DE60317156T2 - Aktuator und dessen Herstellungsverfahren - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Aktuator, welcher Armauslenkungen einer Siliziumstruktur mit einer piezoelektrischen Vorrichtung, die daran befestigt ist, nutzt, und auf ein Verfahren zum Herstellen desselben. Speziell bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen Aktuator, der für ein Steuern der Position eines Magnetkopfes in einer magnetischen Aufnahmevorrichtung mit hoher Präzision usw. geeignet ist, und auf ein Verfahren zum Herstellen desselben.
  • Verwandter Stand der Technik
  • In den letzten Jahren hat sich die magnetische Aufnahmedichte in einer sehr raschen Geschwindigkeit verbessert. Daher hat sich die Spurabstandsbreite verengt, um die Dichte zu erhöhen, was es notwenig macht, die Präzision beim Regulieren der Magnetkopfposition im Hinblick auf die Spurpositionen zu verbessern. Jedoch besteht hier eine Grenze bei der Magnetkopfpositionsregulierung, wenn sie von der Steuerung eines VOM (Schwingspulenmotor) allein abhängig ist. Daher wurde ein zweistufiges Servosteuersystem unter Verwendung eines VCM und ein Aktuator zum Ausführen einer feineren Steuerung vorgeschlagen.
  • Als Aktuator für eine Verwendung in dem zweistufigen Servosteuersystem sind Zirkoniumrahmenaktuatoren und Metallrahmenaktuatoren (zum Beispiel in der japanischen Patentanmeldungsoffenlegungsschrift Nr. 2002-289936 offenbart, auch veröffentlicht als EP 1 225 644 ) herkömmlich bekannt.
  • Ein Zirkoniumrahmenaktuator wird durch ein Verfahren erhalten, das die Schritte eines Ausbildens einer geschichteten Zirkoniumschicht mit einer piezoelektrischen Vorrichtung durch Drucken oder dergleichen, Hartbrennen des resultierenden Produktes und dann Schneiden des gebrannten Produktes in eine Vorrichtungsgröße aufweist. Dieser Aktuator ist vorteilhaft, da seine Stoßfestigkeit durch die Verwendung von Zirkonium verbessert ist.
  • Zum Herstellen eines Metallrahmenaktuators wird ein Edelstahl anfangs geätzt oder gestanzt, um eine Schieberhalterung, wobei ein Teil an einer Aufhängung zu befestigen ist, und ein Paar von Antriebsteilen (Armen) auszubilden, an welchen eine piezoelektrische Vorrichtung angebracht ist. Nachfolgend wird jedes Antriebsteil so gebogen, dass es senkrecht zu der Schieberhalterung ist, und eine piezoelektrische Vorrichtung wird an der Außenseite von jedem Antriebsteil angebracht. Dies resultiert in einem Aktuator mit einem Hauptteil, das integral aus einem Metall ausgebildet ist. Das integrale Ausbilden kann die Anzahl von Komponenten reduzieren, während die Produktionseffektivität verbessert wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Jedoch wurden die folgenden Probleme bei den oben erwähnten herkömmlichen Aktuatoren gefunden. Erstens haben die Zirkoniumrahmenaktuatoren eine solche hohe Härte, dass ihre Verarbeitbarkeit gering ist, wodurch sie nicht für ein Verringern der Größe geeignet sind und nur schwer einem Trend folgen, Kopfschieber kleiner herzustellen, was von nun an erwartet wird. Keramiken wie zum Beispiel Zirkonium tendieren dazu, Blasen zu enthalten, was es auch für ein Paar von Antriebsteilen (Armen) schwierig macht, mit hoher Präzision gesteuert zu werden.
  • Andererseits ist ein Verbiegen oder dergleichen für ein integrales Ausbilden der Metallrahmenaktuatoren notwendig, was Zeit und Mühe zum Herstellen derselben erfordert.
  • Daher war es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Aktuator, welcher Arme mit hoher Präzision steuern kann und einfach und kleiner hergestellt werden kann, und ein Verfahren zum Herstellen desselben zur Verfügung zu stellen.
  • Die oben genannte Aufgabe kann durch die vorliegende Erfindung gelöst werden, welche einen Aktuator zur Verfügung stellt, der die Merkmale von Anspruch 1 aufweist. Gemäß der vorliegenden Erfindung weist der Aktuator eine Siliziumstruktur auf, die integral aus einkristallinem Silizium ausgebildet ist, mit einem Paar von Armen und einem Verbindungsteil zum Verbinden der Arme miteinander; und jeweiligen piezoelektrischen Vorrichtungen, die an den Armen angebracht sind.
  • Jede piezoelektrische Vorrichtung hat eine Form, die sich in einer Richtung erstreckt und ist an einer Außenseitenfläche des jeweiligen Arms so angebracht, dass sich eine Längsrichtung der piezoelektrischen Vorrichtung entlang einer Längsrichtung des Arms erstreckt.
  • Da der Aktuator aus einkristallinem Silizium ausgebildet ist, sind weniger Kristalldefekte darin, wodurch die Arme mit hoher Präzision gesteuert werden können.
  • Da der Aktuator aus Silizium ausgebildet ist, können fotolithografische Techniken, die bei Halbleiterherstellungsprozessen verwendet werden, und dergleichen zum Herstellen desselben verwendet werden. Die fotolithografischen Techniken ermöglichen ein genaues Prozessieren, wodurch der Aktuator kleiner hergestellt werden kann.
  • Der Aktuator kann einfach hergestellt werden, da die Siliziumstruktur integral durch Verwenden der fotolithografischen Techniken ausgebildet werden kann. Das Herstellen kann auch dadurch als einfach betrachtet werden, da kein Verbiegen der Arme wie in dem Fall, wo ein Metallrahmenaktuator integral ausgebildet wird, notwendig ist.
  • Der Aufbau des Aktuators der vorliegenden Erfindung kann effektiv Auslenkungen von piezoelektrischen Vorrichtungen auf die Arme übertragen, wodurch es möglich ist, die Arme mit hoher Präzision zu steuern.
  • In dem Aktuator der vorliegenden Erfindung kann jede piezoelektrische Vorrichtung eine geschichtete piezoelektrische Vorrichtung sein. Dies kann die Antriebsbeträge der piezoelektrischen Vorrichtungen verbessern, wodurch der Auslenkungsbetrag der Arme größer gemacht werden kann.
  • Die Siliziumstruktur kann mit Verunreinigungen dotiert sein, um den Widerstand zu verringern. Dies macht es möglich, die piezoelektrischen Vorrichtungen durch die Siliziumstruktur zu erregen.
  • Das Verfahren zum Herstellen eines Aktuators gemäß der vorliegenden Erfindung weist die Schritte eines Ätzens einer Oberfläche eines einkristallinen Siliziumssubstrates, um eine Vielzahl von plattenähnlichen Auskragen auszubilden, die parallel auf dem einkristallinen Siliziumsubstrat angeordnet sind; ein Schneiden des einkristallinen Siliziumsubstrates in eine Vielzahl von Blöcken, die jeweils ein Paar von plattenähnlichen Vorsprüngen haben; ein Anbringen eines länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörpers an einer Außenseitenfläche von jedem eines Paars plattenähnlicher Vorsprüngen in jedem Block; und ein Schneiden des Blocks, der die länglichen piezoelektrischen Vorrichtungen hat, die daran befestigt sind, in eine Vielzahl von Aktuatoren, die jeweils eine Siliziumstruktur aufweisen, die integral mit einem Paar von Armen und einem Verbindungsteil zum Verbinden der Arme miteinander, und jeweiligen piezoelektrischen Vorrichtungen, die an den Armen befestigt sind, ausgebildet ist, auf.
  • Da der so erhaltene Aktuator aus einkristallinem Silizium ausgebildet ist, sind weniger Kristalldefekte darin, wodurch die Arme mit hoher Präzision gesteuert werden können.
  • Da eine Ätztechnik, welche ein feines Prozessieren ermöglicht, für das Herstellen verwendet wird, kann der Aktuator kleiner gemacht werden.
  • Da die Siliziumstruktur integral durch Verwenden der Ätztechnik ausgebildet ist, ist die Herstellung einfach. Das Herstellen kann auch dadurch als einfach betrachtet werden, da kein Verbiegen der Arme wie in dem Fall, wo ein Metallrahmenaktuator integral ausgebildet wird, notwendig ist.
  • Da längliche piezoelektrische Vorrichtungskörper, welche aufgrund ihrer Länge einfach zu handhaben sind, an einem Block angebracht sind, und der Block dann in eine Vielzahl von Aktuatoren geschnitten wird, ist die Produktionseffektivität viel höher als in dem Fall, wo piezoelektrische Vorrichtungen an den Armen der Siliziumstrukturen einer nach dem anderen angebracht sind.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aktuator gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung des Aktuators, der in 1 gezeigt ist; die 3A bis 3F sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen des Aktuators gemäß der ersten Ausführungsform zeigen;
  • 4 ist eine Perspektivansicht, die den Aktuator gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 5 ist eine Perspektivansicht, die ein modifiziertes Beispiel von piezoelektrischen Vorrichtungen zeigt, die in dem Aktuator gemäß der zweiten Ausführungsform verwendet werden;
  • 6 ist eine Perspektivansicht, die den Aktuator gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 7 ist eine Perspektivansicht, die den Aktuator gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail im Hinblick auf die zugehörigen Zeichnungen erläutert. Komponenten, die identisch zueinander sind, werden mit Bezugszeichen bezeichnet, die identisch zueinander sind, ohne ihre überlappenden Erläuterungen zu wiederholen.
  • Erste Ausführungsform: 1 ist eine Perspektivansicht, die den Aktuator gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt, wobei 2 eine perspektivische Explosivdarstellung des Aktuators ist, der in 1 gezeigt ist. Der Aktuator 1 ist in dieser Ausführungsform ein Aktuator für eine HDD-Servosteuerung, und wird für ein Auslenken eines Magnetkopfschiebers (im Folgenden als ein „Schieber" bezeichnet) SL in Richtung der Pfeile X in der Zeichnung verwendet. Der Aktuator 1 ist aus einer Siliziumstruktur 10 und einem Paar von piezoelektrischen Vorrichtungen 30, 30 aufgebaut.
  • Die Siliziumstruktur 10 ist integral in einer im Wesentlichen U-förmigen Form aus einkristallinem Silizium ausgebildet, und ist durch ein Paar von Armen 12, 12, die den Schieber SL dazwischen halten, und ein Verbindungsteil 15 zum Verbinden der Arme 12, 12 miteinander aufgebaut. Das Verbindungsteil 15 hat eine rechteckige Quaderform, wobei die Arme 12, 12 parallel von beiden Seiten herausragen. Als Siliziumstruktur 10 wurde eine Struktur mit einem geringen Widerstand, dotiert mit Verunreinigungen verwendet. Der Widerstand ist vorzugsweise 1 Ωcm oder geringer. Die Siliziumstruktur 10 kann durch Dotieren mit einem Donator wie zum Beispiel Phosphor als Verunreinigung in einen n-Typ-Halbleiter umgewandelt werden, oder durch Dotieren mit einem Akzeptor wie zum Beispiel Aluminium als Verunreinigung in einen p-Typ-Halbleiter umgewandelt werden.
  • Jede piezoelektrische Vorrichtung 30 ist an der Außenseitenfläche 12a des jeweiligen Armteils 12 durch einen elektrisch leitfähigen Kleber wie zum Beispiel Epoxid, Silikon und Acryltypen befestigt. Jede piezoelektrische Vorrichtung 30 hat eine Einzelplattenstruktur, bei welcher die Vorder- und Rückseitenflächen eines piezoelektrischen Keramikkörpers 31 wie zum Beispiel PZT mit jeweiligen Elektroden 32 ausgebildet sind. Jede piezoelektrische Vorrichtung 30 erstreckt sich in einer Richtung, um eine rechteckige plattenähnliche Form zu erlangen und ist an dem entsprechenden Arm 12 so ange bracht, dass sich die Längsrichtung der piezoelektrischen Vorrichtung 30 entlang der Längsrichtung des Arms 12 erstreckt. Im Ergebnis können die Auslenkungen der piezoelektrischen Vorrichtung 30 effektiv auf die Arme 12 übertragen werden, wodurch die Arme 12 mit hoher Präzision gesteuert werden können.
  • Der Schieber SL weist einen Dünnfilmmagnetkopf H auf und wird zum Lesen einer Magnetaufnahmeinformation von Festplatten und zum Aufnehmen einer Magnetaufnahmeinformation auf Festplatten verwendet. Der Schieber SL hat eine im Wesentlichen rechteckige Quaderform, deren obere Fläche in der Zeichnung eine Luftlageroberfläche ist, die einer Festplatte gegenüber ist. Hier ist der Schieber SL schematisch ohne Darstellung einer Schieberschiene zum Einstellen des Schwebebetrags von der Festplatte usw. gezeigt. Der Schieber SL ist an der Innenseitenfläche von jedem Arm 12 mit einem Kleber befestigt.
  • Der Aktuator 1 ist an einem Aufhängungsarm 40 eines Festplattenlaufwerks befestigt. Der Aufhängungsarm 40 hat ein Führungsende, das mit einem Tragbügel 42 ausgestattet ist, und wird durch einen Schwingspulenmotor angetrieben. Der Aktuator 1 wird mit einer Zunge 42a des Tragbügels 42 verbunden und befestigt. Da die Arme 12 schwingen müssen, wird der Kleber zum Befestigen des Aktuators 1 an dem Tragbügel 42 nur auf das Verbindungsteil 15 aufgebracht.
  • Wenn eine Spannung zwischen den Elektroden 32, 32 durch die Siliziumstruktur 10, deren Widerstand in dem so aufgebauten Aktuator verringert ist, angelegt wird, dehnt sich jeder piezoelektrische Keramikkörper 31 aus oder zieht sich gemäß seiner Polarisierungsrichtung zusammen. Solche Deformationen der piezoelektrischen Keramikkörper 31 können die Arme 12, 12 in Richtung der Pfeile X (Richtungen im Wesentlichen senkrecht zu der Längsrichtung von jedem Arm 12 innerhalb der Ebene, in welchen die zwei Arme 12 angeordnet sind) auslenken, wodurch die Position des Schiebers SL gesteuert wird. Die zwei Arme 12 funktionieren nämlich als Antriebsarme. Der Aktuator 1 kann bewirken, dass der Schieber SL um einen winzigen Betrag bei einem Niveau schwankt, was durch das Zusammenwirken eines Schwingspulenmotors und der Aufhängungsarme nicht realisiert werden kann.
  • Die folgenden Effekte können durch den Aktuator 1 gemäß dieser Ausführungsform erreicht werden. Da dieser Aktuator 1 aus einkristallinem Silizium ausgebildet ist, sind weniger Kristalldefekte darin, wodurch die Arme 12 mit hoher Präzision gesteuert werden können. Auch kann, da einkristallines Silizium sich nicht plastisch sondern elastisch in nerhalb des Temperaturbereichs, in welchem das Festplattenlaufwerk verwendet wird, deformiert, ein Aktuator mit hoher Steuerbarkeit realisiert werden.
  • Der Aktuator 1 ist aus Silizium ausgebildet und kann daher durch Verwenden fotolithografischer und mikromechanischer Techniken, die in Halbleiterherstellungsprozessen und dergleichen verwendet werden, hergestellt werden. Die fotolithografischen Techniken ermöglichen ein feines Prozessieren und daher kann der Aktuator 1 kleiner gemacht werden, so dass der Aktuator 1 vollständig als Pico-Schieber, Fempto-Schieber oder dergleichen verwendet werden kann.
  • Wenn ein Aktuator durch Bearbeiten wie zum Beispiel Spanen oder Schleifen hergestellt wird, können seine Oberflächen beschädigt werden, wodurch Cracks und dergleichen auftreten können. Andererseits kann ein Trocken- oder Nassätzen das Erscheinen eines solchen Problems verhindern, wodurch der Aktuator vollständig als ein HDD-Servosteueraktuator verwendet werden kann.
  • Weiterhin kann der Aktuator einfach hergestellt werden, da die Siliziumstruktur 10 integral durch Verwenden einer fotolithografischen Technik ausgebildet werden kann. Das Herstellen kann auch als einfach betrachtet werden, da kein Verbiegen der Arme, wie in dem Fall, in dem ein Metallrahmenaktuator integral ausgebildet wird, notwendig ist.
  • Ein Verfahren zum Herstellen des Aktuators gemäß dieser Ausführungsform wird nun im Hinblick auf die 3A bis 3F erläutert.
  • Zuerst wird, wie in 3A gezeigt, ein einkristallines Siliziumsubstrat 60 vorbereitet. Das einkristalline Siliziumsubstrat 60 ist absichtlich undotiert, wodurch es einen hohen Widerstand aufweist.
  • Nachfolgend wird, wie in 3B gezeigt, eine Oberfläche des einkristallinen Siliziumsubstrates 60 geätzt, um so eine Vielzahl von plattenähnlichen Vorsprüngen 61 auszubilden, die parallel daran angeordnet sind. Die plattenähnlichen Vorsprüngen 61, von welchen jede wie ein Band ausgebildet ist, sind parallel zueinander. Die plattenähnlichen Vorsprüngen 61 werden Arme 12 in einem späteren Schritt. Der nicht geätzte Bereich des Substrates, der sich unter den Armen 12 befindet, wird ein Verbindungsteil 15 in einem späteren Schritt. Die Abstände der plattenähnlichen Vorsprüngen 61 können durch eine Struktur einer Fotomaske, die während des Ätzens ausgebildet wird, einge stellt werden. Die Höhe jeder plattenähnlichen Vorsprung 61 (entsprechend der Länge jedes Arms) wird durch die Ätzzeit eingestellt.
  • Als das oben genannte Ätzen wird ein Nassätzen unter Verwendung einer wässrigen Alkalilösung wie zum Beispiel KOH und TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) als ein Ätzer oder ein Trockenätzen wie zum Beispiel ICP-RIE (induktiv gekoppeltes reaktives Plasmainonenätzen) unter Verwendung von SF6/CF4 nachdem eine Struktur mit einem Fotolack ausgebildet wurde, ausgeführt. Hierbei ist die Oberflächenorientierung des Siliziumsubstrates vorzugsweise eine (110)-Oberfläche, wenn sie einem Nassätzen ausgesetzt wird, aber speziell im Fall eines Trockenätzens ist sie nicht darauf beschränkt. Obwohl ein (110)-oberflächenorientiertes Substrat für ein Nassätzen verwendet wird, gibt es keine spezielle Beschränkung in dem Fall eines Trockenätzens. Die plattenähnlichen Vorsprüngen 61, die zu den Armen 12 werden, werden durch Stoppen des Ätzens in der Mitte ausgebildet. Die Höhe der Vorsprüngen 61 wird durch Einstellen der Ätzzeit gesteuert.
  • Nachfolgend wird, wie in 3C gezeigt, das geätzte Siliziumsubstrat mit einer Vielzahl von plattenähnlichen Vorsprüngen 61 in eine Vielzahl von Blöcke 68 geschnitten, die jeweils ein Paar von plattenähnlichen Vorsprüngen 61 haben. Die Schneiderichtungen sind parallel zu der Richtung, in welche sich jede plattenähnliche Vorsprung 61 erstreckt. Ohne speziell beschränkend zu sein, kann die Technik zum Schneiden des Substrates irgendwelche Substratverteiler, Waferschneider, Drahtsägen und Laser verwenden. Nach dem Schneiden des Siliziumsubstrates werden die Querschnitte geschliffen.
  • Als Nächstes werden, wie in 3D gezeigt, längliche (streifenähnliche) piezoelektrische Vorrichtungskörper 70 vorbereitet. Ein rechteckiger piezoelektrischer Keramikkörper wird mit jeweiligen Elektroden an seiner Vorder- und Rückseite ausgebildet und dann dünn geschnitten, um längliche piezoelektrische Vorrichtungskörper 70 zu erzeugen.
  • Nachfolgend werden, wie in 3E gezeigt, die länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörper 70 an beiden Seiten des Blocks 68 jeweils angebracht. Für diese Anbringung wird ein elektrisch leitfähiger Klebstoff wie zum Beispiel Epoxidharz, Silikon und Acryltypen beispielsweise verwendet. Die jeweiligen länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörper 70, die an einem Paar von plattenähnlichen Vorsprüngen 61, 61 angebracht sind, können in der gleichen Richtung oder in Richtungen entgegengesetzt zueinander polarisiert werden.
  • Dann wird, wie in 3F gezeigt, der Block 68 mit den länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörpern 70, die daran befestigt sind, in eine Vielzahl von Aktuatoren 1 geschnitten, die jeweils die Siliziumstruktur 10 und die piezoelektrischen Vorrichtungen 30, wie in 1 gezeigt, haben. Die Schneiderichtungen (gezeigt durch unterbrochene Linien in 3F) sind senkrecht zu der Richtung, in welche sich jede plattenähnliche Vorsprung 61 erstreckt. Ohne sich speziell zu beschränken, kann die Schneidetechnik in diesem Fall jegliche Substratverteilung, jedes Waferschneiden, Drahtsägen und Laser verwenden. Die Siliziumstruktur 10 in dem Aktuator 1 ist durch die Arme 12 ausgebildet, die aus den plattenähnlichen Vorsprüngen 61 und dem Verbindungsteil 15, das von dem verbleibenden Bereich des einkristallinen Siliziumsubstrats 60 erhalten wird, ausgebildet werden. Die länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörper 70 werden die piezoelektrischen Vorrichtungen 30.
  • Das Vorhergehende ist ein Verfahren zum Herstellen des Aktuators gemäß dieser Ausführungsform. Da der so erhaltene Aktuator 5 aus einkristallinem Silizium ausgebildet ist, sind die Kristalldefekte darin geringer, wodurch die Arme 12 mit hoher Präzision gesteuert werden können. Auch kann, da sich einkristallines Silizium nicht plastisch sondern elastisch innerhalb des Temperaturbereiches, in welchem das Festplattenlaufwerk in Verwendung ist, deformiert, ein Aktuator mit hoher Steuerbarkeit realisiert werden.
  • Da eine Ätztechnik für die Herstellung verwendet wird, die eine genaue Prozessierung ermöglicht, kann der Aktuator 1 kleiner hergestellt werden. Da weiterhin die Siliziumstruktur 1 durch Verwenden der Ätztechnik integral ausgebildet ist, ist die Herstellung einfach. Die Herstellung kann auch daher als einfach betrachtet werden, da kein Verbiegen der Arme wie in dem Fall, wo ein Metallrahmenaktuator integral ausgebildet wird, notwendig ist.
  • Da die Ätztechnik verwendet wird, gibt es hier geringere Schäden an Siliziumoberflächen, wodurch der Aktuator seine Festigkeit nicht verringert. Da Ätzen verwendet wird, kann eine Struktur mit einem hohen Aspektverhältnis ausgebildet werden, was es möglich macht, die Länge der Arme 12 über einen breiten Bereich festzulegen, und was Produktionen mit einer bevorzugten wiederholbaren Reproduzierbarkeit ermöglicht.
  • Da die länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörper 70, welche aufgrund ihrer Länge einfach zu handhaben sind, an dem Block 68 angebracht sind, und der Block 68 in eine Vielzahl von Aktuatoren 1 geschnitten wird, ist die Produktionseffektivität viel höher als in dem Fall, wo piezoelektrische Vorrichtungen 30 an den Armen 12 der Siliziumstrukturen 10 einer nach dem anderen angebracht sind. Daher ist das Verfahren gemäß dieser Ausführungsform ausgezeichnet in der Massenproduktivität. Speziell verringert das Verfahren die Anzahl von Operationen zum Einstellen der Positionen der piezoelektrischen Vorrichtungen und die Anzahl von Verbindeoperationen und deren Kosten. Da die länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörper 70 an ausreichend geeigneten Positionen mit einer Vorrichtung allein angebracht werden können, ist das Verfahren auch dahingehend vorteilhaft, dass keine teure Vorrichtungsmontageapparatur notwendig ist.
  • Zweite Ausführungsform: 4 ist eine Perspektivansicht, die den Aktuator gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Der Aktuator 1 gemäß der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform durch eine geschichtete piezoelektrische Vorrichtung 50, die anstelle der mit einer Platte verwendet wird. In einem piezoelektrischen Keramikkörper 51 von jeder geschichteten piezoelektrischen Vorrichtung 50 sind innere Elektroden 52a, 52b abwechselnd geschichtet. Endteile der inneren Elektroden 52a sind in einer Endfläche des piezoelektrischen Keramikkörpers 51 offengelegt und mit einer Außenelektrode 53a verbunden. Andererseits sind Endteile der inneren Elektroden 52b an der anderen Endfläche des piezoelektrischen Keramikkörpers 51 offengelegt und mit einer Außenelektrode 53b verbunden.
  • Die Außenelektroden 53a, 53b erstrecken sich von jeweiligen Endflächenbereichen des piezoelektrischen Keramikkörpers 51 zu ihren entsprechenden Außenseitenflächen (Oberflächen gegenüber den Seiten, wo die Arme 12 positioniert sind), wodurch Verbindungsoperationen, wie zum Beispiel Drahtbonden, an der gleichen Oberfläche ausgeführt werden können. Hier deckt die Außenelektrode 53a die Oberfläche auf der Seite der Siliziumstruktur 10 in dem piezoelektrischen Keramikkörper 51 ab. Die Außenelektroden 53a und 53b sind nicht miteinander in Kontakt und bilden einen Spalt dazwischen.
  • Als eine treibende piezoelektrische Vorrichtung wird in dieser Ausführungsform eine geschichtete verwendet, wodurch der Betrag der Auslenkung auf der führenden Endseite von jedem Arm 12 verbessert werden kann.
  • Der Aktuator kann in einem Verfahren ähnlich dem der ersten Ausführungsform hergestellt werden, wenn als streifenähnliche längliche piezoelektrische Vorrichtungskörper diejenigen während des Herstellens verwendet werden, die eine Vielzahl von Innen- und Außenelektroden, wie oben erwähnt, aufweisen.
  • In dieser Ausführungsform kann die Siliziumstruktur 10 dazu gebracht werden, einen niedrigen Widerstand durch Dotieren mit Verunreinigungen oder einen hohen Widerstand ohne Dotierung anzunehmen. Diese Ausführungsform ist dahingehend vorteilhaft, dass die Herstellung einfacher als in der ersten Ausführungsform ist, da die Zeit und der Aufwand zum Dotieren mit Verunreinigungen gespart werden kann.
  • 5 ist eine Perspektivansicht, die ein modifiziertes Beispiel von piezoelektrischen Vorrichtungen zeigt, die in dem Aktuator dieser Ausführungsform verwendet werden. In diesem modifizierten Beispiel bedeckt die andere Außenelektrode 53b, obwohl die Außenelektrode 53a der piezoelektrischen Vorrichtung 50 die Struktur hat, die in 4 gezeigt ist, keine Endflächen des piezoelektrischen Keramikkörpers 51. Eine Durchgangsbohrung 54, die elektrisch mit den einzelnen inneren Elektroden 52b verbunden ist, ist in dem piezoelektrischen Keramikkörper 51 ausgebildet und ist mit der Außenelektrode 53b verbunden. Solch ein Aufbau kann auch die piezoelektrischen Vorrichtungen auslenken, wenn eine Spannung zwischen den Außenelektroden 53a, 53b angelegt wird.
  • Dritte Ausführungsform: 6 ist eine Perspektivansicht, die den Aktuator gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. In dieser Ausführungsform ist die Siliziumstruktur 10 eine, in welcher einkristallines Silizium mit Verunreinigungen dotiert ist, um seinen Widerstand zu verringern. Der Widerstand ist vorzugsweise 1 Ωcm oder geringer. Die Siliziumstruktur 10 kann in einen n-Typ-Halbleiter durch Dotieren mit einem Donator wie zum Beispiel Phosphor als Verunreinigung oder in einen p-Typ-Halbleiter durch Dotieren mit einem Akzeptor wie zum Beispiel Aluminium als Verunreinigung umgewandelt werden.
  • Jede piezoelektrische Vorrichtung 90, die in dieser Ausführungsform verwendet wird, ist aus einem Einzelplattentyp wie in der ersten Ausführungsform aber ist durch einen piezoelektrischen Keramikkörper 91 und eine einzelne Elektrode 92 ausgebildet, die an einer Außenseitenfläche davon positioniert ist. Anders als die ersten Ausführungsform ist nämlich eine Elektrode an nur einer Seite des piezoelektrischen Keramikkörpers 91 ausgebildet. Die piezoelektrische Vorrichtung 90 ist mit einem Arm 12 der Siliziumstruktur 10 mit einem elektrisch leitfähigen Kleber verbunden.
  • Wenn ein Strom zwischen jeder Elektrode 92 und der Siliziumstruktur 10 angelegt wird, kann eine Spannung an jedes der Paare von piezoelektrischen Vorrichtungen 90, 90 angelegt werden. Die Siliziumstruktur 10 funktioniert nämlich auch als eine gemeinsame Anschlussklemme für die piezoelektrischen Vorrichtungen 90, 90. Da nur eine Oberfläche von jeder piezoelektrischen Vorrichtung 90 mit einer Elektrode auszubilden ist, können Herstellungszeit und Kosten verringert werden.
  • Vierte Ausführungsform: 7 ist eine Perspektivansicht, die eine vierte Ausführungsform des Aktuators gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Der Aktuator 1 gemäß dieser Ausführungsform unterscheidet sich von dem der ersten Ausführungsform in der piezoelektrischen Vorrichtungsstruktur. Nämlich obwohl jeder piezoelektrische Keramikkörper 81 eine Einzelplattenstruktur wie in der ersten Ausführungsform hat, unterscheiden sich die Konfigurationen der Elektroden 82, 83 von denen in der ersten Ausführungsform. Die Elektrode 83 deckt die Oberfläche an der Seite der Siliziumstruktur 10, einer Seitenendfläche, und einen Teil der Außenseitenfläche des piezoelektrischen Keramikkörpers 81 ab. Andererseits ist die Elektrode 82 an der Außenseitenfläche des Keramikkörpers 81 ausgebildet, während sie durch einen geeigneten Spalt von der Elektrode 83 getrennt ist. Solch ein Aufbau ist dahingehend vorteilhaft, dass Verbindungsoperationen, wie zum Beispiel Drahtbonden, an der gleichen Oberfläche ausgeführt werden können.
  • In dieser Ausführungsform kann die Siliziumstruktur 10 dazu gebracht werden, einen niedrigen Widerstand durch Dotieren mit Verunreinigungen oder einen hohen Widerstand ohne Dotieren anzunehmen. Diese Ausführungsform ist dahingehend vorteilhaft, dass die Herstellung einfacher als in der ersten Ausführungsform ist, da die Zeit und der Aufwand zum Dotieren mit Verunreinigungen gespart werden können.
  • Während die Erfindung, die durch die Erfinder erzielt wurde, in dem Vorhergehenden speziell im Hinblick auf die Ausführungsformen erläutert wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die oben genannten Ausführungsformen beschränkt. Beispielsweise, obwohl piezoelektrische Vorrichtungen beispielhaft durch Einzelplatten und geschichtete Typen gezeigt wurden, können auch solche vom bimorphen Typ verwendet werden.
  • Wie in dem Vorangegangenen erläutert, kann die vorliegende Erfindung Arme mit hoher Präzision steuern, kleinere Größen erzielen und die Herstellung erleichtern.

Claims (4)

  1. Aktuator (1), der umfasst: eine Struktur (10) mit ein Paar Armen (12) und einem Verbindungsteil (15) zum Verbinden der Arme miteinander; und jeweilige piezoelektrische Vorrichtungen (30, 50, 80, 90), die an den Armen angebracht sind, wobei jede piezoelektrische Vorrichtung (30, 50, 80, 90) eine Form hat, die sich in einer Richtung erstreckt, und an einer Außenseitenfläche (12a) des jeweiligen Arms so angebracht ist, dass eine Längsrichtung der piezoelektrischen Einrichtung in einer Längsrichtung des Arms verläuft, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (10) eine Silizium-Struktur ist, die integral aus Einkristall-Silizium besteht.
  2. Aktuator nach Anspruch 1, wobei die piezoelektrische Vorrichtung eine laminierte piezoelektrische Vorrichtung (50) ist.
  3. Aktuator nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei die Silizium-Struktur (10) mit einer Verunreinigung dotiert ist, um einen niedrigeren Widerstand zu erreichen.
  4. Verfahren zum Herstellen eines Aktuators, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Ätzen einer Fläche eines Einkristall-Siliziumsubstrats (60), um eine Vielzahl plattenartiger Vorsprüngen (61) auszubilden, die parallel auf dem Einkristall-Siliziumsubstrat angeordnet sind; Schneiden des Einkristall-Siliziumsubstrats in eine Vielzahl von Blöcken (68), die jeweils ein Paar plattenartige Vorsprünge (61) aufweisen; Anbringen eines länglichen piezoelektrischen Vorrichtungskörpers (70) an einer Außenseitenfläche jedes eines Paars plattenartiger Vorsprünge (61) in jedem Block (68); und Schneiden des Blocks (68) mit den daran angebrachten länglichen piezoelektrischen Vorrichtungen in eine Vielzahl von Aktuatoren (1), die jeweils eine Silizium-Struktur (10), die integral mit einem Paar Arme (12) und einem Verbindungsteil (15) zum Verbinden der Arme miteinander versehen ist, und jeweilige piezoelektrische Vorrichtungen (30) umfasst, die an den Armen angebracht sind.
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