.% und einer Aluminiumionkonzentration von 6,5 Gew.% bei einer Temperatur von 70°C durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde die Aluminiumplatte in einer Menge von 6 g/m² aufgelöst und einem Wasserwaschen mittels eines Sprühvorgangs unterzogen. Ferner wurde eine Reinigungsbehandlung durchgeführt, indem mit einer wässrigen Lösung mit einer Salpetersäurekonzentration von 1 Gew.% bei einer Temperatur von 30°C (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 0,5 Gew.%) gesprüht wurde und es wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen durchgeführt. Anschließend wurde eine elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung kontinuierlich unter Verwendung von 60 Hz Wechselstrom durchgeführt. Der Elektrolyt bei diesem Schritt war eine 10 g/l-wässrige Lösung aus Salpetersäure (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 5 g/l und Ammoniumionen in einer Menge von 0,007 Gew.%) und wies eine Temperatur von 80°C auf. Nach dem Waschen mit Wasser wurde die Aluminiumplatte einer Ätzbehandlung mittels Aufsprühen mit einer Ätzsodakonzentration von 26 Gew.% und einer Aluminiumionenkonzentration von 6,5 Gew.% bei 32°C unterzogen. Als ein Ergebnis wurde die Aluminiumplatte in einer Menge von 0,20 g/m² aufgelöst und einem Wasserwaschen mittels Aufsprühen unterzogen. Anschließend wurde eine Reinigungsbehandlung durchgeführt, indem mit einer wässrigen Lösung mit einer Schwefelsäurekonzentration von 25 Gew.% bei einer Temperatur von 60°C (enthaltend Aluminiumione in einer Menge von 0,5 Gew.%) gesprüht wurde, und es wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen durchgeführt.
Es wurde eine anodische Oxidationsbehandlung mittels einer anodischen Oxidationsvorrichtung eines elektrolytischen Zweistufenstromzuführungsbehandlungsverfahrens durchgeführt. Als Elektrolyt, der zu einem Elektrolyseabschnitt zugeführt wurde, wurde Schwefelsäure verwendet. Anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen durchgeführt. Die endgültige Oxidfilmmenge betrug 2,7 g/m².
Die Aluminiumplatte, die der anodischen Oxidationsbehandlung unterzogen wurde, wurde in einer wässrigen 1 Gew.%igen Lösung aus Wasserglas Nr. bei 30°C für 10 Sekunden eingetaucht, um eine Alkalimetallsilikatbehandlung (Silikatbehandlung) durchzuführen. Anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen durchgeführt.
Auf die Aluminiumplatte, die auf die zuvor genannte Weise erhalten wurde, wurde nach der Silikatbehandlung eine Unterbeschichtungslösung der folgenden Zusammensetzung aufgetragen, mit anschließendem Trocknen bei 80°C für 15 Sekunden, wodurch eine Unterbeschichtungsschicht in einer Trockenbeschichtungsmenge von 15 mg/m² erzeugt wurde. Als ein Ergebnis wurde ein Träger 1 hergestellt. <Zusammensetzung der Unterbeschichtungslösung>

nachfolgende Verbindung 0,3 g

Methanol 100 g

Wasser 1 g
(Herstellung des Trägers 2)
Die gleiche Aluminiumplatte wie die, die für die Herstellung des Trägers 1 verwendet wurde, wurde kontinuierlich der folgenden Oberflächenbehandlung unterzogen.
Es wurde eine elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung kontinuierlich unter Verwendung von 60 Hz Wechselstrom durchgeführt. Der Elektrolyt bei dieser Stufe war eine 10 g/l-wässrige Lösung aus Salpetersäure (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 5 g/l und Ammoniumionen in einer Menge von 0,007 Gew.%) und wies eine Temperatur von 80°C auf. Nach dem Wasserwaschen wurde die Aluminiumplatte einer Ätzbehandlung mittels Aufsprühen mit einer Ätzsodakonzentration von 26 Gew.% und einer Aluminiumionenkonzentration von 6,5 Gew.% bei 32°C unterzogen. Als Ergebnis wurde die Aluminiumplatte in einer Menge von 0,20 g/m² aufgelöst und einem Wasserwaschen mittels Aufsprühen unterzogen. Anschließend wurde eine Reinigungsbehandlung durchgeführt, indem mit einer wässrigen Lösung mit einer Schwefelsäurekonzentration von 25 Gew.% bei einer Temperatur von 60°C (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 0,5 Gew.%) besprüht wurde, und ein Wasserwaschen wurde mittels Aufsprühen durchgeführt.
Die Aluminiumplatte, die einer elektrochemischen Oberflächenaufraubehandlung in der zuvor genannten Weise unterzogen wurde, wurde einer anodischen Oxidationsbehandlung, einer Silikatbehandlung und einer Unterbeschichtungslösungsbeschichtung auf die gleiche Weise wie bei der Herstellung des Trägers 1 unterzogen, um einen Träger 2 herzustellen.
(Herstellung des Trägers 3)
Eine 0,3 mm-dicke Aluminiumplatte (Material: JISA 1050) wurde einer Ätzbehandlung mit einer Ätzsodakonzentration von 30 g/l und einer Aluminiumionenkonzentration von 10 g/l bei einer Lösungstemperatur von 60°C für 10 Sekunden unterzogen und mit laufendem Wasser gewaschen, für die Neutralisation mit einer 10 g/l Salpetersäure gewaschen und anschließend mit Wasser gewaschen. Diese wurde einer elektrochemischen Oberflächenaufraubehandlung in einer wässrigen Lösung mit einer Chlorwasserstoffkonzentration von 15 g/l und einer Aluminiumionenkonzentration von 10 g/l und einer Lösungstemperatur von 30°C unter Verwendung einer sinuswelligen Wechselstromwelle unter den Bedingungen einer angelegten Spannung Va = 20 V bei einer Elektrizitätsmenge von 500 C/dm² unterzogen. Nach dem Waschen mit Wasser wurde die Platte einer Ätzbehandlung mit einer Ätzsodakonzentration von 30 g/l und einer Aluminiumionenkonzentration von 10 g/l bei einer Lösungstemperatur von 40°C für 10 Sekunden unterzogen und mit laufendem Wasser gewaschen. Anschließend wurde die Platte einer Reinigungsbehandlung in einer wässrigen Schwefelsäurelösung mit einer Schwefelsäurekonzentration von 15 Gew.% und einer Temperatur von 30°C unterzogen und mit Wasser gewaschen. Ferner wurde die Platte einer anodischen Oxidationsbehandlung in einer 10 Gew.%igen wässrigen Schwefelsäurelösung mit einer Temperatur von 20°C unter der Bedingung einer Stromdichte von Gleichstrom von 6 A/dm² unterzogen, so dass die anodische Oxidfilmmenge 2,5 g/m² entsprach, gefolgt von einem Waschen mit Wasser und einem Trocknen. Danach wurde die Platte in einer 2,5 Gew.%igen wässrigen Lösung aus Natriumsilikat bei 30°C für 10 Sekunden behandelt, wodurch ein Träger hergestellt wurde. Der arithmetische Mittenrauwert (Ra) des Trägers wurde unter Verwendung einer Sonde mit einem Durchmesser von 2 μm gemessen und es wurde festgestellt, dass er 0,48 μm beträgt.
Auf der silikatbehandelten Aluminiumplatte, die auf die zuvor genannte Weise erhalten wurde, wurde die Unterbeschichtungslösungsbeschichtung (Trockenbeschichtungsmenge von 17 mg/m²) auf die gleiche Weise wie bei der Herstellung des Trägers 1 durchgeführt, wodurch ein Träger 3 hergestellt wurde.
(Herstellung des Trägers 4)
Die folgenden Behandlungen (a) bis (1) wurden in dieser Reihenfolge durchgeführt, wodurch ein Träger 4 hergestellt wurde.
(a) Mechanische Oberflächenaufraubehandlung
Durch die Verwendung einer 0,3 mm-dicken JIS-A-1050 Aluminiumplatte wurde, während eine Suspension eines Schleifmittels (Quarzsand) in Wasser mit einem spezifischen Gewicht von 1,12 als eine Schleifmittelaufschlämmungslösung zu der Oberfläche der Aluminiumplatte zugeführt wurde, die Oberfläche der Aluminiumplatte mechanisch mittels einer drehenden, walzenartigen Nylonbürste aufgeraut. Das Schleifmittel wies eine mittlere Korngröße von 8 μm und einen maximalen Korndurchmesser von 50 μm auf. Das Material der Nylonbürste war 6·10 Nylon. Die Haarlänge betrug 50 mm und der Haardurchmesser betrug 0,3 mm. In der Nylonbürste wurden Haare dicht in Löcher, die in einem Abstand von 300 mm Φ rostfreiem Rohr gebohrt wurden, implantiert. Es wurden drei Drehbürsten verwendet. Der Abstand zwischen zwei Zuführwalzen (Φ 200 mm) an dem unteren Abschnitt der Bürsten betrug 300 mm. Die Bürstenwalzen wurden gepresst, bis die Belastung eines Antriebsmotors zum Drehen der Bürsten +7 kw relativ zu der Belastung vor dem Pressen der Bürstenwalzen auf die Aluminiumplatte erreichte. Die Drehrichtung der Bürsten war die gleiche wie die Bewegungsrichtung der Aluminiumplatte. Die Anzahl der Umdrehungen der Bürsten betrug 200 U/min.
(b) Alkaliätzbehandlung
Auf die Aluminiumplatte, die auf die zuvor genannte Weise erhalten wurde, wurde eine wässrige Lösung aus NaOH (Konzentration: 26 Gew.%, Aluminiumionenkonzentration: 6,5 Gew.%) bei einer Temperatur von 70°C aufgesprüht, wodurch eine Ätzbehandlung durchgeführt wurde. Als ein Ergebnis wurde die Aluminiumplatte in einer Menge von 6 g/m² aufgelöst. Anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt.
(c) Reinigungsbehandlung
Es wurde eine Reinigungsbehandlung durchgeführt, indem mit einer wässrigen Lösung mit einer Salpetersäurekonzentration von 1 Gew.% bei einer Temperatur von 30°C (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 0,5 Gew.%) gesprüht wurde und anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen durchgeführt. Als wässrige Salpetersäurelösung, die für die Reinigung verwendet wurde, wurde der flüssige Abfall der Stufe des Durchführens des elektrochemischen Oberflächenaufrauens mit Wechselstrom in einer wässrigen Salpetersäurelösung verwendet.
(d) Elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung
Eine elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung wurde kontinuierlich unter Verwendung von 60 Hz Wechselstrom durchgeführt. Der Elektrolyt bei diesem Schritt war eine 10,5 g/l-wässrige Lösung aus Salpetersäure (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 5 g/l) und wies eine Temperatur von 50°C auf. Für eine Wechselstromwellenform wurde ein trapezartiger rechteckiger Wechselstrom mit einer Zeit TP, die für den Stromwert notwendig ist, von Null bis zum Peak von 0,8 ms zu erreichen und ein Betriebsverhältnis von 1:1 verwendet. Somit wurde eine elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung mit einer Kohlenstoffelektrode als eine Gegenelektrode durchgeführt. Die Hilfsanode, die verwendet wurde, war Ferrit. Die elektrolytische Zelle, die verwendet wurde, war eine Zelle vom Radialtyp.
Die Stromdichte, bezogen auf den Strompeakwert, betrug 30 A/dm² und die Elektrizitätsmenge betrug 220 C/dm², bezogen auf die Gesamtsumme der Elektrizitätsmenge, wenn die Aluminiumplatte als eine Anode diente. Fünf Prozent des Stromflusses von der Stromquelle wurden an die Hilfsanode abgezweigt.
Anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels eines Aufsprühens unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt.
(e) Alkalische Ätzbehandlung
Die Aluminiumplatte wurde einer Ätzbehandlung mittels Aufsprühen mit einer Lösung mit einer Ätzsodakonzentration von 26 Gew.% und einer Aluminiumionenkonzentration von 6,5 Massen-% bei 32°C durchgeführt. Als ein Ergebnis wurde die Aluminiumplatte in einer Menge von 0,20 g/m² aufgelöst und die Schmutzkomponente, die hauptsächlich Aluminiumhydroxid umfasst, die beim Durchführen der elektrochemischen Oberflächenaufrauung unter Verwendung von Wechselstrom der vorigen Stufe hergestellt wurde, wurde entfernt und die Kantenbereiche der hergestellten Vertiefungen wurden aufgelöst, um die Kantenbereiche zu glätten. Anschließend wurde ein Waschen mit Wasser mittels Aufsprühen unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt.
(f) Reinigungsbehandlung
Es wurde eine Reinigungsbehandlung mittels Aufsprühen mit einer wässrigen Lösung mit einer Schwefelsäurekonzentration von 15 Gew.% bei einer Temperatur von 30°C (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 4,5 Gew.%) durchgeführt und anschließend wurde ein Waschen mit Wasser mittels Aufsprühen unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt. Als wässrige Salpetersäurelösung, die für die Reinigung verwendet wurde, wurde der flüssige Abfall der Stufe des Durchführens der elektrochemischen Oberflächenaufrauung mit Wechselstrom in einer wässrigen Salpetersäurelösung verwendet.
(g) Elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung
Es wurde eine elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung kontinuierlich unter Verwendung von Wechselstrom von 60 Hz durchgeführt. Der Elektrolyt bei dieser Stufe war eine wässrige Lösung aus 7,5 g/l Salzsäure (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 5 g/l) und wies eine Temperatur von 35°C auf. Die verwendete Wechselstromwellenform war eine rechteckige Welle. Anschließend wurde eine elektrochemische Oberflächenaufraubehandlung mit einer Kohlenstoffelektrode als eine Gegenelektrode durchgeführt. Die verwendete Hilfsanode war Ferrit. Die verwendete elektrolytische Zelle war eine Zelle vom Radialtyp.
Die Stromdichte, bezogen auf den Strompeakwert, war 25 A/dm² und die Elektrizitätsmenge betrug 50 C/dm² bezogen auf die Gesamtsumme der Elektrizitätsmenge, wenn die Aluminiumplatte als eine Anode diente.
Anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt.
(e) Alkaliätzbehandlung
Die Aluminiumplatte wurde einer Ätzbehandlung mittels Aufsprühen mit einer Lösung mit einer Ätzsodakonzentration von 26 Gew.% in einer Aluminiumionenkonzentration von 6,5 Massen-% bei 32°C unterzogen. Als ein Ergebnis wurde die Aluminiumplatte in einer Menge von 0,10 g/m² aufgelöst und die Schmutzkomponente, die hauptsächlich Aluminiumhydroxid umfasste, hergestellt beim Durchführen der elektrochemischen Oberflächenaufrauung unter Verwendung von Wechselstrom in der vorherigen Stufe wurde entfernt und die Kantenbereiche der erzeugten Vertiefungen wurden aufgelöst, um die Kantenbereiche zu glätten. Anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt.
(f) Reinigungsbehandlung
Es wurde eine Reinigungsbehandlung mittels Aufsprühen mit einer wässrigen Lösung mit einer Schwefelsäurekonzentration von 25 Gew.% bei einer Temperatur von 60°C (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 0,5 Gew.%) durchgeführt und anschließend wurde ein Wasserwaschen mittels Aufsprühen unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt.
(j) Anodische Oxidationsbehandlung
Der verwendete Elektrolyt war Schwefelsäure. Jeder Elektrolyt hatte eine Schwefelsäurekonzentration von 170 g/l (enthaltend Aluminiumionen in einer Menge von 0,5 Gew.%) und wies eine Temperatur von 43°C auf. Anschließend wurde ein Waschen mit Wasser mittels Aufsprühen unter Verwendung von Brunnenwasser durchgeführt.
Jede Stromdichte betrug etwa 30 A/dm². Die endgültige Oxidfilmmenge betrug 2,7 g/m².
(k) Silikatbehandlung
Es wurde eine Silikatbehandlung auf die gleiche Weise wie bei der Herstellung des Trägers 1 durchgeführt. Die Menge des abgeschiedenen Silikats betrug 3,5 mg/m².
(1) Bildung der Unterbeschichtung
Die Beschichtung einer Unterbeschichtungslösung wurde auf die gleiche Weise wie bei der Herstellung des Trägers 1 durchgeführt. Die Beschichtungsmenge nach dem Trocknen betrug 15 mg/m².
Beispiele 1 bis 37 und Vergleichsbeispiele 1 bis 3
[Herstellung der fotoempfindlichen Lithographiedruckplatte]
(Fotoempfindliche Lithographiedruckplatte A)
Auf jeden Träger, der durch die zuvor genannte Weise erhalten wurde, wurde die untere wärmeempfindliche Schichtbeschichtungslösung 1, die unten beschrieben wird, beschichtet. Anschließend wurde bei 130°C für 50 Sekunden in PERFECT OVEN PH200, hergestellt von TABAI Co., getrocknet, wobei die Windsteuerung auf 7 eingestellt wurde, wodurch eine untere Schicht in einer Trockenbeschichtungsmenge von 0,85 g/m² bereitgestellt wurde. Anschließend wurde eine obere wärmeempfindliche Schichtbeschichtungslösung 1 darauf beschichtet, so dass die Trockenbeschichtungsmenge 0,25 g/m² betrug. Die Trocknungsbedingungen waren: 140°C und 1 Minute.
Nebenbei bemerkt sind die Art von jedem Copolymer mit der Monomereinheit der Formel (I), die gemäß den Beispielen 1 bis 37 verwendet wird, und den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 und die Menge des Copolymers, die zu der Beschichtungslösung zugegeben wird, in 1 gezeigt.
(Untere wärmeempfindliche Schichtbeschichtungslösung)

N-(4-Aminosulfonylphenyl)methacrylamid/Acrylnitril/Methylmethacrylat

(36/34/30 Gew.%: Gewichtsmittel des Molekulargewichts 50.000, Säurezahl 2,65)	2,133 g
Cyaninfarbstoff A (nachfolgende Struktur)	0,109 g
4,4'-Bishydroxyphenylsulfon	0,126 g
Cis-Δ⁴-tetrahydrophthalsäureanhydrid	0,190 g
p-Toluolsulfonsäure	0,008 g
3-Methoxy-4-diazodiphenylaminhexafluorphosphat	0,030 g
Das eine, das durch Wechseln des Gegenions von Ethylviolett durch 6-Hydroxy-2-naphthalinsulfonat hergestellt wurde	0,100 g
MEGAFAC F176 (hergestellt von DAINIPPON INK AND CHEMICALS, INCORPORATED, fluorhaltiges Tensid, das die Beschichtungsoberflächenbedingungen verbessert)	0,035 g
Methylethylketon	25,38 g
1-Methoxy-2-propanol	13,0 g
γ-Butyrolacton	13,2 g

Cyaninfarbstoff A:

(Obere wärmeempfindliche Schichtbeschichtungslösung 1)

m-, p-Cresolnovolak (m/p Verhältnis = 6/4, Gewichtsmittel des Molekulargewichts 4.500, enthaltend unreagiertes Cresol in einer Menge von 0,8 Gew.%

0,3478 g

Copolymer der Erfindung (Art und Menge davon sind in Tabelle 1 beschrieben)

Cyaninfarbstoff A	0,0192 g
Ammoniumverbindung mit der nachfolgenden Struktur	0,0115 g

MEGAFAC F176 (20%) (hergestellt von DAINIPPON INK AND CHEMICALS, INCORPORATED, fluorhaltiges Tensid, das die Beschichtungsoberflächenbedingung verbessert)	0,022 g
1-Methoxy-2-propanol	13,07 g
Methylethylketon	6,79 g

Nebenbei bemerkt wurden für die Vergleichsbeispiele jeweils Methacrylsäure/Methylmethacrylatcopolymer, das in Tabelle 1 gezeigt ist, anstelle von jedem Polymer der Erfindung verwendet.
(Fotoempfindliche Lithographiedruckplatte B)

Auf jeden Träger, der auf die zuvor genannte Weise erhalten wurde, wurde die folgende fotoempfindliche Schichtbeschichtungslösung 2 beschichtet, so dass die Trockenbeschichtungsmenge 1,0 g/m² betrug. Das Trocknen wurde bei 140°C für 50 Sekunden in einem PERFECT OVEN PH200, hergestellt von TABAI Co., mit einer Windsteuerung, die auf 7 eingestellt wurde, durchgeführt. (Fotoempfindliche Schichtbeschichtungslösung 2)

m-, p-Cresolnovolak (m/p-Verhältnis = 6/4, Gewichtsmittel des Molekulargewichts 5.000, enthält unreagiertes Cresol in einer Menge von 0,8 Gew.%)

0,474 g

N-(4-Aminosulfonylphenyl)methacrylamid/Acrylnitril/Methylmethacrylat

(36/34/30 Gew.%: Gewichtsmittel des Molekulargewichts 50.000, Säurezahl 2,65)

2,37 g

Copolymer der Erfindung (Tabelle 1)

Cyaninfarbstoff A (die Struktur ist oben beschrieben)	0,155 g
2-Methoxy-4-(N-phenylamino)benzoldiazoniumhexafluorphosphat	0,03 g
Tetrahydrophthalsäureanhydrid	0,19 g
Das eine, das durch Wechseln des Gegenions von Ethylviolett in 6-Hydroxy-β-naphthalinsulfonat hergestellt wurde	0, 11 g

Fluorhaltiges Tensid

(MEGAFAC F176, hergestellt von DAINIPPON INK AND CHEMICALS, INCORPORATED)

0,02 g

Fluorhaltiges Tensid

(DEFENSA MCF-312, hergestellt von	DAINIPPON INK AND
CHEMICALS, INCORPORATED)	0,05 g
para-Toluolsulfonsäure	0,008 g
Bis-p-Hydroxyphenylsulfon	0,13 g
3,3'-Dimyristylthiodipropionat	0,04 g
Laurylstearat	0,02 g
γ-Butyrolacton	13 g
Methylethylketon	24 g
1-Methoxy-2-propanol	11 g

[Bewertung der Entwicklungsbreite]
Auf jede so erhaltene Planographieoriginaldruckplatte wurde ein Testmuster bildweise mit einer Strahlintensität von 9 w und einer Trommelrotationsgeschwindigkeit von 150 U/min mittels Trendsetter, hergestellt von CREO Co., Ltd., gezeichnet. Anschließend wurde ein Volumenteil des Entwicklers DT-2R, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., mit 5 Volumenteilen Wasser verdünnt, wodurch eine Lösung (im Nachfolgenden durch die entstandene Lösung als "die eine, die zu 1:5 verdünnt ist", abgekürzt) entstand. Anschließend wurde ein Kohlensäuregas in die Lösung geblasen, bis die elektrische Leitfähigkeit 37 mS/cm wurde, um eine Lösung herzustellen. Unter Verwendung eines PS-Prozessors LP940H, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., beladen mit der so erhaltenen Lösung und einem Finisher FG-1 (die eine verdünnt zu 1:1), hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., wurde eine Entwicklung mit der Lösungstemperatur, die bei 30°C gehalten wurde, für eine Entwicklungszeit von 12 Sekunden durchgeführt. Anschließend wurde eine angemessene Menge von DT-2R (die eine, verdünnt zu 1:5) zu dem Entwickler derart gegeben, dass die elektrische Leitfähigkeit auf 39 mS/cm gesteuert wurde. Die Planographieoriginaldruckplatte, auf der ein Testmuster bildweise auf die gleiche Weise wie bei dem vorigen Schritt gezeichnet wurde, wurde entwickelt. Ferner nahm die elektrische Leitfähigkeit in Abschnitten von 2 mS/cm zu und dieser Vorgang wurde fortgeführt, bis eine beträchtliche Filmverminderung aufgrund der Entwicklung eines Bildes beobachtet wurde.
Bei dieser Stufe wurde die Platte, die bei jeder elektrischen Leitfähigkeit entwickelt wurde, auf die Anwesenheit von Flecken oder Färbungen, verursacht von dem Nicht-Bildabschnitt des Films aufgrund einer unzureichenden Entwicklung untersucht. Als ein Ergebnis wurde die elektrische Leitfähigkeit des Entwicklers, bei dem es möglich war, eine bevorzugte Entwicklung durchzuführen, bestimmt.
Anschließend wurde die kritische elektrische Leitfähigkeit, bei der eine Entwicklungsfilmverminderung zu solch einem Ausmaß gehalten wurde, dass sie die Plattenbeständigkeit nicht beträchtlich beeinflusst, bestimmt.
Der Bereich zwischen der elektrischen Leitfähigkeit des Entwicklers, bei dem es möglich war, eine Entwicklung günstig auszuführen und die kritische elektrische Leitfähigkeit, bei der die Entwicklungsfilmverminderung in solch einem Ausmaß gehalten wurde, damit sie die Plattenbeständigkeit nicht beträchtlich beeinflusst, wurde als Entwicklungsbreite angegeben.
Ferner wurde die gleiche Entwicklung unter Verwendung eines Entwicklers der folgenden Zusammensetzung anstelle von DT-2R (die eine verdünnt zu 1:5) durchgeführt. (Alkalientwickler-B-Zusammensetzung)

SiO₂·K₂O (K₂O/SiO₂ = 1/1 (Molarverhältnis)) 3,8 Gew.%

Zitronensäure 0,5 Gew.%

Wasser 95,7 Gew.%
[Kratzbeständigkeitsbewertung]
Mit den entstandenen Planographieoriginaldruckplatten der Erfindung wurde jede Platte mittels einer Kratztestvorrichtung, hergestellt von HEIDON Corp., mit Saphir (Spitzendurchmesser 1,0 mm) unter einer Belastung gekratzt. Unmittelbar danach wurde unter Verwendung eines PS-Prozessors LP940H, hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., beladen mit einem Entwickler DT-2 (der eine, verdünnt zu 1:8), hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., und Finisher FG-1 (der eine, verdünnt zu 1:1), hergestellt von Fuji Photo Film Co., Ltd., eine Entwicklung mit der Lösungstemperatur, die bei 30°C für eine Entwicklungszeit von 12 Sekunden gehalten wurde, durchgeführt. Die elektrische Leitfähigkeit bei diesem Schritt betrug 43 mS/cm. Die Belastung, bei der kein Kratzer beobachtet wurde, wurde als der Wert der Kratzbeständigkeit angenommen. Die Platte mit einem höheren Wert wurde bewertet, dass sie bei der Kratzbeständigkeit herausragend ist.
Die copolymerisierbaren Monomere, die für die Copolymere der Erfindung verwendet wurden, die in Tabelle 1 beschrieben sind, sind unten angegeben.
Monomer a: Monomer, dargestellt durch die Formel (I)
Veranschaulichte Verbindungen a-1 bis a-36
Monomer b: Styrolderivat
Veranschaulichte Verbindungen b-1 bis b-17
Monomer c: Acrylamidderivat
Veranschaulichte Verbindungen c-1 bis c-10
Monomer d: Acrylsäureester
d-1: Methylacrylat
d-2: Methylmethacrylat
d-3: Ethylmethacrylat
d-4: Isopropylmethacrylat
d-5: n-Butylmethacrylat
Wie es aus Tabelle 1 ersichtlich ist, wird in den Beispielen 1 bis 37 der Erfindung die Entwicklungsbreite zu einem großen Ausmaß erweitert und die Kratzbeständigkeit wird auch im Vergleich zu den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 auffallend verbessert.
Gemäß der Erfindung ist eine direkte Plattenherstellung, bezogen auf digitale Daten von einem Computer oder dergleichen, möglich und es ist möglich, eine infrarot- empfindliche Lithographiedruckplatte bereitzustellen, die bei der Entwicklungsbreite und bei der Kratzbeständigkeit herausragend ist.

Claims

Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte, umfassend einen Träger und eine wärmeempfindliche Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die wärmeempfindliche Schicht umfaßt: (A) ein Copolymer, das eine durch die folgende Formel (I) repräsentierte Monomereinheit aufweist; (B) eine alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht, die eine Sulfonamidgruppe aufweist; und (C) ein Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial:
worin R ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe darstellt; X eine Arylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, oder irgendeine der folgenden Strukturen darstellt:
worin Ar eine Arylengruppe, die einen Substituenten aufweisen kann, darstellt; Y eine zweiwertige Verknüpfungsgruppe darstellt.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin das Copolymer (A) die durch die Formel (I) repräsentierte Monomereinheit in einer Menge von 1 bis 90 mol% umfaßt.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin das Copolymer (A) ferner zumindest eine Monomereinheit von (Meth)acrylsäureestern, (Meth)acrylamidderivaten und Styrolderivaten aufweist.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin das Copolymer (A) ferner zumindest eine Monomereinheit von (Meth)acrylsäureestern, (Meth)acrylamidderivaten und Styrolderivaten in einer Menge von 5 bis 90 mol% aufweist.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin die wärmeempfindliche Schicht das Copolymer (A) in einer Menge von 1 Gew.% bis 40 Gew.% umfaßt.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin die alkalilösliche Verbindung mit hohem Molekulargewicht (B) zumindest eine Monomereinheit aus Verbindungen mit niedrigem Molekulargewicht aufweist, die jeweils in einem Molekül zumindest eine Sulfonamidgruppe -NH-SO₂- und zumindest eine polymerisierbare ungesättigte Bindung aufweisen.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin die wärmeempfindliche Schicht ferner ein Novolakharz umfaßt.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin das Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial ein Infrarot-absorbierender Farbstoff ist.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 8, worin der Infrarot-absorbierende Farbstoff Absorptionsvermögen für Infrarotstrahlen bei 700 bis 1.200 nm aufweist.
Infrarot-empfindliche Lithographiedruckplatte gemäß Anspruch 1, worin die wärmeempfindliche Schicht das Licht/Wärme-Umwandlungsmaterial in einer Menge von 0,01 bis 50 Gew.% umfaßt.